CN104779214A - 集成传感器的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种集成传感器的封装结构,包括:第一基板以及设置在第一基板上的多个传感器,每个传感器均包括MEMS传感器芯片和与MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片;其中,每个传感器均与其它传感器隔离地封装在第一基板上。本发明还提出了一种集成传感器的封装结构,所述传感器包括敏感传感器和非敏感传感器,每个敏感传感器均与其它传感器隔离地封装在第一基板上。本发明通过腔体分立,将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装,或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装,以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰,有效提升了集成传感器的产品性能。
Description
技术领域
本发明涉及集成传感器的封装结构。
背景技术
集成传感器是一种内部集成了多个传感器单元的传感器芯片(例如由压力传感器单元和温度传感器单元集成的集成传感器),并且作为一个能够同时实现多种传感功能的独立的芯片进行使用。目前集成传感器的封装一般是将其各个传感器单元的MEMS传感器芯片和ASIC芯片贴装于基板上,最终封装在一个腔体内进行集成,例如图1和图2所示:外壳2覆盖在第一基板1上围成一个大的腔体,腔体内设置有贴装在第一基板1上的两个传感器单元。其中一个传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5,两者之间通过引线4电连接,AISC芯片5通过引线连接至第一基板1。另一个传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7,两者之间同样通过引线电连接,AISC芯片7通过引线连接至第一基板1。外壳2设有传感器单元传感所需的开口6,第一基板1的背面设有焊盘9,传感器单元通过焊盘9与外部电路电连接。
现有集成传感器的这种封装方式是将集成传感器的全部传感器单元封装在一个腔体内,这种情况下不同传感器单元之间容易造成电、磁、热、光等相互干扰,严重影响集成传感器的整体性能。
发明内容
为了解决上述技术问题,尽量减少集成传感器的各个传感器单元之间的互相干扰,本发明提出了关于集成传感器封装的新的技术方案。
根据本发明的第一方面,提供了一种集成传感器的封装结构,包括:第一基板以及设置在所述第一基板上的多个传感器,每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片;其中,每个所述传感器均与其它传感器隔离地封装在所述第一基板上。
优选的,包括至少一个由外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体,所述第一封装腔体内通过侧壁隔离为至少两个第二封装腔体,每个所述第二封装腔体内设置有一个所述传感器。
优选的,包括至少一个由独立外壳和所述第一基板围成的第三封装腔体,每个所述第三封装腔体内部设置有一个所述传感器。
优选的,所述传感器直接设置于所述第一基板上或者通过第二基板设置于所述第一基板上。
优选的,至少一个所述传感器的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
优选的,互不干扰的传感器的ASIC芯片集成在一起或者MEMS传感器芯片集成在一起。
根据本发明的第二方面,还提供了一种集成传感器的封装结构,包括:第一基板以及设置在所述第一基板上的多个传感器,每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片;其中,所述传感器包括敏感传感器和非敏感传感器,每个所述敏感传感器均与其它传感器隔离地封装在所述第一基板上。
优选的,包括至少一个由外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体,所述第一封装腔体内通过侧壁隔离为至少两个第二封装腔体,其中至少一个第二封装腔体内设置有一个所述敏感传感器。
优选的,包括至少一个由独立外壳和所述第一基板围成的第三封装腔体,其中至少一个第三封装腔体内部设置有一个所述敏感传感器。
优选的,多个所述传感器包括压力传感器、麦克风、以及湿度传感器,所述麦克风和所述湿度传感为敏感传感器,所述压力传感器为非敏感传感器。
优选的,所述传感器直接设置于所述第一基板上或者通过第二基板设置于所述第一基板上。
优选的,至少一个所述传感器的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
优选的,互不干扰的传感器的ASIC芯片集成在一起或者MEMS传感器芯片集成在一起。
本发明通过腔体分立,将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装,或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装,以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰,有效提升了集成传感器的产品性能。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例,并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。
图1、2是现有集成传感器封装结构的结构示意图。
图3、4是本发明集成传感器封装结构第一实施例的结构示意图。
图5、6是本发明集成传感器封装结构第二实施例的结构示意图。
图7、8是本发明集成传感器封装结构第三实施例的结构示意图。
图9、10是本发明集成传感器封装结构第四实施例的结构示意图。
图11是本发明集成传感器封装结构第五实施例的结构示意图。
图12、13是本发明集成传感器封装结构第六实施例的结构示意图。
图14、15是本发明集成传感器封装结构第七实施例的结构示意图。
图16、17是本发明集成传感器封装结构第八实施例的结构示意图。
图18、19是本发明集成传感器封装结构第九实施例的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
集成传感器中包括多个传感器单元,其中某些传感器单元相对更为敏感,即更容易受到集成传感器中的其它传感器单元的干扰,这里将容易受到其它传感器单元干扰的传感器单元称之为“敏感传感器”,敏感传感器之外的传感器单元称之为“非敏感传感器”。本发明令每个敏感传感器均与其它传感器隔离,进一步也可以令任何一个传感器均与其它传感器隔离。例如在一个包括压力传感器、麦克风、以及湿度传感器的集成传感器中,压力传感器会释放电磁信号和热能成为干扰源,麦克风很容易被压力传感器释放出的电磁信号所干扰,湿度传感器很容易被压力传感器释放出的热能所干扰,所以压力传感器为非敏感传感器,麦克风和湿度传感器为敏感传感器,所以本发明会将麦克风与其它传感器隔离开,将湿度传感器也与其它传感器隔离开。在本发明公开的基础上,本领域技术人员可以根据实际应用产品和环境确定敏感传感器和非敏感传感器,这些也应当属于本发明的保护范围内。
参考图3和图4所示为集成传感器封装结构的第一实施例,集成传感器一共包含两个传感器单元,其中一个传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5,两者之间通过一引线4电连接,ASIC芯片5通过一引线与第一基板1电连接。另一个传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7,两者之间同样通过一引线电连接,ASIC芯片7通过一引线与第一基板1电连接。两个传感器单元均贴装于第一基板1上,通过第一基板1背面的焊盘9与外部电路电连接。可以看出,第一实施例是通过外壳2和第一基板1围成一个大封装腔体(第一封装腔体),在大封装腔体内部设置侧壁将大封装腔体隔离为两个小封装腔体(第二封装腔体),两个传感器单元分别设置于各自的第二封装腔体内,在第二封装腔体的顶部开设有传感器单元传感所需的开口6。
参考图5和图6所示为集成传感器封装结构的第二实施例,和图3所示的第一实施例的不同之处在于,第二实施例还包括第三个传感器单元,第三个传感器单元包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10,两者之间同样通过引线电连接,ASIC芯片10通过引线与第一基板1电连接。在大封装腔体(第一封装腔体)内部设置侧壁将大封装腔体隔离为三个小封装腔体(第二封装腔体),三个传感器单元分别设置于各自的第二封装腔体内。
参考图7和图8所示为集成传感器封装结构的第三实施例,包括三个传感器单元,其中包括一个敏感传感器和两个非敏感传感器,敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5,一个非敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7,另一个非敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10。在大封装腔体内部设置侧壁将大封装腔体(第一封装腔体)隔离为两个小封装腔体(第二封装腔体),将敏感传感器单独的设置于一个第二封装腔体内,将两个非敏感传感器共同设置在另一个第二封装腔体内,以实现敏感传感器和其它传感器的隔离,避免敏感传感器单元受到其它传感器单元的干扰。
参考图9和图10所示为集成传感器封装结构的第四实施例,和图3所示的第一实施例的不同之处在于,不是通过在大封装腔体内部设置侧壁隔离出小封装腔体的形式实现不同传感器单元之间的隔离,而是由两个彼此独立的外壳2-1和2-2分别与第一基板1围成的独立的第三封装腔体,两个传感器单元分别设置于各自的第三封装腔体内,在第三封装腔体的顶部分别开设有传感器单元传感所需的开口6-1和6-2。
参考图11所示为集成传感器封装结构的第五实施例,和图9所示的第四实施例的不同之处在于,右边的传感器单元不是直接设置于第一基板1上而是通过第二基板15间接设置于所述第一基板1上,该传感器单元贴装于第二基板15上,通过第一基板1背面的焊盘9与外部电路电连接。在该传感器单元的装配、工作过程中,外部应力传递至第一基板1然后由第二基板15缓冲卸掉,保护了该传感器单元,使该传感器单元性能更稳定。特别对于压力传感器单元,第二基板15作为缓冲部的结构设计,避免了外部应力对压力传感器产生影响而导致压力传感器数据误差,提高了压力传感器单元的灵敏度。
其中,第一至第三实施例中的外壳是由基板组成,第四和第五实施例中的外壳是金属外壳。
上述实施例中,各个芯片需要单独贴装和电连接,工序多效率低,不良隐患剧增,并且各个芯片之间需要留出组装安全空间,浪费产品总体空间。为了能够更好的实现腔体的分立,本发明还可以将传感器单元进行集成设计,以减少空间浪费,优省加工工序,提升封装效率和产品良率。本发明提供了以下三种集成方式:
参考图12和图13所示为集成传感器封装结构的第六实施例,和图5所示的第二实施例一样包括三个传感器单元,不同之处在于,左边传感器单元21的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起,中间传感器单元22的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
参考图14和图15所示为集成传感器封装结构的第七实施例,和图7所示的第三实施例的不同之处在于,两个互不干扰的传感器单元共用一个ASIC芯片,具体来说MEMS传感器芯片8和MEMS传感器芯片11共用一个ASIC芯片10。
参考图16和图17所示为集成传感器封装结构的第八实施例,和图7所示的第三实施例的不同之处在于,两个互不干扰的传感器单元共用一个MEMS传感器芯片,具体来说ASIC芯片7和ASIC芯片10共用一个MEMS传感器芯片8。
参考图18和图19所示为集成传感器封装结构的第三实施例,和图7所示的第三实施例的不同之处在于,中间的非敏感传感器单元22的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起,和右边的另一个非敏感传感器单元(包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10)互不干扰共用一个腔体。
相对于现有的集成传感器共用一个大腔体的封装方式,本发明通过腔体分立,将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装,或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装,以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰,有效提升了集成传感器的产品性能。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种集成传感器的封装结构,其特征在于,包括:
第一基板以及设置在所述第一基板上的多个传感器,每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片;
其中,每个所述传感器均与其它传感器隔离地封装在所述第一基板上。
2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,包括至少一个由外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体,所述第一封装腔体内通过侧壁隔离为至少两个第二封装腔体,每个所述第二封装腔体内设置有一个所述传感器。
3.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,包括至少一个由独立外壳和所述第一基板围成的第三封装腔体,每个所述第三封装腔体内部设置有一个所述传感器。
4.一种集成传感器的封装结构,其特征在于,包括:
第一基板以及设置在所述第一基板上的多个传感器,每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片;
其中,所述传感器包括敏感传感器和非敏感传感器,每个所述敏感传感器均与其它传感器隔离地封装在所述第一基板上。
5.根据权利要求4所述的结构,其特征在于,包括至少一个由外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体,所述第一封装腔体内通过侧壁隔离为至少两个第二封装腔体,其中至少一个第二封装腔体内设置有一个所述敏感传感器。
6.根据权利要求4所述的结构,其特征在于,包括至少一个由独立外壳和所述第一基板围成的第三封装腔体,其中至少一个第三封装腔体内部设置有一个所述敏感传感器。
7.根据权利要求4-6任一项所述的结构,其特征在于,多个所述传感器包括压力传感器、麦克风、以及湿度传感器,所述麦克风和所述湿度传感为敏感传感器,所述压力传感器为非敏感传感器。
8.根据权利要求1或4所述的结构,其特征在于,所述传感器直接设置于所述第一基板上或者通过第二基板设置于所述第一基板上。
9.根据权利要求1或4所述的结构,其特征在于,至少一个所述传感器的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
10.根据权利要求1或4所述的结构,其特征在于,互不干扰的传感器的ASIC芯片集成在一起或者MEMS传感器芯片集成在一起。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510182343.9A CN104779214A (zh) | 2015-04-16 | 2015-04-16 | 集成传感器的封装结构 |
PCT/CN2015/096909 WO2016165359A1 (zh) | 2015-04-16 | 2015-12-10 | 集成传感器的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201510182343.9A CN104779214A (zh) | 2015-04-16 | 2015-04-16 | 集成传感器的封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104779214A true CN104779214A (zh) | 2015-07-15 |
Family
ID=53620610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510182343.9A Pending CN104779214A (zh) | 2015-04-16 | 2015-04-16 | 集成传感器的封装结构 |
Country Status (2)
Country | Link |
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WO2020113697A1 (zh) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 歌尔股份有限公司 | 芯片内置电路板、组合传感器及电子设备 |
CN109348389B (zh) * | 2018-12-07 | 2024-05-24 | 歌尔微电子股份有限公司 | 组合传感器和电子设备 |
CN110118702A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-08-13 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种玻璃破碎检测装置及方法 |
CN110470700A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-19 | 维沃移动通信有限公司 | 传感器组件、传感器及终端设备 |
CN110470700B (zh) * | 2019-07-11 | 2022-08-02 | 维沃移动通信有限公司 | 传感器组件、传感器及终端设备 |
CN112701211A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-23 | 上海烨映微电子科技股份有限公司 | 红外热电堆封装结构及方法 |
CN114440954A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-05-06 | 荣成歌尔微电子有限公司 | 传感器封装结构、封装方法及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016165359A1 (zh) | 2016-10-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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