CN204464258U - 一种集成传感器的封装结构 - Google Patents

一种集成传感器的封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN204464258U
CN204464258U CN201520232396.2U CN201520232396U CN204464258U CN 204464258 U CN204464258 U CN 204464258U CN 201520232396 U CN201520232396 U CN 201520232396U CN 204464258 U CN204464258 U CN 204464258U
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor
substrate
cavity
transducer
encapsulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201520232396.2U
Other languages
English (en)
Inventor
端木鲁玉
张俊德
宋青林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Goertek Microelectronics Inc
Original Assignee
Goertek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goertek Inc filed Critical Goertek Inc
Priority to CN201520232396.2U priority Critical patent/CN204464258U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN204464258U publication Critical patent/CN204464258U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本实用新型提出了一种集成传感器的封装结构，包括：第一基板；设置在所述第一基板上的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；以及，至少一个由第一外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体，所述第一封装腔体内部设置有至少一个由第二外壳和所述第一基板围成的第二封装腔体；其中，每个所述第二封装腔体内设置有至少一个所述传感器。本实用新型通过腔体分立，将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装，或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装，以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰，有效提升了集成传感器的产品性能。

Description

一种集成传感器的封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种集成传感器的封装结构。
背景技术
集成传感器是一种内部集成了多个传感器单元的传感器芯片(例如由压力传感器单元和温度传感器单元集成的集成传感器)，并且作为一个能够同时实现多种传感功能的独立的芯片进行使用。目前集成传感器的封装一般是将其各个传感器单元的MEMS传感器芯片和ASIC芯片贴装于基板上，最终封装在一个腔体内进行集成，例如图1和图2所示：外壳2覆盖在第一基板1上围成一个大的腔体，腔体内设置有贴装在第一基板1上的两个传感器单元。其中一个传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5，两者之间通过引线4电连接，AISC芯片5通过引线连接至第一基板1。另一个传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7，两者之间同样通过引线电连接，AISC芯片7通过引线连接至第一基板1。外壳2设有传感器单元传感所需的开口6，第一基板1的背面设有焊盘9，传感器单元通过焊盘9与外部电路电连接。
现有集成传感器的这种封装方式是将集成传感器的全部传感器单元封装在一个腔体内，这种情况下不同传感器单元之间容易造成电、磁、热、光等相互干扰，严重影响集成传感器的整体性能。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，尽量减少集成传感器的各个传感器单元之间的互相干扰，本实用新型提出了关于集成传感器封装的新的技术方案。
本实用新型提供了一种集成传感器的封装结构，包括：第一基板；设置在所述第一基板上的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；以及，至少一个由第一外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体，所述第一封装腔体内部设置有至少一个由第二外壳和所述第一基板围成的第二封装腔体；其中，每个所述第二封装腔体内设置有至少一个所述传感器。
优选的，至少一个所述传感器设置于所述第一封装腔体的内部同时位于所述第二封装腔体的外部。
优选的，多个所述传感器包括敏感传感器和非敏感传感器，每个所述敏感传感器均与其它传感器隔离。
优选的，多个所述传感器包括压力传感器、麦克风、以及湿度传感器，所述麦克风和所述湿度传感为敏感传感器，所述压力传感器为非敏感传感器。
优选的，所述麦克风单独设置于一个所述第二封装腔体内部，所述湿度传感器单独设置于另一个所述第二封装腔体内部。
优选的，所述压力传感器设置于所述第一封装腔体的内部同时位于各个所述第二封装腔体的外部。
优选的，所述第一外壳为基板外壳或者金属外壳，所述第二外壳为基板外壳或者金属外壳。
优选的，所述传感器直接设置于所述第一基板上或者所述传感器通过第二基板设置于所述第一基板上。
优选的，至少一个所述传感器的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
优选的，互不干扰的传感器的ASIC芯片集成在一起或者MEMS传感器芯片集成在一起。
本实用新型通过腔体分立，将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装，或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装，以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰，有效提升了集成传感器的产品性能。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1、2是现有集成传感器封装结构的结构示意图。
图3、4是本实用新型集成传感器封装结构第一实施例的结构示意图。
图5是本实用新型集成传感器封装结构第二实施例的结构示意图。
图6是本实用新型集成传感器封装结构第三实施例的结构示意图。
图7是本实用新型集成传感器封装结构第四实施例的结构示意图。
图8是本实用新型集成传感器封装结构第五实施例的结构示意图。
图9是本实用新型集成传感器封装结构第六实施例的结构示意图。
图10是本实用新型集成传感器封装结构第七实施例的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参考图3和图4所示为集成传感器封装结构的第一实施例，集成传感器一共包含两个传感器单元，其中一个传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5，两者之间通过一引线4电连接，ASIC芯片5通过一引线与第一基板1电连接。另一个传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7，两者之间同样通过一引线电连接，ASIC芯片7通过一引线与第一基板1电连接。两个传感器单元均贴装于第一基板1上，通过第一基板1背面的焊盘9与外部电路电连接。
可以看出，第一实施例是通过外壳2-1和第一基板1围成第一封装腔体，在第一封装腔体内部设置有一个由外壳2-2和第一基板1围成的第二封装腔体。一个传感器单元设置于第二封装腔体内，在该第二封装腔体的顶部开设有传感器单元传感所需的开口6-2。另一个传感器单元设置于第一封装腔体和第二封装腔体之间的空间内，在第一封装腔体的顶部开设有传感器单元传感所需的开口6-1。
参考图5所示为集成传感器封装结构的第二实施例，和图3所示的第一实施例的不同之处在于，第二实施例包括三个传感器单元，通过外壳2-1和第一基板1围成第一封装腔体，在第一封装腔体内部设置有两个第二封装腔体。外壳2-2和第一基板1围成一个第二封装腔体，内部设置有第一个传感器单元，该第一个传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7，在该第二封装腔体的顶部开设有开口6-2。外壳2-3和第一基板1围成另一个第二封装腔体，内部设置有第二个传感器单元，该第二个传感器单元包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10，在该第二封装腔体的顶部开设有开口6-3。第三个传感器单元设置于第一封装腔体和第二封装腔体之间的空间内，该第一个传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5，在第一封装腔体的顶部开设有开口6-1。
集成传感器中包括多个传感器单元，其中某些传感器单元相对更为敏感，即更容易受到集成传感器中的其它传感器单元的干扰，这里将容易受到其它传感器单元干扰的传感器单元称之为“敏感传感器”，敏感传感器之外的传感器单元称之为“非敏感传感器”。参考图6所示为集成传感器封装结构的第三实施例，包括三个传感器单元，其中包括一个敏感传感器和两个非敏感传感器，敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片3和ASIC芯片5，一个非敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片8和ASIC芯片7，另一个非敏感传感器单元包括MEMS传感器芯片11和ASIC芯片10。将两个非敏感传感器共同设置于第二封装腔体内，将敏感传感器设置于第一封装腔体和第二封装腔体之间的空间内，这样就实现了敏感传感器和其它传感器的隔离。当然也可以像图5那样，将敏感传感器单独的设置在第二封装腔体内，也能够实现与其它传感器的隔离。
本实用新型令每个敏感传感器均与其它传感器隔离，例如在一个包括压力传感器、麦克风、以及湿度传感器的集成传感器中，压力传感器会释放电磁信号和热能成为干扰源，麦克风很容易被压力传感器释放出的电磁信号所干扰，湿度传感器很容易被压力传感器释放出的热能所干扰，所以压力传感器为非敏感传感器，麦克风和湿度传感器为敏感传感器，所以本实用新型将麦克风单独设置在一个第二封装腔体内部，将湿度传感器单独设置在另一个第二封装腔体内部，将压力传感器设置于第一封装腔体的内部同时位于各个第二封装腔体的外部，这样就可以避免麦克风和湿度传感器受到压力传感器的干扰。在本实用新型公开的基础上，本领域技术人员可以根据实际应用产品和环境确定敏感传感器和非敏感传感器，这些也应当属于本实用新型的保护范围内。
参考图7所示为集成传感器封装结构的第四实施例，和图3所示的第一实施例的不同之处在于，右边的传感器单元不是直接设置于第一基板1上而是通过第二基板15间接设置于第一基板1上，该传感器单元贴装于第二基板15上，通过第一基板1背面的焊盘9与外部电路电连接。在该传感器单元的装配、工作过程中，外部应力传递至第一基板1然后由第二基板15缓冲卸掉，保护了该传感器单元，使该传感器单元性能更稳定。特别对于压力传感器单元，第二基板15作为缓冲部的结构设计，避免了外部应力对压力传感器产生影响而导致压力传感器数据误差，提高了压力传感器单元的灵敏度。
上述实施例中，各个芯片需要单独贴装和电连接，工序多效率低，不良隐患剧增，并且各个芯片之间需要留出组装安全空间，浪费产品总体空间。为了能够更好的实现腔体的分立，本实用新型还可以将传感器单元进行集成设计，以减少空间浪费，优省加工工序，提升封装效率和产品良率。本实用新型提供了以下三种集成方式：
参考图8所示为集成传感器封装结构的第五实施例，和图5所示的第二实施例一样包括三个传感器单元，不同之处在于，位于中间的传感器单元21的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
参考图9所示为集成传感器封装结构的第六实施例，和图6所示的第三实施例的不同之处在于，两个互不干扰的传感器单元共用一个ASIC芯片，具体来说MEMS传感器芯片8和MEMS传感器芯片11共用一个ASIC芯片10。
参考图10所示为集成传感器封装结构的第七实施例，和图6所示的第三实施例的不同之处在于，两个互不干扰的传感器单元共用一个MEMS传感器芯片，具体来说ASIC芯片7和ASIC芯片10共用一个MEMS传感器芯片8。
上述实施例中，外壳采用金属外壳，当然也可以采用由基板组成的基板外壳，这些都应当属于本实用新型的保护范围内。
相对于现有的集成传感器共用一个大腔体的封装方式，本实用新型通过腔体分立，将集成传感器的每个传感器单元都进行隔离封装，或者将容易受到干扰的敏感传感器单元进行隔离封装，以屏蔽掉集成传感器的各个传感器单元之间的彼此干扰，有效提升了集成传感器的产品性能。
虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种集成传感器的封装结构，其特征在于，包括：
第一基板；
设置在所述第一基板上的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；以及，
至少一个由第一外壳和所述第一基板围成的第一封装腔体，所述第一封装腔体内部设置有至少一个由第二外壳和所述第一基板围成的第二封装腔体；其中，每个所述第二封装腔体内设置有至少一个所述传感器。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，至少一个所述传感器设置于所述第一封装腔体的内部同时位于所述第二封装腔体的外部。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，多个所述传感器包括敏感传感器和非敏感传感器，每个所述敏感传感器均与其它传感器隔离。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，多个所述传感器包括压力传感器、麦克风、以及湿度传感器，所述麦克风和所述湿度传感为敏感传感器，所述压力传感器为非敏感传感器。
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述麦克风单独设置于一个所述第二封装腔体内部，所述湿度传感器单独设置于另一个所述第二封装腔体内部。
6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述压力传感器设置于所述第一封装腔体的内部同时位于各个所述第二封装腔体的外部。
7.根据权利要求1-6任一项所述的结构，其特征在于，所述第一外壳为基板外壳或者金属外壳，所述第二外壳为基板外壳或者金属外壳。
8.根据权利要求1-6任一项所述的结构，其特征在于，所述传感器直接设置于所述第一基板上或者所述传感器通过第二基板设置于所述第一基板上。
9.根据权利要求1-6任一项所述的结构，其特征在于，至少一个所述传感器的MEMS传感器芯片和ASIC芯片集成在一起。
10.根据权利要求1-6任一项所述的结构，其特征在于，互不干扰的传感器的ASIC芯片集成在一起或者MEMS传感器芯片集成在一起。
CN201520232396.2U 2015-04-16 2015-04-16 一种集成传感器的封装结构 Active CN204464258U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520232396.2U CN204464258U (zh) 2015-04-16 2015-04-16 一种集成传感器的封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520232396.2U CN204464258U (zh) 2015-04-16 2015-04-16 一种集成传感器的封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204464258U true CN204464258U (zh) 2015-07-08

Family

ID=53671106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520232396.2U Active CN204464258U (zh) 2015-04-16 2015-04-16 一种集成传感器的封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN204464258U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104766831A (zh) * 2015-04-16 2015-07-08 歌尔声学股份有限公司 一种集成传感器的封装结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104766831A (zh) * 2015-04-16 2015-07-08 歌尔声学股份有限公司 一种集成传感器的封装结构
CN104766831B (zh) * 2015-04-16 2018-03-23 歌尔股份有限公司 一种集成传感器的封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104766831A (zh) 一种集成传感器的封装结构
CN104779214A (zh) 集成传感器的封装结构
CN104779213A (zh) 集成传感器的封装结构和封装方法
CN104900599A (zh) 集成传感器的封装结构和封装方法
US9143849B2 (en) Sensor module
US20140090485A1 (en) MEMS Pressure Sensor Assembly
CN105792083B (zh) 微机电麦克风封装
TWI840402B (zh) 介接佈置、用於製造介接佈置的方法、及收容介接佈置的多層結構
KR20170094425A (ko) Mems 압력 센서, mems 관성 센서 집적 구조
CN209400128U (zh) 防水压差传感器
CN208691560U (zh) Mems麦克风
CN214373107U (zh) 气压传感器及电子设备
EP3930194A1 (en) Capacitance detection apparatus and electronic device
CN204464258U (zh) 一种集成传感器的封装结构
CN204464257U (zh) 集成传感器的封装结构
CN204516738U (zh) 集成传感器的封装结构
CN207649640U (zh) 一种惯性传感器、环境传感器的封装结构
CN203845811U (zh) 多功能传感器
CN202679624U (zh) Mems麦克风
KR20150097629A (ko) 발생기 요소의 위치를 검출하기 위한 센서
CN207061864U (zh) 一种芯片的安装结构
CN202710237U (zh) 绝压传感器封装结构
CN115406577A (zh) 一种mems压力传感器封装结构及其制备方法
CN212393002U (zh) 微机电传感器连接结构
CN207802370U (zh) 一种麦克风和电容式传感器集成结构

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee after: Goertek Inc.

Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee before: Goertek Inc.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200611

Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province

Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee before: GOERTEK Inc.

TR01 Transfer of patent right