JP5867821B2 - 圧力センサ - Google Patents
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
- G01L9/0008—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
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Description
したがって、2つの圧力変動センサの出力の差分を検出することによって、所望の周波数未満の周波数帯域の圧力変動を相殺することができ、圧力センサを一方の圧力変動センサよりも急峻な遮断特性の感度を有するように作動させることができる。
しかも、2つの圧力変動センサの出力の差分によって、各圧力変動センサに生じる温度特性による検出誤差および外乱による振動などを相殺することができ、圧力変動の検出精度を向上させることができる。
本実施の形態による圧力センサ10は、例えば、実効的に同一の周波数特性を有するとともに、いわば圧力伝達経路上に直列(2段)に配列された2つの圧力変動センサ11(例えば、第1圧力変動センサ(P1)11aおよび第2圧力変動センサ(P2)11b)と、2つの圧力変動センサ11の出力の差分を検出する検出回路12と、を備え、圧力(例えば、気圧など)の変動に応じた信号を出力する。
この周波数特性は、例えば遮断周波数fcなどのように圧力変動センサ11の感度が所定値以上となる下限周波数であって、この下限周波数より低い周波数帯域の圧力変動に対しては周波数の低下に伴い感度は低下傾向に変化し、下限周波数より高い周波数帯域の圧力変動に対しては周波数の増大に伴い感度は所定値から上限値に飽和するように増大傾向に変化する。
この圧力変動センサ11において、例えば図2(A),(B)に示す期間Aのようにキャビティ21の外部の圧力Pout(=第1所定圧力Pa)と内部の圧力Pinとの圧力差がゼロである場合には、例えば図3(A)に示すようにカンチレバー22は撓み変形せず、圧力変動センサ11の出力(センサ出力)はゼロである。
そして、例えば図2(A),(B)に示す時刻t2以降の期間Cのように、キャビティ21の内部の圧力Pinが外部の圧力Poutに等しくなると(Pin=Pout=Pb)、例えば図3(C)に示すようにカンチレバー22の撓み変形は解消され、圧力変動センサ11の出力はゼロになる。
このブリッジ回路31において、第1ピエゾ抵抗24aと第2ピエゾ抵抗24bとの接続点は差動増幅回路33の反転入力端子に接続され、固定抵抗41,42同士の接続点は差動増幅回路33の非反転入力端子に接続されている。
この電位差は、第1ピエゾ抵抗24aの抵抗値RP1と第2ピエゾ抵抗24bの抵抗値RP2との差分(RP1−RP2)、つまり第1圧力変動センサ(P1)11aの出力と第2圧力変動センサ(P2)11bの出力との差分に応じた値となる。
つまり、第2圧力変動センサ(P2)11bのギャップ23は、第1圧力変動センサ(P1)11aおよび第2圧力変動センサ(P2)11bの互いのキャビティ21の内部を連通させている。
また、第2圧力変動センサ(P2)11bのキャビティ21は、例えば、有底筒状部52と、有底筒状部52の開口端52aに配置された第2圧力変動センサ(P2)11bのカンチレバー22と、によって形成されている。
また、第2圧力変動センサ(P2)11bのカンチレバー22は、第1圧力変動センサ(P1)11aのキャビティ21の内部と第2圧力変動センサ(P2)11bのキャビティ21の内部との圧力差に応じて撓み変形する。
したがって、圧力センサ10は、いわば第1圧力変動センサ(P1)11aよりも急峻な遮断特性の感度を有するように作動する。
しかも、2つの圧力変動センサ11の出力の差分によって、各第1圧力変動センサ(P1)11aおよび第2圧力変動センサ(P2)11bに生じる温度特性による検出誤差および外乱による振動などを相殺することができ、圧力変動の検出精度を向上させることができる。
この第1変形例において、第2圧力変動センサ(P2)11bのキャビティ21は、例えば、第2有底筒状部64と、第2有底筒状部64の開口端64aに配置された第2圧力変動センサ(P2)11bのカンチレバー22と、によって形成されている。
Claims (4)
- 2つの圧力変動センサと、
前記2つの圧力変動センサの出力の差分を検出する検出手段と、を備え、
前記圧力変動センサは、
開口するキャビティと、
基端側から先端側に向かう方向に延びる板状に形成され、前記キャビティの開口端において片持ち状態で支持された基端部および自由端とされた先端部を有し、前記キャビティの内部と外部との圧力差に応じて撓み変形するカンチレバーと、
前記カンチレバーの前記先端部と前記キャビティの開口端との間に設けられ、前記キャビティの内部と外部とを連通するギャップと、
前記カンチレバーの撓み変形を検出して、検出結果の信号を出力する変形検出手段と、を備え、
前記2つの圧力変動センサは、少なくとも前記キャビティの容量または前記ギャップの距離に応じて実効的に同一の周波数特性として、前記圧力変動センサの感度が所定値以上となる下限周波数を有し、
一方の前記圧力変動センサの前記ギャップは、前記2つの圧力変動センサの前記キャビティの外部と一方の前記圧力変動センサの前記キャビティの内部とを連通し、
他方の前記圧力変動センサの前記ギャップは、一方の前記圧力変動センサの前記キャビティの内部と他方の前記圧力変動センサの前記キャビティの内部とを連通することを特徴とする圧力センサ。 - 一方の前記圧力変動センサの前記カンチレバーは、一方の前記圧力変動センサの前記キャビティを成す筒状部の延在方向の一方の開口端に配置され、
他方の前記圧力変動センサの前記カンチレバーは、前記筒状部の延在方向の他方の開口端と他方の前記圧力変動センサの前記キャビティを成す有底筒状部の開口端との間に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。 - 一方の前記圧力変動センサの前記カンチレバーは、一方の前記圧力変動センサの前記キャビティを成す第1有底筒状部の第1開口部の開口端に配置され、
他方の前記圧力変動センサの前記カンチレバーは、前記第1有底筒状部の第2開口部の開口端と他方の前記圧力変動センサの前記キャビティを成す第2有底筒状部の開口端との間に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。 - 前記変形検出手段は、
半導体材料によって形成された前記カンチレバーの前記基端部において不純物のドーピングによって形成されたピエゾ抵抗を備えることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1つに記載の圧力センサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012051472A JP5867821B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 圧力センサ |
US13/779,852 US9170167B2 (en) | 2012-03-08 | 2013-02-28 | Pressure sensor |
CN201310073801.6A CN103308247B (zh) | 2012-03-08 | 2013-03-08 | 压力传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012051472A JP5867821B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013185971A JP2013185971A (ja) | 2013-09-19 |
JP5867821B2 true JP5867821B2 (ja) | 2016-02-24 |
Family
ID=49133713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012051472A Active JP5867821B2 (ja) | 2012-03-08 | 2012-03-08 | 圧力センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9170167B2 (ja) |
JP (1) | JP5867821B2 (ja) |
CN (1) | CN103308247B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6073512B1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-02-01 | 株式会社フジクラ | 差圧検出素子、流量計測装置、及び、差圧検出素子の製造方法 |
JP2017181292A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジクラ | 差圧センサモジュール |
JP2020134364A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | セイコーインスツル株式会社 | 圧力センサ、圧力センサ駆動方法および圧力センサ運搬方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5778619B2 (ja) * | 2012-05-02 | 2015-09-16 | セイコーインスツル株式会社 | 圧力センサ |
JP6292932B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2018-03-14 | セイコーインスツル株式会社 | 圧力センサ |
US10094724B2 (en) | 2014-03-13 | 2018-10-09 | Seiko Instruments Inc. | Pressure sensor |
CN106716094B (zh) * | 2014-10-06 | 2019-10-25 | 国立大学法人东京大学 | 压力传感器 |
CN107036755B (zh) * | 2016-11-16 | 2019-07-05 | 中国核动力研究设计院 | 一种适用于测压系统的压强放大器 |
JP6815900B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2021-01-20 | セイコーインスツル株式会社 | 圧力センサ |
US10747196B2 (en) * | 2018-04-16 | 2020-08-18 | Hamilton Sundstrand Corporation | Blast wave detector |
EP3995802A1 (en) * | 2020-11-05 | 2022-05-11 | Melexis Technologies NV | Dual pressure sensor |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60133332A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-16 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
JPH06324074A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Omron Corp | ピエゾ抵抗変化検出方式センサ、モジュール、振動検出機能付き機器、ボイラの物理量検出装置、気体用物理量検出装置及び異常状態検出装置 |
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EP1682859A4 (en) * | 2003-08-11 | 2007-08-22 | Analog Devices Inc | CAPACITIVE SENSOR |
KR100999838B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2010-12-09 | 한국과학기술원 | 다중외팔보 mems 센서의 제조방법 및 다중외팔보 mems 센서를 이용한 음원위치 추정방법 |
JP5242347B2 (ja) * | 2008-11-11 | 2013-07-24 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 検出センサ |
JP2010151769A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 感圧素子 |
EP2309241B1 (en) * | 2009-10-07 | 2016-11-30 | ams international AG | MEMS pressure sensor |
-
2012
- 2012-03-08 JP JP2012051472A patent/JP5867821B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-28 US US13/779,852 patent/US9170167B2/en active Active
- 2013-03-08 CN CN201310073801.6A patent/CN103308247B/zh active Active
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JP2020134364A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | セイコーインスツル株式会社 | 圧力センサ、圧力センサ駆動方法および圧力センサ運搬方法 |
JP7156969B2 (ja) | 2019-02-21 | 2022-10-19 | セイコーインスツル株式会社 | 圧力センサ駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013185971A (ja) | 2013-09-19 |
US20130247676A1 (en) | 2013-09-26 |
CN103308247B (zh) | 2016-08-03 |
CN103308247A (zh) | 2013-09-18 |
US9170167B2 (en) | 2015-10-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151201 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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