JP5862204B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、液晶装置等の電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device such as a liquid crystal device, and an electronic apparatus including the electro-optical device.

各種の電気光学装置のうち、例えば液晶装置では、共通電極との間で電気光学物質層を駆動する画素電極、および画素電極に対応して設けられた画素トランジスターを備えた画素を有している。また、液晶装置では、画素電極に対して保持容量を設け、かかる保持容量によって画素電極の電位を保持することにより、表示画像におけるコントラストの向上やフリッカーの低減が図られている。   Among various electro-optical devices, for example, a liquid crystal device includes a pixel electrode that drives an electro-optical material layer with a common electrode, and a pixel that includes a pixel transistor provided corresponding to the pixel electrode. . In a liquid crystal device, a storage capacitor is provided for a pixel electrode, and the potential of the pixel electrode is held by the storage capacitor, thereby improving contrast and reducing flicker in a display image.

また、複数の保持容量を積層し、保持容量同士を並列に電気的に接続することにより、容量増大を実現するという技術が提案されている(特許文献1、2参照)。   In addition, a technique has been proposed in which a plurality of storage capacitors are stacked and the storage capacitors are electrically connected in parallel to increase the capacity (see Patent Documents 1 and 2).

具体的には、図9に示すように、第1電極71と、第1電極71に対して下層側で第1誘電体層75を介して重なる第2電極72とにより第1保持容量70aを形成し、第1電極71と、第1電極71に対して上層側で第2誘電体層76を介して重なる第3電極73とによって第2保持容量70bを形成し、第2電極72と第3電極73とを導通させた構造が提案されている。   Specifically, as shown in FIG. 9, the first storage capacitor 70 a is formed by the first electrode 71 and the second electrode 72 that overlaps the first electrode 71 on the lower layer side via the first dielectric layer 75. The second storage capacitor 70b is formed by the first electrode 71 and the third electrode 73 overlapping the first electrode 71 on the upper layer side via the second dielectric layer 76, and the second electrode 72 and the second electrode A structure in which the three electrodes 73 are electrically connected has been proposed.

特開2000−284722号公報JP 2000-284722 A 特開2002−123192号公報JP 2002-123192 A

しかしながら、図9に示す構成のように、薄い誘電体層を介して複数の電極が積層している構造を採用すると、短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生しやすいが、図9に示す構成では、第2電極72と第3電極73とが導通しているため、不具合が第1電極71と第2電極72との間、あるいは第1電極71と第3電極73との間のいずれで発生しているかを検査することができないという問題点がある。   However, when a structure in which a plurality of electrodes are stacked via a thin dielectric layer as in the configuration shown in FIG. 9 is adopted, problems such as short circuits and a decrease in withstand voltage are likely to occur. In the configuration, since the second electrode 72 and the third electrode 73 are conductive, there is a problem between the first electrode 71 and the second electrode 72 or between the first electrode 71 and the third electrode 73. There is a problem that it is not possible to inspect whether or not it has occurred.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to easily and reliably inspect which holding capacitor has a defect even when a plurality of holding capacitors electrically connected in parallel are stacked. It is an object of the present invention to provide an electro-optical device that can be used, and an electronic apparatus including the electro-optical device.

上記課題を解決するために、本発明は、基板の一方面側に設けられた画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量、および前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子を画像表示領域に有する電気光学装置であって、前記保持容量は、第1電極、および該第1電極に対して前記基板側で第1誘電体層を介して重なる第2電極により構成された第1保持容量と、前記第1電極、および該第1電極に対して前記基板と反対側で第2誘電体層を介して重なり、前記第2電極と導通する第3電極により構成された第2保持容量と、を備え、前記基板の端部と前記画像表示領域との間には、前記第1保持容量と同一の層構造を備えた検査用第1容量と、前記第2保持容量と同一の層構造を備えた検査用第2容量と、前記検査用第1容量に電気的に接続する第1容量検査用端子対と、前記検査用第2容量に電気的に接続する第2容量検査用端子対と、を有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, the present invention provides an image of a pixel electrode provided on one side of a substrate, a storage capacitor for holding the potential of the pixel electrode, and a switching element provided corresponding to the pixel electrode. An electro-optical device having a display area, wherein the storage capacitor includes a first electrode and a second electrode that overlaps the first electrode on the substrate side through a first dielectric layer. A holding capacitor, a second holding composed of the first electrode, and a third electrode overlapping the second electrode on the opposite side of the substrate with respect to the first electrode and conducting with the second electrode A first capacitor for inspection having the same layer structure as the first storage capacitor, and the same as the second storage capacitor between the edge of the substrate and the image display area A second capacitor for inspection having a layer structure, and a power source connected to the first capacitor for inspection. And having with the first capacitor inspection terminal pair for connecting to a second capacitor terminals for inspection pair electrically connected to the second capacitor the test, the.

本発明では、並列に電気的に接続された第1保持容量と第2保持容量とによって保持容量が形成され、かつ、第1保持容量と第2保持容量とは積層された構造になっている。このため、保持容量は、占有する面積が狭くても大きな静電容量を有する。ここで、基板の端部と画像表示領域との間には、第1保持容量と同一の層構造を備えた検査用第1容量と、第2保持容量と同一の層構造を備えた検査用第2容量が形成されているとともに、検査用第1容量に電気的に接続する第1容量検査用端子対と、検査用第2容量に電気的に接続する第2容量検査用端子対とが設けられている。このため、第1容量検査用端子対を用いれば、検査用第1容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第2保持容量の影響を受けずに、第1保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。また、第2容量検査用端子対を用いれば、検査用第2容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第1保持容量の影響を受けずに、第2保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。従って、保持容量に短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生した場合、第1保持容量および第2保持容量のいずれにおいて不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することができる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。   In the present invention, the storage capacitor is formed by the first storage capacitor and the second storage capacitor electrically connected in parallel, and the first storage capacitor and the second storage capacitor are stacked. . For this reason, the storage capacitor has a large capacitance even when the occupied area is small. Here, between the edge of the substrate and the image display area, the first capacitor for inspection having the same layer structure as the first storage capacitor and the inspection having the same layer structure as the second storage capacitor A first capacitance inspection terminal pair electrically connected to the first inspection capacitor and a second capacitance inspection terminal pair electrically connected to the second inspection capacitor are formed while the second capacitance is formed. Is provided. For this reason, if the first capacitor inspection terminal pair is used, the inspection first capacitor can be inspected. According to the inspection result, the first storage capacitor is not affected by the second storage capacitor. Characteristics such as short circuit and withstand voltage can be grasped. In addition, if the second capacitor inspection terminal pair is used, the inspection second capacitor can be inspected. According to the inspection result, the second storage capacitor is short-circuited without being affected by the first storage capacitor. And characteristics such as withstand voltage. Therefore, when a problem such as a short circuit or a decrease in withstand voltage occurs in the storage capacitor, it is possible to easily and reliably inspect which one of the first storage capacitor and the second storage capacitor has occurred. Therefore, since the inspection result can be appropriately fed back to the manufacturing process or the like, it is possible to appropriately take measures against the malfunction.

本発明において、前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、前記第1電極と同一の層に位置する第1容量検査用第1電極と、前記第2電極と同一の層で前記第1誘電体層を介して前記第1容量検査用第1電極に重なって前記検査用第1容量を構成する第1容量検査用第2電極と、前記第3電極と同一の層で前記第2誘電体層を介して前記第1容量検査用第1電極に重なる第1容量検査用第3電極と、前記第1電極と同一の層に位置する第2容量検査用第1電極と、前記第2電極と同一の層で前記第1誘電体層を介して前記第2容量検査用第1電極に重なる第2容量検査用第2電極と、前記第3電極と同一の層で前記第2誘電体層を介して前記第2容量検査用第1電極に重なって前記検査用第2容量を構成する第2容量検査用第3電極と、が設けられ、前記第1容量検査用端子対は、前記第1容量検査用第1電極に導通する第1容量検査用第1端子と、前記第1容量検査用第2電極に導通する第1容量検査用第2端子と、を備え、前記第2容量検査用端子対は、前記第2容量検査用第3電極に導通する第2容量検査用第1端子と、前記第2容量検査用第1電極に導通する第2容量検査用第2端子と、を備えていることが好ましい。このように構成すると、検査用第1容量および検査用第2容量のいずれにおいても、保持容量と同様、3つの電極の各間に誘電体層が介在している構造になっているので、保持容量の第1保持容量で不具合が発生した際、検査用第1容量で不具合が発生しやすく、保持容量の第2保持容量で不具合が発生した際、検査用第2容量で不具合が発生しやすい。それ故、保持容量での不具合原因等を検査用第1容量および検査用第2容量に対する検査によって確実に把握することができる。   In the present invention, between the image display area of the substrate and the edge of the substrate, the first electrode for first capacitance inspection located in the same layer as the first electrode, and the same as the second electrode A first capacitor inspection second electrode that constitutes the inspection first capacitor over the first dielectric layer via the first dielectric layer, and is identical to the third electrode A first electrode for capacitance inspection that overlaps the first electrode for capacitance inspection via the second dielectric layer, and a second capacitance inspection first electrode located in the same layer as the first electrode. A second electrode for capacitance inspection that overlaps the first electrode for capacitance inspection via the first dielectric layer in the same layer as the second electrode, and the same layer as the third electrode And a second capacitance test for constituting the second capacitance for inspection overlapping the first electrode for the second capacitance inspection via the second dielectric layer. 3 electrodes, and the first capacitance inspection terminal pair is connected to the first capacitance inspection first terminal electrically connected to the first capacitance inspection first electrode and the first capacitance inspection second electrode. A second terminal for capacitance inspection, and the second pair of capacitance inspection terminals are connected to the second electrode for second capacitance inspection, and the second terminal for capacitance inspection. It is preferable to include a second terminal for capacitance inspection that is electrically connected to the first electrode for capacitance inspection. With this configuration, both the first capacitor for inspection and the second capacitor for inspection have a structure in which a dielectric layer is interposed between each of the three electrodes, as in the case of the storage capacitor. When a failure occurs in the first holding capacitor of the capacitor, a failure is likely to occur in the first capacitor for inspection, and when a failure occurs in the second holding capacitor of the holding capacitor, a failure is likely to occur in the second capacitor for inspection. . Therefore, it is possible to reliably grasp the cause of the defect in the storage capacitor by the inspection of the first inspection capacitor and the second inspection capacitor.

この場合、前記第1容量検査用第1端子は、前記第1容量検査用第1電極および前記第1容量検査用第3電極に導通し、前記第2容量検査用第2端子は、前記第2容量検査用第1電極および前記第2容量検査用第2電極に導通していることが好ましい。このように構成すると、検査用第1容量の検査時、第1容量検査用第1電極と第1容量検査用第3電極とが同一の電位になっているので、検査用第1容量の検査結果に第1容量検査用第3電極の電気的な影響が及ばない。また、検査用第2容量の検査時、第2容量検査用第1電極と第2容量検査用第2電極とが同一の電位になっているので、検査用第2容量の検査結果に第2容量検査用第2電極の電気的な影響が及ばない。   In this case, the first capacitor inspection first terminal is electrically connected to the first capacitor inspection first electrode and the first capacitor inspection third electrode, and the second capacitor inspection second terminal is connected to the first capacitor inspection first terminal. It is preferable that the first electrode for two-capacity inspection and the second electrode for second-capacity inspection are electrically connected. With this configuration, when the first capacitor for inspection is inspected, the first electrode for first capacitor inspection and the third electrode for first capacitor inspection are at the same potential, so the inspection of the first capacitor for inspection is performed. The electrical influence of the third electrode for first capacitance inspection does not affect the result. In addition, since the second capacitor inspection first electrode and the second capacitor inspection second electrode are at the same potential when the inspection second capacitor is inspected, the second inspection result of the inspection second capacitor is second. The electrical influence of the second electrode for capacity inspection is not exerted.

本発明において、前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、前記第1電極と同一の層に位置する検査用第1電極と、前記第2電極と同一の層で前記第1誘電体層を介して前記検査用第1電極に重なって前記検査用第1容量を構成する検査用第2電極と、前記第3電極と同一の層で前記第2誘電体層を介して前記検査用第1電極に重なって前記検査用第2容量を構成する検査用第3電極と、前記検査用第1電極に導通する検査用第1端子と、前記検査用第2電極に導通する検査用第2端子と、前記検査用第3電極に導通する検査用第3端子と、を備え、前記第1容量検査用端子対は、前記検査用第1電極と前記検査用第2電極とによって構成され、前記第2容量検査用端子対は、前記検査用第1電極と前記検査用第3電極とによって構成されていることが好ましい。このように構成すると、検査用第1容量および検査用第2容量のいずれもが、保持容量と同様、各々が誘電体層を介して重なっている3つの電極のうちの一部で構成されているので、保持容量での不具合の様子を検査用第1容量および検査用第2容量の検査によって確実に把握することができる。また、検査用第1容量の検査時、検査用第1電極と検査用第3電極とをプローブ等を介して同一の電位にすれば、検査用第1容量の検査結果に検査用第3電極の電気的な影響が及ばない。また、検査用第2容量の検査時、検査用第1電極と検査用第2電極とをプローブ等を介して同一の電位にすれば、検査用第2容量の検査結果に検査用第2電極の電気的な影響が及ばない。   In the present invention, between the image display area of the substrate and the edge of the substrate, the first electrode for inspection located in the same layer as the first electrode and the same layer as the second electrode are provided. A second electrode for inspection constituting the first capacitor for inspection overlapping the first electrode for inspection via the first dielectric layer, and the second dielectric layer formed of the same layer as the third electrode. A third electrode for inspection that constitutes the second capacitor for inspection overlapping with the first electrode for inspection, a first terminal for inspection conducted to the first electrode for inspection, and a second electrode for inspection A second terminal for inspection that conducts and a third terminal for inspection that conducts to the third electrode for inspection, and the first capacitance inspection terminal pair includes the first electrode for inspection and the second inspection terminal. And the second capacitance inspection terminal pair includes a first electrode for inspection and a third electrode for inspection. It is preferred that are configured me. With this configuration, both the first capacitor for inspection and the second capacitor for inspection are configured by a part of the three electrodes that are overlapped with each other via the dielectric layer, like the storage capacitor. Therefore, it is possible to reliably grasp the state of the malfunction in the storage capacitor by the inspection of the first capacity for inspection and the second capacity for inspection. Further, when the inspection first capacitor is inspected, if the inspection first electrode and the inspection third electrode are made to have the same potential via a probe or the like, the inspection third electrode is included in the inspection result of the inspection first capacitor. The electrical influence of is not affected. Further, when the inspection second capacitor is inspected, if the inspection first electrode and the inspection second electrode are set to the same potential through a probe or the like, the inspection second electrode is included in the inspection result of the inspection second capacitor. The electrical influence of is not affected.

本発明に係る電気光学装置は、以下のように規定することもできる。すなわち、本発明に係る電気光学装置は、基板の一方面側の画像表示領域に設けられた画素電極と、前記画素電極の電位を保持する保持容量と、前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第1検査用素子と、平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第2検査用素子と、を含み、前記保持容量は、第1電極、該第1電極と基板との間に設けられた第1誘電体層、および前記第1電極の前記基板側に前記第1誘電体層を介して設けられた第2電極により構成された第1保持容量と、前記第1電極、該第1電極の基板と反対側に設けられた第2誘電体層、および前記第1電極の前記基板と反対側に前記第2誘電体層を介して設けられた第3電極により構成された第2保持容量と、を備え、前記第1検査用素子は、前記第1電極と同一の層に形成された第4電極と、前記第1誘電体層と同一の層に形成された第3誘電体層と、前記第2電極と同一の層に形成され、前記第4電極の前記基板側に前記第3誘電体層を介して形成された第5電極と、前記第2誘電体層と同一の層に形成された第4誘電体層と、前記第3電極と同一の層に形成され、前記第4電極の前記基板と反対側に前記第4誘電体層を介して形成された第6電極と、前記第4電極に電気的に接続された第1端子と、前記第5電極に電気的に接続された第2端子と、を備え、前記第4電極、前記第3誘電体層および前記第5電極により第1容量を構成し、前記第2検査用素子は、前記第1電極と同一の層に形成された第7電極と、前記第1誘電体層と同一の層に形成された第5誘電体層と、前記第2電極と同一の層に形成され、前記第7電極の前記基板側に前記第5誘電体層を介して形成された第8電極と、前記第2誘電体層と同一の層に形成された第6誘電体層と、前記第3電極と同一の層に形成され、前記第7電極の前記基板と反対側に前記第6誘電体層を介して形成された第9電極と、前記第7電極に電気的に接続された第3端子と、前記第9電極に電気的に接続された第4端子と、を備え、前記第7電極、前記第6誘電体層および前記第9電極により第2容量を構成することを特徴とする。   The electro-optical device according to the invention can also be defined as follows. In other words, the electro-optical device according to the present invention is provided corresponding to the pixel electrode provided in the image display region on one side of the substrate, the storage capacitor that holds the potential of the pixel electrode, and the pixel electrode. A switching element; a first inspection element provided between the end of the substrate and the image display region in plan view; and a switch between the end of the substrate and the image display region in plan view. A second inspection element, and the storage capacitor includes a first electrode, a first dielectric layer provided between the first electrode and the substrate, and the substrate on the substrate side of the first electrode. A first storage capacitor constituted by a second electrode provided via a first dielectric layer; the first electrode; a second dielectric layer provided on the opposite side of the substrate of the first electrode; A third electrode provided on the opposite side of the first electrode from the substrate via the second dielectric layer The first storage element is formed in the same layer as the first dielectric layer and the fourth electrode formed in the same layer as the first electrode. A third dielectric layer formed on the same layer as the second electrode, the fifth electrode formed on the substrate side of the fourth electrode via the third dielectric layer, and the second electrode A fourth dielectric layer formed in the same layer as the dielectric layer, and formed in the same layer as the third electrode, and on the opposite side of the fourth electrode from the substrate via the fourth dielectric layer A sixth terminal formed; a first terminal electrically connected to the fourth electrode; and a second terminal electrically connected to the fifth electrode, wherein the fourth electrode, A first capacitor is constituted by three dielectric layers and the fifth electrode, and the second inspection element is a seventh electrode formed in the same layer as the first electrode. A fifth dielectric layer formed on the same layer as the first dielectric layer, and a fifth dielectric layer formed on the same layer as the second electrode, wherein the fifth dielectric layer is disposed on the substrate side of the seventh electrode. An eighth electrode formed on the substrate, a sixth dielectric layer formed on the same layer as the second dielectric layer, and the substrate of the seventh electrode formed on the same layer as the third electrode. A ninth electrode formed on the opposite side through the sixth dielectric layer, a third terminal electrically connected to the seventh electrode, and a fourth electrode electrically connected to the ninth electrode A second capacitor is formed by the seventh electrode, the sixth dielectric layer, and the ninth electrode.

本発明では、第1保持容量と第2保持容量とによって保持容量が形成され、かつ、第1保持容量と第2保持容量とは積層された構造になっている。このため、保持容量は、占有する面積が狭くても大きな静電容量を有する。ここで、基板の端部と画像表示領域との間には、第1保持容量と同一の層構造を備えた第1容量を備えた第1検査用素子と、第2保持容量と同一の層構造を備えた第2容量を備えた第2検査用素子が形成されている。このため、第1検査用素子を用いれば、第1容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第2保持容量の影響を受けずに、第1保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。また、第2検査用素子を用いれば、第2容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第1保持容量の影響を受けずに、第2保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。従って、保持容量に短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生した場合、第1保持容量および第2保持容量のいずれにおいて不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することができる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。検査用の第1容量および第2容量のいずれにおいても、保持容量と同様、3つの電極の各間に誘電体層が介在している構造になっているので、保持容量の第1保持容量で不具合が発生した際、検査用の第1容量で不具合が発生しやすく、保持容量の第2保持容量で不具合が発生した際、検査用の第2容量で不具合が発生しやすい。それ故、保持容量での不具合原因等を検査用の第1容量および検査用の第2容量に対する検査によって確実に把握することができる。   In the present invention, the storage capacitor is formed by the first storage capacitor and the second storage capacitor, and the first storage capacitor and the second storage capacitor are stacked. For this reason, the storage capacitor has a large capacitance even when the occupied area is small. Here, between the edge of the substrate and the image display region, the first inspection element having the first capacitor having the same layer structure as the first storage capacitor, and the same layer as the second storage capacitor A second inspection element having a second capacitor having a structure is formed. Therefore, if the first inspection element is used, the first capacitor can be inspected. According to the inspection result, the first storage capacitor is short-circuited or withstand voltage without being affected by the second storage capacitor. Etc. can be grasped. Further, if the second inspection element is used, the second capacitor can be inspected. According to the inspection result, the second storage capacitor is short-circuited, withstand voltage, etc. without being affected by the first storage capacitor. The characteristics of Therefore, when a problem such as a short circuit or a decrease in withstand voltage occurs in the storage capacitor, it is possible to easily and reliably inspect which one of the first storage capacitor and the second storage capacitor has occurred. Therefore, since the inspection result can be appropriately fed back to the manufacturing process or the like, it is possible to appropriately take measures against the malfunction. Both the first capacitor and the second capacitor for inspection have a structure in which a dielectric layer is interposed between each of the three electrodes, similarly to the storage capacitor. When a problem occurs, a problem is likely to occur in the first capacity for inspection, and when a problem occurs in the second retention capacity of the retention capacity, a problem is likely to occur in the second capacity for inspection. Therefore, the cause of the defect in the storage capacitor can be surely grasped by the inspection of the first capacitor for inspection and the second capacitor for inspection.

本発明は、前記第1保持容量および前記第2保持容量が、前記スイッチング素子に対して前記基板とは反対側で少なくとも一部が前記スイッチング素子と重なっている場合に適用すると効果的である。かかる構成の場合、スイッチング素子が原因で、スイッチング素子の上層側に凹凸が発生していると、第1誘電体層や第2誘電体層に欠陥が発生しやすく、保持容量に短絡等の不具合が発生しやすいが、このような場合でも、本発明によれば、不具合の発生個所を確実に把握できる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。   The present invention is effective when applied to the case where the first storage capacitor and the second storage capacitor overlap at least partly with the switching element on the side opposite to the substrate with respect to the switching element. In the case of such a configuration, if unevenness is generated on the upper layer side of the switching element due to the switching element, defects are likely to occur in the first dielectric layer and the second dielectric layer, and there is a problem such as a short circuit in the storage capacitor. However, even in such a case, according to the present invention, it is possible to surely grasp the place where the failure occurs. Therefore, since the inspection result can be appropriately fed back to the manufacturing process or the like, it is possible to appropriately take measures against the malfunction.

本発明において、前記第1誘電体層および前記第2誘電体層は各々、複数層の誘電体膜を有し、前記基板側からみて、前記第1誘電体層を構成する前記複数の誘電体膜と、前記第2誘電体層を構成する前記複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一であることが好ましい。かかる構成によれれば、画素電極に印加する電位の極性を反転させると、第1電極と第2電極との極性、および第1電極と第3電極との極性が反転することになるが、いずれの極性でも、絶縁膜の配列は実質同一である。それ故、固定電位のシフト等の不具合が発生しにくい。   In the present invention, each of the first dielectric layer and the second dielectric layer has a plurality of dielectric films, and the plurality of dielectrics constituting the first dielectric layer as viewed from the substrate side. The stacking order of the insulating films in the film and the plurality of dielectric films constituting the second dielectric layer is preferably the same. According to such a configuration, when the polarity of the potential applied to the pixel electrode is reversed, the polarity of the first electrode and the second electrode and the polarity of the first electrode and the third electrode are reversed. In any polarity, the arrangement of the insulating films is substantially the same. Therefore, problems such as a fixed potential shift hardly occur.

本発明において、電気光学装置は例えば液晶装置であり、この場合、液晶装置は、前記基板の一方面側に対向する対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有している。   In the present invention, the electro-optical device is, for example, a liquid crystal device. In this case, the liquid crystal device includes a counter substrate facing one side of the substrate, and a liquid crystal layer held between the substrate and the counter substrate. ,have.

本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置(液晶装置)に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。   The electro-optical device according to the present invention can be used in electronic devices such as a mobile phone, a mobile computer, and a projection display device. Among these electronic devices, the projection display device includes a light source unit for supplying light to an electro-optical device (liquid crystal device) and a projection optical system that projects light modulated by the electro-optical device. ing.

本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing an electrical configuration of an electro-optical device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a liquid crystal panel of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の画素の平面構造を示す説明図である。3 is an explanatory diagram illustrating a planar structure of a pixel of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. FIG. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a cross-sectional structure of a pixel of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の検査用容量および検査用端子等の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of an inspection capacitor, an inspection terminal, and the like of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. 本発明の実施の形態2に係る電気光学装置の検査用容量および検査用端子等の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of an inspection capacitor and an inspection terminal of the electro-optical device according to the second embodiment of the invention. 本発明の実施の形態3に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a cross-sectional structure of a pixel of an electro-optical device according to a third embodiment of the invention. 本発明を適用した投射型表示装置(電子機器)および光学ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the projection type display apparatus (electronic device) and optical unit to which this invention is applied. 本発明の課題を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the subject of this invention.

本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側(対向基板が位置する側)を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側(素子基板が位置する側)を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。   As an embodiment of the present invention, an example in which the present invention is applied to an active matrix liquid crystal device among various electro-optical devices will be described. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing. Further, when describing the layers formed on the element substrate, the upper layer side or the surface side means the side opposite to the side where the substrate body of the element substrate is located (the side on which the counter substrate is located), and the lower layer side means It means the side where the substrate body of the element substrate is located. In describing the layers formed on the counter substrate, the upper layer side or the surface side means the side opposite to the side where the substrate body of the counter substrate is located (the side where the element substrate is located), and the lower layer side is It means the side where the substrate body of the counter substrate is located.

[実施の形態1]
(電気光学装置の構成)
(全体構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図1において、本形態の電気光学装置100は、TN(Twisted Nematic)モードやVA(Vertical Alignment)モードの液晶パネル100pを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画像表示領域10a(画素配列領域/有効画素領域)を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10(図2等を参照)では、画像表示領域10aの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスター(スイッチング素子)からなる画素トランジスター30、および後述する画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソースドレイン領域のうち、データ線側ソースドレイン領域にはデータ線6aが電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域には画素電極9aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置100では、複数の画素100aの各々に複数の画素電極9aおよび複数の画素トランジスター30が形成されている。
[Embodiment 1]
(Configuration of electro-optical device)
(overall structure)
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an electro-optical device according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, an electro-optical device 100 according to this embodiment is a liquid crystal device having a liquid crystal panel 100p in a TN (Twisted Nematic) mode or a VA (Vertical Alignment) mode, and the liquid crystal panel 100p includes a plurality of pixels in the central region. 100a includes an image display area 10a (pixel arrangement area / effective pixel area) arranged in a matrix. In the liquid crystal panel 100p, in an element substrate 10 (see FIG. 2 and the like) to be described later, a plurality of data lines 6a and a plurality of scanning lines 3a extend vertically and horizontally inside the image display region 10a. A pixel 100a is configured at a position corresponding to. In each of the plurality of pixels 100a, a pixel transistor 30 including a field effect transistor (switching element) and a pixel electrode 9a described later are formed. Of the source / drain regions of the pixel transistor 30, the data line 6 a is electrically connected to the data line side source / drain region, and the pixel electrode 9 a is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region. A scanning line 3a is electrically connected to the gate. In this way, in the electro-optical device 100, the plurality of pixel electrodes 9a and the plurality of pixel transistors 30 are formed in each of the plurality of pixels 100a.

素子基板10において、画像表示領域10aより外周側には、図2に示す走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像信号S1、S2・・Snを各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号G1、G2・・Gmを各走査線3aに順次供給する。   In the element substrate 10, the scanning line driving circuit 104 and the data line driving circuit 101 shown in FIG. 2 are provided on the outer peripheral side from the image display region 10 a. The data line driving circuit 101 is electrically connected to each data line 6a, and sequentially supplies the image signals S1, S2,... Sn to each data line 6a. The scanning line driving circuit 104 is electrically connected to each scanning line 3a, and sequentially supplies scanning signals G1, G2,... Gm to each scanning line 3a.

各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板20(図2等を参照)に形成された共通電極と液晶層(電気光学物質層)を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量70が付加されている。本形態では、保持容量70を構成するために、素子基板10には、複数の画素100aに跨って延在する容量線7aが形成されており、容量線7aには、共通電位Vcomが印加されている。   In each pixel 100a, the pixel electrode 9a is opposed to a common electrode formed on a counter substrate 20 (see FIG. 2 and the like), which will be described later, via a liquid crystal layer (electro-optic material layer) to form a liquid crystal capacitor 50a. Yes. Each pixel 100a is provided with a holding capacitor 70 in parallel with the liquid crystal capacitor 50a in order to prevent fluctuations in the image signal held in the liquid crystal capacitor 50a. In this embodiment, in order to form the storage capacitor 70, the element substrate 10 is formed with the capacitor line 7a extending across the plurality of pixels 100a, and the common potential Vcom is applied to the capacitor line 7a. ing.

また、本形態では、図3および図4等を参照して後述するように、保持容量70は、第1保持容量70aと、第2保持容量70bとから構成されており、第1保持容量70aと第2保持容量70bとは並列に電気的に接続されている。   In this embodiment, as will be described later with reference to FIGS. 3 and 4, the storage capacitor 70 includes a first storage capacitor 70 a and a second storage capacitor 70 b, and the first storage capacitor 70 a. And the second storage capacitor 70b are electrically connected in parallel.

(液晶パネル100pおよび素子基板10の構成)
図2は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の液晶パネル100pの説明図であり、図2(a)、(b)は各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
(Configuration of liquid crystal panel 100p and element substrate 10)
FIG. 2 is an explanatory diagram of the liquid crystal panel 100p of the electro-optical device 100 according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 2A and 2B each show the liquid crystal panel 100p together with each component of the counter substrate. It is the top view seen from the side, and its HH 'sectional drawing.

図2に示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材152によって貼り合わされており、シール材152は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材152は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。液晶パネル100pにおいて、素子基板10と対向基板20との間のうち、シール材152によって囲まれた領域内には、各種液晶材料(電気光学物質)からなる液晶層50(電気光学物質層)が設けられている。本形態において、シール材152には、液晶注入口152cとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口152cは、液晶材料の注入後、封止材158によって封止されている。   As shown in FIG. 2, in the liquid crystal panel 100 p, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other with a seal material 152 through a predetermined gap, and the seal material 152 has a frame extending along the outer edge of the counter substrate 20. It is provided in the shape. The sealing material 152 is an adhesive made of a photocurable resin, a thermosetting resin, or the like, and is mixed with a gap material such as glass fiber or glass beads for setting the distance between the two substrates to a predetermined value. In the liquid crystal panel 100p, a liquid crystal layer 50 (electro-optical material layer) made of various liquid crystal materials (electro-optical materials) is formed in a region surrounded by the sealing material 152 between the element substrate 10 and the counter substrate 20. Is provided. In this embodiment, the sealing material 152 is formed with a discontinuous portion used as the liquid crystal injection port 152c. The liquid crystal injection port 152c is sealed with a sealing material 158 after the liquid crystal material is injected.

かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材152も略四角形に設けられ、画像表示領域10aの外側は、四角枠状の外周領域10cになっている。   In the liquid crystal panel 100p having such a configuration, the element substrate 10 and the counter substrate 20 are both square, and the image display area 10a described with reference to FIG. 1 is provided as a square area in the approximate center of the liquid crystal panel 100p. ing. Corresponding to this shape, the sealing material 152 is also provided in a substantially square shape, and the outer side of the image display area 10a is a rectangular frame-shaped outer peripheral area 10c.

素子基板10において、外周領域10cでは、素子基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子電極102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。なお、端子電極102には、フレキシブル配線基板(図示せず)が接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。   In the element substrate 10, the data line driving circuit 101 and the plurality of terminal electrodes 102 are formed along one side of the element substrate 10 in the outer peripheral region 10 c, and the scanning line driving circuit is formed along another side adjacent to the one side. 104 is formed. The terminal electrode 102 is connected to a flexible wiring board (not shown), and various potentials and various signals are input to the element substrate 10 through the flexible wiring board.

図3および図4等を参照して詳しくは後述するが、素子基板10の一方面10sおよび他方面10tのうち、対向基板20と対向する一方面10sの側において、画像表示領域10aには、図1を参照して説明した画素トランジスター30、および画素トランジスター30に電気的に接続する画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。   As will be described in detail later with reference to FIGS. 3 and 4, the image display region 10 a has an image display area 10 a on the side of the one surface 10 s facing the counter substrate 20 out of the one surface 10 s and the other surface 10 t of the element substrate 10. The pixel transistor 30 described with reference to FIG. 1 and the pixel electrode 9a electrically connected to the pixel transistor 30 are formed in a matrix, and an alignment film 16 is formed on the upper side of the pixel electrode 9a. Yes.

また、素子基板10の一方面10sの側において、画像表示領域10aより外側の外周領域10cのうち、画像表示領域10aとシール材152とに挟まれた四角枠状の周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。ダミー画素電極9bは、隣り合うダミー画素電極9b同士が細幅の連結部(図示せず)で繋がっている。また、ダミー画素電極9bは、共通電位Vcomが印加されており、画像表示領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極9bは、素子基板10において配向膜16が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極9bに電位を印加せず、ダミー画素電極9bを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極9bは、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。   Further, on the one surface 10 s side of the element substrate 10, in the outer peripheral region 10 c outside the image display region 10 a, the rectangular frame-shaped peripheral region 10 b sandwiched between the image display region 10 a and the sealing material 152 includes pixels. A dummy pixel electrode 9b formed simultaneously with the electrode 9a is formed. In the dummy pixel electrode 9b, adjacent dummy pixel electrodes 9b are connected to each other by a narrow connecting portion (not shown). The dummy pixel electrode 9b is applied with the common potential Vcom, and prevents the disorder of the alignment of liquid crystal molecules at the outer peripheral side end of the image display region 10a. Further, the dummy pixel electrode 9b compresses the difference in height between the image display region 10a and the peripheral region 10b when the surface on which the alignment film 16 is formed in the element substrate 10 is flattened by polishing. This contributes to making the surface on which the film is formed flat. In some cases, no potential is applied to the dummy pixel electrode 9b, and the dummy pixel electrode 9b is potentialally floated. Even in this case, the dummy pixel electrode 9b has a height difference between the image display region 10a and the peripheral region 10b. This contributes to compressing the difference in position and making the surface on which the alignment film 16 is formed flat.

対向基板20の一方面20sおよび他方面20tのうち、素子基板10と対向する一方面20sの側には共通電極21が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。本形態において、共通電極21は、対向基板20の略全面に形成されている。   A common electrode 21 is formed on the side of the one surface 20 s facing the element substrate 10 out of the one surface 20 s and the other surface 20 t of the counter substrate 20. The common electrode 21 is formed across the plurality of pixels 100a as substantially the entire surface of the counter substrate 20 or a plurality of strip electrodes. In this embodiment, the common electrode 21 is formed on substantially the entire surface of the counter substrate 20.

また、対向基板20の一方面20sの側には、共通電極21の下層側に遮光層29が形成され、共通電極21の表面には配向膜22が積層されている。本形態において、遮光層29は、画像表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁部分29aとして形成されており、額縁部分29aの内周縁によって画像表示領域10aが規定されている。また、本形態において、遮光層29は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域10fに重なるブラックマトリクス部29bとしても形成されている。ここで、額縁部分29aはダミー画素電極9bと重なる位置に形成されており、額縁部分29aの外周縁は、シール材152の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分29aとシール材152とは重なっていない。   A light shielding layer 29 is formed on the lower surface side of the common electrode 21 on the one surface 20 s side of the counter substrate 20, and an alignment film 22 is laminated on the surface of the common electrode 21. In this embodiment, the light shielding layer 29 is formed as a frame portion 29a extending along the outer periphery of the image display region 10a, and the image display region 10a is defined by the inner periphery of the frame portion 29a. In the present embodiment, the light shielding layer 29 is also formed as a black matrix portion 29b that overlaps the inter-pixel region 10f sandwiched between the adjacent pixel electrodes 9a. Here, the frame portion 29 a is formed at a position overlapping the dummy pixel electrode 9 b, and the outer peripheral edge of the frame portion 29 a is at a position with a gap between it and the inner peripheral edge of the seal material 152. Therefore, the frame portion 29a and the sealing material 152 do not overlap.

液晶パネル100pにおいて、シール材152より外側には、対向基板20の一方面20sの側の4つの角部分に基板間導通用電極25が形成されており、素子基板10の一方面10sの側には、対向基板20の4つの角部分(基板間導通用電極25)と対向する位置に基板間導通用電極106が形成されている。本形態において、基板間導通用電極25は、共通電極21の一部からなる。基板間導通用電極25は、共通電位Vcomが印加された定電位配線に導通している。基板間導通用電極106と基板間導通用電極25との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材109が配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通用電極106、基板間導通材109および基板間導通用電極25を介して、素子基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。シール材152は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材152は、略四角形である。但し、シール材152は、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極25、106を避けて内側を通るように設けられている。   In the liquid crystal panel 100p, the inter-substrate conduction electrodes 25 are formed on the four corners on the one surface 20s side of the counter substrate 20 outside the sealing material 152, and on the one surface 10s side of the element substrate 10. The inter-substrate conduction electrode 106 is formed at a position facing the four corners of the counter substrate 20 (inter-substrate conduction electrode 25). In this embodiment, the inter-substrate conduction electrode 25 is composed of a part of the common electrode 21. The inter-substrate conduction electrode 25 is electrically connected to the constant potential wiring to which the common potential Vcom is applied. An inter-substrate conducting material 109 containing conductive particles is disposed between the inter-substrate conducting electrode 106 and the inter-substrate conducting electrode 25, and the common electrode 21 of the counter substrate 20 is the inter-substrate conducting electrode 106. The element substrate 10 is electrically connected via the inter-substrate conductive material 109 and the inter-substrate conductive electrode 25. Therefore, the common potential Vcom is applied to the common electrode 21 from the element substrate 10 side. The sealing material 152 is provided along the outer peripheral edge of the counter substrate 20 with substantially the same width dimension. For this reason, the sealing material 152 is substantially rectangular. However, the sealing material 152 is provided so as to pass through the inside avoiding the inter-substrate conduction electrodes 25 and 106 in a region overlapping the corner portion of the counter substrate 20.

なお、素子基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の電気光学装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。   Note that on the element substrate 10, in addition to the driving circuits such as the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104, a sampling circuit for sampling the image signal on the image signal line and supplying the data signal to the data line, a plurality of data lines In addition, a precharge circuit for supplying a precharge signal having a predetermined voltage level in advance of the image signal, an inspection circuit for inspecting quality, defects, etc. of the electro-optical device 100 during manufacturing or at the time of shipment may be formed. Good.

かかる構成の電気光学装置100において、画素電極9aおよび共通電極21をITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。かかる透過型の電気光学装置100の場合、素子基板10および対向基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、対向基板20から入射した光が素子基板10を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。これに対して、共通電極21をITOやIZO等の透光性導電膜により形成し、画素電極9aをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置100が反射型である場合、対向基板20の側から入射した光が素子基板10の側で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。   In the electro-optical device 100 having such a configuration, when the pixel electrode 9a and the common electrode 21 are formed of a light-transmitting conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), a transmissive liquid crystal device is configured. be able to. In the case of such a transmissive electro-optical device 100, the light incident from one of the element substrate 10 and the counter substrate 20 is modulated while being transmitted through the other substrate and emitted to display an image. . In this embodiment, the light incident from the counter substrate 20 is modulated while being transmitted through the element substrate 10 and emitted to display an image. On the other hand, when the common electrode 21 is formed of a light-transmitting conductive film such as ITO or IZO and the pixel electrode 9a is formed of a reflective conductive film such as aluminum, a reflective liquid crystal device can be configured. When the electro-optical device 100 is a reflection type, light incident from the counter substrate 20 side is modulated while being reflected and emitted from the element substrate 10 side, and an image is displayed.

その際、液晶層50では、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置100からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。なお、階調表示を行うにあたっては、画像信号S1、S2・・Snとしてデジタル信号を用い、画素100aの選択期間中におけるパルスの数やパルスのデューティ比によって画像信号に応じたコントラストをもつ光を出射させてもよい。   At that time, in the liquid crystal layer 50, the orientation and order of the molecular assembly change depending on the applied voltage level, thereby modulating the light and enabling gradation display. For example, in the normally white mode, the transmittance for incident light decreases according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, it corresponds to the voltage applied in units of each pixel. As a result, the transmittance for incident light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the electro-optical device 100 as a whole. In performing gradation display, digital signals are used as the image signals S1, S2,... Sn, and light having a contrast corresponding to the image signal is selected depending on the number of pulses and the duty ratio of the pulses during the selection period of the pixel 100a. It may be emitted.

電気光学装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20あるいは素子基板10には、カラーフィルター(図示せず)が形成される。また、電気光学装置100は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置100は、後述する投射型表示装置(液晶プロジェクター)において、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各電気光学装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。   The electro-optical device 100 can be used as a color display device of an electronic apparatus such as a mobile computer or a mobile phone. In this case, a color filter (not shown) is formed on the counter substrate 20 or the element substrate 10. The electro-optical device 100 can be used as electronic paper. Further, in the electro-optical device 100, a polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are predetermined with respect to the liquid crystal panel 100p according to the type of the liquid crystal layer 50 to be used and the normally white mode / normally black mode. Arranged in the direction. Furthermore, the electro-optical device 100 can be used as a light valve for RGB in a projection display device (liquid crystal projector) described later. In this case, each of the RGB electro-optical devices 100 receives light of each color separated through RGB color separation dichroic mirrors as projection light, so that no color filter is formed. .

本形態において、電気光学装置100が、後述する投射型表示装置においてRGB用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置である場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置100は、液晶層50として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたVAモードの液晶パネル100pを備えている場合を中心に説明する。   In this embodiment, the case where the electro-optical device 100 is a transmissive liquid crystal device used as a light valve for RGB in a projection display device described later will be mainly described. In the present embodiment, the electro-optical device 100 will be described focusing on the case where the liquid crystal layer 50 includes a VA mode liquid crystal panel 100p using a nematic liquid crystal compound having a negative dielectric anisotropy.

また、本形態の電気光学装置100においては、画素電極9aを駆動するにあたって、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より高い第1期間と、画素電極9aの電位が共通電極21の電位より低い第2期間とが実行される。本形態においては、共通電極21の電位を基準としたときの画素電極9aの極性が1フレーム毎に反転する。例えば、共通電極21の電位(共通電位Vcom)は+7Vで一定であるのに対して、画素電極9aの電位は+12V(第1期間)と+2V(第2期間)とに切り換わり、共通電位Vcomからみたときの極性が判定する。   In the electro-optical device 100 of this embodiment, when driving the pixel electrode 9 a, the first period in which the potential of the pixel electrode 9 a is higher than the potential of the common electrode 21, and the potential of the pixel electrode 9 a is higher than the potential of the common electrode 21. A low second period is executed. In this embodiment, the polarity of the pixel electrode 9a when the potential of the common electrode 21 is used as a reference is reversed every frame. For example, while the potential of the common electrode 21 (common potential Vcom) is constant at + 7V, the potential of the pixel electrode 9a is switched between + 12V (first period) and + 2V (second period), and the common potential Vcom. Judgment is based on the polarity.

(画素の具体的構成例)
図3は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の画素100aの平面構造を示す説明図であり、素子基板10において隣り合う複数の画素の平面図である。図4は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の画素100aの断面構造を示す説明図であり、図4(a)、(b)は、図3のF−F′線に沿って素子基板を切断したときの断面図、および保持容量70の断面構造を示す説明図である。なお、図3では、各層を以下の線
走査線3a=太い二点鎖線
半導体層1a=細くて短い点線
ゲート電極3cおよび中継電極3d=細い実線
第1電極71=太くて短い点線
第2電極72(ドレイン電極)=細い一点鎖線
第3電極73=細い二点鎖線
データ線6aおよび中継電極6b、6c=太い一点鎖線
容量線7aおよび中継電極7b=細い実線
画素電極9a=細くて長い破線
で示してある。また、図3では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
(Specific pixel configuration example)
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a planar structure of the pixel 100a of the electro-optical device 100 according to Embodiment 1 of the present invention, and is a plan view of a plurality of adjacent pixels in the element substrate 10. FIG. 4A and 4B are explanatory views showing a cross-sectional structure of the pixel 100a of the electro-optical device 100 according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 4A and 4B are taken along line FF ′ in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view when the element substrate is cut along, and an explanatory view showing a cross-sectional structure of the storage capacitor 70. In FIG. 3, each layer is divided into the following lines: scanning line 3a = thick two-dot chain line semiconductor layer 1a = thin and short dotted line gate electrode 3c and relay electrode 3d = thin solid line first electrode 71 = thick and short dotted line second electrode 72 (Drain electrode) = thin one-dot chain line third electrode 73 = thin two-dot chain line Data line 6a and relay electrode 6b, 6c = thick one-dot chain line Capacitance line 7a and relay electrode 7b = thin solid line Pixel electrode 9a = shown by thin and long broken line It is. Further, in FIG. 3, the positions of the end portions of the layers overlapping with each other are shifted so that the shape of the layer can be easily understood.

図3に示すように、素子基板10の一方面10sには、複数の画素100aの各々に画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域10fに沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。本形態において、画素間領域10fは縦横に延在しており、走査線3aは画素間領域10fのうち、X方向(第1方向)に延在する第1画素間領域10gに沿って直線的に延在し、データ線6aは、Y方向(第2方向)に延在する第2画素間領域10hに沿って直線的に延在している。また、データ線6aと走査線3aとの交差に対応して画素トランジスター30が形成されており、本形態において、画素トランジスター30は、データ線6aと走査線3aとの交差領域等を利用して形成されている。素子基板10には容量線7aが形成されており、かかる容量線7aには共通電位Vcomが印加されている。本形態において、容量線7aは、データ線6aに重なって直線的に連続して延在しているとともに、走査線3aに重なるように突出する部分を有している。このため、容量線7aは、遮光層としても機能している。   As shown in FIG. 3, on one surface 10s of the element substrate 10, a pixel electrode 9a is formed in each of the plurality of pixels 100a, and data along an inter-pixel region 10f sandwiched between adjacent pixel electrodes 9a. Lines 6a and scanning lines 3a are formed. In this embodiment, the inter-pixel region 10f extends vertically and horizontally, and the scanning line 3a is linear along the first inter-pixel region 10g extending in the X direction (first direction) in the inter-pixel region 10f. The data line 6a extends linearly along the second inter-pixel region 10h extending in the Y direction (second direction). A pixel transistor 30 is formed corresponding to the intersection of the data line 6a and the scanning line 3a. In this embodiment, the pixel transistor 30 uses an intersection region of the data line 6a and the scanning line 3a or the like. Is formed. A capacitance line 7a is formed on the element substrate 10, and a common potential Vcom is applied to the capacitance line 7a. In this embodiment, the capacitor line 7a extends in a straight line and overlaps with the data line 6a, and has a portion protruding so as to overlap with the scanning line 3a. For this reason, the capacitor line 7a also functions as a light shielding layer.

図4(a)に示すように、素子基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10wの液晶層50側の基板面側(一方面10s側)に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の画素トランジスター30、配向膜16および保持容量70を主体として構成されている。   As shown in FIG. 4A, the element substrate 10 is a pixel electrode formed on the substrate surface side (one surface 10s side) of the light-transmitting substrate body 10w such as a quartz substrate or a glass substrate on the liquid crystal layer 50 side. 9a, the pixel transistor 30 for pixel switching, the alignment film 16 and the storage capacitor 70 are mainly configured.

素子基板10において、基板本体10wの一方面10s側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等からなる走査線3aが形成されており、走査線3aは、電気光学装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層1aに入射する遮光層としても機能している。   In the element substrate 10, a scanning line 3a made of a conductive polysilicon film, a metal silicide film, a metal film, a metal compound film, or the like is formed on the one surface 10s side of the substrate body 10w. When the light after passing through the electro-optical device 100 is reflected by another member, the reflected light also functions as a light shielding layer that enters the semiconductor layer 1a.

走査線3aの上層側には、透光性の絶縁膜12が形成されており、かかる絶縁膜12の表面側に、半導体層1aを備えた画素トランジスター30が形成されている。本形態において、絶縁膜12は、NSG(ノンシリケートガラス)、PSG(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケートガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)等のシリコン酸化膜(シリケートガラスも含む。)や、シリコン窒化膜からなる。   A translucent insulating film 12 is formed on the upper layer side of the scanning line 3a, and a pixel transistor 30 including the semiconductor layer 1a is formed on the surface side of the insulating film 12. In this embodiment, the insulating film 12 is a silicon oxide film (including silicate glass) such as NSG (non-silicate glass), PSG (phosphorus silicate glass), BSG (boron silicate glass), BPSG (boron phosphorus silicate glass), or the like. And made of a silicon nitride film.

画素トランジスター30は、データ線6aの延在方向に長辺方向を向けた半導体層1aと、半導体層1aの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層1aの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極3cとを備えており、本形態において、ゲート電極3cは、ゲート絶縁層2および絶縁膜12を貫通するコンタクトホール12a、12b(図3参照)を介して走査線3aに導通している。なお、ゲート電極3cは、走査線の一部として構成されることもある。画素トランジスター30は、半導体層1aとゲート電極3cとの間に透光性のゲート絶縁層2を有している。半導体層1aは、ゲート電極3cに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gを備えているとともに、チャネル領域1gの両側にデータ線側ソースドレイン領域1hおよび画素電極側ソースドレイン領域1iを備えている。本形態において、画素トランジスター30は、LDD構造を有している。従って、データ線側ソースドレイン領域1hおよび画素電極側ソースドレイン領域1iは各々、チャネル領域1gの両側に低濃度領域1b、1cを備え、低濃度領域1b、1cに対してチャネル領域1gとは反対側で隣接する領域に高濃度領域1d、1eを備えている。本形態において、画素トランジスター30はn型(第1導電型)の電界効果型トランジスターであり、データ線側ソースドレイン領域1hおよび画素電極側ソースドレイン領域1iにはn型の不純物が導入されている。   The pixel transistor 30 includes a semiconductor layer 1a having a long side direction in the extending direction of the data line 6a, and a central portion in the length direction of the semiconductor layer 1a extending in a direction orthogonal to the length direction of the semiconductor layer 1a. In this embodiment, the gate electrode 3c is electrically connected to the scanning line 3a through contact holes 12a and 12b (see FIG. 3) penetrating the gate insulating layer 2 and the insulating film 12. ing. Note that the gate electrode 3c may be configured as a part of the scanning line. The pixel transistor 30 has a translucent gate insulating layer 2 between the semiconductor layer 1a and the gate electrode 3c. The semiconductor layer 1a includes a channel region 1g facing the gate electrode 3c via the gate insulating layer 2, and the data line side source / drain region 1h and the pixel electrode side source / drain region 1i on both sides of the channel region 1g. It has. In this embodiment, the pixel transistor 30 has an LDD structure. Therefore, each of the data line side source / drain region 1h and the pixel electrode side source / drain region 1i includes the low concentration regions 1b and 1c on both sides of the channel region 1g, and is opposite to the channel region 1g with respect to the low concentration regions 1b and 1c. High concentration regions 1d and 1e are provided in adjacent regions on the side. In this embodiment, the pixel transistor 30 is an n-type (first conductivity type) field effect transistor, and an n-type impurity is introduced into the data line side source / drain region 1h and the pixel electrode side source / drain region 1i. .

半導体層1aは、ポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)等によって構成されている。ゲート絶縁層2は、例えば、半導体層1aを熱酸化したシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層と、温度が700〜900℃の高温条件での減圧CVD法により形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層との2層構造からなる。ゲート電極3cは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、ゲート絶縁層2の上層には、ゲート電極3cと同時形成された中継電極3dが形成されている。   The semiconductor layer 1a is composed of a polysilicon film (polycrystalline silicon film) or the like. The gate insulating layer 2 includes, for example, a gate insulating layer made of a silicon oxide film obtained by thermally oxidizing the semiconductor layer 1a and a gate insulating film made of a silicon oxide film formed by a low pressure CVD method under a high temperature condition of 700 to 900 ° C. It consists of a two-layer structure with layers. The gate electrode 3c is made of a conductive film such as a conductive polysilicon film, a metal silicide film, a metal film, or a metal compound film, and a relay electrode 3d formed simultaneously with the gate electrode 3c is formed on the upper layer of the gate insulating layer 2. Is formed.

ゲート電極3cおよび中継電極3dの上層側には、NSG、PSG、BSG、BPSG等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜41が形成されている。層間絶縁膜41の上層には、少なくとも一部が画素トランジスター30と重なるように、第1電極71、第2電極72、第3電極73、第1誘電体層75、第2誘電体層76が形成されており、かかる複数の電極(第1電極71、第2電極72、第3電極73)と、複数層の誘電体層(第1誘電体層75、第2誘電体層76)によって保持容量70が形成されている。かかる保持容量70の構成は、図4(b)を参照して後述する。   On the upper layer side of the gate electrode 3c and the relay electrode 3d, a translucent interlayer insulating film 41 made of a silicon oxide film such as NSG, PSG, BSG, or BPSG is formed. A first electrode 71, a second electrode 72, a third electrode 73, a first dielectric layer 75, and a second dielectric layer 76 are formed on the upper layer of the interlayer insulating film 41 so as to at least partially overlap the pixel transistor 30. Formed and held by such a plurality of electrodes (first electrode 71, second electrode 72, third electrode 73) and a plurality of dielectric layers (first dielectric layer 75, second dielectric layer 76). A capacitor 70 is formed. The configuration of the storage capacitor 70 will be described later with reference to FIG.

保持容量70を構成する3つの電極のうち、層間絶縁膜41上に形成されている第2電極72は、画素電極側ソースドレイン電極として形成されている。第2電極72は、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。第2電極72は、半導体層1aの画素電極側ソースドレイン領域1iと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41aを介して画素電極側ソースドレイン領域1iに導通している。また、第2電極72は、層間絶縁膜41を貫通するコンタクトホール41bを介して中継電極3dに導通している。   Of the three electrodes constituting the storage capacitor 70, the second electrode 72 formed on the interlayer insulating film 41 is formed as a pixel electrode side source / drain electrode. The second electrode 72 is made of a conductive film such as a conductive polysilicon film, a metal silicide film, a metal film, or a metal compound film. The second electrode 72 is formed so as to partially overlap the pixel electrode side source / drain region 1 i of the semiconductor layer 1 a, and the pixel electrode side via the contact hole 41 a penetrating the interlayer insulating film 41 and the gate insulating layer 2. It is electrically connected to the source / drain region 1i. Further, the second electrode 72 is electrically connected to the relay electrode 3 d through a contact hole 41 b that penetrates the interlayer insulating film 41.

保持容量70の上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜42が形成されており、かかる層間絶縁膜42の上層側には、データ線6aと中継電極6b、6cとが同一の層に同一の導電膜により形成されている。データ線6aと中継電極6b、6cは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線6aは、層間絶縁膜42、第2誘電体層76、第1誘電体層75、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール42aを介してデータ線側ソースドレイン領域1hに導通している。   A translucent interlayer insulating film 42 made of a silicon oxide film or the like is formed on the upper layer side of the storage capacitor 70, and the data line 6 a and the relay electrodes 6 b and 6 c are formed on the upper layer side of the interlayer insulating film 42. The same layer is formed of the same conductive film. The data line 6a and the relay electrodes 6b and 6c are made of a conductive film such as a conductive polysilicon film, a metal silicide film, a metal film, or a metal compound film. The data line 6a is connected to the data line side source / drain region 1h via a contact hole 42a penetrating the interlayer insulating film 42, the second dielectric layer 76, the first dielectric layer 75, the interlayer insulating film 41 and the gate insulating layer 2. Conducted.

中継電極6cは、層間絶縁膜42、第2誘電体層76、第1誘電体層75および層間絶縁膜41を貫通するコンタクトホール42dを介して中継電極3dに導通している。このため、中継電極6cは、中継電極3dおよび第2電極72を介して画素電極側ソースドレイン領域1iに導通している。また、中継電極6cは、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42cを介して第3電極73に導通している。このため、第3電極73は、中継電極6c、3dを介して第2電極72に導通し、第2電極72を介して画素電極側ソースドレイン領域1iに導通している。これに対して、中継電極6bは、層間絶縁膜42および第2誘電体層76を貫通するコンタクトホール42bを介して第1電極71に導通している。   The relay electrode 6 c is electrically connected to the relay electrode 3 d through a contact hole 42 d that penetrates the interlayer insulating film 42, the second dielectric layer 76, the first dielectric layer 75, and the interlayer insulating film 41. Therefore, the relay electrode 6c is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region 1i through the relay electrode 3d and the second electrode 72. The relay electrode 6 c is electrically connected to the third electrode 73 through a contact hole 42 c that penetrates the interlayer insulating film 42. Therefore, the third electrode 73 is electrically connected to the second electrode 72 via the relay electrodes 6c and 3d, and is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region 1i via the second electrode 72. On the other hand, the relay electrode 6 b is electrically connected to the first electrode 71 through a contact hole 42 b that penetrates the interlayer insulating film 42 and the second dielectric layer 76.

データ線6aおよび中継電極6b、6cの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜43が形成されており、かかる層間絶縁膜43の上層側には、容量線7aおよび中継電極7bが同一の層に同一の導電膜によって形成されている。容量線7aおよび中継電極7bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極7bは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43bを介して中継電極6cに導通している。   A light-transmitting interlayer insulating film 43 made of a silicon oxide film or the like is formed on the upper side of the data line 6a and the relay electrodes 6b and 6c. On the upper layer side of the interlayer insulating film 43, the capacitor line 7a and the relay are formed. The electrode 7b is formed of the same conductive film on the same layer. The capacitor line 7a and the relay electrode 7b are made of a conductive film such as a conductive polysilicon film, a metal silicide film, a metal film, or a metal compound film. The relay electrode 7 b is electrically connected to the relay electrode 6 c through a contact hole 43 b that penetrates the interlayer insulating film 43.

容量線7aは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43aを介して中継電極6bに導通しており、中継電極6bを介して第1電極71に導通している。このため、容量線7aは、中継電極6bを介して第1電極71に共通電位Vcomを供給する。   The capacitor line 7a is electrically connected to the relay electrode 6b via a contact hole 43a penetrating the interlayer insulating film 43, and is electrically connected to the first electrode 71 via the relay electrode 6b. For this reason, the capacitive line 7a supplies the common potential Vcom to the first electrode 71 via the relay electrode 6b.

容量線7aおよび中継電極7bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜44が形成されており、かかる層間絶縁膜44の上層側には、ITO膜等の透光性導電膜からなる画素電極9aが形成されている。層間絶縁膜44には、層間絶縁膜44を貫通して中継電極7bまで到達したコンタクトホール44aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール44aを介して中継電極7bに電気的に接続している。その結果、画素電極9aは、中継電極7b、6c、3dを介して第2電極72に導通し、第2電極72を介して画素電極側ソースドレイン領域1iに導通している。   A light-transmitting interlayer insulating film 44 made of a silicon oxide film or the like is formed on the upper side of the capacitor line 7a and the relay electrode 7b, and a light-transmitting layer such as an ITO film is formed on the upper layer side of the interlayer insulating film 44. A pixel electrode 9a made of a conductive film is formed. The interlayer insulating film 44 is formed with a contact hole 44a that reaches the relay electrode 7b through the interlayer insulating film 44. The pixel electrode 9a is electrically connected to the relay electrode 7b through the contact hole 44a. ing. As a result, the pixel electrode 9a is electrically connected to the second electrode 72 via the relay electrodes 7b, 6c, and 3d, and is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region 1i via the second electrode 72.

画素電極9aの上層側にはポリイミドや無機配向膜からなる配向膜16が形成されている。本形態において、配向膜16は、SiOX(x<2)、SiO2、TiO2、MgO、Al23、In23、Sb23、Ta25等の斜方蒸着膜(傾斜垂直配向膜/無機配向膜)からなる。 An alignment film 16 made of polyimide or an inorganic alignment film is formed on the upper layer side of the pixel electrode 9a. In this embodiment, the alignment film 16 is an obliquely deposited film of SiO x (x <2), SiO 2 , TiO 2 , MgO, Al 2 O 3 , In 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Ta 2 O 5 or the like. (Inclined vertical alignment film / inorganic alignment film).

図2(b)に示すように、対向基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w、その液晶層50側の表面(素子基板10と対向する一方面20s)に形成された遮光層29、ITO膜等の透光性導電膜からなる共通電極21、および配向膜22を主体として構成されている。本形態において、配向膜22は、SiOX(x<2)、SiO2、TiO2、MgO、Al23、In23、Sb23、Ta25等の斜方蒸着膜(傾斜垂直配向膜/無機配向膜)からなる。 As shown in FIG. 2B, the counter substrate 20 is formed on a translucent substrate body 20w such as a quartz substrate or a glass substrate, and on the surface on the liquid crystal layer 50 side (one surface 20s facing the element substrate 10). The light shielding layer 29, the common electrode 21 made of a light-transmitting conductive film such as an ITO film, and the alignment film 22 are mainly configured. In this embodiment, the alignment film 22 is an obliquely deposited film such as SiO x (x <2), SiO 2 , TiO 2 , MgO, Al 2 O 3 , In 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Ta 2 O 5. (Inclined vertical alignment film / inorganic alignment film).

(保持容量70の構成)
図4(a)、(b)に示すように、保持容量70では、下層側(基板本体10wの側)から上層側(画素電極9aの側)に向かって、第2電極72、第1誘電体層75、第1電極71、第2誘電体層76および第3電極73がこの順に積層されている。このため、第2電極72、第1誘電体層75および第1電極71により第1保持容量70aが形成され、第1電極71、第2誘電体層76および第3電極73により第2保持容量70bが形成されている。また、第1電極71は、容量線7aの側に導通している一方、第2電極72および第3電極73は、画素電極9aの側(画素電極側ソースドレイン領域1iの側)に導通している。このため、図4(b)に示すように、第1保持容量70aおよび第2保持容量70bは、容量線7aと画素電極9aの側(画素電極側ソースドレイン領域1iの側)との間で並列に電気的に接続されている。
(Configuration of holding capacity 70)
As shown in FIGS. 4A and 4B, in the storage capacitor 70, the second electrode 72, the first dielectric, from the lower layer side (substrate body 10w side) to the upper layer side (pixel electrode 9a side). The body layer 75, the first electrode 71, the second dielectric layer 76, and the third electrode 73 are laminated in this order. Therefore, the second storage capacitor 70 a is formed by the second electrode 72, the first dielectric layer 75 and the first electrode 71, and the second storage capacitor is formed by the first electrode 71, the second dielectric layer 76 and the third electrode 73. 70b is formed. The first electrode 71 is electrically connected to the capacitor line 7a side, while the second electrode 72 and the third electrode 73 are electrically connected to the pixel electrode 9a side (the pixel electrode side source / drain region 1i side). ing. Therefore, as shown in FIG. 4B, the first storage capacitor 70a and the second storage capacitor 70b are located between the capacitor line 7a and the pixel electrode 9a side (pixel electrode side source / drain region 1i side). They are electrically connected in parallel.

ここで、第1誘電体層75および第2誘電体層76は各々、複数層の誘電体膜からなり、本形態では、下層側(基板本体10w側)からみて、第1誘電体層75を構成する複数の誘電体膜と、第2誘電体層76を構成する複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一である。より具体的には、第1誘電体層75は、下層側(基板本体10w側)からみて、シリコン酸化膜75aおよびシリコン窒化膜75bがこの順に積層された構造になっており、第2誘電体層76は、下層側(基板本体10w側)からみて、シリコン酸化膜76aおよびシリコン窒化膜76bがこの順に積層された構造になっている。   Here, each of the first dielectric layer 75 and the second dielectric layer 76 is composed of a plurality of dielectric films. In this embodiment, the first dielectric layer 75 is viewed from the lower layer side (the substrate body 10w side). The stacking order of the insulating films in the plurality of dielectric films constituting the second dielectric layer 76 and the plurality of dielectric films constituting the second dielectric layer 76 is the same. More specifically, the first dielectric layer 75 has a structure in which a silicon oxide film 75a and a silicon nitride film 75b are laminated in this order when viewed from the lower layer side (the substrate body 10w side). The layer 76 has a structure in which a silicon oxide film 76a and a silicon nitride film 76b are laminated in this order when viewed from the lower layer side (substrate body 10w side).

(検査用容量および検査用端子等の構成)
図5は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の検査用容量および検査用端子等の説明図であり、図5(a)、(b)、(c)、(d)は、検査用第1容量等の平面構成を示す平面図、検査用第1容量等の断面構成を示す断面図、検査用第2容量等の平面構成を示す平面図、および検査用第2容量等の断面構成を示す断面図である。なお、図5(b)、(d)では、層間絶縁膜41より上層側のみを図示してある。
(Configuration of inspection capacity, inspection terminals, etc.)
FIG. 5 is an explanatory diagram of an inspection capacitor, an inspection terminal, and the like of the electro-optical device 100 according to Embodiment 1 of the present invention, and FIGS. , A plan view showing a plane configuration of the first capacitor for inspection, etc., a cross-sectional view showing a sectional configuration of the first capacitor for inspection, etc., a plan view showing a plane configuration of the second capacitor for inspection, etc., a second capacitor for inspection, etc. It is sectional drawing which shows the cross-sectional structure of this. 5B and 5D, only the upper layer side than the interlayer insulating film 41 is shown.

図4を参照して説明したように、本形態では、2つの保持容量(第1保持容量70a、第2保持容量70b)が積層され、かつ、並列に電気的に接続されて保持容量70が構成されている。このため、第1保持容量70aおよび第2保持容量70bの電気的特性等を個別に検査することは困難である。従って、以下に説明するように、本形態の電気光学装置100では、素子基板10の製造途中の検査工程、あるいは素子基板10を製造した後、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる前の検査工程で2つの保持容量(第1保持容量70a、第2保持容量70b)を個別に検査するための検査用容量および検査用端子が構成されている。   As described with reference to FIG. 4, in this embodiment, two storage capacitors (first storage capacitor 70 a and second storage capacitor 70 b) are stacked and electrically connected in parallel to form the storage capacitor 70. It is configured. For this reason, it is difficult to individually inspect the electrical characteristics of the first storage capacitor 70a and the second storage capacitor 70b. Therefore, as will be described below, in the electro-optical device 100 of the present embodiment, an inspection process in the process of manufacturing the element substrate 10 or after the element substrate 10 is manufactured and before the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded together. An inspection capacitor and an inspection terminal for individually inspecting two storage capacitors (first storage capacitor 70a and second storage capacitor 70b) in the inspection process are configured.

より具体的には、本形態では、図2(a)に示すように、素子基板10の端部と画像表示領域10aとの間(外周領域10c)のうち、一方の走査線駆動回路104(104a)と素子基板10の端部とに挟まれた領域に、第1保持容量70aと同一の層構造を備えた検査用第1容量70e(第1容量)と、検査用第1容量70eに電気的に接続する第1容量検査用端子対77とが形成されている。すなわち、本形態では、検査用第1容量70e(第1容量)および第1容量検査用端子対77によって第1検査用素子が構成されている。   More specifically, in the present embodiment, as shown in FIG. 2A, one scanning line driving circuit 104 (outside area 10c) between the end of the element substrate 10 and the image display area 10a. 104a) and the end portion of the element substrate 10 include an inspection first capacitor 70e (first capacitor) having the same layer structure as the first storage capacitor 70a and an inspection first capacitor 70e. A first capacity inspection terminal pair 77 to be electrically connected is formed. In other words, in this embodiment, the first inspection element is configured by the inspection first capacitor 70e (first capacitor) and the first capacitor inspection terminal pair 77.

また、素子基板10の端部と画像表示領域10との間(外周領域10c)のうち、他方の走査線駆動回路104(104b)と素子基板10の端部とに挟まれた領域に、第2保持容量70bと同一の層構造を備えた検査用第2容量70f(第2容量)と、検査用第2容量70fに電気的に接続する第2容量検査用端子対78とが形成されている。すなわち、本形態では、検査用第2容量70f(第2容量)および第2容量検査用端子対78によって第2検査用素子が構成されている。   Further, in the area between the end of the element substrate 10 and the image display area 10 (outer peripheral area 10 c), the area between the other scanning line driving circuit 104 (104 b) and the end of the element substrate 10 is The second inspection capacitor 70f (second capacitor) having the same layer structure as the second storage capacitor 70b and the second capacitor inspection terminal pair 78 electrically connected to the second inspection capacitor 70f are formed. Yes. That is, in the present embodiment, the second inspection element is configured by the inspection second capacitor 70f (second capacitor) and the second capacitor inspection terminal pair 78.

ここで、第1容量検査用端子対77および第2容量検査用端子対78は、対向基板20と重なる位置に設けられているが、第1容量検査用端子対77および第2容量検査用端子対78は、素子基板10の製造途中の検査工程、あるいは素子基板10を製造した後、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる前の検査工程でプローブ等の検査電極が接触するので、対向基板20と重なる位置に第1容量検査用端子対77および第2容量検査用端子対78が設けられていても検査に支障はない。   Here, the first capacity inspection terminal pair 77 and the second capacity inspection terminal pair 78 are provided at positions overlapping the counter substrate 20, but the first capacity inspection terminal pair 77 and the second capacity inspection terminal. The pair 78 is in contact with the inspection electrode such as a probe in the inspection process in the middle of manufacturing the element substrate 10 or in the inspection process before the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded after the element substrate 10 is manufactured. Even if the first capacitance inspection terminal pair 77 and the second capacitance inspection terminal pair 78 are provided at a position overlapping the substrate 20, there is no problem in the inspection.

(検査用第1容量70eおよび第1容量検査用端子対77の具体的構成例)
本形態では、検査用第1容量70eを構成するにあたって、図5(a)、(b)に示すように、第1容量検査用第1電極71sと、第1誘電体層75を介して第1容量検査用第1電極71sに重なって検査用第1容量70eを構成する第1容量検査用第2電極72sと、第2誘電体層76を介して第1容量検査用第1電極71sに重なる第1容量検査用第3電極73sとが形成されている。ここで、図4(a)と図5(b)とを対比すればわかるように、第1容量検査用第1電極71s、第1容量検査用第2電極72sおよび第1容量検査用第3電極73sは各々、第1電極71、第2電極72および第3電極73と同時形成された導電膜からなる。このため、第1容量検査用第1電極71sは第1電極71と同一の層に位置し、第1容量検査用第2電極72sは第2電極72と同一の層に位置し、第1容量検査用第3電極73sは第3電極73と同一の層に位置する。
(Specific configuration example of first inspection capacitor 70e and first capacitance inspection terminal pair 77)
In this embodiment, when the first capacitor for inspection 70e is configured, the first capacitor inspection first electrode 71s and the first dielectric layer 75 are used as shown in FIGS. 5A and 5B. A first capacitance inspection second electrode 72 s that forms the inspection first capacitance 70 e overlapping the first capacitance inspection first electrode 71 s and a first capacitance inspection first electrode 71 s via the second dielectric layer 76. An overlapping first capacitor inspection third electrode 73s is formed. Here, as can be seen by comparing FIG. 4A and FIG. 5B, the first capacitor inspection first electrode 71s, the first capacitance inspection second electrode 72s, and the first capacitance inspection third electrode. Each of the electrodes 73 s is made of a conductive film formed simultaneously with the first electrode 71, the second electrode 72, and the third electrode 73. Therefore, the first capacitance inspection first electrode 71s is located in the same layer as the first electrode 71, the first capacitance inspection second electrode 72s is located in the same layer as the second electrode 72, and the first capacitance The third inspection electrode 73 s is located in the same layer as the third electrode 73.

また、層間絶縁膜44上には、画素電極9aと同時形成された導電膜からなる第1容量検査用第1端子79aおよび第1容量検査用第2端子79bが形成されており、かかる第1容量検査用第1端子79aおよび第1容量検査用第2端子79bによって、検査用第1容量70eに電気的に接続する第1容量検査用端子対77が形成されている。本形態において、検査用第1容量70eは、素子基板10の端部に沿って延在し、検査用第1容量70eを延在方向の両側で挟む位置に第1容量検査用第1端子79aおよび第1容量検査用第2端子79bが形成されている。   On the interlayer insulating film 44, a first terminal for capacitance inspection 79a and a second terminal for capacitance inspection 79b made of a conductive film formed simultaneously with the pixel electrode 9a are formed. A first capacity inspection terminal pair 77 electrically connected to the inspection first capacitor 70e is formed by the capacity inspection first terminal 79a and the first capacity inspection second terminal 79b. In the present embodiment, the first capacitor for inspection 70e extends along the end portion of the element substrate 10, and the first capacitor inspection first terminal 79a is located at a position sandwiching the first capacitor for inspection 70e on both sides in the extending direction. In addition, a second terminal 79b for first capacitance inspection is formed.

また、層間絶縁膜42上には、データ線6aおよび中継電極6bと同時形成された導電膜からなる中継電極6f、6gが形成されており、層間絶縁膜43上には、容量線7aおよび中継電極7bと同時形成された導電膜からなる中継電極7c、7dが形成されている。第1容量検査用第1端子79aは、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44cを介して中継電極7cに導通し、中継電極7cは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43cを介して中継電極6fに導通し、中継電極6fは、層間絶縁膜42および第2誘電体層76を貫通するコンタクトホール42hを介して第1容量検査用第1電極71sに導通している。このため、第1容量検査用第1端子79aは、第1容量検査用第1電極71sに導通している。   On the interlayer insulating film 42, relay electrodes 6f and 6g made of a conductive film formed simultaneously with the data line 6a and the relay electrode 6b are formed. On the interlayer insulating film 43, the capacitor line 7a and the relay electrode are formed. Relay electrodes 7c and 7d made of a conductive film formed simultaneously with the electrode 7b are formed. The first terminal for capacitance inspection 79 a is electrically connected to the relay electrode 7 c via a contact hole 44 c that penetrates the interlayer insulating film 44, and the relay electrode 7 c is relayed via a contact hole 43 c that penetrates the interlayer insulating film 43. The relay electrode 6f is electrically connected to the electrode 6f, and the relay electrode 6f is electrically connected to the first capacitor inspection first electrode 71s via a contact hole 42h penetrating the interlayer insulating film 42 and the second dielectric layer 76. Therefore, the first capacitor inspection first terminal 79a is electrically connected to the first capacitor inspection first electrode 71s.

また、中継電極6fは、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42iを介して第1容量検査用第3電極73sに導通しており、第1容量検査用第1端子79aは、第1容量検査用第1電極71sおよび第1容量検査用第3電極73sに導通している。   The relay electrode 6f is electrically connected to the first capacitor inspection third electrode 73s through a contact hole 42i penetrating the interlayer insulating film 42, and the first capacitor inspection first terminal 79a is connected to the first capacitor inspection. The first electrode 71s and the third capacitor inspection third electrode 73s are electrically connected.

一方、第1容量検査用第2端子79bは、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44dを介して中継電極7dに導通し、中継電極7dは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43dを介して中継電極6gに導通し、中継電極6gは、層間絶縁膜42、第2誘電体層76および第1誘電体層75を貫通するコンタクトホール42jを介して第1容量検査用第2電極72sに導通している。このため、第1容量検査用第2端子79bは、第1容量検査用第2電極72sに導通している。   On the other hand, the second terminal 79b for first capacitance inspection is conducted to the relay electrode 7d through the contact hole 44d penetrating the interlayer insulating film 44, and the relay electrode 7d is connected via the contact hole 43d penetrating the interlayer insulating film 43. The relay electrode 6g is electrically connected to the second electrode 72s for first capacitance inspection through a contact hole 42j that penetrates the interlayer insulating film 42, the second dielectric layer 76, and the first dielectric layer 75. Conducted. Therefore, the first capacitor inspection second terminal 79b is electrically connected to the first capacitor inspection second electrode 72s.

このようにして、本形態では、検査用第1容量70e(第1容量)および第1容量検査用端子対77によって第1検査用素子が構成されている。   In this manner, in the present embodiment, the first inspection element is configured by the inspection first capacitor 70e (first capacitor) and the first capacitor inspection terminal pair 77.

従って、第1容量検査用端子対77(第1容量検査用第1端子79aおよび第1容量検査用第2端子79b)の各々にプローブを当接させて、第1容量検査用端子対77の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第2容量70fの影響を受けずに、検査用第1容量70eでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第1容量70eの検査結果によれば、保持容量70の第2保持容量70bの影響を受けずに、第1保持容量70aでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、第1容量検査用第1端子79aは、第1容量検査用第1電極71sおよび第1容量検査用第3電極73sに導通しているので、第1容量検査用第1電極71sおよび第1容量検査用第3電極73sは同一の電位である。それ故、第1容量検査用第3電極73sの電位の影響を受けずに、検査用第1容量70eでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。   Therefore, the probe is brought into contact with each of the first capacity inspection terminal pair 77 (the first capacity inspection first terminal 79a and the first capacity inspection second terminal 79b), and the first capacity inspection terminal pair 77 If the presence / absence of short circuit, withstand voltage, capacitance, etc. are inspected, the presence / absence of short circuit in the first capacitor for inspection 70e, withstand voltage, capacitance, etc. are not affected by the second capacitor for inspection 70f. Can be inspected. Therefore, according to the inspection result of the first inspection capacitor 70e, the presence or absence of a short circuit in the first storage capacitor 70a, the withstand voltage, the capacitance, etc. are not affected by the second storage capacitor 70b of the storage capacitor 70. Can be inspected. At this time, since the first terminal for capacitance inspection 79a is electrically connected to the first electrode for capacitance inspection 71s and the third electrode for capacitance inspection 73s, the first electrode for capacitance inspection 71s and The third capacitor inspection third electrode 73s has the same potential. Therefore, it is possible to inspect the presence / absence of a short circuit, the withstand voltage, and the capacitance of the first capacitor for inspection 70e without being affected by the potential of the third electrode for first capacitor inspection 73s.

(検査用第2容量70fおよび第2容量検査用端子対78の構成)
本形態では、図5(c)、(d)に示すように、検査用第2容量70fを構成するにあたって、第2容量検査用第1電極71tと、第1誘電体層75を介して第2容量検査用第1電極71tに重なる第2容量検査用第2電極72tと、第2誘電体層76を介して第2容量検査用第1電極71tに重なって検査用第2容量70fを構成する第2容量検査用第3電極73tとが形成されている。図4(a)と図5(d)とを対比すればわかるように、第2容量検査用第1電極71t、第2容量検査用第2電極72tおよび第2容量検査用第3電極73tは各々、第1電極71、第2電極72および第3電極73と同時形成された導電膜からなる。このため、第2容量検査用第1電極71tは第1電極71と同一の層に位置し、第2容量検査用第2電極72tは第2電極72と同一の層に位置し、第2容量検査用第3電極73tは第3電極73と同一の層に位置する。
(Configuration of Inspection Second Capacitor 70f and Second Capacitance Inspection Terminal Pair 78)
In this embodiment, as shown in FIGS. 5C and 5D, when the second capacitor for inspection 70f is configured, the second capacitor inspection first electrode 71t and the first dielectric layer 75 are used to form the second capacitor 70f. A second capacitance inspection second electrode 72t that overlaps the second capacitance inspection first electrode 71t and a second capacitance inspection first capacitor 70f that overlaps the second capacitance inspection first electrode 71t via the second dielectric layer 76 are configured. A second capacitance inspection third electrode 73t is formed. As can be seen by comparing FIG. 4 (a) and FIG. 5 (d), the first electrode for second capacitance inspection 71t, the second electrode for second capacitance inspection 72t, and the third electrode for second capacitance inspection 73t are Each is made of a conductive film formed simultaneously with the first electrode 71, the second electrode 72, and the third electrode 73. Therefore, the second capacitance inspection first electrode 71t is located in the same layer as the first electrode 71, the second capacitance inspection second electrode 72t is located in the same layer as the second electrode 72, and the second capacitance The third inspection electrode 73 t is located in the same layer as the third electrode 73.

また、層間絶縁膜44上には、画素電極9aと同時形成された導電膜からなる第2容量検査用第1端子79cおよび第2容量検査用第2端子79dが形成されており、かかる第2容量検査用第1端子79cおよび第2容量検査用第2端子79dによって、検査用第2容量70fに電気的に接続する第2容量検査用端子対78が形成されている。本形態において、検査用第2容量70fは、素子基板10の端部に沿って延在し、検査用第2容量70fを延在方向の両側で挟む位置に第2容量検査用第1端子79cおよび第2容量検査用第2端子79dが形成されている。   On the interlayer insulating film 44, a second capacitor inspection first terminal 79c and a second capacitor inspection second terminal 79d are formed of a conductive film formed simultaneously with the pixel electrode 9a. The first capacitor inspection terminal 79c and the second capacitor inspection second terminal 79d form a second capacitor inspection terminal pair 78 electrically connected to the inspection second capacitor 70f. In the present embodiment, the second inspection capacitor 70f extends along the end portion of the element substrate 10, and the second first inspection terminal 79c is provided at a position sandwiching the second inspection capacitor 70f on both sides in the extending direction. In addition, a second terminal 79d for capacitance inspection is formed.

また、層間絶縁膜42上には、データ線6aおよび中継電極6cと同時形成された導電膜からなる中継電極6h、6iが形成されており、層間絶縁膜43上には、容量線7aおよび中継電極7bと同時形成された導電膜からなる中継電極7e、7fが形成されている。第2容量検査用第1端子79cは、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44eを介して中継電極7eに導通し、中継電極7eは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43eを介して中継電極6hに導通し、中継電極6hは、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42kを介して第2容量検査用第3電極73tに導通している。このため、第2容量検査用第1端子79cは、第2容量検査用第3電極73tに導通している。   On the interlayer insulating film 42, relay electrodes 6h and 6i made of a conductive film formed simultaneously with the data line 6a and the relay electrode 6c are formed. On the interlayer insulating film 43, the capacitor line 7a and the relay electrode are formed. Relay electrodes 7e and 7f made of a conductive film formed simultaneously with the electrode 7b are formed. The first terminal 79 c for second capacitance inspection is electrically connected to the relay electrode 7 e through the contact hole 44 e that penetrates the interlayer insulating film 44, and the relay electrode 7 e is relayed via the contact hole 43 e that penetrates the interlayer insulating film 43. The relay electrode 6h is electrically connected to the second capacitor inspection third electrode 73t through a contact hole 42k that penetrates the interlayer insulating film 42. For this reason, the first terminal 79c for second capacity inspection is electrically connected to the third electrode 73t for second capacity inspection.

一方、第2容量検査用第2端子79dは、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44fを介して中継電極7fに導通し、中継電極7fは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43fを介して中継電極6iに導通し、中継電極6iは、層間絶縁膜42、および第2誘電体層76を貫通するコンタクトホール42lを介して第2容量検査用第1電極71tに導通している。このため、第2容量検査用第2端子79dは、第2容量検査用第1電極71tに導通している。また、中継電極6iは、層間絶縁膜42、第2誘電体層76および第1誘電体層75を貫通するコンタクトホール42mを介して第2容量検査用第2電極72tに導通しており、第2容量検査用第2端子79dは、第2容量検査用第1電極71tおよび第2容量検査用第2電極72tに導通している。   On the other hand, the second terminal 79d for capacitance inspection is electrically connected to the relay electrode 7f through the contact hole 44f that penetrates the interlayer insulating film 44, and the relay electrode 7f is connected to the relay electrode 7f through the contact hole 43f that penetrates the interlayer insulating film 43. The relay electrode 6i is electrically connected to the first electrode 71t for second capacitance inspection through a contact hole 42l that penetrates the interlayer insulating film 42 and the second dielectric layer 76. For this reason, the second terminal 79d for capacitance inspection is electrically connected to the first electrode 71t for second capacitance inspection. The relay electrode 6i is electrically connected to the second electrode for second capacitance inspection 72t through a contact hole 42m that penetrates the interlayer insulating film 42, the second dielectric layer 76, and the first dielectric layer 75, The second capacitor inspection second terminal 79d is electrically connected to the second capacitor inspection first electrode 71t and the second capacitor inspection second electrode 72t.

このようにして、本形態では、検査用第2容量70f(第2容量)および第2容量検査用端子対78によって第2検査用素子が構成されている。   In this manner, in the present embodiment, the second inspection element is configured by the inspection second capacitor 70f (second capacitor) and the second capacitor inspection terminal pair 78.

従って、第2容量検査用端子対78(第2容量検査用第1端子79cおよび第2容量検査用第2端子79d)の各々にプローブを当接させて、第2容量検査用端子対78の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第1容量70eの影響を受けずに、検査用第2容量70fでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第2容量70fの検査結果によれば、保持容量70の第1保持容量70aの影響を受けずに、第2保持容量70bでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、第2容量検査用第2端子79dは、第2容量検査用第1電極71tおよび第2容量検査用第2電極72tに導通しているので、第2容量検査用第1電極71tおよび第2容量検査用第2電極72tは同一の電位である。それ故、第2容量検査用第2電極72tの電位の影響を受けずに、検査用第2容量70fでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。   Accordingly, the probe is brought into contact with each of the second capacity inspection terminal pair 78 (the second capacity inspection first terminal 79c and the second capacity inspection second terminal 79d), so that the second capacity inspection terminal pair 78 If the presence or absence of a short circuit, the withstand voltage, the capacitance, etc. are inspected, the presence or absence of a short circuit, the withstand voltage, the capacitance, etc. of the second capacitor for inspection 70f is not affected by the first capacitor for inspection 70e. Can be inspected. Therefore, according to the inspection result of the second inspection capacitor 70f, the presence / absence of a short circuit in the second storage capacitor 70b, withstand voltage, capacitance, etc. are not affected by the first storage capacitor 70a of the storage capacitor 70. Can be inspected. At this time, since the second terminal for capacitance inspection 79d is electrically connected to the second electrode for capacitance inspection 71t and the second electrode for capacitance inspection 72t, the second electrode for capacitance inspection 71t and The second electrode for second capacitance inspection 72t has the same potential. Therefore, the presence / absence of a short circuit, the withstand voltage, and the capacitance of the second capacitor for inspection 70f can be inspected without being affected by the potential of the second electrode for second capacity inspection 72t.

(検査用の各構成要素)
なお、上記の構成において、検査用の各構成要素を、保持容量70を構成する要素から連番で表すと、以下に示す関係
第1容量検査用第1電極71s=第4電極
第1容量検査用第2電極72s=第5電極
第1容量検査用第3電極73s=第6電極
第2容量検査用第1電極71t=第7電極
第2容量検査用第2電極72t=第8電極
第2容量検査用第3電極73t=第9電極
第1容量検査用第1端子79a=第1端子
第1容量検査用第2端子79b=第2端子
第2容量検査用第2端子79d=第3端子
第2容量検査用第1端子79c=第4端子
第1誘電体層75=第3誘電体層、第5誘電体層
第2誘電体層76=第4誘電体層、第6誘電体層
に対応する。
(Each component for inspection)
In the above configuration, when each component for inspection is represented by a serial number from the components constituting the storage capacitor 70, the following relationship is shown: first electrode 71s for first capacitance inspection = fourth electrode first capacitance inspection Second electrode 72s = fifth electrode third electrode for first capacitance inspection 73s = sixth electrode first electrode for second capacitance inspection 71t = seventh electrode second electrode for second capacitance inspection 72t = eighth electrode second Third electrode for capacity inspection 73t = 9th electrode First terminal for capacity inspection 79a = first terminal Second terminal for capacity inspection 79b = second terminal Second terminal for capacity inspection 79d = third terminal Second terminal for capacitance inspection 79c = fourth terminal First dielectric layer 75 = third dielectric layer, fifth dielectric layer Second dielectric layer 76 = fourth dielectric layer, sixth dielectric layer Correspond.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、並列に電気的に接続された第1保持容量70aと第2保持容量70bとによって保持容量70が形成され、かつ、第1保持容量70aと第2保持容量70bとは積層された構造になっている。このため、保持容量70は、占有する面積が狭くても大きな静電容量を有する。ここで、素子基板10の端部と画像表示領域10aとの間には、第1保持容量70aと同一の層構造を備えた検査用第1容量70eと、第2保持容量70bと同一の層構造を備えた検査用第2容量70fが形成されているとともに、検査用第1容量70eに電気的に接続する第1容量検査用端子対77と、検査用第2容量70fに電気的に接続する第2容量検査用端子対78とが設けられている。このため、第1容量検査用端子対77を用いれば、検査用第1容量70eの検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第2保持容量70bの影響を受けずに、第1保持容量70aの短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。また、第2容量検査用端子対78を用いれば、検査用第2容量70fの検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第1保持容量70aの影響を受けずに、第2保持容量70bの短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。従って、保持容量70に短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生した場合、第1保持容量70aおよび第2保持容量70bのいずれにおいて不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することができる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。
(Main effects of this form)
As described above, in the electro-optical device 100 of this embodiment, the storage capacitor 70 is formed by the first storage capacitor 70a and the second storage capacitor 70b that are electrically connected in parallel, and the first storage capacitor 70a. The second storage capacitor 70b has a stacked structure. For this reason, the storage capacitor 70 has a large capacitance even if the area occupied is small. Here, between the end of the element substrate 10 and the image display region 10a, the first capacitor for inspection 70e having the same layer structure as the first storage capacitor 70a and the same layer as the second storage capacitor 70b are provided. A second inspection capacitor 70f having a structure is formed, and a first capacitor inspection terminal pair 77 that is electrically connected to the first inspection capacitor 70e, and is electrically connected to the second inspection capacitor 70f. A second capacitance inspection terminal pair 78 is provided. For this reason, if the first capacitor inspection terminal pair 77 is used, the inspection first capacitor 70e can be inspected, and according to the inspection result, the first capacitance is not affected by the second holding capacitor 70b. It is possible to grasp characteristics such as a short circuit and withstand voltage of the storage capacitor 70a. Further, by using the second capacitor inspection terminal pair 78, the inspection second capacitor 70f can be inspected. According to the inspection result, the second holding capacitor 70a is not affected by the first holding capacitor 70a. It is possible to grasp characteristics such as a short circuit and withstand voltage of the capacitor 70b. Therefore, when a problem such as a short circuit or a decrease in withstand voltage occurs in the storage capacitor 70, it is possible to easily and reliably inspect which of the first storage capacitor 70a and the second storage capacitor 70b has occurred. Therefore, since the inspection result can be appropriately fed back to the manufacturing process or the like, it is possible to appropriately take measures against the malfunction.

また、本形態では、検査用第1容量70eには、第3電極73と同一の層で第2誘電体層76を介して第1容量検査用第1電極71sに重なる第1容量検査用第3電極73sが設けられ、検査用第2容量70fには、第2電極72と同一の層で第1誘電体層75を介して第2容量検査用第1電極71tに重なる第2容量検査用第2電極72tが設けられている。このため、検査用第1容量70eおよび検査用第2容量70fはいずれも、保持容量70と同様、3つの電極の各間に誘電体層が介在している構造になっているので、保持容量70の第1保持容量70aで不具合が発生した際、検査用第1容量70eで不具合が発生しやすく、保持容量70の第2保持容量70bで不具合が発生した際、検査用第2容量70fで不具合が発生しやすい。それ故、保持容量70の不具合原因等を検査用第1容量70eおよび検査用第2容量70fに対する検査によって確実に把握することができる。   In the present embodiment, the first capacitor for inspection 70e includes a first capacitor inspection first capacitor 70e that is the same layer as the third electrode 73 and overlaps the first capacitor inspection first electrode 71s via the second dielectric layer 76. The third electrode 73s is provided, and the second capacitor for inspection 70f is the same layer as the second electrode 72 and overlaps the second electrode for first capacitance 71t via the first dielectric layer 75 via the first dielectric layer 75. A second electrode 72t is provided. For this reason, since both the first capacitor for inspection 70e and the second capacitor for inspection 70f have a structure in which a dielectric layer is interposed between each of the three electrodes, like the storage capacitor 70, the storage capacitor When a failure occurs in the first holding capacitor 70a of 70, a failure is likely to occur in the first capacitor 70e for inspection, and when a failure occurs in the second holding capacitor 70b of the holding capacitor 70, the second capacitor 70f for inspection Problems are likely to occur. Therefore, the cause of the malfunction of the storage capacitor 70 can be reliably grasped by the inspection of the first inspection capacitor 70e and the second inspection capacitor 70f.

また、第1容量検査用端子対77を構成する第1容量検査用第1端子79aおよび第1容量検査用第2端子79bのうち、第1容量検査用第1端子79aは、第1容量検査用第1電極71sおよび第1容量検査用第3電極73sに導通している。このため、検査用第1容量70eを検査する際、第1容量検査用第1電極71sおよび第1容量検査用第3電極73sは同一の電位であるので、第1容量検査用第3電極73sの電位の影響を受けずに、検査用第1容量70eの検査を行うことができる。また、第2容量検査用端子対78を構成する第2容量検査用第1端子79cおよび第2容量検査用第2端子79dのうち、第2容量検査用第2端子79dは、第2容量検査用第1電極71tおよび第2容量検査用第2電極72tに導通している。このため、検査用第2容量70fを検査する際、第2容量検査用第1電極71tおよび第2容量検査用第2電極72tは同一の電位であるので、第2容量検査用第2電極73tの電位の影響を受けずに、検査用第2容量70fの検査を行うことができる。   Of the first capacitance inspection first terminal 79a and the first capacitance inspection second terminal 79b constituting the first capacitance inspection terminal pair 77, the first capacitance inspection first terminal 79a is the first capacitance inspection. The first electrode 71s and the third capacitor inspection third electrode 73s are electrically connected. Therefore, when inspecting the first capacitor for inspection 70e, the first capacitor inspection first electrode 71s and the first capacitor inspection third electrode 73s have the same potential, and therefore the first capacitor inspection third electrode 73s. The first capacitor for inspection 70e can be inspected without being affected by the potential of. Of the second capacitance inspection first terminal 79c and the second capacitance inspection second terminal 79d constituting the second capacitance inspection terminal pair 78, the second capacitance inspection second terminal 79d is the second capacitance inspection second terminal 79d. The first electrode 71t and the second capacitor inspection second electrode 72t are electrically connected. For this reason, when inspecting the inspection second capacitor 70f, the second capacitor inspection first electrode 71t and the second capacitor inspection second electrode 72t are at the same potential, so the second capacitor inspection second electrode 73t. The second inspection capacitor 70f can be inspected without being affected by the potential of the second capacitor 70f.

また、本形態においては、図4(b)を参照して説明したように、第1誘電体層75および第2誘電体層76は各々、複数層の誘電体膜からなり、下層側(基板本体10w側)からみて、第1誘電体層75を構成する複数の誘電体膜と、第2誘電体層76を構成する複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一である。従って、画素電極9aに印加する電位の極性を共通電位Vcomに対して反転させた際には、第1電極71と第2電極72との極性、および第1電極71と第3電極73との極性が反転することになるが、いずれの極性でも、絶縁膜の配列は実質同一である。すなわち、画素電極9aがプラスの期間では、第1保持容量70aのシリコン窒化膜75bおよび第2保持容量70bのシリコン酸化膜76aがプラスである一方、画素電極9aがマイナスの期間では、第1保持容量70aのシリコン酸化膜75aおよび第2保持容量70bのシリコン窒化膜76bがプラスである。画素電極9aがプラスの期間とマイナスの期間とでは、絶縁膜の極性は対称であるので、固定電位のシフト等の不具合が発生しにくい。   Further, in this embodiment, as described with reference to FIG. 4B, each of the first dielectric layer 75 and the second dielectric layer 76 is composed of a plurality of dielectric films, and the lower layer side (substrate As viewed from the side of the main body 10w, the stacking order of the insulating films in the plurality of dielectric films constituting the first dielectric layer 75 and the plurality of dielectric films constituting the second dielectric layer 76 is the same. Therefore, when the polarity of the potential applied to the pixel electrode 9a is inverted with respect to the common potential Vcom, the polarity of the first electrode 71 and the second electrode 72 and the first electrode 71 and the third electrode 73 The polarity is inverted, but the arrangement of the insulating films is substantially the same regardless of the polarity. That is, when the pixel electrode 9a is positive, the silicon nitride film 75b of the first storage capacitor 70a and the silicon oxide film 76a of the second storage capacitor 70b are positive, while when the pixel electrode 9a is negative, the first storage The silicon oxide film 75a of the capacitor 70a and the silicon nitride film 76b of the second storage capacitor 70b are positive. Since the polarity of the insulating film is symmetrical between the positive period and the negative period of the pixel electrode 9a, problems such as a fixed potential shift hardly occur.

[実施の形態1の変形例1]
上記実施の形態1においては、第1容量検査用第1端子79aが第1容量検査用第1電極71sおよび第1容量検査用第3電極73sの双方に導通し、第2容量検査用第2端子79dが第2容量検査用第1電極71tおよび第2容量検査用第2電極72tの双方に導通していた。但し、図5に示す構成において、第1容量検査用第1端子79aが、第1容量検査用第3電極73sに導通せずに第1容量検査用第1電極71sに導通し、第2容量検査用第2端子79dが、第2容量検査用第2電極72tに導通せずに第2容量検査用第1電極71tに導通している構造を採用してもよい。
[Variation 1 of Embodiment 1]
In the first embodiment, the first capacitor inspection first terminal 79a is electrically connected to both the first capacitor inspection first electrode 71s and the first capacitor inspection third electrode 73s, and the second capacitor inspection second terminal. The terminal 79d is electrically connected to both the first electrode for second capacitance inspection 71t and the second electrode for second capacitance inspection 72t. However, in the configuration shown in FIG. 5, the first capacitor inspection first terminal 79a is not connected to the first capacitor inspection third electrode 73s but is connected to the first capacitor inspection first electrode 71s, and the second capacitor A structure may be employed in which the second inspection terminal 79d is electrically connected to the second capacitance inspection first electrode 71t without being electrically connected to the second capacitance inspection second electrode 72t.

[実施の形態1の変形例2]
上記実施の形態1においては、検査用第1容量70eには、第3電極73と同一の層で第2誘電体層76を介して第1容量検査用第1電極71sに重なる第1容量検査用第3電極73sが設けられ、検査用第2容量70fには、第2電極72と同一の層で第1誘電体層75を介して第2容量検査用第1電極71tに重なる第2容量検査用第2電極72tが設けられていた。但し、実施の形態1あるいは実施の形態1の変形例1で説明した構成において、第1容量検査用第3電極73sおよび第2容量検査用第2電極72tが設けられていない構造を採用してもよい。
[Modification 2 of Embodiment 1]
In the first embodiment, the first capacitor inspection 70e is the same layer as the third electrode 73 and overlaps the first capacitor inspection first electrode 71s via the second dielectric layer 76. The third capacitor 73s is provided, and the second capacitor for inspection 70f is a second capacitor that is the same layer as the second electrode 72 and overlaps the second capacitor inspection first electrode 71t via the first dielectric layer 75. The inspection second electrode 72t was provided. However, in the configuration described in the first embodiment or the first modification of the first embodiment, a structure in which the first capacitance inspection third electrode 73s and the second capacitance inspection second electrode 72t are not provided is adopted. Also good.

[実施の形態2]
図6は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100の検査用容量および検査用端子等の説明図であり、図6(a)、(b)は、検査用容量等の平面構成を示す平面図、および検査用容量等の断面構成を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、図6(b)では、層間絶縁膜41より上層側のみを図示してある。
[Embodiment 2]
6A and 6B are explanatory diagrams of the inspection capacitor and the inspection terminal of the electro-optical device 100 according to the second embodiment of the present invention. FIGS. 6A and 6B are plan configurations of the inspection capacitor and the like. FIG. 2 is a plan view showing a cross-sectional structure of the inspection capacitor and the like. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In FIG. 6B, only the upper layer side than the interlayer insulating film 41 is shown.

実施の形態1では、素子基板10上の異なる領域に検査用第1容量70eおよび検査用第2容量70fを形成したが、図6を参照して以下に説明するように、検査用第1容量70eおよび検査用第2容量70fを積層した構造を採用してもよい。具体的には、素子基板10の外周領域10cには、検査用第1電極71uと、第1誘電体層75を介して検査用第1電極71uに下層側で重なって検査用第1容量70e(第1容量)を構成する検査用第2電極72uと、第2誘電体層76を介して検査用第1電極71uに上層側で重なって検査用第2容量70f(第2容量)を構成する検査用第3電極73uとが形成されている。ここで、図4(a)と図6(b)とを対比すればわかるように、検査用第1電極71u、検査用第2電極72uおよび検査用第3電極73uは各々、第1電極71、第2電極72および第3電極73と同時形成された導電膜からなる。このため、検査用第1電極71uは第1電極71と同一の層に位置し、検査用第2電極72uは第2電極72と同一の層に位置し、検査用第3電極73uは第3電極73と同一の層に位置する。   In the first embodiment, the first inspection capacitor 70e and the second inspection capacitor 70f are formed in different regions on the element substrate 10. However, as described below with reference to FIG. 6, the first inspection capacitor A structure in which 70e and the second capacitor for inspection 70f are stacked may be employed. Specifically, in the outer peripheral region 10 c of the element substrate 10, the first capacitor for inspection 70 e overlaps with the first electrode for inspection 71 u and the first electrode for inspection 71 u via the first dielectric layer 75 on the lower layer side. An inspection second capacitor 70f (second capacitor) is formed by overlapping the inspection second electrode 72u constituting the (first capacitor) and the inspection first electrode 71u via the second dielectric layer 76 on the upper layer side. The inspection third electrode 73u is formed. Here, as can be seen from a comparison between FIG. 4A and FIG. 6B, the first electrode for inspection 71u, the second electrode for inspection 72u, and the third electrode for inspection 73u are each the first electrode 71. The conductive film is formed simultaneously with the second electrode 72 and the third electrode 73. Therefore, the first inspection electrode 71u is located in the same layer as the first electrode 71, the second inspection electrode 72u is located in the same layer as the second electrode 72, and the third inspection electrode 73u is the third layer. Located in the same layer as the electrode 73.

また、層間絶縁膜44上には、画素電極9aと同時形成された導電膜からなる検査用第1端子79e、検査用第2端子79fおよび検査用第3端子79gが形成されており、検査用第1端子79eおよび検査用第2端子79fによって、検査用第1容量70eに電気的に接続する第1容量検査用端子対77が構成されている。また検査用第1端子79eおよび検査用第3端子79gによって、検査用第2容量70fに電気的に接続する第2容量検査用端子対78が構成されている。本形態において、検査用第1容量70eおよび検査用第2容量70fは、素子基板10の端部に沿って延在し、検査用第1容量70eおよび検査用第2容量70fを延在方向の両側で挟む位置に検査用第1端子79eおよび検査用第2端子79fが形成されている。また、検査用第3端子79gは、検査用第1容量70eおよび検査用第2容量70fと重なる位置で、検査用第1端子79eと検査用第2端子79fとの間に形成されている。   On the interlayer insulating film 44, a first terminal 79e for inspection, a second terminal 79f for inspection, and a third terminal 79g for inspection are formed of a conductive film formed simultaneously with the pixel electrode 9a. The first terminal 79e and the second inspection terminal 79f constitute a first capacitance inspection terminal pair 77 that is electrically connected to the first inspection capacitor 70e. The first inspection terminal 79e and the third inspection terminal 79g constitute a second capacitance inspection terminal pair 78 that is electrically connected to the inspection second capacitor 70f. In this embodiment, the first inspection capacitor 70e and the second inspection capacitor 70f extend along the end portion of the element substrate 10, and the first inspection capacitor 70e and the second inspection capacitor 70f extend in the extending direction. A first inspection terminal 79e and a second inspection terminal 79f are formed at positions sandwiched between both sides. The third inspection terminal 79g is formed between the first inspection terminal 79e and the second inspection terminal 79f at a position overlapping the first inspection capacitor 70e and the second inspection capacitor 70f.

また、層間絶縁膜42上には、データ線6aと同時形成された導電膜からなる中継電極6j、6k、6lが形成されており、層間絶縁膜43上には、容量線7aと同時形成された導電膜からなる中継電極7g、7h、7iが形成されている。検査用第1端子79eは、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44gを介して中継電極7gに導通し、中継電極7gは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43gを介して中継電極6jに導通し、中継電極6jは、層間絶縁膜42および第2誘電体層76を貫通するコンタクトホール42nを介して容量検査用第1電極71uに導通している。このため、検査用第1端子79eは、容量検査用第1電極71uに導通している。   On the interlayer insulating film 42, relay electrodes 6j, 6k, 6l made of a conductive film formed simultaneously with the data line 6a are formed. On the interlayer insulating film 43, formed simultaneously with the capacitor line 7a. Relay electrodes 7g, 7h, and 7i made of the conductive film are formed. The first inspection terminal 79e is electrically connected to the relay electrode 7g through a contact hole 44g that penetrates the interlayer insulating film 44, and the relay electrode 7g is connected to the relay electrode 6j through a contact hole 43g that penetrates the interlayer insulating film 43. The relay electrode 6j is electrically connected to the first electrode 71u for capacitance inspection through a contact hole 42n penetrating the interlayer insulating film 42 and the second dielectric layer 76. Therefore, the first inspection terminal 79e is electrically connected to the first electrode 71u for capacity inspection.

検査用第2端子79fは、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44hを介して中継電極7hに導通し、中継電極7hは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43hを介して中継電極6kに導通し、中継電極6kは、層間絶縁膜42、第2誘電体層76および第1誘電体層75を貫通するコンタクトホール42oを介して検査用第2電極72uに導通している。このため、検査用第2端子79fは、検査用第2電極72uに導通している。   The second inspection terminal 79f is electrically connected to the relay electrode 7h via a contact hole 44h penetrating the interlayer insulating film 44, and the relay electrode 7h is connected to the relay electrode 6k via a contact hole 43h penetrating the interlayer insulating film 43. The relay electrode 6k is electrically connected to the inspection second electrode 72u through a contact hole 42o penetrating the interlayer insulating film 42, the second dielectric layer 76, and the first dielectric layer 75. For this reason, the second inspection terminal 79f is electrically connected to the second inspection electrode 72u.

検査用第3端子79gは、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44iを介して中継電極7iに導通し、中継電極7iは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43iを介して中継電極6lに導通し、中継電極6lは、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42pを介して検査用第3電極73uに導通している。このため、検査用第3端子79gは、検査用第3電極73uに導通している。   The third inspection terminal 79g is electrically connected to the relay electrode 7i through a contact hole 44i that penetrates the interlayer insulating film 44, and the relay electrode 7i is connected to the relay electrode 6l via a contact hole 43i that penetrates the interlayer insulating film 43. The relay electrode 61 is electrically connected to the inspection third electrode 73u through a contact hole 42p penetrating the interlayer insulating film 42. Therefore, the third inspection terminal 79g is electrically connected to the third inspection electrode 73u.

このようにして、本形態では、検査用第1容量70e(第1容量)および第1容量検査用端子対77によって第1検査用素子が構成され、検査用第2容量70f(第2容量)および第2容量検査用端子対78によって第2検査用素子が構成されている。   In this manner, in the present embodiment, the first inspection element is configured by the inspection first capacitor 70e (first capacitor) and the first capacitor inspection terminal pair 77, and the inspection second capacitor 70f (second capacitor). The second capacitance inspection terminal pair 78 constitutes a second inspection element.

従って、第1容量検査用端子対77(検査用第1端子79eおよび検査用第2端子79f)の各々にプローブを当接させて、第1容量検査用端子対77の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第2容量70fの影響を受けずに、検査用第1容量70eでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第1容量70eの検査結果によれば、保持容量70の第2保持容量70bの影響を受けずに、第1保持容量70aでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、検査用第1端子79eに当接させたプローブを検査用第3端子79gにも当接させれば、検査用第1電極71uおよび検査用第3電極73uは同一の電位となる。それ故、検査用第3電極73uの電位の影響を受けずに、検査用第1容量70eでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。   Accordingly, the probe is brought into contact with each of the first capacity inspection terminal pair 77 (the first terminal for inspection 79e and the second terminal for inspection 79f), and whether or not there is a short circuit between the first capacity inspection terminal pair 77, If the withstand voltage, capacitance, etc. are inspected, the presence / absence of a short circuit, withstand voltage, capacitance, etc. in the first inspection capacitor 70e can be inspected without being affected by the second inspection capacitor 70f. . Therefore, according to the inspection result of the first inspection capacitor 70e, the presence or absence of a short circuit in the first storage capacitor 70a, the withstand voltage, the capacitance, etc. are not affected by the second storage capacitor 70b of the storage capacitor 70. Can be inspected. At this time, if the probe brought into contact with the first inspection terminal 79e is also brought into contact with the third inspection terminal 79g, the first inspection electrode 71u and the third inspection electrode 73u have the same potential. Therefore, the presence / absence of a short circuit, the withstand voltage, and the capacitance of the first capacitor for inspection 70e can be inspected without being affected by the potential of the third electrode for inspection 73u.

また、第2容量検査用端子対78(検査用第1端子79eおよび検査用第3端子79g)の各々にプローブを当接させて、第2容量検査用端子対78の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第1容量70eの影響を受けずに、検査用第2容量70fでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第2容量70fの検査結果によれば、保持容量70の第1保持容量70aの影響を受けずに、第2保持容量70bでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、検査用第1端子79eに当接させたプローブを検査用第2端子79fにも当接させれば、検査用第1電極71uおよび検査用第2電極72uは同一の電位となる。それ故、検査用第2電極72uの電位の影響を受けずに、検査用第2容量70fでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。   Further, a probe is brought into contact with each of the second capacitance inspection terminal pair 78 (the first inspection terminal 79e and the third inspection terminal 79g), and whether or not there is a short circuit between the second capacitance inspection terminal pair 78, If the withstand voltage, capacitance, etc. are inspected, it is possible to inspect the presence / absence of a short circuit, withstand voltage, capacitance, etc. in the second inspection capacitor 70f without being affected by the first inspection capacitor 70e. . Therefore, according to the inspection result of the second inspection capacitor 70f, the presence / absence of a short circuit in the second storage capacitor 70b, withstand voltage, capacitance, etc. are not affected by the first storage capacitor 70a of the storage capacitor 70. Can be inspected. At this time, if the probe brought into contact with the first inspection terminal 79e is also brought into contact with the second inspection terminal 79f, the first inspection electrode 71u and the second inspection electrode 72u have the same potential. Therefore, it is possible to inspect the presence / absence of a short circuit, the withstand voltage, and the capacitance of the second capacitor for inspection 70f without being affected by the potential of the second electrode for inspection 72u.

なお、上記の構成において、検査用の各構成要素を、保持容量70を構成する要素から連番で表すと、以下に示す関係
検査用第1電極71u=第4電極、第7電極
検査用第2電極72u=第5電極、第8電極
検査用第3電極73u=第6電極、第9電極
検査用第1端子79e=第1端子、第3端子
検査用第2端子79f=第2端子
検査用第3端子79g=第4端子
第1誘電体層75=第3誘電体層、第5誘電体層
第2誘電体層76=第4誘電体層、第6誘電体層
に対応する。
In the above configuration, when each component for inspection is represented by a serial number from the components constituting the storage capacitor 70, the following relational inspection first electrode 71u = fourth electrode, seventh electrode 2 electrode 72u = 5th electrode, 8th electrode 3rd electrode for inspection 73u = 6th electrode, 9th electrode 1st terminal for inspection 79e = 1st terminal, 3rd terminal 2nd terminal for inspection 79f = 2nd terminal Inspection Third terminal 79g = fourth terminal First dielectric layer 75 = third dielectric layer, fifth dielectric layer Second dielectric layer 76 = corresponding to the fourth dielectric layer, the sixth dielectric layer.

[実施の形態2の変形例]
実施の形態2では、第1容量検査用端子対77(検査用第1端子79eおよび検査用第2端子79f)の各々にプローブを当接させて、検査用第1容量70eの検査を行う際、検査用第1端子79eに当接させたプローブを検査用第3端子79gにも当接させたが、検査用第1端子79eに当接させたプローブを検査用第3端子79gに当接させない方法を採用してもよい。また、実施の形態2では、第2容量検査用端子対78(検査用第1端子79eおよび検査用第3端子79g)の各々にプローブを当接させて、検査用第2容量70fの検査を行う際、検査用第1端子79eに当接させたプローブを検査用第2端子79fにも当接させたが、検査用第1端子79eに当接させたプローブを検査用第2端子79fに当接させない方法を採用してもよい。
[Modification of Embodiment 2]
In the second embodiment, a probe is brought into contact with each of the first capacitance inspection terminal pair 77 (the inspection first terminal 79e and the inspection second terminal 79f) to inspect the inspection first capacitor 70e. The probe brought into contact with the first inspection terminal 79e is also brought into contact with the third inspection terminal 79g, but the probe brought into contact with the first inspection terminal 79e is brought into contact with the third inspection terminal 79g. You may employ | adopt the method not to let it be. In the second embodiment, a probe is brought into contact with each of the second capacitance inspection terminal pair 78 (the first inspection terminal 79e and the third inspection terminal 79g) to inspect the inspection second capacitor 70f. When performing, the probe brought into contact with the first test terminal 79e was also brought into contact with the second test terminal 79f, but the probe brought into contact with the first test terminal 79e was used as the second test terminal 79f. You may employ | adopt the method which does not contact | abut.

[実施の形態3]
図7は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置100の画素100aの断面構造を示す説明図であり、図7(a)、(b)は、素子基板10を切断したときの断面図、および保持容量70の断面構造を示す説明図である。
[Embodiment 3]
7A and 7B are explanatory views showing a cross-sectional structure of the pixel 100a of the electro-optical device 100 according to Embodiment 3 of the present invention. FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views when the element substrate 10 is cut. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of the storage capacitor 70.

上記実施の形態1、2等では、保持容量70の第1電極71が容量線7aに導通し、第2電極72および第3電極73が画素電極9a側に導通している構造であったが、図7(a)、(b)に示すように、保持容量70の第1電極71が画素電極9a側に導通し、第2電極72および第3電極73が容量線7aに導通している構造を採用してもよい。   In the first and second embodiments, the first electrode 71 of the storage capacitor 70 is electrically connected to the capacitor line 7a, and the second electrode 72 and the third electrode 73 are electrically connected to the pixel electrode 9a side. 7A and 7B, the first electrode 71 of the storage capacitor 70 is conducted to the pixel electrode 9a side, and the second electrode 72 and the third electrode 73 are conducted to the capacitor line 7a. A structure may be adopted.

より具体的には、図7(a)に示すように、容量線7aに導通する中継電極6bは、層間絶縁膜42、第2誘電体層76および第1誘電体層75を貫通するコンタクトホール42rを介して第2電極72に導通しているとともに、層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール42sを介して第3電極73に導通している。また、画素電極9aに導通する中継電極6cは、層間絶縁膜42および第2誘電体層76を貫通するコンタクトホール42tを介して第1電極71に導通している。また、第1電極71は、第1誘電体層75、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41cを介して画素電極側ソースドレイン領域1iに導通している。   More specifically, as shown in FIG. 7A, the relay electrode 6b that conducts to the capacitor line 7a is a contact hole that penetrates the interlayer insulating film 42, the second dielectric layer 76, and the first dielectric layer 75. It is electrically connected to the second electrode 72 via 42r and electrically connected to the third electrode 73 via a contact hole 42s penetrating the interlayer insulating film 42. In addition, the relay electrode 6 c that conducts to the pixel electrode 9 a is conducted to the first electrode 71 through a contact hole 42 t that penetrates the interlayer insulating film 42 and the second dielectric layer 76. The first electrode 71 is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region 1i through a contact hole 41c penetrating the first dielectric layer 75, the interlayer insulating film 41 and the gate insulating layer 2.

かかる構成の電気光学装置100でも、実施の形態1と同様、図7(b)に示すように、第1誘電体層75および第2誘電体層76は各々、複数層の誘電体膜からなり、下層側(基板本体10w側)からみて、第1誘電体層75を構成する複数の誘電体膜と、第2誘電体層76を構成する複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一である。より具体的には、第1誘電体層75は、下層側(基板本体10w側)からみて、シリコン酸化膜75aおよびシリコン窒化膜75bがこの順に積層された構造になっており、第2誘電体層76は、下層側(基板本体10w側)からみて、シリコン酸化膜76aおよびシリコン窒化膜76bがこの順に積層された構造になっている。   In the electro-optical device 100 having such a configuration, as in the first embodiment, as shown in FIG. 7B, each of the first dielectric layer 75 and the second dielectric layer 76 is composed of a plurality of dielectric films. As seen from the lower layer side (substrate body 10 w side), the stacking order of the insulating films in the plurality of dielectric films constituting the first dielectric layer 75 and the plurality of dielectric films constituting the second dielectric layer 76 is Are the same. More specifically, the first dielectric layer 75 has a structure in which a silicon oxide film 75a and a silicon nitride film 75b are laminated in this order when viewed from the lower layer side (the substrate body 10w side). The layer 76 has a structure in which a silicon oxide film 76a and a silicon nitride film 76b are laminated in this order when viewed from the lower layer side (substrate body 10w side).

[他の実施の形態]
上記実施の形態では、電気光学装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、保持容量70を走査線3aと重なる領域に設けたが、保持容量70をデータ線6aと重なる領域に設けた場合や、保持容量70を走査線3aおよびデータ線6aの双方と重なる領域に設けた場合に本発明を適用してもよい。
[Other embodiments]
In the above embodiment, a transmissive liquid crystal device is exemplified as the electro-optical device, but the present invention may be applied to a reflective liquid crystal device. In the above embodiment, the storage capacitor 70 is provided in a region overlapping the scanning line 3a. However, when the storage capacitor 70 is provided in a region overlapping the data line 6a, the storage capacitor 70 is provided in the scanning line 3a and the data line 6a. The present invention may be applied to the case where it is provided in a region that overlaps both.

[他の電気光学装置]
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、FED(Field Emission Display)、SED(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
[Other electro-optical devices]
In the above-described embodiment, the liquid crystal device has been described as an example of the electro-optical device, but the present invention is not limited to this, and an organic electroluminescence display device, a plasma display, an FED (Field Emission Display), an SED (Surface-) The present invention may be applied to electro-optical devices such as a Conduction Electron-Emitter Display (LED), an LED (light emitting diode) display device, and an electrophoretic display device.

[電子機器への搭載例]
(投射型表示装置および光学ユニットの構成例)
図8は、本発明を適用した投射型表示装置(電子機器)および光学ユニットの概略構成図であり、図8(a)、(b)は各々、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
[Example of mounting on electronic devices]
(Configuration example of projection display device and optical unit)
FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a projection display device (electronic device) and an optical unit to which the present invention is applied, and FIGS. 8A and 8B each show a projection display using a transmissive liquid crystal device. It is explanatory drawing of an apparatus and explanatory drawing of the projection type display apparatus using a reflection type liquid crystal device.

図8(a)に示す投射型表示装置110は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図8(b)に示す投射型表示装置1000は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置110、1000はいずれも、光源部130、1021と、光源部130、1021から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置100と、複数の電気光学装置100から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム119、1027(光合成光学系)と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系118、1029とを有している。また、投射型表示装置110、1000においては、電気光学装置100およびクロスダイクロイックプリズム119、1027(光合成光学系)を備えた光学ユニット200が用いられている。   8A is an example in which a transmissive liquid crystal panel is used as a liquid crystal panel, whereas the projection display apparatus 1000 shown in FIG. 8B is a liquid crystal panel. This is an example using a reflective liquid crystal panel. However, as will be described below, each of the projection display devices 110 and 1000 includes a light source unit 130 and 1021, and a plurality of electro-optical devices 100 to which light in different wavelength ranges is supplied from the light source units 130 and 1021. Cross dichroic prisms 119 and 1027 (light combining optical system) that combine and output the light emitted from the plurality of electro-optical devices 100, and projection optical systems 118 and 1029 that project the light combined by the light combining optical system. Have. In the projection display devices 110 and 1000, an optical unit 200 including the electro-optical device 100 and cross dichroic prisms 119 and 1027 (light combining optical system) is used.

(投射型表示装置の第1例)
図8(a)に示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115〜117と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119(合成光学系)と、リレー系120とを備えている。
(First example of projection display device)
A projection display device 110 shown in FIG. 8A is a so-called projection type projection display device that irradiates light onto a screen 111 provided on the viewer side and observes the light reflected by the screen 111. . The projection display device 110 includes a light source unit 130 including a light source 112, dichroic mirrors 113 and 114, liquid crystal light valves 115 to 117, a projection optical system 118, a cross dichroic prism 119 (combining optical system), and a relay. System 120.

光源112は、赤色光R、緑色光G、および青色光Bを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光Rを透過させるとともに、緑色光G、および青色光Bを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光Gおよび青色光Bのうち青色光Bを透過させるとともに緑色光Gを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとに分離する色分離光学系を構成する。   The light source 112 is composed of an ultrahigh pressure mercury lamp that supplies light including red light R, green light G, and blue light B. The dichroic mirror 113 is configured to transmit the red light R from the light source 112 and reflect the green light G and the blue light B. The dichroic mirror 114 is configured to transmit the blue light B and reflect the green light G out of the green light G and the blue light B reflected by the dichroic mirror 113. Thus, the dichroic mirrors 113 and 114 constitute a color separation optical system that separates the light emitted from the light source 112 into red light R, green light G, and blue light B.

ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を、例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。   Here, between the dichroic mirror 113 and the light source 112, an integrator 121 and a polarization conversion element 122 are arranged in order from the light source 112. The integrator 121 is configured to uniformize the illuminance distribution of the light emitted from the light source 112. Further, the polarization conversion element 122 is configured to change the light from the light source 112 into polarized light having a specific vibration direction such as s-polarized light.

液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、電気光学装置100(赤色用液晶パネル100R)、および第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光Rは、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。   The liquid crystal light valve 115 is a transmissive liquid crystal device that modulates red light transmitted through the dichroic mirror 113 and reflected by the reflection mirror 123 in accordance with an image signal. The liquid crystal light valve 115 includes a λ / 2 phase difference plate 115a, a first polarizing plate 115b, an electro-optical device 100 (red liquid crystal panel 100R), and a second polarizing plate 115d. Here, the red light R incident on the liquid crystal light valve 115 remains as s-polarized light because the polarization of the light does not change even if it passes through the dichroic mirror 113.

λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100(赤色用液晶パネル100R)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光Rを変調し、変調した赤色光Rをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。   The λ / 2 phase difference plate 115a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 115 into p-polarized light. The first polarizing plate 115b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The electro-optical device 100 (the red liquid crystal panel 100R) is configured to convert p-polarized light into s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. Furthermore, the second polarizing plate 115d is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Therefore, the liquid crystal light valve 115 is configured to modulate the red light R according to the image signal and emit the modulated red light R toward the cross dichroic prism 119.

なお、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a、および第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。   Note that the λ / 2 phase difference plate 115a and the first polarizing plate 115b are disposed in contact with a light-transmitting glass plate 115e that does not convert the polarization, and the λ / 2 phase difference plate 115a and the first polarization plate 115b are arranged in contact with each other. It is possible to avoid the polarizing plate 115b from being distorted by heat generation.

液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光Gを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、電気光学装置100(緑色用液晶パネル100G)、および第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光Gは、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置100(緑色用液晶パネル100G)は、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光Gを変調し、変調した緑色光Gをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。   The liquid crystal light valve 116 is a transmissive liquid crystal device that modulates green light G reflected by the dichroic mirror 114 after being reflected by the dichroic mirror 113 in accordance with an image signal. Similar to the liquid crystal light valve 115, the liquid crystal light valve 116 includes a first polarizing plate 116b, an electro-optical device 100 (green liquid crystal panel 100G), and a second polarizing plate 116d. Green light G incident on the liquid crystal light valve 116 is s-polarized light that is reflected by the dichroic mirrors 113 and 114 and then incident. The first polarizing plate 116b is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. The electro-optical device 100 (green liquid crystal panel 100G) is configured to convert s-polarized light into p-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. The second polarizing plate 116d is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. Therefore, the liquid crystal light valve 116 is configured to modulate the green light G in accordance with the image signal and emit the modulated green light G toward the cross dichroic prism 119.

液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光Bを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、電気光学装置100(青色用液晶パネル100B)、および第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光Bは、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。   The liquid crystal light valve 117 is a transmissive liquid crystal device that modulates the blue light B reflected by the dichroic mirror 113, transmitted through the dichroic mirror 114, and then passed through the relay system 120 in accordance with an image signal. Like the liquid crystal light valves 115 and 116, the liquid crystal light valve 117 includes a λ / 2 phase difference plate 117a, a first polarizing plate 117b, an electro-optical device 100 (blue liquid crystal panel 100B), and a second polarizing plate 117d. I have. Here, the blue light B incident on the liquid crystal light valve 117 is reflected by two reflecting mirrors 125a and 125b (to be described later) of the relay system 120 after being reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114. It has become.

λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置100(青色用液晶パネル100B)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光Bを変調し、変調した青色光Bをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a、および第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。   The λ / 2 phase difference plate 117a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 117 into p-polarized light. The first polarizing plate 117b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The electro-optical device 100 (blue liquid crystal panel 100B) is configured to convert p-polarized light to s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light if it is a halftone) by modulation according to an image signal. Furthermore, the second polarizing plate 117d is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Therefore, the liquid crystal light valve 117 is configured to modulate the blue light B according to the image signal and emit the modulated blue light B toward the cross dichroic prism 119. The λ / 2 phase difference plate 117a and the first polarizing plate 117b are arranged in contact with the glass plate 117e.

リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光Bの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光Bをリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光Bを液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。   The relay system 120 includes relay lenses 124a and 124b and reflection mirrors 125a and 125b. The relay lenses 124a and 124b are provided to prevent light loss due to the long optical path of the blue light B. Here, the relay lens 124a is disposed between the dichroic mirror 114 and the reflection mirror 125a. The relay lens 124b is disposed between the reflection mirrors 125a and 125b. The reflection mirror 125a is disposed so as to reflect the blue light B transmitted through the dichroic mirror 114 and emitted from the relay lens 124a toward the relay lens 124b. The reflection mirror 125b is disposed so as to reflect the blue light B emitted from the relay lens 124b toward the liquid crystal light valve 117.

クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光Bを反射して緑色光Gを透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光Rを反射して緑色光Gを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115〜117の各々で変調された赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。   The cross dichroic prism 119 is a color combining optical system in which two dichroic films 119a and 119b are arranged orthogonally in an X shape. The dichroic film 119a is a film that reflects blue light B and transmits green light G, and the dichroic film 119b is a film that reflects red light R and transmits green light G. Therefore, the cross dichroic prism 119 is configured to combine the red light R, the green light G, and the blue light B modulated by each of the liquid crystal light valves 115 to 117 and emit the resultant light toward the projection optical system 118. Yes.

なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115〜117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光R、および青色光Bをs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光Gをp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。   Note that light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valves 115 and 117 is s-polarized light, and light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valve 116 is p-polarized light. Thus, by making the light incident on the cross dichroic prism 119 into different types of polarized light, the light incident from the liquid crystal light valves 115 to 117 in the cross dichroic prism 119 can be synthesized. Here, in general, the dichroic films 119a and 119b are excellent in s-polarized reflection transistor characteristics. For this reason, red light R and blue light B reflected by the dichroic films 119a and 119b are s-polarized light, and green light G transmitted through the dichroic films 119a and 119b is p-polarized light. The projection optical system 118 has a projection lens (not shown) and is configured to project the light combined by the cross dichroic prism 119 onto the screen 111.

(投射型表示装置の第2例)
図8(b)に示す投射型表示装置1000は、光源光を発生する光源部1021と、光源部1021から出射された光源光を赤色光R、緑色光G、および青色光Bの3色の色光に分離する色分離導光光学系1023と、色分離導光光学系1023から出射された各色の光源光によって照明される光変調部1025とを有している。また、投射型表示装置1000は、光変調部1025から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム1027(合成光学系)と、クロスダイクロイックプリズム1027を経た像光をスクリーン(不図示)に投射する投射光学系1029とを備えている。
(Second example of projection display device)
A projection display device 1000 shown in FIG. 8B has a light source unit 1021 that generates light source light, and light source light emitted from the light source unit 1021 in three colors of red light R, green light G, and blue light B. It has a color separation light guide optical system 1023 that separates into color light, and a light modulator 1025 that is illuminated by the light source light of each color emitted from the color separation light guide optical system 1023. Further, the projection display apparatus 1000 uses a cross dichroic prism 1027 (combining optical system) that synthesizes the image light of each color emitted from the light modulation unit 1025 and the image light that has passed through the cross dichroic prism 1027 on a screen (not shown). A projection optical system 1029 for projecting.

かかる投射型表示装置1000において、光源部1021は、光源1021aと、一対のフライアイ光学系1021d、1021eと、偏光変換部材1021gと、重畳レンズ1021iとを備えている。本形態においては、光源部1021は、放物面からなるリフレクタ1021fを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系1021d、1021eは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材1021gは、フライアイ光学系1021eから出射した光源光を、例えば図面に平行なp偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ1021iは、偏光変換部材1021gを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部1025に設けた複数の電気光学装置100を各々均一に重畳照明可能とする。   In the projection display apparatus 1000, the light source unit 1021 includes a light source 1021a, a pair of fly-eye optical systems 1021d and 1021e, a polarization conversion member 1021g, and a superimposing lens 1021i. In the present embodiment, the light source unit 1021 includes a reflector 1021f having a paraboloid and emits parallel light. The fly-eye optical systems 1021d and 1021e are composed of a plurality of element lenses arranged in a matrix in a plane orthogonal to the system optical axis, and the light source light is divided and condensed and diverged individually by these element lenses. The polarization conversion member 1021g converts the light source light emitted from the fly-eye optical system 1021e into, for example, only a p-polarized component parallel to the drawing, and supplies it to the optical path downstream optical system. The superimposing lens 1021i allows the plurality of electro-optical devices 100 provided in the light modulation unit 1025 to be uniformly superimposed and illuminated by appropriately converging the light source light that has passed through the polarization conversion member 1021g as a whole.

色分離導光光学系1023は、クロスダイクロイックミラー1023aと、ダイクロイックミラー1023bと、反射ミラー1023j、1023kとを備える。色分離導光光学系1023において、光源部1021からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー1023aに入射する。クロスダイクロイックミラー1023aを構成する一方の第1ダイクロイックミラー1031aで反射された赤色光Rは、反射ミラー1023jで反射されダイクロイックミラー1023bを透過して、入射側偏光板1037r、p偏光を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032r、および光学補償板1039rを介して、p偏光のまま、電気光学装置100(赤色用液晶パネル100R)に入射する。   The color separation light guide optical system 1023 includes a cross dichroic mirror 1023a, a dichroic mirror 1023b, and reflection mirrors 1023j and 1023k. In the color separation light guide optical system 1023, the substantially white light source light from the light source unit 1021 enters the cross dichroic mirror 1023a. The red light R reflected by one of the first dichroic mirrors 1031a constituting the cross dichroic mirror 1023a is reflected by the reflecting mirror 1023j, passes through the dichroic mirror 1023b, and transmits the incident side polarizing plate 1037r and p-polarized light. The light enters the electro-optical device 100 (red liquid crystal panel 100R) as p-polarized light through the wire grid polarizer 1032r that reflects s-polarized light and the optical compensation plate 1039r.

また、第1ダイクロイックミラー1031aで反射された緑色光Gは、反射ミラー1023jで反射され、その後、ダイクロイックミラー1023bでも反射されて、入射側偏光板1037g、p偏光を透過させる一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032g、および光学補償板1039gを介して、p偏光のまま、電気光学装置100(緑色用液晶パネル100G)に入射する。   Further, the green light G reflected by the first dichroic mirror 1031a is reflected by the reflecting mirror 1023j and then also reflected by the dichroic mirror 1023b to transmit the incident side polarizing plate 1037g and p-polarized light while reflecting s-polarized light. The light is incident on the electro-optical device 100 (green liquid crystal panel 100G) as p-polarized light via the wire grid polarizing plate 1032g and the optical compensation plate 1039g.

これに対して、クロスダイクロイックミラー1023aを構成する他方の第2ダイクロイックミラー1031bで反射された青色光Bは、反射ミラー1023kで反射されて、入射側偏光板1037b、p偏光を透過する一方、s偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板1032b、および光学補償板1039bを介して、p偏光のまま、電気光学装置100(青色用液晶パネル100B)に入射する。なお、光学補償板1039r、1039g、1039bは、電気光学装置100への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。   On the other hand, the blue light B reflected by the other second dichroic mirror 1031b constituting the cross dichroic mirror 1023a is reflected by the reflection mirror 1023k and transmits the incident-side polarizing plate 1037b, p-polarized light, while s The light enters the electro-optical device 100 (blue liquid crystal panel 100B) as p-polarized light through the wire grid polarizing plate 1032b that reflects the polarized light and the optical compensation plate 1039b. The optical compensation plates 1039r, 1039g, and 1039b optically compensate for the characteristics of the liquid crystal layer by adjusting the polarization state of the incident light and the emitted light to the electro-optical device 100.

このように構成した投射型表示装置1000では、光学補償板1039r、1039g、1039bを経て入射した3色の光は各々、各電気光学装置100において変調される。その際、電気光学装置100から出射された変調光のうち、s偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板1032r、1032g、1032bで反射し、出射側偏光板1038r、1038g、1038bを介してクロスダイクロイックプリズム1027に入射する。クロスダイクロイックプリズム1027には、X字状に交差する第1誘電体多層膜1027aおよび第2誘電体多層膜1027bが形成されており、一方の第1誘電体多層膜1027aは赤色光Rを反射し、他方の第2誘電体多層膜1027bは青色光Bを反射する。従って、3色の光は、クロスダイクロイックプリズム1027において合成され、投射光学系1029に出射される。そして、投射光学系1029は、クロスダイクロイックプリズム1027で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン(図示せず。)に投射する。   In the projection display apparatus 1000 configured as described above, the three colors of light incident through the optical compensation plates 1039r, 1039g, and 1039b are modulated by the electro-optical devices 100, respectively. At this time, of the modulated light emitted from the electro-optical device 100, the s-polarized component light is reflected by the wire grid polarizers 1032r, 1032g, and 1032b, and cross-dichroic via the exit-side polarizers 1038r, 1038g, and 1038b. Incident on the prism 1027. The cross dichroic prism 1027 is formed with a first dielectric multilayer film 1027a and a second dielectric multilayer film 1027b that intersect in an X shape, and the first dielectric multilayer film 1027a reflects the red light R. The other second dielectric multilayer film 1027b reflects the blue light B. Therefore, the three colors of light are combined by the cross dichroic prism 1027 and emitted to the projection optical system 1029. The projection optical system 1029 projects the color image light combined by the cross dichroic prism 1027 onto a screen (not shown) at a desired magnification.

(他の投射型表示装置)
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
(Other projection display devices)
In addition, about a projection type display apparatus, you may comprise the LED light source etc. which radiate | emit the light of each color as a light source part, and supply each color light radiate | emitted from this LED light source to another liquid crystal device. .

(他の電子機器)
本発明を適用した電気光学装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
(Other electronic devices)
As for the electro-optical device 100 to which the present invention is applied, in addition to the electronic devices described above, mobile phones, personal digital assistants (PDAs), digital cameras, liquid crystal televisions, car navigation devices, video phones, POS terminals In addition, it may be used as a direct-view display device in an electronic device such as a device provided with a touch panel.

7a・・容量線、9a・・画素電極、10・・素子基板、10a・・画像表示領域、30・・画素トランジスター、50・・液晶層(電気光学物質層)、70・・保持容量、70a・・第1保持容量、70b・・第2保持容量、70e・・検査用第1容量、70f・・検査用第2容量、71・・第1電極、71s・・第1容量検査用第1電極、71t・・第2容量検査用第1電極、71u・・検査用第1電極、72・・第2電極、72s・・第1容量検査用第2電極、72t・・第2容量検査用第2電極、72u・・検査用第2電極、73・・第3電極、73s・・第1容量検査用第3電極、73t・・第2容量検査用第3電極、73u・・検査用第3電極、75・・第1誘電体層、76・・第2誘電体層、77・・第1容量検査用端子対、78・・第2容量検査用端子対、79a・・第1容量検査用第1端子、79b・・第1容量検査用第2端子、79c・・第2容量検査用第1端子、79d・・第2容量検査用第2端子、79e・・容量検査用第1端子、79f・・容量検査用第2端子、79g・・容量検査用第3端子、100・・電気光学装置 7a ... Capacitance line, 9a ... Pixel electrode, 10 ... Element substrate, 10a ... Image display area, 30 ... Pixel transistor, 50 ... Liquid crystal layer (electro-optic material layer), 70 ... Retention capacitance, 70a .. First holding capacitor, 70b .. Second holding capacitor, 70e .. First capacitor for inspection, 70f .. Second capacitor for inspection, 71 .. First electrode, 71s .. First for first capacitor inspection Electrode, 71t, first electrode for second capacitance inspection, 71u, first electrode for inspection, 72, second electrode, 72s, second electrode for first capacitance inspection, 72t, second capacitance inspection Second electrode, 72u, second electrode for inspection, 73, third electrode, 73s, third electrode for first capacitance inspection, 73t, third electrode for second capacitance inspection, 73u, second electrode for inspection 3 electrodes, 75 .. first dielectric layer, 76 .. second dielectric layer, 77 .. first capacitance inspection terminal pair, 8. Second capacitance inspection terminal pair, 79a, First capacitance inspection first terminal, 79b, First capacitance inspection second terminal, 79c, Second capacitance inspection first terminal, 79d, Second terminal for capacity inspection, 79e .. First terminal for capacity inspection, 79f .. Second terminal for capacity inspection, 79g .. Third terminal for capacity inspection, 100 .. Electro-optical device

Claims (9)

基板の一方面側に設けられた画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量、および前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子を画像表示領域に有する電気光学装置であって、
前記保持容量は、
第1電極、および該第1電極に対して前記基板側で第1誘電体層を介して重なる第2電極により構成された第1保持容量と、
前記第1電極、および該第1電極に対して前記基板と反対側で第2誘電体層を介して重なる第3電極により構成された第2保持容量と、
を備え、
前記第2電極は、前記第3電極と電気的に接続され、
前記基板の端部と前記画像表示領域との間には、前記第1保持容量と同一の層構造を備えた検査用第1容量と、前記第2保持容量と同一の層構造を備えた検査用第2容量と、前記検査用第1容量に電気的に接続する第1容量検査用端子対と、前記検査用第2容量に電気的に接続する第2容量検査用端子対と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
An electro-optical device having, in an image display area, a pixel electrode provided on one side of a substrate, a storage capacitor for holding the potential of the pixel electrode, and a switching element provided corresponding to the pixel electrode,
The holding capacity is
A first storage capacitor composed of a first electrode and a second electrode overlapping the first electrode on the substrate side via a first dielectric layer;
A second storage capacitor configured by the first electrode and a third electrode overlapping the first electrode on the opposite side of the substrate via a second dielectric layer;
With
The second electrode is electrically connected to the third electrode;
An inspection first capacitor having the same layer structure as the first storage capacitor and an inspection having the same layer structure as the second storage capacitor between the edge of the substrate and the image display region A second capacitor for inspection, a first capacity inspection terminal pair electrically connected to the first inspection capacitor, and a second capacity inspection terminal pair electrically connected to the second inspection capacitor.
An electro-optical device comprising:
前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、
前記第1電極と同一の層に位置する第1容量検査用第1電極と、
前記第2電極と同一の層で前記第1誘電体層を介して前記第1容量検査用第1電極に重なって前記検査用第1容量を構成する第1容量検査用第2電極と、
前記第3電極と同一の層で前記第2誘電体層を介して前記第1容量検査用第1電極に重なる第1容量検査用第3電極と、
前記第1電極と同一の層に位置する第2容量検査用第1電極と、
前記第2電極と同一の層で前記第1誘電体層を介して前記第2容量検査用第1電極に重なる第2容量検査用第2電極と、
前記第3電極と同一の層で前記第2誘電体層を介して前記第2容量検査用第1電極に重なって前記検査用第2容量を構成する第2容量検査用第3電極と、
が設けられ、
前記第1容量検査用端子対は、前記第1容量検査用第1電極に導通する第1容量検査用第1端子と、前記第1容量検査用第2電極に導通する第1容量検査用第2端子と、を備え、
前記第2容量検査用端子対は、前記第2容量検査用第3電極に導通する第2容量検査用第1端子と、前記第2容量検査用第1電極に導通する第2容量検査用第2端子と、を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
Between the image display area of the substrate and the edge of the substrate,
A first electrode for first capacitance inspection located in the same layer as the first electrode;
A first capacitor inspection second electrode which is the same layer as the second electrode and overlaps the first capacitor inspection first electrode via the first dielectric layer;
A first electrode for capacitance inspection that overlaps the first electrode for capacitance inspection via the second dielectric layer in the same layer as the third electrode;
A first electrode for second capacitance inspection located in the same layer as the first electrode;
A second electrode for capacitance inspection that overlaps the first electrode for capacitance inspection via the first dielectric layer in the same layer as the second electrode;
A third electrode for second capacitance inspection that constitutes the second capacitance for inspection overlapping with the first electrode for second capacitance inspection via the second dielectric layer in the same layer as the third electrode;
Is provided,
The first capacitance inspection terminal pair includes a first capacitance inspection first terminal electrically connected to the first capacitance inspection first electrode and a first capacitance inspection second electrode electrically connected to the first capacitance inspection second electrode. Two terminals,
The second capacitance inspection terminal pair includes a second capacitance inspection first terminal electrically connected to the second capacitance inspection third electrode and a second capacitance inspection first electrode electrically connected to the second capacitance inspection first electrode. The electro-optical device according to claim 1, comprising two terminals.
前記第1容量検査用第1端子は、前記第1容量検査用第1電極および前記第1容量検査用第3電極に導通し、
前記第2容量検査用第2端子は、前記第2容量検査用第1電極および前記第2容量検査用第2電極に導通していることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
The first capacitor inspection first terminal is electrically connected to the first capacitor inspection first electrode and the first capacitor inspection third electrode;
3. The electro-optical device according to claim 2, wherein the second capacitance inspection second terminal is electrically connected to the second capacitance inspection first electrode and the second capacitance inspection second electrode.
前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、前記第1電極と同一の層に位置する検査用第1電極と、前記第2電極と同一の層で前記第1誘電体層を介して前記検査用第1電極に重なって前記検査用第1容量を構成する検査用第2電極と、前記第3電極と同一の層で前記第2誘電体層を介して前記検査用第1電極に重なって前記検査用第2容量を構成する検査用第3電極と、前記検査用第1電極に導通する検査用第1端子と、前記検査用第2電極に導通する検査用第2端子と、前記検査用第3電極に導通する検査用第3端子と、を備え、
前記第1容量検査用端子対は、前記検査用第1端子と前記検査用第2端子とによって構成され、
前記第2容量検査用端子対は、前記検査用第1端子と前記検査用第3端子とによって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
Between the image display region of the substrate and the edge of the substrate, the first dielectric for inspection is located in the same layer as the first electrode, and the first dielectric is formed in the same layer as the second electrode. A second electrode for inspection constituting the first capacitor for inspection overlapping the first electrode for inspection via a body layer, and the inspection through the second dielectric layer in the same layer as the third electrode A third electrode for inspection that constitutes the second capacitor for inspection overlapping the first electrode for inspection, a first terminal for inspection that conducts to the first electrode for inspection, and for inspection that conducts to the second electrode for inspection A second terminal, and a third terminal for inspection conducted to the third electrode for inspection,
The first capacity inspection terminal pair is constituted by the inspection first terminal and the inspection second terminal ,
It said second capacitive testing terminal pairs, the electro-optical device according to claim 1, characterized in that it is configured as a first terminal for the test by the third terminal for the test.
基板の一方面側の画像表示領域に設けられた画素電極と、
前記画素電極の電位を保持する保持容量と、
前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、
平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第1検査用素子と、
平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第2検査用素子と、
を含み、
前記保持容量は、
第1電極、該第1電極と基板との間に設けられた第1誘電体層、および前記第1電極の前記基板側に前記第1誘電体層を介して設けられた第2電極により構成された第1保持容量と、
前記第1電極、該第1電極の基板と反対側に設けられた第2誘電体層、および前記第1電極の前記基板と反対側に前記第2誘電体層を介して設けられた第3電極により構成された第2保持容量と、
を備え、
前記第1検査用素子は、
前記第1電極と同一の層に形成された第4電極と、
前記第1誘電体層と同一の層に形成された第3誘電体層と、
前記第2電極と同一の層に形成され、前記第4電極の前記基板側に前記第3誘電体層を介して形成された第5電極と、
前記第2誘電体層と同一の層に形成された第4誘電体層と、
前記第3電極と同一の層に形成され、前記第4電極の前記基板と反対側に前記第4誘電体層を介して形成された第6電極と、
前記第4電極に電気的に接続された第1端子と、
前記第5電極に電気的に接続された第2端子と、
を備え、
前記第4電極、前記第3誘電体層および前記第5電極により第1容量を構成し、
前記第2検査用素子は、
前記第1電極と同一の層に形成された第7電極と、
前記第1誘電体層と同一の層に形成された第5誘電体層と、
前記第2電極と同一の層に形成され、前記第7電極の前記基板側に前記第5誘電体層を介して形成された第8電極と、
前記第2誘電体層と同一の層に形成された第6誘電体層と、
前記第3電極と同一の層に形成され、前記第7電極の前記基板と反対側に前記第6誘電体層を介して形成された第9電極と、
前記第7電極に電気的に接続された第3端子と、
前記第9電極に電気的に接続された第4端子と、
を備え、
前記第7電極、前記第6誘電体層および前記第9電極により第2容量を構成することを特徴とする電気光学装置。
A pixel electrode provided in an image display region on one side of the substrate;
A storage capacitor for holding the potential of the pixel electrode;
Switching elements provided corresponding to the pixel electrodes;
A first inspection element provided between the edge of the substrate and the image display region in plan view;
A second inspection element provided between the edge of the substrate and the image display region in plan view;
Including
The holding capacity is
A first electrode, a first dielectric layer provided between the first electrode and the substrate, and a second electrode provided on the substrate side of the first electrode via the first dielectric layer A first holding capacity,
The first electrode, a second dielectric layer provided on the opposite side of the first electrode from the substrate, and a third dielectric layer provided on the opposite side of the first electrode from the substrate via the second dielectric layer. A second storage capacitor composed of electrodes;
With
The first inspection element is:
A fourth electrode formed in the same layer as the first electrode;
A third dielectric layer formed in the same layer as the first dielectric layer;
A fifth electrode formed in the same layer as the second electrode and formed on the substrate side of the fourth electrode via the third dielectric layer;
A fourth dielectric layer formed in the same layer as the second dielectric layer;
A sixth electrode formed in the same layer as the third electrode and formed on the opposite side of the substrate from the fourth electrode via the fourth dielectric layer;
A first terminal electrically connected to the fourth electrode;
A second terminal electrically connected to the fifth electrode;
With
The fourth electrode, the third dielectric layer, and the fifth electrode constitute a first capacitor,
The second inspection element is:
A seventh electrode formed in the same layer as the first electrode;
A fifth dielectric layer formed in the same layer as the first dielectric layer;
An eighth electrode formed in the same layer as the second electrode and formed on the substrate side of the seventh electrode via the fifth dielectric layer;
A sixth dielectric layer formed in the same layer as the second dielectric layer;
A ninth electrode formed in the same layer as the third electrode and formed on the opposite side of the seventh electrode from the substrate via the sixth dielectric layer;
A third terminal electrically connected to the seventh electrode;
A fourth terminal electrically connected to the ninth electrode;
With
An electro-optical device, wherein the seventh capacitor, the sixth dielectric layer, and the ninth electrode constitute a second capacitor.
前記第1保持容量および前記第2保持容量は、前記スイッチング素子に対して前記基板とは反対側で少なくとも一部が前記スイッチング素子と重なっていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置。   6. The device according to claim 1, wherein at least a part of the first storage capacitor and the second storage capacitor overlaps the switching element on a side opposite to the substrate with respect to the switching element. The electro-optical device according to one item. 前記第1誘電体層および前記第2誘電体層は、それぞれ複数の誘電体膜が積層された構成であり、
前記第1誘電体層の複数の誘電体膜は、前記第2誘電体層の複数の誘電体膜と同じ順に積層された膜であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。
Each of the first dielectric layer and the second dielectric layer has a configuration in which a plurality of dielectric films are laminated,
7. The plurality of dielectric films of the first dielectric layer are films laminated in the same order as the plurality of dielectric films of the second dielectric layer. The electro-optical device according to 1.
前記基板の一方面側に対向する対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を有していることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置。
A counter substrate facing one side of the substrate;
A liquid crystal layer held between the substrate and the counter substrate;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is provided.
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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TWI270919B (en) * 2002-04-15 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Display device and method of fabricating the same
JP2004341216A (en) * 2003-05-15 2004-12-02 Seiko Epson Corp Substrate for optoelectronic device and its manufacturing method and optoelectronic device and electronic equipment having the substrate
JP2005311299A (en) * 2004-03-26 2005-11-04 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacturing method therefor
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