JP5856565B2 - イオン源構成要素を洗浄するための方法 - Google Patents
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Description
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面から及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で、前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップと
を含む方法に関する。
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面から及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で、前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップと
を含む方法に関する。
前記イオン化チャンバにドーパント・ガスを導入するステップと、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を防止するのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガスを前記洗浄ガスと反応させるステップ、或いは、前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を減少させるのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガス、並びに前記ドーパント・ガスのイオン化中に前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上に生じる堆積物を、前記洗浄ガスと反応させるステップと
を含む方法に関する。
前記イオン化チャンバにドーパント・ガスを導入するステップであって、前記ドーパント・ガスがカルボラン(C2B10H12)を含むステップと、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を防止するのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガスと前記洗浄ガスを反応させるステップ、或いは、前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を減少させるのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガス、並びに前記ドーパント・ガスのイオン化中に前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上に生じる堆積物と、前記洗浄ガスを反応させるステップと
を含む方法に関する。
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面から及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で、前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップと
を含む方法に関する。
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面から及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で、前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップと
を含む方法に関する。
前記イオン化チャンバにドーパント・ガスを導入するステップと、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を防止するのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガスと前記洗浄ガスを反応させるステップ、或いは、前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を減少させるのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガス、並びに前記ドーパント・ガスのイオン化中に前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上に生じる堆積物を、前記洗浄ガスと反応させるステップと
を含む方法に関する。
前記イオン化チャンバにドーパント・ガスを導入するステップであって、前記ドーパント・ガスがカルボラン(C2B10H12)を含むステップと、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2と、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスと、任意選択でのO2との混合物、或いは酸素/フッ素含有ガスと、希ガス及び/又は窒素から選択される1つ又は複数の不活性ガスとの混合物を含むステップと、
前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を防止するのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガスと前記洗浄ガスを反応させるステップ、或いは、前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を減少させるのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガス、並びに前記ドーパント・ガスのイオン化中に前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上に生じる堆積物を、前記洗浄ガスと反応させるステップとを含む方法に関する。さらに、この方法は、前記イオン化チャンバからイオン・ビームを引き出して基板に注入するステップを含む。
NF3洗浄ガスと、本発明で用いる様々なタイプの洗浄ガス化学物質との性能を比較した。同様の処理条件下では、F2/Ar混合物及びF2/Ar/O2混合物が、NF3よりも高い除去速度を示した(以下の表A及びB参照)。熱活性化を用いた洗浄プロセスに関して、F2/Ar/O2は、低温でさえ、残留堆積物除去速度が2倍よりも高かった。また、プラズマ活性化と熱活性化を組み合わせて操作したとき、F2/Ar/O2ベースの化学物質が、NF3ベースの化学物質よりも高い除去速度を示した。さらに、F2でのF−F結合の結合解離エネルギーはNF3でのN−F結合よりも低いので、十分に解離されたF2プラズマを維持するのに必要なプラズマ出力はNF3プラズマよりも低い。低い出力要件と組み合わされたより高い残留堆積物除去速度により、所望の洗浄操作を行うためのより広いプロセスウィンドウが使用者に提供される。
様々な操作条件でのカルボラン・ドーパント・ガスからの堆積物の除去速度を評価するために実験を行った。図4は、様々な流量のF2/O2/Ar混合物(F2:O2:Ar−0.18:0.09:0.73)及びF2/Ar混合物(F2:Ar−0.20:0.80)で観察した除去速度を示す。この実験で使用した混合物組成は以下のものである。
Claims (18)
- イオン注入装置のイオン源構成要素を洗浄するための方法であって、前記イオン源構成要素が、イオン化チャンバと、前記イオン化チャンバ内に含まれる1つ又は複数の構成要素とを有し、前記イオン化チャンバの内面及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素には、ドーパント・ガス中に含有される元素の少なくともいくらかの堆積物が付着している方法において、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2とArとO2との混合物であり、F2/[Ar+F2]モル比が約0.15〜約0.25であり、O2/[F2+O2]モル比が約0.25〜約0.45であるステップと、
前記イオン化チャンバの内面から及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で、前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップであって、前記堆積物の少なくとも一部がホウ素を含んでいるステップと
を含む方法。 - 前記洗浄ガスが、F2とArの混合物、F2とArとO2との混合物、又は二フッ化酸素(OF2)とArの混合物を含む請求項1に記載の方法。
- 別々のガス源からのF2、Ar、及びO2が混合されて、前記混合物が前記イオン化チャンバに導入されること、1つのガス源からのF2及びArと別のガス源からのO2とが混合されて、前記混合物が前記イオン化チャンバに導入されること、又は1つのガス源からのF2、Ar、及びO2が前記イオン化チャンバに導入されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記ドーパント・ガスがカルボラン(C2B10H12)を含む請求項1に記載の方法。
- 前記堆積物が、B(ホウ素)、C(炭素)、W(タングステン)、及びそれらの混合物から選択される元素を含む請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄ガスを、熱及び/又はプラズマベースで活性化する請求項1に記載の方法。
- (i)前記洗浄ガスを前記イオン化チャンバに導入する前に、前記洗浄ガスをプラズマ・チャンバに導入し、前記洗浄ガスを前記プラズマ・チャンバ内で励起してプラズマを発生し、前記プラズマからのイオン、ラジカル、中性種、及び他の解離種を前記イオン化チャンバに導入するステップ、
(ii)前記洗浄ガスを前記イオン化チャンバに導入し、前記洗浄ガスを前記イオン化チャンバ内で励起してプラズマを発生するステップ、又は
(iii)前記洗浄ガスを前記イオン化チャンバに導入する前に、F2/Arを含む前記洗浄ガスをプラズマ・チャンバに導入し、前記洗浄ガスを前記プラズマ・チャンバ内で励起してプラズマを発生し、前記プラズマからのイオン、ラジカル、中性種、及び他の解離種を前記プラズマ・チャンバから取り出し、前記プラズマからの前記イオン、ラジカル、中性種、及び他の解離種をO2と混合してガス・ストリームを生成し、前記ガス・ストリームを前記イオン化チャンバに導入するステップ
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップが、前記イオン化チャンバ内で約25℃〜約1000℃の温度で行われる請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップが、前記イオン化チャンバ内で約0.1Torr〜約10Torrの圧力で行われる請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップが、前記イオン化チャンバ内で約30秒〜約45分の反応時間で行われる請求項1に記載の方法。
- 前記洗浄ガスが、約10sccm〜約1000sccmの流量で前記イオン化チャンバに導入される請求項1に記載の方法。
- 前記反応後に前記イオン化チャンバを排気するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記方法を1回又は複数回繰り返すステップをさらに含む請求項12に記載の方法。
- イオン注入装置のイオン源構成要素を洗浄するための方法であって、前記イオン源構成要素が、イオン化チャンバと、前記イオン化チャンバ内に含まれる1つ又は複数の構成要素とを有し、前記イオン化チャンバの内面及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素には、カルボラン(C2B10H12)ドーパント・ガス中に含有される元素の少なくともいくらかの堆積物が付着している方法において、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2とArと、O2との混合物であり、F2/[Ar+F2]モル比が約0.15〜約0.25であり、O2/[F2+O2]モル比が約0.25〜約0.45であるステップと、
前記イオン化チャンバの内面から及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素から堆積物の少なくとも一部を除去するのに十分な条件下で、前記洗浄ガスを前記堆積物と反応させるステップであって、前記堆積物の少なくとも一部がホウ素を含んでいるステップと
を含む方法。 - イオン注入装置のイオン源構成要素内での、ドーパント・ガス中に含有される元素の堆積物の形成を防止又は減少するための方法であって、前記イオン源構成要素が、イオン化チャンバと、前記イオン化チャンバ内に含まれる1つ又は複数の構成要素とを有している方法において、
前記イオン化チャンバにドーパント・ガスを導入するステップと、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2とArとO2との混合物であり、F2/[Ar+F2]モル比が約0.15〜約0.25であり、O2/[F2+O2]モル比が約0.25〜約0.45であるステップと、
前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での、前記ドーパント・ガス中に含まれる元素の堆積物の形成を防止するのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガスを前記洗浄ガスと反応させるステップ、或いは、前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を減少させるのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガス、並びに前記ドーパント・ガスのイオン化中に前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上に生じる堆積物を、前記洗浄ガスと反応させるステップであって、前記堆積物の少なくとも一部がホウ素を含んでいるステップと
を含む方法。 - 前記イオン化チャンバからイオン・ビームを引き出して基板に注入するステップをさらに含む請求項15に記載の方法。
- 前記ドーパント・ガス及び前記洗浄ガスを、熱/プラズマベースで活性化する請求項15に記載の方法。
- イオン注入装置のイオン源構成要素内での、カルボラン(C2B10H12)ドーパント・ガス中に含有される元素の堆積物の形成を防止又は減少するための方法であって、前記イオン源構成要素が、イオン化チャンバと、前記イオン化チャンバ内に含まれる1つ又は複数の構成要素とを有している方法において、
前記イオン化チャンバにドーパント・ガスを導入するステップであって、前記ドーパント・ガスがカルボラン(C2B10H12)を含むステップと、
前記イオン化チャンバ内に洗浄ガスを導入するステップであって、前記洗浄ガスが、F2とArとO2との混合物でありF2/[Ar+F2]モル比が約0.15〜約0.25であり、O2/[F2+O2]モル比が約0.25〜約0.45であるステップと、
前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での、前記カルボラン(C2B10H12)ドーパント・ガス中に含まれる元素の堆積物の形成を防止するのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガスを前記洗浄ガスと反応させるステップ、或いは、前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上での堆積物の形成を減少させるのに十分な条件下で、前記ドーパント・ガス、並びに前記ドーパント・ガスのイオン化中に前記イオン化チャンバの内面上及び/又は前記イオン化チャンバ内に含まれる前記1つ又は複数の構成要素上に生じる堆積物を、前記洗浄ガスと反応させるステップであって、前記堆積物の少なくとも一部がホウ素を含んでいるステップと
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Families Citing this family (33)
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US20100112795A1 (en) * | 2005-08-30 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of forming ultra-shallow junctions for semiconductor devices |
CN101981661A (zh) | 2008-02-11 | 2011-02-23 | 高级技术材料公司 | 在半导体处理系统中离子源的清洗 |
US20110021011A1 (en) | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
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EP2523744A4 (en) | 2010-01-14 | 2017-01-11 | Entegris Inc. | Ventilation gas management systems and processes |
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US8779383B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-07-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same |
CN103189956B (zh) * | 2010-09-15 | 2018-06-22 | 普莱克斯技术有限公司 | 延长离子源寿命的方法 |
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JP5727853B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-06-03 | 株式会社アルバック | プラズマ生成方法 |
RU2522662C2 (ru) * | 2011-08-03 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ") | Способ нерпрерываемого производства пучка ионов карборана с постоянной самоочисткой ионного источника и компонент системы экстракции ионного имплантатора |
US9812291B2 (en) | 2012-02-14 | 2017-11-07 | Entegris, Inc. | Alternate materials and mixtures to minimize phosphorus buildup in implant applications |
KR20200098716A (ko) | 2012-02-14 | 2020-08-20 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 주입 빔 및 소스 수명 성능 개선을 위한 탄소 도판트 기체 및 동축류 |
US9190549B2 (en) * | 2012-02-28 | 2015-11-17 | International Business Machines Corporation | Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers |
CN103785647A (zh) * | 2012-10-26 | 2014-05-14 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 离子注入设备自动清洁离子腔体以提高部件寿命的方法 |
JP2014137901A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法 |
JP5950855B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2016-07-13 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置およびイオン注入装置のクリーニング方法 |
US11062906B2 (en) | 2013-08-16 | 2021-07-13 | Entegris, Inc. | Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor |
CN104511463B (zh) * | 2013-09-30 | 2017-05-31 | 上海品冠塑胶工业有限公司 | 塑料瓶表面同步等离子去油膜装置 |
KR20170004381A (ko) * | 2015-07-02 | 2017-01-11 | 삼성전자주식회사 | 불순물 영역을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법 |
CN106611690A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 减少或防止在离子注入机的离子源内形成沉积物的方法 |
JP6779295B2 (ja) * | 2015-12-27 | 2020-11-04 | インテグリス・インコーポレーテッド | スパッタリングガス混合物中のトレースその場クリーニングガスを利用したイオン注入プラズマフラッドガン(pfg)の性能の改善 |
US10161034B2 (en) | 2017-04-21 | 2018-12-25 | Lam Research Corporation | Rapid chamber clean using concurrent in-situ and remote plasma sources |
KR20200089764A (ko) * | 2017-12-15 | 2020-07-27 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 플라즈마 플러드 건(pfg) 작동을 위해 불소 함유 가스 및 불활성 가스를 사용하는 방법 및 어셈블리 |
CN111069188B (zh) * | 2018-10-18 | 2021-09-14 | 汉辰科技股份有限公司 | 离子布植机内部的氟化表面的清理 |
US10923309B2 (en) * | 2018-11-01 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | GeH4/Ar plasma chemistry for ion implant productivity enhancement |
CN111360004B (zh) * | 2018-12-25 | 2022-09-16 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 一种离子刻蚀机反应腔清洗方法 |
US20210319989A1 (en) * | 2020-04-13 | 2021-10-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
CN111627797B (zh) * | 2020-06-08 | 2022-06-10 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 一种提高半导体芯片键合可靠性的处理方法 |
CN115672874A (zh) * | 2021-07-30 | 2023-02-03 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种等离子体处理方法 |
US20230073011A1 (en) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | Applied Materials, Inc. | Shutter disk for physical vapor deposition (pvd) chamber |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6110838A (en) | 1994-04-29 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic polysilicon plus nitride stripping |
JP3457457B2 (ja) | 1996-03-15 | 2003-10-20 | 株式会社東芝 | 洗浄機能付き荷電ビーム装置 |
US5940724A (en) | 1997-04-30 | 1999-08-17 | International Business Machines Corporation | Method for extended ion implanter source lifetime |
US5943594A (en) | 1997-04-30 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Method for extended ion implanter source lifetime with control mechanism |
US6135128A (en) * | 1998-03-27 | 2000-10-24 | Eaton Corporation | Method for in-process cleaning of an ion source |
US6221169B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-04-24 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for cleaning contaminated surfaces in an ion implanter |
CN1214444C (zh) * | 2000-07-18 | 2005-08-10 | 昭和电工株式会社 | 用于半导体生产设备的净化气 |
JP2002100618A (ja) | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Showa Denko Kk | 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法 |
GB0128913D0 (en) * | 2001-12-03 | 2002-01-23 | Applied Materials Inc | Improvements in ion sources for ion implantation apparatus |
KR20040065154A (ko) | 2001-12-13 | 2004-07-21 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치용 클리닝가스 및 이 가스를 사용한클리닝방법 |
JP2003178986A (ja) | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Showa Denko Kk | 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法 |
US20080223409A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-09-18 | Horsky Thomas N | Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation |
WO2005060602A2 (en) * | 2003-12-12 | 2005-07-07 | Semequip, Inc. | Controlling the flow of vapors sublimated from solids |
US7791047B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-09-07 | Semequip, Inc. | Method and apparatus for extracting ions from an ion source for use in ion implantation |
GB2412488B (en) * | 2004-03-26 | 2007-03-28 | Applied Materials Inc | Ion sources |
US20050260354A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ process chamber preparation methods for plasma ion implantation systems |
US7581549B2 (en) | 2004-07-23 | 2009-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removing carbon-containing residues from a substrate |
US7819981B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for cleaning ion implanter components |
US20060130971A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for generating plasma by RF power |
US8278222B2 (en) * | 2005-11-22 | 2012-10-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Selective etching and formation of xenon difluoride |
US7531819B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-05-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Fluorine based cleaning of an ion source |
US20070178678A1 (en) | 2006-01-28 | 2007-08-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods of implanting ions and ion sources used for same |
US20070178679A1 (en) * | 2006-01-28 | 2007-08-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods of implanting ions and ion sources used for same |
US20090068844A1 (en) | 2006-04-10 | 2009-03-12 | Solvay Fluor Gmbh | Etching Process |
JP2010503977A (ja) | 2006-04-26 | 2010-02-04 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 半導体処理システムの洗浄方法 |
WO2007146888A2 (en) | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Semequip, Inc. | Vapor delivery to devices under vacuum |
WO2008012665A1 (en) | 2006-07-27 | 2008-01-31 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of cleaning film forming apparatus and film forming apparatus |
US8013312B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-09-06 | Semequip, Inc. | Vapor delivery system useful with ion sources and vaporizer for use in such system |
KR101562785B1 (ko) | 2007-10-22 | 2015-10-23 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 이중 플라즈마 이온 소오스 |
US7700925B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-04-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
US8809800B2 (en) * | 2008-08-04 | 2014-08-19 | Varian Semicoductor Equipment Associates, Inc. | Ion source and a method for in-situ cleaning thereof |
US8263944B2 (en) * | 2008-12-22 | 2012-09-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Directional gas injection for an ion source cathode assembly |
US8003959B2 (en) * | 2009-06-26 | 2011-08-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source cleaning end point detection |
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