JP5852643B2 - 自己整合cntfetデバイスおよびその形成方法 - Google Patents
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Description
Claims (15)
- 自己整合デバイスを形成する方法であって、
基板の頂面に配されたシリコンのエピタキシャル成長が可能な結晶構造を有する結晶性誘電体の層の上にカーボン・ナノチューブ(CNT)を蒸着するステップと、
前記結晶性誘電体の層の上に前記CNTの囲いとしてフィールド・マスクを形成するステップと、
前記CNTの構造的完全性を維持しながら前記CNTの上にゲート誘電体およびゲート電極用ゲート・スタックを形成するステップと、
前記フィールド・マスクの内側の前記結晶性誘電体の層の上にシリコンをエピタキシャル成長させることによって前記ゲート誘電体およびゲート電極用ゲート・スタックから露出されている前記CNTの略全周にわたって接触するエピタキシャル・ソースおよびドレイン領域を形成するステップと
を含む、方法。 - 前記ゲート誘電体およびゲート電極用ゲート・スタックを形成するステップは、前記CNTの頂部のハード・マスクによってゲート・スタックをパターン形成するステップと、前記ゲート・スタックをスペーサによって封入するステップとを含み、
前記エピタキシャル・ソースおよびドレイン領域を形成するステップは、前記スペーサに隣接するソース/ドレイン領域をエピタキシャルに成長させて自己整合ソース/ドレインを提供するステップを含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記CNTの蒸着は前記CNTを平行に蒸着するステップを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ゲート誘電体およびゲート電極用ゲート・スタックを形成するステップは、前記CNTの上に前記ゲート誘電体およびゲート電極用ゲート・スタックを矩形の前記フィールド・マスクの対向する端縁の間に延在するように形成するステップである、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ゲート誘電体およびゲート電極用ゲート・スタックを形成するステップは、絶縁ゲート・スタックを平行に、かつ前記CNTに対して垂直に形成するステップを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ゲート誘電体およびゲート電極用ゲート・スタックを形成するステップは、時間を決められた反応性イオン・エッチング(RIE)または時間を決められた異方性エッチングに続くウエット等方性エッチングを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記エピタキシャル・ソースおよびドレイン領域を形成するステップは、ドープされないエピタキシャル成長を含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記エピタキシャル・ソースおよびドレイン領域を形成するステップは、その場ドープされたエピタキシャル成長を含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記エピタキシャル・ソースおよびドレイン領域を形成するステップはアニーリングを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 自己整合デバイスであって、
基板の頂面に配されたシリコンのエピタキシャル成長が可能な結晶構造を有する結晶性誘電体の層の上に配された複数のカーボン・ナノチューブ(CNT)と、
前記CNTの囲いとして前記結晶性誘電体の層の上に配された矩形のフィールド・マスクと、
前記CNTの構造的完全性を維持しながら前記CNTの上に形成された複数の絶縁ゲート・スタックと、
前記矩形のフィールド・マスクの内側の前記結晶性誘電体の層の上にシリコンをエピタキシャル成長させることによって前記絶縁ゲート・スタックから露出されている前記CNTの略全周にわたって接触するように形成されたソースおよびドレイン領域と
を含む、自己整合デバイス。 - 前記CNTは互いに実質的に平行に配され、前記絶縁ゲート・スタックは前記CNTに対して実質的に垂直に且つ前記矩形のフィールド・マスクの対向する端縁の間に延在するように配される、
請求項10に記載の自己整合デバイス。 - 前記結晶性誘電体の層はランタンイットリウム酸化物(LaYO)を含む、請求項10に記載の自己整合デバイス。
- 前記矩形のフィールド・マスクは二酸化ケイ素(SiO2)を含む、請求項10に記載の自己整合デバイス。
- 前記絶縁ゲート・スタックはゲート誘電体と、ゲート・スタック材料と、絶縁材料とを含む、
請求項10に記載の自己整合デバイス。 - 前記ゲート誘電体は二酸化ハフニウム(HfO2)を含み、前記ゲート・スタック材料は窒化チタン(TiN)またはタングステン(W)を含み、前記絶縁材料は窒化ケイ素(SiN)を含む、請求項14に記載の自己整合デバイス。
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