JP5847963B2 - エッチング液組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法 - Google Patents
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Description
電子顕微鏡(SEM)で測定した。
100Lの反応容器に蒸留水42.5重量%、フッ酸4.0重量%および硝酸20.90重量%を徐々に添加した。また、酢酸32.50重量%およびパラトルエンスルホン酸2.0重量%を添加して混合し、エッチング液組成物を製造した。
実施例1と同じ方法で下記の表1の組成物を混合してエッチング液組成物を製造した。前記製造したエッチング液組成物を25℃に調節し、準備したシリコン半導体基板に製造したエッチング液組成物をスピンエッチャー(Spin etcher)で流量2L/min、RPM300で3分間噴射した後、蒸留水を用いてRPM500で1分間洗浄した。基板上に残留する蒸留水を除去するために、窒素を用いてRPM500で1分30秒間基板を完全に乾燥させた。この際、測定したエッチング速度は、表3に示した。
100Lの反応容器に蒸留水13.77重量%、フッ酸4.2重量%および硝酸23.54重量%を添加した。また、酢酸58.49重量%を添加して混合し、エッチング液組成物を製造した。前記製造したエッチング液組成物を25℃に調節し、準備したシリコン半導体基板に製造したエッチング液組成物をスピンエッチャー(Spin etcher)で流量2L/min、RPM300で3分間噴射した後、蒸留水を用いてRPM500で1分間洗浄した。基板上に残留する蒸留水を除去するために、窒素を用いてRPM500で1分30秒間基板を完全に乾燥させた。この際、測定したエッチング速度は、表3に示した。
100Lの反応容器に蒸留水14.5重量%、フッ酸4.0重量%および硝酸20.90重量%を徐々に添加した。また、酢酸50.7重量%およびリン酸9.9重量%を添加して混合し、エッチング液組成物を製造した。前記製造したエッチング液組成物を25℃に調節し、準備したシリコン半導体基板に製造したエッチング液組成物をスピンエッチャー(Spin etcher)で流量2L/min、RPM300で3分間噴射した後、蒸留水を用いてRPM500で1分間洗浄した。基板上に残留する蒸留水を除去するために、窒素を用いてRPM500で1分30秒間基板を完全に乾燥させた。この際、測定したエッチング速度は、表3に示した。
100Lの反応容器に蒸留水42.5重量%、フッ酸4.0重量%および硝酸20.9重量%を徐々に添加した。また、酢酸32.5重量%およびパラトルエンスルホン酸0.1重量%を添加して混合し、エッチング液組成物を製造した。前記製造したエッチング液組成物を25℃に調節し、準備したシリコン半導体基板に製造したエッチング液組成物をスピンエッチャー(Spin etcher)で流量2L/min、RPM300で3分間噴射した後、蒸留水を用いてRPM500で1分間洗浄した。基板上に残留する蒸留水を除去するために、窒素を用いてRPM500で1分30秒間基板を完全に乾燥させた。この際、測定したエッチング速度は、表3に示した。
比較例3と同じ方法で下記の表2の組成物を混合し、エッチング液組成物を製造した。前記製造したエッチング液組成物を25℃に調節し、準備したシリコン半導体基板に製造したエッチング液組成物をスピンエッチャー(Spin etcher)で流量2L/min、RPM300で3分間噴射した後、蒸留水を用いてRPM500で1分間洗浄した。基板上に残留する蒸留水を除去するために、窒素を用いてRPM500で1分30秒間基板を完全に乾燥した。この際、測定したエッチング速度は、表3に示した。
Claims (4)
- 3〜20重量%のフッ酸と、5〜40重量%の硝酸と、10〜60重量%の酢酸と、2〜20重量%の促進剤と、残部の水と、を含み、
前記促進剤は、安息香酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、塩化アンモニウム、リン酸一アンモニウム、リン酸二アンモニウム、リン酸三アンモニウム、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、エタンスルホン酸およびトリフルオロメタンスルホン酸からなる群から選択されるいずれか一つまたは二つ以上である、シリコン半導体基板用のエッチング液組成物。 - 3〜20重量%のフッ酸と、5〜40重量%の硝酸と、10〜60重量%の酢酸と、2〜20重量%の促進剤と、残部の水と、を含み、前記促進剤として、安息香酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、塩化アンモニウム、リン酸一アンモニウム、リン酸二アンモニウム、リン酸三アンモニウム、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、エタンスルホン酸およびトリフルオロメタンスルホン酸からなる群から選択されるいずれか一つまたは二つ以上を使用するエッチング液組成物を製造する段階と、
前記製造したエッチング液組成物を用いてシリコン半導体基板をエッチングする段階と、を含む、シリコン半導体基板のウェットエッチング方法。 - エッチング速度は、1.5〜4.5μm/minである、請求項2に記載のシリコン半導体基板のウェットエッチング方法。
- シリコン半導体基板をエッチングする段階は、20〜80℃で1分〜5分間行われる、請求項2又は3に記載のシリコン半導体基板のウェットエッチング方法。
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