JP5847304B2 - 検査装置 - Google Patents

検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5847304B2
JP5847304B2 JP2014515530A JP2014515530A JP5847304B2 JP 5847304 B2 JP5847304 B2 JP 5847304B2 JP 2014515530 A JP2014515530 A JP 2014515530A JP 2014515530 A JP2014515530 A JP 2014515530A JP 5847304 B2 JP5847304 B2 JP 5847304B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spatial filter
inspection apparatus
optical system
image
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014515530A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013172103A1 (ja
Inventor
建士郎 大坪
建士郎 大坪
西山 英利
英利 西山
神宮 孝広
孝広 神宮
昌昭 伊東
昌昭 伊東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2014515530A priority Critical patent/JP5847304B2/ja
Publication of JPWO2013172103A1 publication Critical patent/JPWO2013172103A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5847304B2 publication Critical patent/JP5847304B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95623Inspecting patterns on the surface of objects using a spatial filtering method
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95684Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06Illumination; Optics
    • G01N2201/061Sources
    • G01N2201/06113Coherent sources; lasers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06Illumination; Optics
    • G01N2201/068Optics, miscellaneous
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12Circuits of general importance; Signal processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

本発明は、検査装置に関する。本発明は、より具体的には半導体製造工程での回路パターンが形成された基板上の異常を検査する検査装置、検査方法、それらに用いられる空間フィルタ制御装置、空間フィルタの設定方法に関する。
半導体製造工程では、歩留りを促進するために半導体製造工程中の様々な段階で、検査工程を設けており、半導体基板上の異物および、形成したパターンの欠陥などを検査している。半導体製造工程では、半導体基板上に異物が存在すると、配線の絶縁不良や短絡などの不良原因になる。また、半導体素子上のパターンの微細化が進むにつれて、半導体基板上の微細異物がキャパシタの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因となる。半導体デバイスの微細化に伴い、より小さな異物や欠陥が半導体デバイスの不良の原因となる可能性がある。よって、より小さい半導体基板上の異物および欠陥(これらは異常と表現することもできる)の検出が可能な検査装置が必要である。
この種の基板上の異常を検出する技術として、半導体基板上にレーザを照射して半導体基板上に付着している異物や形成したパターンの欠陥からの散乱光を検出する方法が知られている。この方法では、レーザの照射により得た画像とその画像を得る直前に得た画像とを比較することにより、パターンによる虚報を無くし、高感度かつ信頼度の高い異物および欠陥検査を可能としている。また、異常を検査する技術としては、ウェーハにコヒーレント光を照射してウェーハ上の繰り返しパターンから射出する光を空間フィルタで除去し、繰り返し性を持たない異常からの散乱光を強調して検出する方法が知られている。なお、先行技術として、特許文献1乃至4が挙げられる。
米国特許第7397557号明細書 特開2011−149869号公報 特開2002−181726号公報 米国特許第7733474号明細書
特許文献1では、空間フィルタ自体が検査の際に不所望な光を発生させることを開示し、空間フィルタの遮光板を鋸歯状にすることは開示している。しかし、特許文献1の方法では、例えば、繰り返しパターンの間隔が狭くなった場合、感度を向上させるには改善の余地があることを本発明では見出した。本発明では、間隔が狭くなった場合、実は空間フィルタの遮光板の幅に注目することで、感度を向上できることを見出した。従来技術では、この点については配慮がなされていない。
本発明は、空間フィルタ面での回折による不要な像、つまり回折光ノイズの強度が所望の像の強度に対して十分に小さくなる空間フィルタの幅を設定することを特徴とする。
本発明は、検査画像内の回折光ノイズの影響を受ける領域から空間フィルタの幅を決定するための指標となるSN比を算出し、空間フィルタの幅をそのSN比が最大となるように設定する。
本発明は、例えば以下の効果のうち少なくとも1つを奏すると表現することができる。
(1)空間フィルタエッジで生じる不所望な回折光を低減し、欠陥検出感度を向上させることが可能となる。
(2)空間フィルタ幅の設定を自動化することができる。
検査装置の全体構成図。 検査対象物10の一例を説明する図。 図2のチップ210の詳細を説明する図。 図3に示すチップ210を図1の検査装置で撮像した場合について説明する図。 空間フィルタユニット120から回折光ノイズが発生するメカニズムを説明する図。 観察光学系60内の空間フィルタ観察系で得られた空間フィルタ面の画像を説明する図。 空間フィルタユニット120の設定方法を説明するフローチャート。 空間フィルタの幅とSN比との関係を説明する図。 リニアモータを用いた空間フィルタの幅を変える機構の一例を説明する図。 回転式モータを用いた空間フィルタの幅を変える機構の一例を説明する図。 線状照明と回折光ノイズ270との関係を説明する図。 表示画面を説明する図。 実施例2を説明する図。
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
図1は本実施例の検査装置の全体構成図である。検査対象物10(試料、基板、ウェーハなど)は、ステージ110に搭載されている。ステージ110は、例えばXYステージ、Zステージ、回転ステージなどの組み合わせで構成される。ステージ110には様々な構成が用いられるが、ステージ110の上方に設置された検査光学系130によって検査対象物10の全面が検査できるように、検査対象物10をXY面内で走査できるものが望ましい。
検査対象物10は、照明光学系30(光源を含む)から射出される照明光20によって照明される。検査対象物10上の異物やパターンの欠陥などの異常からの散乱光のうち、検出レンズ40に入射したものは、検出レンズ40の像面直前に配置されたビームスプリッタ50を経てセンサ70に導かれる。一方、散乱光のうちビームスプリッタ50により反射されたものは観察光学系60に導かれる。検査光学系130は、内部の空間周波数面に空間フィルタユニット120を備えている。空間フィルタユニット120は、検査対象物10上の繰り返しパターンからの回折光を遮光する。この結果、高感度な検査が可能となる。センサ70に入射した光は、光電変換され、画像信号が画像処理部80に送られる。検出レンズ40としては、検光子を備えた物を用いることもある。センサ70としては、リニアCCDセンサやTDIセンサなどが用いられる。
画像処理部80は、隣接する同じパターン同士の画像比較を行い、画像比較により得られた差分に対して閾値処理を行い、欠陥等の異常を検出する。観察光学系60は、検出レンズ40の像面を観察可能な像面観察系と空間フィルタ面を観察可能な空間フィルタ観察系とを備え、空間フィルタユニット120の条件設定に使用される。ビームスプリッタ50は、光路に対して抜き差し可能な構成とする。つまり、ビームスプリッタ50は、移動可能になっており、光路中及び光路外に配置することができる。空間フィルタユニット120の条件設定の際には、ビームスプリッタ50を検出レンズ40の光路中に入れ、観察光学系60で結像面および空間フィルタ面の画像を観察しながら設定を行う。そして、検査の際には、ビームスプリッタ50を検出レンズ40の光路からはずし、センサ70を用いた撮像に影響が出ないようにすることができる。
次に、図2を参照して、検査対象物10の一例を説明する。図2において、検査対象物10はロジックLSIあるいはメモリLSIのチップ210を所定の間隔で2次元的に配列した、円盤状の半導体ウェーハである。このような検査対象物10の表面に照明光20が照射される。
図3に図2のチップ210の詳細を示す。チップ210上には、メモリセル領域220a、220b、及びデコーダやコントロール回路からなる周辺回路領域220c、220dが形成されており、場合によってはさらにその他の領域などが形成される場合もある。メモリセル領域220a、220bは、最小線幅が例えば0.1マイクロメートル以下のメモリセルパターンが2次元に規則的に配列して形成される。また、周辺回路220c、220dには、例えば最小線幅が0.4マイクロメートル以下の非繰り返しパターンが形成されている。つまり、チップ210には、繰り返し性を有する領域、及び繰り返し性を有さない領域(回路パターンがランダムに形成されたと表現することもできる)が存在することになる。
次に図4を用いて図3に示すチップ210を図1の検査装置で撮像した場合について説明する。図4(a)は、図1の検査装置のセンサ70で得られた像の中で、特に図3のパターン220bの拡大部分240の暗視野画像である。また、図4(b)は図4(a)の暗視野画像のA−A′間の輝度プロファイルである。なお、図4(a)、及び図4(b)では繰り返しパターン220bから生じる回折光は空間フィルタユニット120によって遮光されている。この場合、パターン220bの暗視野像の大部分は除かれるが、繰り返し周期の異なるパターンエッジ部のみわずかに像が残る場合もある。
ここで、図4(a)の破線で囲んだ領域401は、図3では拡大部分240に相当する。図3の拡大部分240には、本来パターンが存在しないため、図4(a)の領域401に像は生じないはずであるが、空間フィルタユニット120のエッジから回折光が発生し、この回折光はセンサ70によって検出されることになる。その結果、領域402には縞状の像が生じることになる。この縞状の像の輝度は、図4(b)では、例えば回折光ノイズ270として表現できる。なお、回折光ノイズ270は、図4(b)に示すようにパターンエッジの左側、右側双方で発生することになるので、領域402内でありかつ領域401の外側であっても回折光ノイズは観察されることになる。
次に、図1、及び図5を使用して、前述した空間フィルタユニット120から回折光ノイズが発生するメカニズムを説明する。図1において、照明光学系30から射出される照明光20により検査対象物10は照明される。照明光20によって異物510から散乱光が発生し、散乱光は検出レンズ40に入射し、空間フィルタユニット120面を通過し、検出レンズ40を経由してセンサ70へと結像されることになる。
この際、空間フィルタに着目すると、異物510からの散乱光が空間フィルタユニット120を通過する際に、空間フィルタユニット120から回折光520が生じることになる。この回折光520の発生は、開口全体の光源の重ね合わせに起因するものであると表現することもできる。そして、異物510からの散乱光だけでなく、回折光520もセンサ70上に結像されることになる。これが図4(b)で説明した回折光ノイズ270となる。異物510からの散乱光を結像することで形成された像を実像と表現するなら、回折光ノイズ270を結像することで形成された像は虚像と表現することができる。この回折光ノイズ270は検査に不所望な光となる。
この回折光ノイズ270の大きさは空間フィルタユニット120のエッジ部近傍での透過光強度に比例する。図6は観察光学系60内の空間フィルタ観察系で得られた空間フィルタ面の画像を説明する図である。まず、図6(a)のような空間フィルタ面画像に対し、中央の輝点601、及び輝点601とX方向において平行な輝点を遮光するように空間フィルタユニット120を設置した場合を説明する。図6(b)は図6(a)のB−B′間の輝度プロファイルである。図6(b)において、空間フィルタユニット120が範囲630を遮光した場合のそのエッジ部近傍での透過光強度は、空間フィルタ410が範囲640を遮光した場合にそのエッジ部近傍での透過光強度より高くなる。つまり、空間フィルタユニット120の幅を変更すれば、そのエッジ部近傍の透過光強度も変化することになる。前述したように、回折光ノイズ270の大きさは空間フィルタユニット120のエッジ部近傍での透過光強度に比例しているので、結果的に空間フィルタユニット120の幅を変えることは、回折光ノイズ270の大きさを変更することを意味している。
なお、この輝点601が広がりを持つのは、例えば以下の少なくとも1つに起因している。
(1)形成された繰り返しパターンの周波数がラインエッジラフネスなどによって多少の幅を持つこと。
(2)空間フィルタユニット120の位置とフーリエ変換面の位置とのずれ。
(3)照明光20によってウェーハ上に形成された照射領域の大きさと照明領域内のパターン領域の大きさとの関係。例えば、SRAMメモリ面積が照明領域の面積に比べて小さくなるほど、輝点601は広がりを持つこと。
前述したように、回折光ノイズ270は検査に不所望な光であるから、回折光ノイズは可能な限り小さくすることが望ましい、つまり空間フィルタユニット120の幅は広い方が望ましい。しかし、空間フィルタユニット120の幅を広くすることは、瞳開口420の遮光面積が広がるため欠陥や異物からの欠陥信号強度も低下させてしまうことを示している。このことは、検査感度を向上させるためには、回折光ノイズ270は可能な限り低くしたうえで、欠陥や異物からの信号強度は可能な限り確保した方が良いことを示している。このようなトレードオフの関係を満たす空間フィルタユニット120の幅を決定すれば、実効的な検査感度は向上するであろうというのが本実施例の考え方である。
次に、前述した回折光ノイズ270は可能な限り低くしたうえで、欠陥や異物からの信号強度は確保するような空間フィルタユニット120の幅の設定方法について説明する。図7は、本実施例での空間フィルタユニット120の設定方法を説明するフローチャートである。
本実施例では、まず、検査対象物10としてパターンの形成されていないベアウェーハに既知の大きさの微小異物(例えば0.1マイクロメートルのポリスチレンラテックスなどの標準粒子)を散布したもの(以降、標準試料と称する)を使用する。標準試料をステージ110に搭載し、微小異物に照明光学系30から照明光20を照射する。照射領域からの散乱光を検出レンズ40で検出し、センサ70で受光する。この際、空間フィルタユニット120は検査光学系130の検出光路外に配置されている。これにより得られた検査画像から、微小異物による輝度ピークを欠陥信号の基準(S)とする(手順310)。なお、この欠陥信号の基準は制御部90内のメモリに記憶される。
次に、検査したいパターン付ウェーハを検査対象物10としてステージ110に搭載し、チップ210上の繰り返しパターン部220bの領域に照明光学系30から照明光20を照射する。照射領域からの散乱光を観察光学系60内の空間フィルタ観察系により検出し、空間フィルタ面画像を取得する(手順320)。
空間フィルタユニット120の初期幅を設定する(手順330)。初期幅は後で幅を変化させて繰り返し評価を行うため、任意の幅で良いが、後述するように空間フィルタユニット120の幅を変化させることを考慮するなら、設定できる最小もしくは最大の幅とした方が効率が良い。
次に、不要なパターンからの回折光(この例ではパターン部220b)を遮光するために、空間フィルタユニット120を最適な位置および本数で設置(手順340)する。最適な位置及び本数は、空間フィルタ面の状態によって変わるが、例えば図6(a)画像であれば、最適な位置とはY1、Y2、Y3であるし、最適な本数とは3本ということになる。
次に、ビームスプリッタ50を検出光路から退避させて、センサ70で検査画像を取得する(手順350)。
次に、図1の操作部100内の各種入出力装置を使用して、センサ70によって得られた検査画像から任意の領域を指定する。この任意の領域とは、例えば、検査時のSN比を評価する領域(例えば回折光ノイズ270の影響が顕著な図4の領域230など)である。そして、指定した領域からノイズ(N)を抽出する(手順360)。ノイズの具体例は、その領域内に対して予め設定された閾値、やその領域内の画像輝度値の標準偏差が考えられる。
次に、手順330、手順340で設定した空間フィルタユニット120の初期幅や本数から瞳開口420の瞳開口面積変化率R(空間フィルタの無い時を1とする)を算出する。瞳開口面積変化率Rは、例えば、瞳開口の全面積A0に対して散乱光を通過させることができる面積A1が占める割合である。空間フィルタユニット120が瞳開口を占有する面積をA2とするなら、瞳開口面積変化率Rは以下の式で表現できる。
R=A1/A0=(A0−A2)/A0
そして、瞳開口面積変化率Rの2乗と前述した欠陥信号の基準Sとの積が瞳開口を通過する散乱光の量、つまり欠陥信号強度S′ということになる。つまり、欠陥信号強度S′は以下の式で表現できる。なお、欠陥信号強度S′がRの2乗に比例するのは、光の干渉に起因するものである。
S′=S・R2
Sは前述したように制御部90に格納されており既知である、またRも瞳開口の面積、空間フィルタユニット120が占有する面積を得ておくことで既知とすることができる。つまり、この瞳開口面積変化率Rがある値のときの欠陥信号強度S′は制御部90や別途設けた計算機による数値解析によって得ることができるということである。また、欠陥信号強度S′は前述した標準試料の微小異物を用いて、瞳開口面積変化率Rを変化させた時の欠陥信号強度S′の変化を事前に調べておくことでも代用可能である(手順370)。ここまでの手順で、SN比を評価する領域内のSN比は、上記のS′、Nを用いて、以下の式で定義することができる。
SN比=S′/N
そして、作業者、又は制御部90はSN比が予め設定した所望の値となるか確認する(手順380)。所望の値であれば、空間フィルタユニット120の幅の設定は終了する(手順3100)。実際の検査を行う際の空間フィルタユニット120の幅は、この所望の値を得た際の幅となる。ここで、所望の値とは、例えば、図8に示すような飽和した際のSN比810、または空間フィルタユニット120の幅の最大値と表現することができる。
所望の値として、飽和したSN比を取る理由は、回折光ノイズが十分に低減された幅を超えるとSN比は飽和、又は低下するからである。より具体的に説明するなら、回折光ノイズが無い場合では、SとNとは同じ割合で低下するので飽和するが、現実的にはNには開口サイズに依存しないセンサ70の熱ノイズ等の固定ノイズが含まれるからSN比は低下するであろうということである。
なお、この所望の値は、任意に変更可能であり、例えば、SN比の向上率が指定した割合以下を取る値とすることもできる。さらに、空間フィルタユニット120の幅を一定以上広げた場合、フーリエ変換面の透過面積の低下によって欠陥信号の低下が顕著になる。よって、所望の欠陥信号を十分に得られる透過面積を予め算出して、それを確保する空間フィルタ410の幅を上限値とすることも可能である。
所望の値でなければ、制御部90によって空間フィルタユニット120の幅を変更し(手順390)、所望の値となるまで手順340から手順370を繰り返す。このSN比は例えば、空間フィルタユニット120の幅を決定するための指標であると表現することができる。なお、実際の検査は手順3100の後に行われることになる。
ここで、Nは回折光ノイズ270の影響が顕著な部分から得られた値であるし、空間フィルタユニット120の幅の変化も反映されている。また、S′は空間フィルタユニット120の幅を考慮して得られた値である。つまり、上述したSN比が最大であるときの空間フィルタユニット120の幅は、回折光ノイズ270の影響を可能な限り低くしたうえで、欠陥や異物からの信号強度は可能な限り確保できている幅であると表現することができる。また、回折光ノイズの強度が欠陥や異物からの信号強度に対して十分に小さくなっている状態であると表現することもできる。
そして、上述した手順は定量的な評価指標(前述したS/N比)を用いたプロセスであるため、SN比を評価する領域を指定さえすれば、その他の手順は作業者の判断を必要とせず、空間フィルタユニット120の幅を決めるプロセスを制御部90によって自動化することができることを示している。
次に空間フィルタユニット120の幅を変更するための機構の一例を図9を用いて説明する。図9(a)に示すように検査光学系130内の空間周波数面には瞳開口420が形成されている。瞳開口420の面の上下近傍に金属などの材質の遮光板から構成される空間フィルタ410が設置される。空間フィルタ410は空間フィルタ保持部430に固定されており、空間フィルタ保持部430はリニアモータアクチュエータ440と接続されている。よって、リニアモータアクチュエータ440の動作によって空間フィルタ410の設置位置を一軸方向に動かすことができる。つまり、少なくとも1つの空間フィルタ410、1つの空間フィルタ保持部430、及び1つのリニアモータアクチュエータ440が1組となって空間フィルタ可動ユニット450を構成すると表現することもできる。
このような空間フィルタ可動ユニット450を瞳開口420を挟み込むように設置することで、図9(b)に示すように2枚の空間フィルタ410を上下方向にわずかにずらした状態で重ねて設置できる。また、図9(c)の様に、空間フィルタ可動ユニット450を上下方向に重ねて設置することでも、空間フィルタ410を重ね合わせた配置ができる。図9(a)(b)(c)に示すように、少なくとも2枚の空間フィルタ410が空間フィルタユニット120を構成していると表現できる。そして、2枚の空間フィルタ410が重なる幅を変化させることで、あたかも1枚の空間フィルタユニット120の幅を変化させているような動作を行うことができると表現することもできる。
また、空間フィルタ保持部430のリニアモータアクチュエータ440を使用する代わりに図10の様に、ボールネジ460、軸受け470、回転モータ480を使った構成でも、上記と同様に空間フィルタ410の幅を変更することもできる。この場合、空間フィルタ支持部430はボールネジ460にステージガイドなどを介して取り付けられる。そして、回転モータ480でボールネジ460を回転させることで、空間フィルタ支持部430はボールネジ460の軸方向に水平移動する。これにより空間フィルタ410の設置位置をずらして、空間フィルタユニット120の幅を所望の値とすることができる。
次に、照明光20と回折光ノイズ270との関係について説明する。図1において、照明光学系30は平面波を照明することもできるし、シリンドリカルレンズ等が含まれる場合もある。照明光学系30がシリンドリカルレンズを有する場合、照明光20はシリンドリカルレンズによって線状に集光されることになる。この場合、空間フィルタ観察系によって観察される空間フィルタ面画像は、図11のようになる。つまり、図11では、空間フィルタ面X方向を長手方向として、Y方向を短手方向とするような線状の回折光1010が観測される。このような回折光1010が観察されるのは、照明光20を線状に集光することで、パターンからの回折光が空間フィルタ面で一点に集光せず、照明光20を集光した方向に広がるためである。このような場合、図6(a)のように輝点が点在しているときよりも、空間フィルタユニット120エッジ近傍での光強度が大きい領域が広くなるので、空間フィルタユニット120による回折光ノイズ270の影響がより顕著となる。これは、シリンドリカルレンズ等を用いて線状照明を形成する場合は、本実施例の方法はより一層有効であることを示している。
次に、表示について説明する。本実施例では図12に示すような表示画面1200を使用して空間フィルタユニット120の設定を行うことも可能である。本実施例では、例えば、表示画面1200中に図3に示す拡大部分240の画像、図4に示す拡大部分240の暗視野画像、及び図6に示す空間フィルタ面画像を表示する。そして、図7手順360での任意の領域の指定に当たっては、マウス等の入力装置によって操作可能なポインター1201によって、その任意の領域を拡大部分240の暗視野画像中から選択する。また、図7手順340から手順390のループで得られたSN比と空間フィルタユニットの幅Wとの関係は点線で囲った領域1203のように表示され、どの幅の時にSN比が最大となるか作業者が容易に確認できるようになっている。空間フィルタユニット120の幅の設定については、設定ウィンドウ1202を介して入力できるようにすれば良い。このような表示画面を設ければ、作業者はより容易に空間フィルタユニット120の幅を設定することができる。なお、拡大部分240の画像を得るに当たっては、別途明視野光学系(顕微鏡と表現することもできる)を設けても良い。
本実施例によれば、回折光ノイズ270の影響、及び欠陥や異物からの信号強度を考慮して空間フィルタユニット120の幅を決定するので、実効的な検査感度を向上させることができる。例えば、SRAM等のメモリセル領域が小さくなった場合、回折光ノイズの発生する領域が検査領域全体に占める割合が上がることになる。つまり、本実施例は、繰り返しパターンの間隔が狭くなった場合に特に有効である。
次に実施例2について説明する。実施例1では、1つの検査光学系130を使用する例である。本実施例は、複数の検査光学系を有する点で実施例1と異なる。以降、本実施例を詳細に説明するが、実施例1と異なる部分について主に説明する。
図13は、本実施例の検査装置を説明する図である。本実施例の検査装置は、検査対象物10の法線方向に配置された上方検査光学系1110、検査対象物10に対して第1の仰角で配置された第1斜方検査光学系1120、検査対象物10に対して第2の仰角で配置された第2斜方検査光学系1130を有する。上方検査光学系1110、第1斜方検査光学系1120、及び第2斜方検査光学系1130は、それぞれ検出レンズ40、空間フィルタユニット120、センサ70を有している。また、画像処理部80は、上方検査光学系1110、第1斜方検査光学系1120、及び第2斜方検査光学系1130それぞれに設けられている。複数の検査光学系を使用することで、集光する散乱光を増やすことができるし、散乱光の散乱方位に着目した欠陥判定を行うこともできるようになる。
本実施例の検査装置で得られる検査画像は暗視野像であるが、検査対象物10上の同じ場所を撮像した場合でも、得られる暗視野像は、上方検査光学系1110、第1斜方検査光学系1120、及び第2斜方検査光学系1130で異なってくる。これは、各検査光学系で観察される空間フィルタユニット120からの回折光ノイズの状態も各検査光学系で異なる場合があることを示している。
そこで、本実施例では、画像処理部80、制御部90、及び操作部100を使用して上方検査光学系1110、第1斜方検査光学系1120、及び第2斜方検査光学系1130毎に図7に示した手順を行う。実施例1で説明したように、SN比は例えば、空間フィルタユニット120の幅を決定するための指標であると表現することができるわけであるが、この指標となるSN比も検査光学系毎に得られることになる。このようにすれば各検査光学系で回折光ノイズの状態が異なった場合でも、実効的な検査感度を向上させることが可能となる。
以上、本実施例について説明したが、本発明は本実施例に限定されない。本発明は空間フィルタを用いる光学装置に広く適用可能である。例えば、検査光学系の数は、本実施例に限定されるものではなく、上方検査光学系1110、第1斜方検査光学系1120、及び第2斜方検査光学系1130のうち少なくとも2つを採用すること、検査光学系の数をさらに増やすことも本明細書の開示の範囲内である。
また、検査を行うにあたり、予め本実施例に開示される検査装置を組み上げておき、事後的に何らかの記憶媒体に記憶された図7に示す空間フィルタ幅の設定方法を実行可能なプログラムを検査装置にインストールすることも本明細書の開示の範囲内である。
10 検査対象物
20 照明光
30 照明光学系
40 検出レンズ
50 ビームスプリッタ
60 観察光学系
70 センサ
80 画像処理部
90 制御部
100 操作部
210 チップ
120 空間フィルタユニット
130 検査光学系
270 回折光ノイズ
410 空間フィルタ
1110 上方検査光学系
1120 第1斜方検査光学系
1130 第2斜方検査光学系

Claims (16)

  1. 検査装置において
    基板へ光を照明する照明光学系と、
    前記基板からの光を集光、及び結像して第1の像を形成する第1の検出光学系と、
    前記第1の検出光学系の光路に配置された第1の空間フィルタと、
    処理部と、を有し
    前記処理部は、前記第1の像の中から前記第1の空間フィルタから発生した第1の回折光成分を得て、
    前記第1の回折光成分から前記第1の空間フィルタの幅を決定するための第1の指標を得ることを特徴とする検査装置。
  2. 請求項1に記載の検査装置において、
    さらに、
    第2の像を得るために前記第1の検出光学系とは異なる位置に配置された第2の検出光学系と、
    前記第2の検出光学系の光路に配置された第2の空間フィルタと、を有し、
    前記処理部は、
    前記第2の像の中から前記第2の空間フィルタから発生した第2の回折光成分を得て、
    前記第2の回折光を含む部分から前記第2の空間フィルタの幅を決定するための第2の指標を得ることを特徴とする検査装置。
  3. 請求項2に記載の検査装置において、
    前記照明光学系は、前記基板上に線状の照明領域を形成することを特徴とする検査装置。
  4. 請求項3に記載の検査装置において、
    前記第1の像、及び前記第2の像は暗視野像であることを特徴とする検査装置。
  5. 請求項4に記載の検査装置において、
    前記第1の空間フィルタは前記第1の検出光学系の光路に対して出し入れ可能に配置されており、
    前記処理部は、前記第1の指標を得るために、前記第1の空間フィルタを前記第1の検出光学系の光路の外に配置した状態で得られた光の輝度を使用することを特徴とする検査装置。
  6. 請求項5に記載の検査装置において、
    前記処理部は、前記第1の指標を得るために、前記第1の検出光学系の瞳開口の面積、及び前記第1の空間フィルタが前記瞳開口を占有する面積を使用することを特徴とする検査装置。
  7. 請求項6に記載の検査装置において、
    前記処理部は、前記第1の指標に応じて前記空間フィルタの幅を変更することを特徴とする検査装置。
  8. 請求項7に記載の検査装置において、
    表示部を有し、
    前記表示部は、前記第1の回折光成分の像を表示することを特徴とする検査装置。
  9. 請求項8に記載の検査装置において、
    入力部を有し、
    前記処理部は、前記入力部によって前記第1の回折光成分の像から選択された範囲に基づいて、前記第1の指標を得ることを特徴とする検査装置。
  10. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記照明光学系は、前記基板上に線状の照明領域を形成することを特徴とする検査装置。
  11. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記第1の像は暗視野像であることを特徴とする検査装置。
  12. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記処理部は、前記第1の指標を得るために、前記第1の空間フィルタを前記第1の検出光学系の光路の外に配置した状態で得られた光の輝度を使用することを特徴とする検査装置。
  13. 請求項12に記載の検査装置において、
    前記処理部は、前記第1の指標を得るために、前記第1の検出光学系の瞳開口の面積、及び前記第1の空間フィルタが前記瞳開口を占有する面積を使用することを特徴とする検査装置。
  14. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記処理部は、前記第1の指標に応じて前記空間フィルタの幅を変更することを特徴とする検査装置。
  15. 請求項1に記載の検査装置において、
    表示部を有し、
    前記表示部は、前記第1の回折光成分の像を表示することを特徴とする検査装置。
  16. 請求項15に記載の検査装置において、
    入力部を有し、
    前記処理部は、前記入力部によって前記第1の回折光成分の像から選択された範囲に基づいて、前記第1の指標を得ることを特徴とする検査装置。
JP2014515530A 2012-05-16 2013-04-01 検査装置 Expired - Fee Related JP5847304B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014515530A JP5847304B2 (ja) 2012-05-16 2013-04-01 検査装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012112061 2012-05-16
JP2012112061 2012-05-16
PCT/JP2013/059817 WO2013172103A1 (ja) 2012-05-16 2013-04-01 検査装置
JP2014515530A JP5847304B2 (ja) 2012-05-16 2013-04-01 検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013172103A1 JPWO2013172103A1 (ja) 2016-01-12
JP5847304B2 true JP5847304B2 (ja) 2016-01-20

Family

ID=49583522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014515530A Expired - Fee Related JP5847304B2 (ja) 2012-05-16 2013-04-01 検査装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9535009B2 (ja)
JP (1) JP5847304B2 (ja)
KR (1) KR20140117640A (ja)
WO (1) WO2013172103A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6315419B2 (ja) * 2013-12-12 2018-04-25 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 半導体検査方法、半導体検査装置及び半導体製造方法
KR102560779B1 (ko) 2015-09-23 2023-07-28 삼성전자주식회사 광학 검사 장치, 기판 검사 방법, 그리고 기판 제조 방법
FR3045156B1 (fr) * 2015-12-11 2017-12-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de detection de defauts et dispositif associe
JP6908470B2 (ja) 2017-08-25 2021-07-28 京セラ株式会社 電磁波検出装置、プログラム、および電磁波検出システム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181726A (ja) * 2000-12-11 2002-06-26 Nec Corp 半導体ウエハの検査装置及び検査方法
JP2008543114A (ja) * 2005-06-06 2008-11-27 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 鋸歯状フーリエフィルタ及び検査システム
JP2011149869A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置およびその方法
JP2012073097A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置、検査方法及びプログラム

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3781113A (en) * 1971-10-26 1973-12-25 Kms Ind Inc Method and apparatus for personal identification
US3762817A (en) * 1972-02-23 1973-10-02 Minnesota Mining & Mfg Spectral densitometer
DE3027373A1 (de) * 1979-07-20 1981-03-19 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und einrichtung zur oberflaechenpruefung
US5576829A (en) * 1990-10-08 1996-11-19 Nikon Corporation Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask
US5172000A (en) * 1990-11-02 1992-12-15 Insystems, Inc. Spatial filter for optically based defect inspection system
US6522386B1 (en) * 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
US6608676B1 (en) * 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US6469788B2 (en) * 2000-03-27 2002-10-22 California Institute Of Technology Coherent gradient sensing ellipsometer
US7106425B1 (en) * 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
JP4230674B2 (ja) * 2001-03-01 2009-02-25 株式会社日立製作所 欠陥検査装置およびその方法
US6657714B2 (en) * 2001-09-24 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Defect detection with enhanced dynamic range
US20070242269A1 (en) * 2004-03-06 2007-10-18 Michael Trainer Methods and apparatus for determining characteristics of particles
KR20050121522A (ko) 2004-06-22 2005-12-27 삼성전자주식회사 계측 장비에 이용되는 공간 필터
JP2008116405A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法及びその装置
JP2008261790A (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置
NL1036857A1 (nl) * 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US7986412B2 (en) 2008-06-03 2011-07-26 Jzw Llc Interferometric defect detection and classification
US7864334B2 (en) 2008-06-03 2011-01-04 Jzw Llc Interferometric defect detection
CN102089616B (zh) * 2008-06-03 2013-03-13 焕·J·郑 干涉缺陷检测和分类
KR101526866B1 (ko) * 2009-01-21 2015-06-10 삼성전자주식회사 깊이 정보를 이용한 깊이 노이즈 필터링 방법 및 장치
CN102410500A (zh) * 2011-07-27 2012-04-11 中国科学院光电技术研究所 一种环半径和环厚度可调的干涉仪环形光源系统

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181726A (ja) * 2000-12-11 2002-06-26 Nec Corp 半導体ウエハの検査装置及び検査方法
JP2008543114A (ja) * 2005-06-06 2008-11-27 ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション 鋸歯状フーリエフィルタ及び検査システム
JP2011149869A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置およびその方法
JP2012073097A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置、検査方法及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
US20150131087A1 (en) 2015-05-14
JPWO2013172103A1 (ja) 2016-01-12
WO2013172103A1 (ja) 2013-11-21
US9535009B2 (en) 2017-01-03
KR20140117640A (ko) 2014-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7474394B2 (en) Apparatus of inspecting defect in semiconductor and method of the same
JP3566589B2 (ja) 欠陥検査装置およびその方法
JP2016038302A (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5303217B2 (ja) 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US8416292B2 (en) Defect inspection apparatus and method
US9019492B2 (en) Defect inspection device and defect inspection method
US8830465B2 (en) Defect inspecting apparatus and defect inspecting method
US8879821B2 (en) Defect inspecting device and defect inspecting method
WO2012035852A1 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP2001013085A (ja) 欠陥検査装置
JP5847304B2 (ja) 検査装置
JP5452571B2 (ja) 欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP5993691B2 (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JPH06324003A (ja) 異物検査装置およびその方法
JP2012242268A (ja) 検査装置及び検査方法
CN103837540A (zh) 外观检查装置以及外观检查方法
US20130271754A1 (en) Inspection apparatus
JP2007107960A (ja) 欠陥検査装置
JP2003017536A (ja) パターン検査方法及び検査装置
JP3185878B2 (ja) 光学的検査装置
JP2004301847A (ja) 欠陥検査装置およびその方法
JP6119784B2 (ja) 異物検査方法
JP2008241688A (ja) 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP2011180145A (ja) 欠陥検査装置
JP2011153903A (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151027

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5847304

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees