JP5842411B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 212
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 118
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 24
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 15
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 21
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)Cl OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002528 anti-freeze Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
ヒートシンク92は、半導体素子91と面接触する平板状の本体部922と、本体部922から半導体素子91と反対側へ立設形成された複数の冷却フィン921と、本体部922における半導体モジュール91との当接面に開口したボルト穴923とを備えている。
また、半導体モジュール91の放熱板912も貫通孔915を避けるように形成する必要があるため、放熱板912の放熱面積が減少する。そのため、貫通孔915を形成していない放熱板912を備えた半導体モジュール91に比べ、放熱性が低下するおそれがある。
上記放熱面に熱的に接触して上記半導体モジュールを冷却する冷却部と、
上記半導体モジュールと上記冷却部とを互いに固定するボルトとを有する半導体装置であって、
上記放熱板は、上記ボルトを螺合するボルト穴を、上記放熱面に開口するように形成してなり、
上記冷却部は、上記ボルトを挿通するボルト挿通穴を貫通形成してなり、
上記ボルトを上記冷却部の上記ボルト挿通穴に挿通すると共に、上記放熱板の上記ボルト穴に螺合することにより、上記半導体モジュールと上記冷却部とが互いに固定されており、
上記ボルトに生じる軸力によって、上記放熱板と上記冷却部とが互いに密着しており、
上記放熱板は、上記樹脂部から上記冷却部側に向かって突出する突出部を有し、該突出部に上記放熱面が形成されており、
上記冷却部には、上記突出部と対応する位置に凹部を有しており、該凹部が上記突出部と嵌合しており、
上記突出部は、該突出部の突出方向と垂直な平面における断面積が上記半導体素子と対向する側と反対側に向かって縮小するテーパ形状を有しており、
上記突出部は、該突出部の突出方向を向いて形成されると共に上記ボルト穴が開口した頂面と、該頂面の外周に形成された突出部テーパ面とを、上記放熱面として有し、
上記冷却部の上記凹部は、上記頂面及び上記突出部テーパ面に接触しており、
上記冷却部と上記半導体モジュールの上記樹脂部との間には、隙間が形成されていることを特徴とする半導体装置にある(請求項1)。
また、上記放熱板における上記放熱面の面積を増大させることができる。したがって、上記放熱板の放熱性能を向上し、上記半導体装置における冷却性能を向上することができる。
また、上記冷却部の上記凹部と上記放熱板の上記突出部とを嵌合することで、互いの位置決めを行うことができる。そのため、上記半導体装置の生産性を向上することができる。
半導体装置にかかる参考例について、図1〜図3を参照して説明する。
本例の半導体装置1は、半導体モジュール2と、冷却部3と、半導体モジュール2と冷却部3とを互いに固定するボルト4とを有している。半導体モジュール2は、半導体素子21を樹脂部22内に封止すると共に放熱面232を露出させた状態で放熱板23を樹脂部22に保持してなる。放熱板23は、ボルト4を螺合するボルト穴235を、放熱面232に開口するように形成してなる。冷却部3は、放熱面232に熱的に接触して半導体モジュール2を冷却するよう構成されると共に、ボルト4を挿通するボルト挿通穴35を貫通形成してなる。半導体装置1は、ボルト4を冷却部3のボルト挿通穴35に挿通すると共に、放熱板23のボルト穴235に螺合することにより、半導体モジュール2と冷却部3とが互いに固定されている。
本例の半導体装置1は、図1〜図3に示すごとく、半導体素子21を備える半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却する冷却部3と、半導体モジュール2と冷却部3とを互いに固定するボルト4とを備えている。
半導体素子21は、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、MOSFET(MOS型電界効果トランジスタ)等のスイッチング素子からなる。半導体素子21は、略平板状をなしており、樹脂部22内に封止されている。
放熱板23は、図1〜図3に示すごとく樹脂部22から冷却部3側に向かって突出する突出部231を有し、該突出部231の表面に放熱面232を備えている。放熱板23は主面と垂直な方向から見た平面形状が略長方形状をなしており、その突出方向と垂直な平面における断面積が半導体素子21と反対側に向かって縮小するテーパ形状をなす略四角錐台形状を有している。図3に示すごとく、半導体モジュール2を半導体素子21の主面と垂直な方向から見たとき、半導体素子21は、放熱板23における外周形状の内側に配されている。
冷却部3は、同図に示すごとく、突出部231と対応する位置に凹部31を有している。この凹部31は、半導体モジュール2の突出部231と対応した略四角錐台形状をなしており、凹部31に突出部231を嵌合可能に構成されている。この凹部31は、凹部31の底部に配された底面312とテーパ状に配された凹部テーパ面313とからなる接触面311を有している。また、凹部31の深さは、突出部231の突出高さと同一とした。凹部31における底部には、突出部231のボルト穴235と対応した位置に、ボルト4を挿通するボルト挿通穴35を貫通形成してある。
半導体モジュール2と冷却部3とは、突出部231と凹部31とを嵌合して配する。そして、ボルト4を冷却部3のボルト挿通穴35に挿通し、突出部231の頂面233におけるボルト挿通穴35と対応する位置に開口したボルト穴235にボルト4を螺合する。これにより、ボルト4に生じる軸力によって、半導体モジュール2と冷却部3とが密着して固定される。このとき、凹部31と突出部231とは、接触面311と放熱面232とにおいて密着する。尚、接触面311と放熱面232との間には、熱伝導性及び絶縁性を備えたグリスを介在させてもよい。
半導体装置1においては、放熱板23に設けたボルト穴235に、ボルト4を螺合して半導体モジュール2と冷却部3とを固定している。それゆえ、半導体モジュール2にボルト4を貫通させなくても、半導体モジュール2と冷却部3とをボルト4によって固定することができる。これにより、半導体モジュール2の樹脂部22内に封止する半導体素子21の配置がボルト4によって制限されることがない。それゆえ、半導体モジュール2において、半導体素子21の配置の自由度を向上させることができる。
また、放熱板23における放熱面232の面積を増大させることができる。したがって、放熱板23の放熱性能を向上し、半導体装置1における冷却性能を向上することができる。
また、放熱板23が、樹脂部22から突出した突出部231を備えることにより、放熱板23の厚さを大きくしやすい。その結果、放熱板23に形成するボルト穴235を深く形成しやすくなり、半導体モジュール2と冷却部3との固定力を向上させやすく、ひいては、半導体装置1の放熱性を向上することができる。
また、冷却部3の凹部31と放熱板23の突出部231とを嵌合することで、互いの位置決めを行うことができる。そのため、半導体装置1の生産性を向上することができる。
本例に示す半導体装置1は、参考例1に対して、半導体モジュール2及び冷却部3の構成を変更した例である。
図4に示すごとく、本例の半導体装置1における半導体モジュール2は、半導体素子21を間に配するように放熱板23を一対有している。すなわち、半導体モジュール2は、平板状の半導体素子21の両主面に、それぞれ対向する一対の放熱板23を有しており、半導体素子21は、一対の放熱板23に挟まれるように配されている。
また、一対の放熱板23には、それぞれに1つずつ冷却部3を固定してある。
その他の構成は参考例1と同様である。
また、参考例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例の半導体装置1は、参考例2に対して、冷却部3の形状を変更した例である。
図5に示すごとく、本例の半導体装置1の冷却部3における凹部31の深さは、放熱板23の高さよりも小さく設定してある。すなわち、ボルト4によって半導体モジュール2と冷却部3とを固定した際に、半導体モジュール2の樹脂部22と冷却部3とにおいて互いに対向する対向面の間には隙間が形成される。
また、同図に示すごとく、放熱板23が嵌合する凹部31を形成した側と反対側の外側面に、ボルト4と対応した位置に形成されたボルト側凹部34を有している。このボルト側凹部34は、ボルト4の頭部の高さと略同一の深さを有する略円錐台形状をなしている。
その他の構成は参考例2と同様である。
その他、参考例2と同様の作用効果を得ることができる。
尚、本例においては、ボルト側凹部34の深さと、ボルト4の頭部の高さと同一としたが、ボルト側凹部34は、ボルト4の頭部の高さよりも深くしてもよいし、浅くしてもよい。これらの場合にも、本例に準ずる効果を得ることができる。
本例の半導体装置1は、参考例1に対して、放熱板23及び冷却部3の形状を変更した例である。
図6に示すごとく、半導体装置1における半導体モジュール2の放熱板23は、断面形状が長方形からなる平板状をなしている。また、放熱面232と樹脂部22の表面とが同一平面状に配されている。
また、冷却部3には凹部が形成されておらず、冷却部3は一様な断面形状を有している。
その他の構成は参考例1と同様である。
本例においても、参考例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例の半導体装置1は、参考例3に対して、放熱板23の構成を変更した例である。
図7に示すごとく、半導体装置1における半導体モジュール2の放熱板23は、平板状をなしており、参考例3の放熱板23に比べて約2倍の厚さを有している。放熱板23は、その厚さの約半分が樹脂部22から冷却部3に向かって突出して突出部231をなしている。
その他の構成は参考例3と同様である。
その他、参考例3と同様の作用効果を得ることができる。
本例に示す半導体装置1は、半導体モジュール2に複数の半導体素子21を設けた例である。
図8に示すごとく、本例の半導体モジュール2は、2つの半導体素子21を並列に配置してなる。2つの半導体素子21における一方の主面側には、各半導体素子21とそれぞれ対向するように2枚の放熱板23が配してある。これら2枚の放熱板23は、平板状をなしており、放熱面232と樹脂部22の表面とが同一平面状となるように配されている。放熱板23には、放熱面232に開口されたボルト穴235がそれぞれ形成されている。
また、大型放熱板230に固定される第2冷却部302には、大型放熱板230に形成されたボルト穴235と対応する位置に、1つの第2ボルト挿通穴352を備えている。この第2ボルト挿通穴352にボルト4を挿通し、大型放熱板230のボルト穴235に螺合することにより第2冷却部302と半導体モジュール2とが固定されている。
また、同図に示すごとく、半導体素子21の数に応じて、放熱板23の数を増減させても良いし、複数の半導体と放熱板23が対向するよう1つの放熱板23の大きさを変更してもよい。
また、本例においても参考例2と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図9及び図10に示すごとく、半導体モジュール2における放熱板23の形状のバリエーションを示す例である。
すなわち、放熱板23の形状としては、図9(a)〜図9(c)及び図10(a)〜図10(c)に示す種々の形状とすることができる。
尚、図10(a)〜図10(c)に示す楕円錐台形状及び四角錐台形状は、その突出方向と垂直な平面における断面積が半導体素子21と対向する側と反対側に向かって縮小するテーパ形状を有するものである。
また、本例は放熱板23の形状の一例を示したものであり、上述した以外の種々の形状を用いることができる。
2 半導体モジュール
21 半導体素子
22 樹脂部
23 放熱板
232 放熱面
235 ボルト穴
3 冷却部
35 ボルト挿通穴
4 ボルト
Claims (2)
- 半導体素子を樹脂部内に封止すると共に放熱面を露出させた状態で放熱板を上記樹脂部に保持してなる半導体モジュールと、
上記放熱面に熱的に接触して上記半導体モジュールを冷却する冷却部と、
上記半導体モジュールと上記冷却部とを互いに固定するボルトとを有する半導体装置であって、
上記放熱板は、上記ボルトを螺合するボルト穴を、上記放熱面に開口するように形成してなり、
上記冷却部は、上記ボルトを挿通するボルト挿通穴を貫通形成してなり、
上記ボルトを上記冷却部の上記ボルト挿通穴に挿通すると共に、上記放熱板の上記ボルト穴に螺合することにより、上記半導体モジュールと上記冷却部とが互いに固定されており、
上記ボルトに生じる軸力によって、上記放熱板と上記冷却部とが互いに密着しており、
上記放熱板は、上記樹脂部から上記冷却部側に向かって突出する突出部を有し、該突出部に上記放熱面が形成されており、
上記冷却部には、上記突出部と対応する位置に凹部を有しており、該凹部が上記突出部と嵌合しており、
上記突出部は、該突出部の突出方向と垂直な平面における断面積が上記半導体素子と対向する側と反対側に向かって縮小するテーパ形状を有しており、
上記突出部は、該突出部の突出方向を向いて形成されると共に上記ボルト穴が開口した頂面と、該頂面の外周に形成された突出部テーパ面とを、上記放熱面として有し、
上記冷却部の上記凹部は、上記頂面及び上記突出部テーパ面に接触しており、
上記冷却部と上記半導体モジュールの上記樹脂部との間には、隙間が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、上記半導体モジュールは、上記半導体素子を、間に配するように上記放熱板を一対有しており、上記一対の放熱板には、それぞれ上記冷却部を固定してあることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011145234A JP5842411B2 (ja) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011145234A JP5842411B2 (ja) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013012631A JP2013012631A (ja) | 2013-01-17 |
JP5842411B2 true JP5842411B2 (ja) | 2016-01-13 |
Family
ID=47686263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011145234A Active JP5842411B2 (ja) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5842411B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150098190A1 (en) * | 2013-06-07 | 2015-04-09 | Hamilton Sundstrand Corporation | Heat dissipation |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5222937Y2 (ja) * | 1971-12-20 | 1977-05-25 | ||
JPH0846100A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2005026248A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Enplas Corp | 電気部品用放熱部材 |
JP4007304B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2007-11-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の冷却構造 |
JP5045631B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-10-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
2011
- 2011-06-30 JP JP2011145234A patent/JP5842411B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013012631A (ja) | 2013-01-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130820 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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