JP5825511B2 - 半導体基板の切断方法 - Google Patents

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6271161B2 (ja) * 2013-06-10 2018-01-31 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6232230B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6253356B2 (ja) * 2013-11-11 2017-12-27 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法
JP5743123B1 (ja) 2014-03-14 2015-07-01 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置及びダイシング方法
JP2015222756A (ja) * 2014-05-22 2015-12-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法および分割装置
JP6377459B2 (ja) * 2014-08-29 2018-08-22 株式会社ディスコ ウエーハ検査方法、研削研磨装置
JP6456766B2 (ja) * 2015-05-08 2019-01-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6300763B2 (ja) * 2015-08-03 2018-03-28 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP6896992B2 (ja) * 2015-09-08 2021-06-30 株式会社東京精密 ウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置
JP6949472B2 (ja) * 2016-11-16 2021-10-13 浜松ホトニクス株式会社 対物レンズ駆動装置
JP2018164052A (ja) * 2017-03-27 2018-10-18 株式会社東京精密 ウェハ加工システム
WO2020213478A1 (ja) * 2019-04-19 2020-10-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP7206578B2 (ja) * 2019-10-24 2023-01-18 株式会社東京精密 ウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置
JP7682636B2 (ja) 2021-02-05 2025-05-26 株式会社東京精密 ダイシングテープの張力異常検知装置及び方法
JP7625434B2 (ja) 2021-02-05 2025-02-03 株式会社東京精密 テープ貼付装置
JP7721283B2 (ja) 2021-02-24 2025-08-12 株式会社東京精密 テープ貼付システム
JP7682644B2 (ja) 2021-02-24 2025-05-26 株式会社東京精密 テープ貼付装置及びテープマガジン
JP7708609B2 (ja) * 2021-08-05 2025-07-15 株式会社ディスコ 基板の分割方法
CN115410979B (zh) * 2022-09-06 2023-06-06 西湖仪器(杭州)技术有限公司 一种晶圆片的剥离方法及激光分片方法
CN115223851B (zh) * 2022-09-21 2022-12-09 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种机械式晶片分离方法及装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4542789B2 (ja) * 2003-01-10 2010-09-15 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及びその製造方法
JP4440582B2 (ja) * 2003-09-10 2010-03-24 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005317761A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Takashi Nao ウエハへき開装置及びウエハへき開方法
JP4705418B2 (ja) * 2005-06-29 2011-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP4711904B2 (ja) * 2006-07-31 2011-06-29 日東電工株式会社 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法
JP2010045151A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP5442288B2 (ja) * 2009-03-27 2014-03-12 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびこれを用いた保護テープ剥離装置

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