JP5817441B2 - Soiウェーハ - Google Patents
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工程A:支持基板用半導体ウェーハ110に熱酸化処理を施して、ウェーハの表面全体に絶縁性のシリコン酸化膜111を成膜する。
工程B:シリコン酸化膜11を成膜した支持基板用半導体ウェーハ110と、活性層用半導体ウェーハ120とを密着させ、熱処理(例えば、約1000℃で約2時間)を施して2つの半導体ウェーハ110及び120を貼り合わせる。
工程C:活性層用半導体ウェーハ120を、支持基板用半導体ウェーハ110が貼り合わされていない側の表面(工程Bの点線)及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した活性層122を形成する。
これにより、図6に示した従来のSOIウェーハ101が完成する。
また、シリコン酸化膜111の寿命が低下したり、活性層122側の帯電が原因となる閾値電圧変動や耐圧低下等が起こったりするおそれもある。
この導電性膜は、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、第2の主面が帯電可能な導電性部材に接触することを防ぐ位置かつ形状によって形成されていることを特徴とする。
また、典型的には、帯電可能な導電性部材には、ウェーハ製造設備で使用される搬送アーム、搬送ステージ、及びチャンバーステージが含まれる。
よって、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、静電吸着現象が起因となるウェーハの搬送不良等の発生を防止することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の構造を説明する断面図である。図1に示すSOIウェーハ1は、表面に酸化膜11が成膜された支持基板用半導体ウェーハ10と、支持基板用半導体ウェーハ10の第1主面(図1では上面)に形成された活性層22と、支持基板用半導体ウェーハ10の活性層22が形成された第1主面と対向する第2主面(図1では下面)に形成された導電性膜33とを備えている。
なお、導電性膜33側となるシリコンについては、上述した他の導電性のある材料に置き換えることが可能である。
図2は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の構造によって、従来の解決課題であった静電吸着現象の発生を防止できる原理を説明するための図である。
背景技術で述べたように、支持基板用半導体ウェーハ10に成膜されたシリコン酸化膜11の厚みが1μm未満と薄ければ、支持基板用半導体ウェーハ10に帯電したプラス電荷はシリコン酸化膜11を通過して大気中に放電される(すなわち、大気中に漂うマイナスイオンのマイナス電荷によって打ち消される)。
しかし、支持基板用半導体ウェーハ10に成膜されたシリコン酸化膜11の厚みが1μm以上になると、支持基板用半導体ウェーハ10に帯電したプラス電荷の大半は大気中に放電されることなく、支持基板用半導体ウェーハ10の内部に溜まることになる(図2(a))。
この図2(b)に示すように、支持基板用半導体ウェーハ10の内部に溜まったプラス電荷は、搬送ステージ50に近い側の最表層部に集まるため、この最表層部に集まったプラス電荷によって、従来と同様に搬送ステージ50の表面にマイナス電荷が引き寄せられる。従って、搬送ステージ50がマイナス(−)に帯電する。
よって、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、静電吸着現象が起因となるウェーハの搬送不良等の発生を防止することができる。
上述した構造による本発明のSOIウェーハ1を実現するための製造方法として、例えば以下の製造方法が考えられる。
図3〜図5は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例1〜例3をそれぞれ説明する図である。
図3は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例1を説明する図である。この製造方法例1では、次の工程A〜工程Dが実行される。
単結晶シリコンからなる3つの半導体ウェーハ10、20、及び30を用意する。
工程A:この3つの内、1つの半導体ウェーハ10に熱酸化処理を施して、ウェーハの表面全体に絶縁性のシリコン酸化膜11を成膜する。
工程B:シリコン酸化膜11を成膜した半導体ウェーハ10を残る2つの半導体ウェーハ20及び30で挟み、熱処理(例えば、約1000℃で約2時間)を施して3つの半導体ウェーハ10、20、及び30を貼り合わせる。
工程C:半導体ウェーハ20を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面(工程Bの点線)及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した活性層(SOI層)22を形成する。
工程D:半導体ウェーハ30を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面(工程Bの点線)及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した導電性膜33を形成する。
図4は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例2を説明する図である。この製造方法例2では、次の工程A〜工程Dが実行される。
単結晶シリコンからなる2つの半導体ウェーハ10及び20を用意する。
工程A:この2つの内、1つの半導体ウェーハ10に熱酸化処理を施して、ウェーハの表面全体に絶縁性のシリコン酸化膜11を成膜する。
工程B:シリコン酸化膜11を成膜した半導体ウェーハ10ともう1つの半導体ウェーハ20とを密着させ、熱処理を施して2つの半導体ウェーハ10及び20を貼り合わせる。
工程C:半導体ウェーハ20を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面(工程Bの点線)及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した活性層(SOI層)22を形成する。
工程D:半導体ウェーハ10の半導体ウェーハ20が貼り合わされていない側の表面に、CVD(chemical vapor deposition)法等を用いて、ポリシリコン等の導電性膜33を所望の厚さで形成する。
図5は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例3を説明する図である。この製造方法例3では、次の工程A〜工程Dが実行される。
単結晶シリコンからなる2つの半導体ウェーハ10及び20を用意する。
工程A:2つの半導体ウェーハ10及び20に熱酸化処理を施して、各ウェーハの表面全体に絶縁性のシリコン酸化膜11及び21をそれぞれ成膜する。
工程B:シリコン酸化膜11を成膜した半導体ウェーハ10とシリコン酸化膜21を成膜した半導体ウェーハ20とを密着させ、熱処理を施して2つの半導体ウェーハ10及び20を貼り合わせる。
工程C:半導体ウェーハ10の半導体ウェーハ20が貼り合わされていない側の表面に、CVD法等を用いて、ポリシリコン等の導電性膜33を所望の厚さで形成する。この状態における半導体ウェーハ20は、活性層22を形成する前段階の活性層用半導体層に該当する。
工程D:半導体ウェーハ20を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面(工程Cの点線)及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した活性層(SOI層)22を形成する。
この導電性膜33により、支持基板用半導体ウェーハ10の内部がプラスに帯電したSOIウェーハ1を、ウェーハ製造設備で使用される搬送ステージ50に載置させても、静電吸着現象が生じない。
従って、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、静電吸着現象が起因となるウェーハの搬送不良等の発生を防止することができる。
10、20、30、110、120 半導体ウェーハ
11、21、111 シリコン酸化膜
22、122 活性層(SOI層)
33 導電性膜
50 搬送ステージ
X、Y 境界
Claims (3)
- 表面に酸化膜が成膜された支持基板用半導体ウェーハの第1主面に、活性層用半導体層が形成されたSOIウェーハであって、
前記活性層用半導体層が形成された前記第1主面と対向する第2主面に、前記支持基板用半導体ウェーハが帯電する第1電荷と逆極性の第2電荷を帯電させるための導電性膜が形成された、SOIウェーハ。 - 前記導電性膜は、前記SOIウェーハの製造プロセスにおいて、前記第2の主面が帯電可能な導電性部材に接触することを防ぐ位置かつ形状によって形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のSOIウェーハ。
- 前記帯電可能な導電性部材には、ウェーハ製造設備で使用される搬送アーム、搬送ステージ、及びチャンバーステージが含まれる、請求項2に記載のSOIウェーハ。
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