JP5813861B2 - 半導体発光素子用の測定装置および半導体発光素子用の測定方法 - Google Patents

半導体発光素子用の測定装置および半導体発光素子用の測定方法 Download PDF

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Description

本発明は、LEDなどの半導体発光素子からの光を測定する測定装置および測定方法に関する。
特許文献1及び特許文献2には、発光中心軸からの角度に応じた光の強度である配光強度の分布(配光強度分布)を測定するために、1か所ずつ測定する技術が開示されている。
また、特許文献3には、配光強度分布を測定するために、複数個所を同時に測定する技術が開示されている。
さらに、特許文献4には、全発光量を測定する技術が開示されている。
特開平5―107107号公報 特開平8―114498号公報 特開2005―172665号公報 特開2008―76126号公報
特許文献1〜特許文献4のいずれの方法においても、各角度の波長の分布と発光量とを同時に測定することはできない。
しかし、各角度の波長(若しくは、光の強度)とその角度までの発光量を同時に測定したいというニーズがある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的の一例は、各角度の波長とその角度までの発光量を同時に測定することが可能な半導体発光素子用の測定装置および測定方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の半導体発光素子用の測定装置は、半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備え、前記測定部は、前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する。
さらに、上記課題を解決するために、本発明の半導体発光素子用の測定方法は、半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備えた半導体発光素子用の測定方法において、前記測定部は、前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する。
本発明の実施形態におけるLEDの発光状況の説明図である。 配光強度分布Eについての説明図である。 実施形態においてLEDの検査を行うための発光素子用の測定装置の受光モジュールの説明図である。 LED用の測定装置3の概要の説明図である。 本実施形態における、配光強度E(θ)の測定方法である。 導光部自体が傾いている場合の入射面の角度についての説明図である。
<実施形態>
以下、本発明の実施形態を、図1を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態におけるLED101の発光状況の説明図である。
図1の(a)に記載されているように、LED(Light Emitting Diode)101は発光面1011から光を発光する。このLED101の発光面1011の法線を発光中心軸LCAという。また、発光面1011を含む平面上の、一方向を基準軸(X軸)とした場合に、この平面上のX軸からの反時計回りの角度をφとする。
また、φを固定した場合における、発光中心軸となす角度をθと定義する。
LED101の発光面1011から放射される光の強度は、発光中心軸からの角度θ等によって異なる(図2も参照のこと)。
ところで、LED101の発光状況を測定したいというニーズが存在する。この発光状況とは、例えば、発光量、波長、光の強度の分布(=配光強度分布)の様子等である。
この発光状況を知ることによって、そのLED101が各種の使用に適切であるか否かを判断することが可能となる。
さらに、LED101の発光状況を測定する際に、できるだけ高速で測定したいとのニーズも存在する。
LED101の光の強度は、θ及びφ毎に異なる値となる。
そのような、光の強度を視覚的に表わすために、図1(b)のような図が用いられる。
この図1の(b)において、X軸とY軸との交点部分がθ=0°を表わしている。
そして、円上の各点がθ=90°の各φの位置をそれぞれ表わしている。
なお、図1の(c)は、φの値が一定の位置における断面図である。
このような、図1において、LED101からの同一の距離、かつ、発光中心軸LCAからの角度θの位置における、光の強度を配光強度E(θ)と定義する。
そして、この配光強度E(θ)を各θに応じて図示したものが配光強度分布Eである。配光強度分布Eの具体例は図2のところで説明する。
なお、以上の説明は、LED101から十分に遠い位置で測定したことによって、LED101がほぼ点として考えることができるとして記載している。
以後の説明も、特に記載のない限り、LED101がほぼ点であると仮定して記載している。なぜなら、LED101は通常、フォトディテクタ105と比較すると極めて小さいことから、このように仮定することができるからである。
図2は、配光強度分布Eについての説明図である。
図2の(a)は、図1の(c)と同じ図である。
図2の(a)のように、配光強度分布Eとは、LED101からの距離rが一定の位置において、一定のφの角度での、各θにおける光の強度のことである。
なお、LED101は通常、その製造工程の誤差等によってLED101毎に異なる配光強度分布Eを有する。
この異なるLED101は、図2の(b)のcos型のLED101及び図2の(c)のドーナツ型のLED101が存在しうる。
cos型及びドーナツ型のLED101は、あくまで例であり、この2つの特性を有するLED101を測定の対象に限定する趣旨ではない。もっとも、通常のLED101は、光のピークがcos型のLED101とθ=30°に光の強度のピークをもつドーナツ型のLED101の間の特性を持つことが多い。つまり、検査対象の通常のLED101は、θが0°〜30°の範囲に光の強度のピークがあることが多い。
図3は、実施形態においてLED101の検査を行うための発光素子用の測定装置3の受光モジュール1の説明図である。
より具体的には、図3は、LED101の所定角度までの発光量の総量とこの所定角度における光の波長(光の強度(配光強度E(θ))を同時に測定することができる装置である測定装置3の受光モジュール1の説明図である。
図3の受光モジュール1は、LED101の測定及び検査を行うためのデータを得るために用いられている。
以下、図3の受光モジュール1の構成を説明する。
図3のように、受光モジュール1は、本実施形態では、テーブル102b(試料設置台)、フォトディテクタ105、ホルダ107、信号線111、アンプ113、通信線115、プローブ針109を有している。
また、受光モジュール1は、測定部120を有している。
この測定部120は、導光部117、光ファイバ119及び分光器121を有している。
導光部117は、LED101からの光を受けて、導光部117の内部に光が入射する入射面117aを有している。
この入射面117aから入射した光は、導光部117の長手方向と平行に導光される。なお、導光部117の長手方向へ導光する方法については、図6において説明する。
光ファイバ119は、この導光部117によって導光された光を、分光器121に導光する。
分光器121は、少なくとも光の強度又は光の波長のいずれか一方の測定を行う。
なお、この全てが受光モジュール1の必須の構成ではなく、少なくとも、フォトディテクタ105、導光部117を有していれば足りる。
LED101は水平に設置されているテーブル102b上に複数個配置されている。
このテーブル102bと対向する位置に、ホルダ107が、空間を隔てて配置されている。
ホルダ107の内部には、フォトディテクタ105が配置されている。
LED101、テーブル102b及びフォトディテクタ105は互いに平行となる様に配置されている。
プローブ針109は、受光状況の測定及び電気特性測定時にはLED101の電極に接触して、電圧をLED101に印加する。
テーブル102b及びLED101が固定されている状態でプローブ針109が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。逆に、プローブ針109が固定されている状態でテーブル102b及びLED101が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。
また、プローブ針109は、電気特性計測部125と接続されている。
プローブ針109は、LED101の発光面1011とほぼ平行に、LED101の法線と直角方向に放射状に延在している。
ホルダ107は、円筒形状の側面部107bを有している。
側面部107bは円筒形状を有し、θ=0°の方向に延在した形状を有している。
遮蔽部107a及び側面部107bの中心はθ=0°の方向を有しており、LED101の発光面1011の発光中心軸と同一である。
側面部107bの内周面が形成する中空空間に、フォトディテクタ105が配置されている。
遮蔽部107aの中心部には、円柱形の中空部を形成する円形開口部107cが形成されている。この円形開口部107cがあることによって、LED101から放射された光をフォトディテクタ105が受光可能となっている。
テーブル102b上に配置されたシート102cに複数のLED101が配設されている。
なお、本実施形態では、このシート102c上に配置された複数のLED101について、所定角度までの発光量の総量、及び、この所定角度における光の波長(強度)を、高速に(同時に)かつ精度よく得ることを目的としている。
フォトディテクタ105(ホルダ107)は、LED101に対して近接する方向G、及び、離間する方向Fに移動可能に構成される。
もっとも、フォトディテクタ105が移動するのではなく、LED101(テーブル102b)が移動しても良い。
このフォトディテクタ105又はLED101を移動させて、フォトディテクタ105とLED101との間の距離を変更する手段を距離変更手段という。
導光部117の入射面117aは、測定対象のLED101から等距離になるように保持部によって保持される。
また、この保持部は、導光部117を回転可能に保持している。
具体的には、保持部は、導光部117をθ=90°側方向Aに移動可能であるし、導光部117をθ=0°側方向Bに移動可能である。
また、保持部は、導光部117を時計回り方向C方向に回転可能であるし、導光部117を反時計回り方向Dに回転可能である。
この保持部は、図示しないが、入射面117aを測定対象のLED101から等距離に、かつ、回転可能に保持できるものであればどのようなものであっても良い。
なお、図3において、導光部117は、フォトディテクタ105が受光する光の最外周ラインLとは別の位置に配置しているが、後述するように、導光部117は最外周ラインL上に配置することが適切である。
図3のように、LED101はシート102c上に複数個配置されている。このように複数個のLED101が配置されている場合には、この複数のLED101をできるだけ連続して高速に測定したいという要求がある。
本実施形態では、フォトディテクタ105の移動に加えて、導光部117も移動・回転を行うことによって、所定角度までの発光量の総量と所定角度における光の波長(光の強度(配光強度E(θ))を同時に測定できる。
そのため、連続してかつ高速にLED101の各測定を行うことが可能となる。
図4は、LED101用の測定装置3の概要の説明図である。
LED101の測定装置3は、受光モジュール1に加え、電気特性計測部125、記憶部161、出力部163及び演算部151を有している。
なお、受光モジュール1は、本実施形態では、テーブル102b(試料設置台)、フォトディテクタ105、ホルダ107、信号線111、AMP113、通信線115、光ファイバ119及び分光器121を有している。
もっとも、この全てがLED101の測定装置3の必須の構成ではなく、少なくとも、フォトディテクタ105、光ファイバ119及び分光器121を有していれば足りる。
電気特性計測部125は、HVユニット153、ESDユニット155、切替えユニット157及び位置決めユニット159を有している。
フォトディテクタ105は、LED101から放射された光を受光する。
そして、フォトディテクタ105が受光した光の全ての強度を足した量に応じて出力された電気信号(受光光量情報)をアナログ信号として、AMP113に出力する。
このフォトディテクタ105が出力する受光光量情報を用いて、配光強度分布を計算することも可能である。
AMP113は、この受光光量情報を増幅して、後述する演算部151が検出可能な電圧値に変換する。
また、光ファイバ119は、導光された光の波長及び光の強度(配光強度E(θ))を測定可能な分光器121に接続されている。
そして、分光器121は、光の波長及び配光強度E(θ)の情報を、演算部151に出力する。
プローブ針109は、LED101の表面に物理的に接触してLED101を発光させるための電圧を印加する機能を有している。
また、プローブ針109は位置決めユニット159によって位置決め固定されている。
この位置決めユニット159は、テーブル102bが移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置を一定の位置に保持する機能を有する。逆に、この位置決めユニット159は、プローブ針109が移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置をLED101が載置されるテーブル102b上の所定の位置に移動させ、その後その位置に保持する機能を有する。
HVユニット153は、定格電圧を印加して、定格電圧に対するLED101での各種特性を検出する役割を有している。
通常、このHVユニット153からの電圧の印加状態で、LED101が発光する光をフォトディテクタ105が測定を行う。
HVユニット153が検出した各種特性情報は演算部151に出力される。
ESDユニット155は、LED101に一瞬の間大きな電圧をかけて静電気放電させ静電気破壊されないか等の検査を行うユニットである。
ESDユニット155が検出した静電破壊情報は演算部151に出力される。
切替えユニット157は、HVユニット153とESDユニット155との切替えを行う。
つまり、この切替えユニット157によって、プローブ針109を介してLED101に印加される電圧が変更される。そして、この変更によって、LED101の検査項目が、定格電圧での各種特性を検出、又は、静電破壊の有無を検出にそれぞれ変更される。
演算部151は、AMP113によって出力された電圧、分光器121からの光の波長及び配光強度の情報、HVユニット153が検出した各種電気特性情報、ESDユニット155が検出した静電破壊情報、の入力を受ける。
そして、演算部151は、これらの入力からLED101の特性を分析・分別を行う。
図5は、本実施形態における、配光強度E(θ)の測定方法である。
図5の(a)のように、フォトディテクタ105とLED101との間の距離をLAとしてθ=θcとなる位置において、光の波長及び配光強度E(θc)を測定している。
そして、距離変更手段によって、フォトディテクタ105をLED101側に移動させた図が図5の(b)である。
この場合には、フォトディテクタ105とLED101との間の距離をLBとしてθ=θDなる位置において、光の波長及び配光強度E(θD)を測定している。
なお、フォトディテクタ105がどのような距離となっていても、入射面117aとLED101の距離が一定になるように保持部が導光部117を保持している。
ここで、入射面117aとLED101の距離が一定とする理由を説明する。配光強度E(θ)は、LED101からの距離が同一の点における光の強度であるから、LED101から同一の距離で測定する必要があるからである。もっとも、これを補正するのであれば、必ずしも、入射面117aとLED101の距離が一定でなくても良い。
また保持部は、導光部117がフォトディテクタ105での受光に影響の無い位置に保持する。
具体的には、図5の(a)においてはθc=θAとなるように、導光部117を移動さる。図5の(b)においては、θD=θBとなるように、導光部117を移動させる。
つまり、最外周ラインLの位置に導光部117を移動させる。
この場合には、発光量を測定しつつそのθA又はθBでの光の波長(若しくは、光の強度)を測定することも可能となる。
なお、導光部117の存在によって、フォトディテクタ105の測定結果に悪影響が無いかと疑問も生ずるが、導光部117(特に先端)は比較的細いため、フォトディテクタ105の受光には影響がほとんど生じない。
また、導光部117も保持部によって回転される。具体的な回転の角度については、図6のところで説明する。
図6は、導光部117自体が傾いている場合の入射面117aの角度についての説明図である。
図6のように、導光部117が水平に対してθ4だけ傾いている場合である。
この場合に、入射面117aに入射した光が導光部117の延在方向(導光方向)に進むためには、以下の式を満足する必要がある。
sin(90°−θ3+θ2−θ4)=nsin(θ2)
ここで、nは導光部117の空気に対する相対屈折率である。
この式を満たすように入射面117aの角度であるθ2、LED101の法線に対する入射面117aの角度であるθ3及び導光部117が水平に対して傾いている角度であるθ4を選択すれば、導光部117を導光される光は導光部117の延在方向に真っ直ぐ伝播する事ができる。
そして、導光部117に導光される光りが真っ直ぐに導光される事によって、確実に入射光を分光器121に導光することができる。
つまり、より高精度で、LED101から放射されたθ3における光の波長(強度)を測定することが可能となる。
入射面117aは、APC(Angle Physical contact)研磨を行うと好適である。
ここで、APC研磨とは、斜め凸球面状研磨面を施した研磨方法である。このAPC研磨によって、反射減衰を抑えることが可能となる。
<実施形態の構成及び効果>
LED101用の測定装置3は、LED101半導体発光素子が放射する光を受光するフォトディテクタ105と、LED101とフォトディテクタ105との距離を変更可能な距離変更手段と、LED101が放射する光のうち一方向の光の波長又は強度を測定可能な測定部120と、を有している。
測定部120は、距離変更手段によってLED101とフォトディテクタ105との距離が変化しても、フォトディテクタ105が受光する光の最外周ラインの光を受光する。
このような構成を有することから、各角度の波長とその角度までの発光量を同時に測定することが可能となる。
測定部120はLED101が放射した光が入射する入射面117aを有し、測定部120は、距離変更手段によってLED101とフォトディテクタ105との距離が変化しても、LED101と入射面117aとの距離が変化しないように形成され、入射面117aは、距離変更手段によってLED101とフォトディテクタ105との距離が変化するのに伴い回転する。
このような構成を有することから、各角度の波長をより確実に測定することが可能となる。
測定部120は、LED101を中心にして等距離上を移動可能である。
このような構成を有することから、等距離での光の強度である配光強度E(θ)を容易に得ることが可能となる。
測定部120は、入射面117aに入射した光を導光する方向に、入射光を屈折させる角度に回転する。
このような構成を有することから、測定部120は、より高精度での光の強度(配光強度E(θ))及び/又は光の波長を測定することが可能となる。
測定部120は、フォトディテクタ105が受光する光の範囲外に配置される。
このような構成を有することから、フォトディテクタ105による測定に影響を与えずに測定部120は測定することが可能となる。
LED101はウエハ状のLED101である。
このような構成を有することから、高速かつ連続して測定が可能となる。
<定義等>
本発明における距離変更手段は、フォトディテクタ105側が移動しても良いし、LED101側が移動しても良い。
また、実施形態のフォトディテクタ105は、本発明における受光部の一例である。つまり、本発明における受光部は、光の強度を測定可能なものであればどのようなものであっても良い。
また、LED101は、本発明における半導体発光素子の一例である。つまり、半導体発光素子とは、光を発光する素子であればどのようなものであっても良い。ここで、光は可視光に限定されるものではなく、例えば、赤外線、紫外線等であってよい。
本発明において発光中心軸LCAは、半導体発光素子が光を発する際に光の中心となる軸をいう。
本発明において演算部の一例が、実施形態の演算部151である。
1 受光モジュール
3 測定装置
101 LED(半導体発光素子)
102b テーブル
105 フォトディテクタ(受光部)
151 演算部

Claims (7)

  1. 半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、
    前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、
    前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備え、
    前記測定部は
    記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い
    前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、
    前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する
    半導体発光素子用の測定装置。
  2. 前記測定部は、前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い、前記半導体発光素子と前記測定部との距離が変化しない位置に移動された状態で測定する
    請求項1に記載の半導体発光素子用の測定装置。
  3. 前記測定部は、前記半導体発光素子を中心にして等距離上を移動可能である
    請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子用の測定装置。
  4. 前記測定部は、
    前記半導体発光素子が放射した光が入射する入射面を有し、
    前記入射面に入射した光を導光する方向に、入射光を屈折させる角度に回転する
    請求項に記載の半導体発光素子用の測定装置。
  5. 前記測定部は、前記受光部が受光する光の範囲外に配置される
    請求項1〜いずれか1項に記載の半導体発光素子用の測定装置。
  6. 前記半導体発光素子はウエハ状のLEDである
    請求項1〜いずれか1項に記載の半導体発光素子用の測定装置。
  7. 半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、
    前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、
    前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備えた半導体発光素子用の測定方法において、
    前記測定部は
    記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い
    前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、
    前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する
    半導体発光素子用の測定方法。
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