JP5813861B2 - 半導体発光素子用の測定装置および半導体発光素子用の測定方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献3には、配光強度分布を測定するために、複数個所を同時に測定する技術が開示されている。
さらに、特許文献4には、全発光量を測定する技術が開示されている。
しかし、各角度の波長(若しくは、光の強度)とその角度までの発光量を同時に測定したいというニーズがある。
さらに、上記課題を解決するために、本発明の半導体発光素子用の測定方法は、半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備えた半導体発光素子用の測定方法において、前記測定部は、前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い、前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する。
以下、本発明の実施形態を、図1を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態におけるLED101の発光状況の説明図である。
また、φを固定した場合における、発光中心軸となす角度をθと定義する。
LED101の発光面1011から放射される光の強度は、発光中心軸からの角度θ等によって異なる(図2も参照のこと)。
この発光状況を知ることによって、そのLED101が各種の使用に適切であるか否かを判断することが可能となる。
さらに、LED101の発光状況を測定する際に、できるだけ高速で測定したいとのニーズも存在する。
そのような、光の強度を視覚的に表わすために、図1(b)のような図が用いられる。
この図1の(b)において、X軸とY軸との交点部分がθ=0°を表わしている。
そして、円上の各点がθ=90°の各φの位置をそれぞれ表わしている。
なお、図1の(c)は、φの値が一定の位置における断面図である。
このような、図1において、LED101からの同一の距離、かつ、発光中心軸LCAからの角度θの位置における、光の強度を配光強度E(θ)と定義する。
そして、この配光強度E(θ)を各θに応じて図示したものが配光強度分布Eである。配光強度分布Eの具体例は図2のところで説明する。
以後の説明も、特に記載のない限り、LED101がほぼ点であると仮定して記載している。なぜなら、LED101は通常、フォトディテクタ105と比較すると極めて小さいことから、このように仮定することができるからである。
図2の(a)のように、配光強度分布Eとは、LED101からの距離rが一定の位置において、一定のφの角度での、各θにおける光の強度のことである。
なお、LED101は通常、その製造工程の誤差等によってLED101毎に異なる配光強度分布Eを有する。
この異なるLED101は、図2の(b)のcos型のLED101及び図2の(c)のドーナツ型のLED101が存在しうる。
cos型及びドーナツ型のLED101は、あくまで例であり、この2つの特性を有するLED101を測定の対象に限定する趣旨ではない。もっとも、通常のLED101は、光のピークがcos型のLED101とθ=30°に光の強度のピークをもつドーナツ型のLED101の間の特性を持つことが多い。つまり、検査対象の通常のLED101は、θが0°〜30°の範囲に光の強度のピークがあることが多い。
より具体的には、図3は、LED101の所定角度までの発光量の総量とこの所定角度における光の波長(光の強度(配光強度E(θ))を同時に測定することができる装置である測定装置3の受光モジュール1の説明図である。
以下、図3の受光モジュール1の構成を説明する。
図3のように、受光モジュール1は、本実施形態では、テーブル102b(試料設置台)、フォトディテクタ105、ホルダ107、信号線111、アンプ113、通信線115、プローブ針109を有している。
この測定部120は、導光部117、光ファイバ119及び分光器121を有している。
導光部117は、LED101からの光を受けて、導光部117の内部に光が入射する入射面117aを有している。
この入射面117aから入射した光は、導光部117の長手方向と平行に導光される。なお、導光部117の長手方向へ導光する方法については、図6において説明する。
光ファイバ119は、この導光部117によって導光された光を、分光器121に導光する。
分光器121は、少なくとも光の強度又は光の波長のいずれか一方の測定を行う。
なお、この全てが受光モジュール1の必須の構成ではなく、少なくとも、フォトディテクタ105、導光部117を有していれば足りる。
このテーブル102bと対向する位置に、ホルダ107が、空間を隔てて配置されている。
ホルダ107の内部には、フォトディテクタ105が配置されている。
LED101、テーブル102b及びフォトディテクタ105は互いに平行となる様に配置されている。
プローブ針109は、受光状況の測定及び電気特性測定時にはLED101の電極に接触して、電圧をLED101に印加する。
テーブル102b及びLED101が固定されている状態でプローブ針109が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。逆に、プローブ針109が固定されている状態でテーブル102b及びLED101が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。
また、プローブ針109は、電気特性計測部125と接続されている。
プローブ針109は、LED101の発光面1011とほぼ平行に、LED101の法線と直角方向に放射状に延在している。
側面部107bは円筒形状を有し、θ=0°の方向に延在した形状を有している。
遮蔽部107a及び側面部107bの中心はθ=0°の方向を有しており、LED101の発光面1011の発光中心軸と同一である。
側面部107bの内周面が形成する中空空間に、フォトディテクタ105が配置されている。
遮蔽部107aの中心部には、円柱形の中空部を形成する円形開口部107cが形成されている。この円形開口部107cがあることによって、LED101から放射された光をフォトディテクタ105が受光可能となっている。
テーブル102b上に配置されたシート102cに複数のLED101が配設されている。
なお、本実施形態では、このシート102c上に配置された複数のLED101について、所定角度までの発光量の総量、及び、この所定角度における光の波長(強度)を、高速に(同時に)かつ精度よく得ることを目的としている。
もっとも、フォトディテクタ105が移動するのではなく、LED101(テーブル102b)が移動しても良い。
このフォトディテクタ105又はLED101を移動させて、フォトディテクタ105とLED101との間の距離を変更する手段を距離変更手段という。
また、この保持部は、導光部117を回転可能に保持している。
具体的には、保持部は、導光部117をθ=90°側方向Aに移動可能であるし、導光部117をθ=0°側方向Bに移動可能である。
また、保持部は、導光部117を時計回り方向C方向に回転可能であるし、導光部117を反時計回り方向Dに回転可能である。
この保持部は、図示しないが、入射面117aを測定対象のLED101から等距離に、かつ、回転可能に保持できるものであればどのようなものであっても良い。
なお、図3において、導光部117は、フォトディテクタ105が受光する光の最外周ラインLとは別の位置に配置しているが、後述するように、導光部117は最外周ラインL上に配置することが適切である。
本実施形態では、フォトディテクタ105の移動に加えて、導光部117も移動・回転を行うことによって、所定角度までの発光量の総量と所定角度における光の波長(光の強度(配光強度E(θ))を同時に測定できる。
そのため、連続してかつ高速にLED101の各測定を行うことが可能となる。
なお、受光モジュール1は、本実施形態では、テーブル102b(試料設置台)、フォトディテクタ105、ホルダ107、信号線111、AMP113、通信線115、光ファイバ119及び分光器121を有している。
もっとも、この全てがLED101の測定装置3の必須の構成ではなく、少なくとも、フォトディテクタ105、光ファイバ119及び分光器121を有していれば足りる。
電気特性計測部125は、HVユニット153、ESDユニット155、切替えユニット157及び位置決めユニット159を有している。
そして、フォトディテクタ105が受光した光の全ての強度を足した量に応じて出力された電気信号(受光光量情報)をアナログ信号として、AMP113に出力する。
このフォトディテクタ105が出力する受光光量情報を用いて、配光強度分布を計算することも可能である。
AMP113は、この受光光量情報を増幅して、後述する演算部151が検出可能な電圧値に変換する。
そして、分光器121は、光の波長及び配光強度E(θ)の情報を、演算部151に出力する。
また、プローブ針109は位置決めユニット159によって位置決め固定されている。
この位置決めユニット159は、テーブル102bが移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置を一定の位置に保持する機能を有する。逆に、この位置決めユニット159は、プローブ針109が移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置をLED101が載置されるテーブル102b上の所定の位置に移動させ、その後その位置に保持する機能を有する。
通常、このHVユニット153からの電圧の印加状態で、LED101が発光する光をフォトディテクタ105が測定を行う。
HVユニット153が検出した各種特性情報は演算部151に出力される。
ESDユニット155が検出した静電破壊情報は演算部151に出力される。
つまり、この切替えユニット157によって、プローブ針109を介してLED101に印加される電圧が変更される。そして、この変更によって、LED101の検査項目が、定格電圧での各種特性を検出、又は、静電破壊の有無を検出にそれぞれ変更される。
そして、演算部151は、これらの入力からLED101の特性を分析・分別を行う。
そして、距離変更手段によって、フォトディテクタ105をLED101側に移動させた図が図5の(b)である。
この場合には、フォトディテクタ105とLED101との間の距離をLBとしてθ=θDなる位置において、光の波長及び配光強度E(θD)を測定している。
なお、フォトディテクタ105がどのような距離となっていても、入射面117aとLED101の距離が一定になるように保持部が導光部117を保持している。
ここで、入射面117aとLED101の距離が一定とする理由を説明する。配光強度E(θ)は、LED101からの距離が同一の点における光の強度であるから、LED101から同一の距離で測定する必要があるからである。もっとも、これを補正するのであれば、必ずしも、入射面117aとLED101の距離が一定でなくても良い。
具体的には、図5の(a)においてはθc=θAとなるように、導光部117を移動さる。図5の(b)においては、θD=θBとなるように、導光部117を移動させる。
つまり、最外周ラインLの位置に導光部117を移動させる。
この場合には、発光量を測定しつつそのθA又はθBでの光の波長(若しくは、光の強度)を測定することも可能となる。
なお、導光部117の存在によって、フォトディテクタ105の測定結果に悪影響が無いかと疑問も生ずるが、導光部117(特に先端)は比較的細いため、フォトディテクタ105の受光には影響がほとんど生じない。
この場合に、入射面117aに入射した光が導光部117の延在方向(導光方向)に進むためには、以下の式を満足する必要がある。
sin(90°−θ3+θ2−θ4)=nsin(θ2)
ここで、nは導光部117の空気に対する相対屈折率である。
この式を満たすように入射面117aの角度であるθ2、LED101の法線に対する入射面117aの角度であるθ3及び導光部117が水平に対して傾いている角度であるθ4を選択すれば、導光部117を導光される光は導光部117の延在方向に真っ直ぐ伝播する事ができる。
そして、導光部117に導光される光りが真っ直ぐに導光される事によって、確実に入射光を分光器121に導光することができる。
つまり、より高精度で、LED101から放射されたθ3における光の波長(強度)を測定することが可能となる。
ここで、APC研磨とは、斜め凸球面状研磨面を施した研磨方法である。このAPC研磨によって、反射減衰を抑えることが可能となる。
LED101用の測定装置3は、LED101半導体発光素子が放射する光を受光するフォトディテクタ105と、LED101とフォトディテクタ105との距離を変更可能な距離変更手段と、LED101が放射する光のうち一方向の光の波長又は強度を測定可能な測定部120と、を有している。
測定部120は、距離変更手段によってLED101とフォトディテクタ105との距離が変化しても、フォトディテクタ105が受光する光の最外周ラインの光を受光する。
このような構成を有することから、各角度の波長とその角度までの発光量を同時に測定することが可能となる。
このような構成を有することから、各角度の波長をより確実に測定することが可能となる。
このような構成を有することから、等距離での光の強度である配光強度E(θ)を容易に得ることが可能となる。
このような構成を有することから、測定部120は、より高精度での光の強度(配光強度E(θ))及び/又は光の波長を測定することが可能となる。
このような構成を有することから、フォトディテクタ105による測定に影響を与えずに測定部120は測定することが可能となる。
このような構成を有することから、高速かつ連続して測定が可能となる。
本発明における距離変更手段は、フォトディテクタ105側が移動しても良いし、LED101側が移動しても良い。
また、実施形態のフォトディテクタ105は、本発明における受光部の一例である。つまり、本発明における受光部は、光の強度を測定可能なものであればどのようなものであっても良い。
また、LED101は、本発明における半導体発光素子の一例である。つまり、半導体発光素子とは、光を発光する素子であればどのようなものであっても良い。ここで、光は可視光に限定されるものではなく、例えば、赤外線、紫外線等であってよい。
本発明において発光中心軸LCAは、半導体発光素子が光を発する際に光の中心となる軸をいう。
本発明において演算部の一例が、実施形態の演算部151である。
3 測定装置
101 LED(半導体発光素子)
102b テーブル
105 フォトディテクタ(受光部)
151 演算部
Claims (7)
- 半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、
前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、
前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備え、
前記測定部は、
前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い、
前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、
前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する
半導体発光素子用の測定装置。 - 前記測定部は、前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い、前記半導体発光素子と前記測定部との距離が変化しない位置に移動された状態で測定する
請求項1に記載の半導体発光素子用の測定装置。 - 前記測定部は、前記半導体発光素子を中心にして等距離上を移動可能である
請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子用の測定装置。 - 前記測定部は、
前記半導体発光素子が放射した光が入射する入射面を有し、
前記入射面に入射した光を導光する方向に、入射光を屈折させる角度に回転する
請求項3に記載の半導体発光素子用の測定装置。 - 前記測定部は、前記受光部が受光する光の範囲外に配置される
請求項1〜4いずれか1項に記載の半導体発光素子用の測定装置。 - 前記半導体発光素子はウエハ状のLEDである
請求項1〜5いずれか1項に記載の半導体発光素子用の測定装置。 - 半導体発光素子が放射する光を受光する受光面を有する受光部と、
前記半導体発光素子と前記受光部との距離を変更可能な距離変更手段と、
前記半導体発光素子が放射する光のうち一方向の波長又は強度を測定可能な測定部と、を備えた半導体発光素子用の測定方法において、
前記測定部は、
前記距離変更手段によって前記距離が変更されることに伴い、
前記半導体発光素子の発光中心を通る発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記受光面の外周端を結ぶラインとにより形成される角度と、
前記発光中心軸と、前記半導体発光素子および前記測定部を結ぶラインとにより形成される角度とが、同程度となる位置に移動された状態で測定する
半導体発光素子用の測定方法。
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