JP5813413B2 - シュリンク前形状推定方法およびcd−sem装置 - Google Patents
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Description
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、電子線照射によりシュリンクする物質で形成されたパターンの形状や寸法をCD−SEMで測定する際の前記パターンのシュリンク前形状推定方法において、前記物質で形成されたパターンの電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群と、様々な電子線照射条件で得られるCD−SEM画像データ群と、これらのデータを用いて作成されるシュリンクモデル及びCD−SEM画像特徴量と断面形状との相関モデルとを含むシュリンクデータベースを準備するステップと、前記物質で形成された被測定パターンのCD−SEM画像を取得するステップと、前記CD−SEM画像と前記シュリンクデータベースのデータとを用いて前記被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力することを特徴とするシュリンク前形状推定方法とする。
以上の実施例により、CD−SEMで観察した箇所と同一箇所の断面形状を観察することが可能となり、シュリンクデータベースを形成することが可能となる。
Claims (11)
- 電子線照射によりシュリンクする物質で形成されたパターンの形状や寸法をCD−SEMで測定する際の前記パターンのシュリンク前形状推定方法において、
前記物質で形成されたパターンの電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群と、様々な電子線照射条件で得られるCD−SEM画像データ群と、前記電子線照射前断面形状データと前記様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群とを用いて作成されるシュリンクモデル及び前記様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群と前記様々な電子線照射条件で得られるCD−SEM画像データ群とを用いて作成される、CD−SEM画像特徴量と断面形状との相関モデルとを含むシュリンクデータベースを準備するステップと、
前記物質で形成された被測定パターンのCD−SEM画像を取得するステップと、
前記CD−SEM画像と前記シュリンクデータベースのデータとを用いて前記被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力することを特徴とするシュリンク前形状推定方法。 - 請求項1に記載のシュリンク前形状推定方法において、
前記シュリンクデータベースは、様々な形状、様々な物質のパターンのデータを含むことを特徴とする、シュリンク前形状推定方法。 - 請求項2に記載のシュリンク前形状推定方法において、
前記シュリンクデータベースを構成する前記電子線照射前断面形状データと前記様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群は、前記パターンを収束イオンビーム加工法で断面試料に加工し、透過電子顕微鏡で観察することにより取得されることを特徴とするシュリンク前形状推定方法。 - 請求項3に記載のシュリンク前形状推定方法において、
前記パターンは、前記収束イオンビーム加工法で加工される前に、前記パターンの表面に、前記パターンを構成する物質よりも原子番号の大きい物質の境界膜と、更にその上に保護膜とを成膜することを特徴とするシュリンク前形状推定方法。 - 請求項3に記載のシュリンク前形状推定方法において、
前記断面試料は、電子線照射領域と電子線未照射領域とを含むことを特徴とするシュリンク前形状推定方法。 - 電子線源と、被測定試料を載置する試料台と、前記電子線源から放出された電子を前記試料台に載置される試料に照射する電子光学系と、前記試料から放出される二次電子に基づいて画像処理を行なう制御処理部とを備えたCD−SEM装置であって、
更に、電子線照射によりシュリンクする物質で形成されたパターンがシュリンクする前の形状を推定するために、前記物質で形成されたパターンの電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群と、様々な電子線照射条件で得られるCD−SEM画像データ群と、前記電子線照射前断面形状データと前記様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群とを用いて作成されるシュリンクモデル及び前記様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群と前記様々な電子線照射条件で得られるCD−SEM画像データ群とを用いて作成される、CD−SEM画像特徴量と断面形状との相関モデルとを含むシュリンクデータベースを有することを特徴とするCD−SEM装置。 - 請求項6に記載のCD−SEM装置において、
前記シュリンクデータベースは、様々な形状、様々な物質のパターンのデータを含むことを特徴とするCD−SEM装置。 - 請求項7に記載のCD−SEM装置において、
前記シュリンクデータベースを構成する前記電子線照射前断面形状データと前記様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群は、前記パターンを収束イオンビーム加工法で断面試料に加工し、透過電子顕微鏡で観察することにより取得されるものであることを特徴とするCD−SEM装置。 - 請求項8に記載のCD−SEMにおいて、
前記パターンは、前記収束イオンビーム加工法で加工される前に、前記パターンの表面に、前記パターンを構成する物質よりも原子番号の大きい物質の境界膜と、更にその上に保護膜とが成膜されたものであることを特徴とするCD−SEM装置。 - 請求項9に記載のCD−SEM装置において、
前記シュリンクデータベースは、前記制御処理部に含まれることを特徴とするCD−SEM装置。 - 請求項9に記載のCD−SEM装置において、
前記制御処理部に接続され、電子線照射によりシュリンクする物質で前記被測定試料上に形成された被測定パターンのシュリンク前後での断面形状を表示する表示部を更に有することを特徴とするCD−SEM装置。
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