JP5808182B2 - Nozzle cleaner for laser processing equipment - Google Patents

Nozzle cleaner for laser processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP5808182B2
JP5808182B2 JP2011157626A JP2011157626A JP5808182B2 JP 5808182 B2 JP5808182 B2 JP 5808182B2 JP 2011157626 A JP2011157626 A JP 2011157626A JP 2011157626 A JP2011157626 A JP 2011157626A JP 5808182 B2 JP5808182 B2 JP 5808182B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
nozzle cleaner
dust
laser processing
cleaner body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011157626A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013022601A (en
Inventor
福岡 武臣
武臣 福岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2011157626A priority Critical patent/JP5808182B2/en
Publication of JP2013022601A publication Critical patent/JP2013022601A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5808182B2 publication Critical patent/JP5808182B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

本発明は、ウェーハ等の被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工によりレーザー加工溝を形成するレーザー加工装置に関し、より詳しくは、アブレーション加工により生じた粉塵を除去するために用いるノズルクリーナに関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus for forming a laser processing groove by ablation processing by irradiating a surface of a workpiece such as a wafer, and more specifically, a nozzle used for removing dust generated by ablation processing. Regarding cleaners.

半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウェーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された各領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウェーハをストリートに沿って切断することにより半導体ウェーハを分割して個々の半導体チップを製造している。   In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and ICs, LSIs, etc. are divided into the partitioned regions. Form the device. Each semiconductor chip is manufactured by dividing the semiconductor wafer by cutting the semiconductor wafer along the streets.

また、サファイア基板の表面に発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハもストリートに沿って切断することにより個々の光デバイスに分割され、分割された光デバイスは、携帯電話、PC、LEDライト等の電気機器に広く利用されている。   In addition, an optical device wafer in which an optical device such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD) is formed on the surface of a sapphire substrate is also divided into individual optical devices by cutting along the street, and the divided light Devices are widely used in electric devices such as mobile phones, PCs, and LED lights.

半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等のウェーハをストリートに沿って分割する方法として、ウェーハに形成されたストリートに沿ってウェーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射することにより、アブレーション加工によりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って光デバイスウェーハを破断する方法が提案されている。   As a method of dividing a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer along a street, ablation processing is performed by irradiating the wafer with a pulsed laser beam having an absorptive wavelength along the street formed on the wafer. There has been proposed a method of forming a laser processing groove and breaking the optical device wafer along the laser processing groove.

しかし、このレーザー加工工程において、半導体ウェーハや光デバイスウェーハにレーザービームを照射すると、シリコンやサファイアが溶融して溶融屑、即ちデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生し、この粉塵が飛散してウェーハの矩形領域に形成されたデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。更に、この飛散した粉塵がレーザービームを照射する集光器に組み込まれた集光用対物レンズに付着して、レーザービームの照射を妨げるという問題がある。   However, in this laser processing process, when a semiconductor wafer or optical device wafer is irradiated with a laser beam, silicon or sapphire melts and generates fine dust called debris, that is, debris, which is scattered and scattered on the wafer. There is a problem that the quality of the device is deteriorated by adhering to the surface of the device formed in the rectangular region. Furthermore, there is a problem in that the scattered dust adheres to a condenser objective lens incorporated in a condenser that irradiates a laser beam, thereby hindering the irradiation of the laser beam.

その対策として、例えば集光用対物レンズの光軸に沿ってエアを噴出する噴出口を備え、噴出口の周りから粉塵を吸引して粉塵がデバイスの表面に堆積するのを防止する粉塵排出手段を備えたレーザー加工装置が提案されている(特開2007−69249号公報参照)。   As a countermeasure, for example, a dust discharge means that includes a jet outlet that jets air along the optical axis of the condenser objective lens and sucks dust from around the jet outlet to prevent dust from accumulating on the surface of the device. Has been proposed (see JP 2007-69249 A).

特開2007−69249号公報JP 2007-69249 A

しかしながら、特許文献1に開示されたレーザー加工装置で実際にレーザー加工を実施すると、発生する粉塵を吸引する粉塵排出手段の下面に粉塵が付着することが確認された。このため、定期的に粉塵排出手段を装置から取り外し、清掃をしなければならないという問題が生じた。   However, when laser processing is actually performed with the laser processing apparatus disclosed in Patent Document 1, it has been confirmed that dust adheres to the lower surface of the dust discharging means for sucking the generated dust. For this reason, there arises a problem that the dust discharging means must be periodically removed from the apparatus and cleaned.

粉塵排出手段は多くの螺子等で固定されているため、取り外すことは容易ではなく、仮に取り外して清掃をすることになると、当然ながらまとまったメンテナンス時間を確保することが必要となり、レーザー加工装置の稼働時間が減ってしまうという弊害が生じる。   Since the dust discharging means is fixed with many screws, it is not easy to remove it. If it is to be removed and cleaned, it is of course necessary to secure a uniform maintenance time. There is a negative effect that the operating time is reduced.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、粉塵排出手段を取り外すことなく、ノズルに付着した粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができるレーザー加工装置用のノズルクリーナを提供することである。   The present invention has been made in view of such points, and the object of the present invention is to easily carry out a cleaning operation for removing dust adhering to the nozzle without removing the dust discharging means. A nozzle cleaner for a laser processing apparatus is provided.

請求項1に記載の発明によると、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された該被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工により溝を形成する集光器を有するレーザービーム照射手段と、該集光器と該被加工物の間の空間に配設され該レーザービームを該被加工物に照射することによってレーザー加工点付近に生成される粉塵を吸引して排出するノズルを有する粉塵排出手段と、を備えたレーザー加工装置について用いられる、レーザー加工装置用のノズルクリーナであって、該ノズルクリーナは、ノズルクリーナ本体と、該ノズルクリーナ本体を支持する支持部材からなり、前記支持部材は、環状フレームと、該環状フレームの開口を塞ぐ粘着テープとを有し、該粘着テープの表面に前記ノズルクリーナ本体が貼着されるとともに、該ノズルクリーナ本体が該粘着テープを介して該環状フレームに固定され、該保持手段上に保持された該ノズルクリーナの上面に該ノズルを下降させて該ノズルの下面を該ノズルクリーナに当接させた後に、該保持手段を該ノズルに対して相対移動させることで、該粉塵を除去する、ことを特徴とするレーザー加工装置用のノズルクリーナが提供される。 According to the first aspect of the present invention, the holding means for holding the workpiece, and the collector for forming a groove by ablation by irradiating the surface of the workpiece held by the holding means with a laser beam. A laser beam irradiating means, and disposed in a space between the condenser and the workpiece to irradiate the workpiece with the laser beam to suck dust generated near the laser processing point. A nozzle cleaner for a laser processing apparatus, which is used for a laser processing apparatus having a dust discharging means having a nozzle for discharging the nozzle, the nozzle cleaner including a nozzle cleaner body and a support for supporting the nozzle cleaner body made member, the support member, and a pressure-sensitive adhesive tape for closing an annular frame, the aperture of the annular frame, the nozzle cleaner on the surface of the adhesive tape With the body is attached, the nozzle cleaner body is fixed to the annular frame through the pressure-sensitive adhesive tape, the lower surface of the nozzle is lowered and the nozzle on the upper surface of the nozzle cleaner, which is held on the holding means After the nozzle is brought into contact with the nozzle cleaner, the dust is removed by moving the holding means relative to the nozzle to provide a nozzle cleaner for a laser processing apparatus.

請求項に記載の発明によると、保持手段は吸引力を発揮する吸着部を有し、ノズルクリーナ本体は通気性を有し、支持部材は吸着部からの吸引力をノズルクリーナ本体に作用させることで、ノズルクリーナ本体に吸引力を発生させるための通気孔を有し、ノズルから除去した粉塵を飛散させることなくノズルクリーナ本体に吸着させる、ことを特徴とするレーザー加工装置用のノズルクリーナが提供される。 According to the second aspect of the present invention, the holding means has the suction portion that exhibits suction force, the nozzle cleaner body has air permeability, and the support member causes suction force from the suction portion to act on the nozzle cleaner body. A nozzle cleaner for a laser processing apparatus, characterized in that the nozzle cleaner body has a ventilation hole for generating suction force, and the dust removed from the nozzle is adsorbed to the nozzle cleaner body without scattering. Provided.

本発明によると、粉塵排出手段を取り外すことなく、ノズルに付着した粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができる。また、レーザー加工を行う通常のウェーハと同様に、自動的にクリーニング作業を行うことが可能であり、クリーニング作業が終わった後には、ウェーハカセットにセットされる通常のウェーハについてのレーザー加工が実施可能である。このため、レーザー加工装置の稼動を中断させることなくクリーニング作業が実施可能となる。   According to the present invention, it is possible to easily perform a cleaning operation for removing dust attached to the nozzle without removing the dust discharging means. In addition, it is possible to automatically perform cleaning work as with normal wafers that perform laser processing. After the cleaning work is completed, laser processing can be performed on normal wafers that are set in a wafer cassette. It is. For this reason, the cleaning operation can be performed without interrupting the operation of the laser processing apparatus.

レーザー加工装置の外観について示す斜視図である。It is a perspective view shown about the external appearance of a laser processing apparatus. フレームと一体化されたウェーハを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the wafer integrated with the flame | frame. レーザービーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. レーザー加工ヘッドの斜視図である。It is a perspective view of a laser processing head. 粉塵排出ユニットの横断面図である。It is a cross-sectional view of a dust discharge unit. 図5のA方向から見た粉塵排出ユニットの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the dust discharge unit seen from the A direction of FIG. 図5のB方向から見た粉塵排出ユニットの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the dust discharge unit seen from the B direction of FIG. 粉塵が付着した状態について説明するノズルの下面図である。It is a bottom view of a nozzle explaining the state where dust adhered. ノズルクリーナを示す斜視図である。It is a perspective view which shows a nozzle cleaner. ノズルクリーナをチャックテーブルにセットした状態について説明する一部断面側面図である。It is a partial cross section side view explaining the state which set the nozzle cleaner to the chuck table. チャックテーブルを往復移動させる際の状況について説明する一部断面側面図である。It is a partial cross section side view explaining the situation at the time of reciprocating a chuck table. 粉塵を除去した後の状況について説明する一部断面側面図である。It is a partial cross section side view explaining the condition after removing dust.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態の粉塵排出ユニット64を具備したレーザー加工装置2の斜視図が示されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a laser processing apparatus 2 including a dust discharge unit 64 according to an embodiment of the present invention is shown.

レーザー加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作ユニット4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるCRT等の表示モニタ6が設けられている。   On the front side of the laser processing apparatus 2, an operation unit 4 is provided for an operator to input instructions to the apparatus such as processing conditions. In the upper part of the apparatus, a display monitor 6 such as a CRT on which a guidance screen for an operator and an image captured by an imaging unit described later are displayed is provided.

図2に示すように、加工対象の半導体ウェーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交されて形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。   As shown in FIG. 2, on the surface of the semiconductor wafer W to be processed, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 are formed. A number of devices D are formed in a region partitioned by.

ウェーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウェーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウェーハカセット8中にウェーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウェーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。   The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the annular frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 wafers) are accommodated in the wafer cassette 8 shown in FIG. The wafer cassette 8 is placed on a cassette elevator 9 that can move up and down.

ウェーハカセット8の後方には、ウェーハカセット8からレーザー加工前のウェーハWを搬出するとともに、加工後のウェーハをウェーハカセット8に搬入する搬出入機構10が配設されている。   Behind the wafer cassette 8 is disposed a loading / unloading mechanism 10 for unloading the wafer W before laser processing from the wafer cassette 8 and loading the processed wafer into the wafer cassette 8.

ウェーハカセット8と搬出入機構10との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウェーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。   Between the wafer cassette 8 and the carry-in / out mechanism 10, a temporary placement area 12, which is an area on which a wafer to be carried in / out, is temporarily placed, is provided. Positioning means 14 for positioning to the position of is arranged.

30は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置30は加工後のウェーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、ウェーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。   Reference numeral 30 denotes a protective film coating apparatus. The protective film coating apparatus 30 also serves as a cleaning apparatus for cleaning the processed wafer. In the vicinity of the temporary placement region 12, a transfer means 16 having a turning arm that sucks and transfers the frame F integrated with the wafer W is disposed.

仮置き領域12に搬出されたウェーハWは、搬送手段16により吸着されて保護膜被覆装置30に搬送される。保護膜被覆装置30では、ウェーハWの加工面に保護膜が被覆される。   The wafer W carried out to the temporary placement region 12 is adsorbed by the transfer means 16 and transferred to the protective film coating apparatus 30. In the protective film coating apparatus 30, the processed surface of the wafer W is coated with a protective film.

加工面に保護膜が被覆されたウェーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引されるとともに、複数のクランプ19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。   The wafer W whose processing surface is coated with a protective film is attracted by the transport means 16 and transported onto the chuck table 18 and is sucked by the chuck table 18, and the frame F is fixed by a plurality of clamps 19. It is held on the chuck table 18.

チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウェーハWのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント機構20が配設されている。   The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocable in the X-axis direction, and an alignment mechanism 20 that detects a street of the wafer W to be laser-processed above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction. Is arranged.

アライメント機構20は、ウェーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示モニタ6に表示される。   The alignment mechanism 20 includes an imaging unit 22 that images the surface of the wafer W, and can detect a street to be laser processed by image processing such as pattern matching based on an image acquired by imaging. The image acquired by the imaging means 22 is displayed on the display monitor 6.

アライメント機構20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウェーハWに対してレーザービームを照射するレーザービーム発生ユニット34とレーザー加工ヘッド36が配設されている。レーザービーム発生ユニット34はケーシング35に収容され、図3に示すように、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器66と、繰り返し周波数設定手段68と、パルス幅調整手段70と、パワー調整手段72とを含んでいる。   On the left side of the alignment mechanism 20, a laser beam generating unit 34 and a laser processing head 36 for irradiating the wafer W held on the chuck table 18 with a laser beam are disposed. The laser beam generating unit 34 is housed in a casing 35. As shown in FIG. 3, a laser oscillator 66 that oscillates a YAG laser or a YVO4 laser, a repetition frequency setting means 68, a pulse width adjusting means 70, and a power adjusting means 72. Including.

レーザービーム発生ユニット34のパワー調整手段72により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられたレーザー加工ヘッド36によりチャックテーブル18に保持されている半導体ウェーハWに照射される。レーザー加工ヘッド36は、ミラー74及び集光用対物レンズ76を有する集光器62と、集光器62に連結された粉塵排出ユニット64とから構成される。   The pulsed laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 72 of the laser beam generating unit 34 is applied to the semiconductor wafer W held on the chuck table 18 by the laser processing head 36 attached to the tip of the casing 35. . The laser processing head 36 includes a condenser 62 having a mirror 74 and a condenser objective lens 76, and a dust discharge unit 64 connected to the condenser 62.

レーザービーム発生ユニット34とレーザー加工ヘッド36が取り付けられるケーシング35は、図示せぬパルスモーター等を備える上下動機構によって、上下方向(Z軸方向)に移動可能に構成されおり、これにより、レーザー加工ヘッド36を任意の高さ位置(Z軸方向の位置)となるように上昇、或いは、下降させることが可能となっている。   The casing 35 to which the laser beam generating unit 34 and the laser processing head 36 are attached is configured to be movable in the vertical direction (Z-axis direction) by a vertical movement mechanism including a pulse motor (not shown). The head 36 can be raised or lowered to an arbitrary height position (position in the Z-axis direction).

レーザービームの照射によりレーザー加工が終了したウェーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により把持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置30まで搬送される。保護膜被覆装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウェーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウェーハを洗浄する。   The wafer W that has been subjected to laser processing by the irradiation of the laser beam is moved by moving the chuck table 18 in the X-axis direction and then is gripped by the transfer means 32 that can be moved in the Y-axis direction. Up to 30. In the protective film coating apparatus 30, the wafer is cleaned by rotating the wafer W at a low speed (for example, 300 rpm) while spraying water from the cleaning nozzle.

洗浄後、ウェーハWを高速回転(例えば3000rpm)させながらエアーノズルからエアーを噴出させてウェーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウェーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入機構10によりウェーハカセット8の元の収納場所にウェーハWは戻される。   After cleaning, the wafer W is dried at a high speed (for example, 3000 rpm) by blowing air from the air nozzle and drying the wafer W. Then, the wafer W is adsorbed by the transfer means 16 and returned to the temporary placement area 12, and then loaded and unloaded. The mechanism 10 returns the wafer W to the original storage location of the wafer cassette 8.

次に、図4乃至図6を参照して、本発明の粉塵排出手段の実施形態に係る粉塵排出ユニット64について詳細に説明する。図4を参照すると、ケーシング35の先端に取り付けられたレーザー加工ヘッド36の斜視図が示されている。   Next, with reference to FIG. 4 thru | or FIG. 6, the dust discharge unit 64 which concerns on embodiment of the dust discharge means of this invention is demonstrated in detail. Referring to FIG. 4, a perspective view of a laser processing head 36 attached to the tip of the casing 35 is shown.

レーザー加工ヘッド36は、図3に示されるようにミラー74及び集光用対物レンズ76を有する集光器62と、集光器62に連結部82を介して連結された粉塵排出ユニット64とから構成される。   As shown in FIG. 3, the laser processing head 36 includes a condenser 62 having a mirror 74 and a condenser objective lens 76, and a dust discharge unit 64 connected to the condenser 62 via a connecting portion 82. Composed.

粉塵排出ユニット64は、図5及び図6に最もよく示されるように、上壁78bと、底壁78cと、上壁78bと底壁78cとを連結する円形側壁78aとから構成され、内部に集塵室80を画成するノズル78を含んでいる。   As best shown in FIGS. 5 and 6, the dust discharge unit 64 is composed of an upper wall 78b, a bottom wall 78c, and a circular side wall 78a connecting the upper wall 78b and the bottom wall 78c. A nozzle 78 that defines the dust collection chamber 80 is included.

ノズル78の上壁78bにはレーザービームの通過を許容する第1の開口81が形成されており、ノズル78の底壁78cにはレーザービームの通過を許容する第2の開口83が形成されている。   A first opening 81 allowing passage of the laser beam is formed in the upper wall 78b of the nozzle 78, and a second opening 83 allowing passage of the laser beam is formed in the bottom wall 78c of the nozzle 78. Yes.

図6に最もよく示されるように、ノズル78の円形側壁78aには吸引排出口85が形成されており、この吸引排出口85を画成する円形側壁78aにはパイプ84が一体的に連結され、このパイプ84には吸引手段に接続されたホース86が連結されている。図6で矢印X1はチャックテーブル18が加工送りされる加工送り方向を示している。   As best shown in FIG. 6, a suction discharge port 85 is formed in the circular side wall 78 a of the nozzle 78, and a pipe 84 is integrally connected to the circular side wall 78 a that defines the suction discharge port 85. The pipe 84 is connected to a hose 86 connected to suction means. In FIG. 6, an arrow X1 indicates a machining feed direction in which the chuck table 18 is fed.

本実施形態においては、図5に最もよく示されるように、ノズル78内には、ノズル78の上壁78b及び底壁78cに接し、屈曲点88aが吸引排出口85に対向するようにV形状隔壁88が挿入されている。このV形状隔壁88により、ノズル78の底壁78cに形成された第2の開口83は、V形状隔壁88の両側に配置された第1及び第2吸引口83a,83bと、第1及び第2吸引口83a,83bとの間の中央開口83cとに分離される。   In this embodiment, as best shown in FIG. 5, a V shape is formed in the nozzle 78 so as to contact the upper wall 78 b and the bottom wall 78 c of the nozzle 78 and the bending point 88 a faces the suction / discharge port 85. A partition wall 88 is inserted. Due to the V-shaped partition wall 88, the second opening 83 formed in the bottom wall 78 c of the nozzle 78 is connected to the first and second suction ports 83 a and 83 b disposed on both sides of the V-shaped partition wall 88. 2 is separated into a central opening 83c between the suction ports 83a and 83b.

第1吸引口83aは第1流路94aを介して吸引排出口85に連通され、第2吸引口83bは第2流路94bを介して吸引排出口85に連通される。一方、中央開口83cはV形状隔壁88により吸引排出口85から隔離されている。   The first suction port 83a communicates with the suction / discharge port 85 through the first flow path 94a, and the second suction port 83b communicates with the suction / discharge port 85 through the second flow path 94b. On the other hand, the central opening 83 c is isolated from the suction / discharge port 85 by a V-shaped partition wall 88.

以下、このように構成された粉塵排出ユニット64の作用について説明する。レーザービーム発生ユニット34のレーザー発振器66からは例えば波長355nmのパルスレーザビームが発振され、パワー調整手段72により所定パワーに調整されたパルスレーザビームが集光器62のミラー74で反射され、更に集光用対物レンズ76によって集光されてチャックテーブル18に保持されている半導体ウェーハWに照射される。   Hereinafter, the operation of the dust discharge unit 64 configured as described above will be described. For example, a pulse laser beam having a wavelength of 355 nm is oscillated from the laser oscillator 66 of the laser beam generating unit 34, and the pulse laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 72 is reflected by the mirror 74 of the condenser 62, and further collected. The semiconductor wafer W collected by the light objective lens 76 and irradiated on the chuck table 18 is irradiated.

図6に示すように、集光用対物レンズ76によって集光されたレーザービーム77か半導体ウェーハWに照射され、アブレーション加工によりレーザー加工溝92を形成する。図6及び図7において、Tはダイシングテープであり、半導体ウェーハWはダイシングテープTに貼着されて、ダイシングテープTを介してチャックテーブル18により吸引保持されている。   As shown in FIG. 6, the laser beam 77 condensed by the condensing objective lens 76 or the semiconductor wafer W is irradiated and a laser processing groove 92 is formed by ablation processing. 6 and 7, T is a dicing tape, and the semiconductor wafer W is stuck to the dicing tape T and is sucked and held by the chuck table 18 through the dicing tape T.

図6及び図7に示すように、半導体ウェーハWにレーザービームが照射されると、レーザー加工点90からデブリと呼ばれる微細な粉塵93が発生する。粉塵排出ユニット64のホース86を吸引手段に接続することにより、レーザー加工により発生した粉塵93は、図5に最もよく示されるように、ノズル78の底壁78cに形成された第1及び第2吸引口83a,83bを介して集塵室80内に吸引され、第1及び第2流路94a,94bに示されるように吸引排出口85方向に吸引される。   As shown in FIGS. 6 and 7, when the semiconductor wafer W is irradiated with a laser beam, fine dust 93 called debris is generated from the laser processing point 90. By connecting the hose 86 of the dust discharge unit 64 to the suction means, the dust 93 generated by laser processing is first and second formed on the bottom wall 78c of the nozzle 78, as best shown in FIG. It is sucked into the dust collection chamber 80 through the suction ports 83a and 83b, and is sucked in the direction of the suction / discharge port 85 as shown by the first and second flow paths 94a and 94b.

図6及び図7において、矢印A及びBは粉塵93の流れを示している。このようにレーザー加工点90で発生した粉塵93はV形状隔壁88の両側の第1及び第2吸引口83a,83bから集塵室80内に吸引され、集塵室80から吸引排出口85を介して排出されるため、V形状隔壁88の内側の中央開口83cから集塵室80内に吸引される粉塵93は殆ど発生しない。   6 and 7, arrows A and B indicate the flow of dust 93. In this way, the dust 93 generated at the laser processing point 90 is sucked into the dust collecting chamber 80 from the first and second suction ports 83a and 83b on both sides of the V-shaped partition wall 88, and from the dust collecting chamber 80 to the suction / discharge port 85. Therefore, the dust 93 sucked into the dust collection chamber 80 from the central opening 83c inside the V-shaped partition wall 88 is hardly generated.

よって、ウェーハWに照射されるレーザービーム77が粉塵93の流路を横断することがなくなり、その結果、レーザービーム77が粉塵93により妨げられることがなく、ウェーハWの表面に深さや幅が一定のレーザー加工溝92を形成することができる。   Therefore, the laser beam 77 applied to the wafer W does not cross the flow path of the dust 93. As a result, the laser beam 77 is not obstructed by the dust 93, and the depth and width are constant on the surface of the wafer W. The laser processing groove 92 can be formed.

上述した実施形態では、チャックテーブル18の加工送り方向は矢印X1方向で、この場合吸引排出口85はレーザービーム照射時のレーザービームの進行方向と反対側の円形側壁78aに形成されているが、通常レーザー加工はチャックテーブル18の往路時に加えて復路時にも加工を施す往復加工で実施されるため、復路時には吸引排出口85はレーザービームの進行方向側の円形側壁78aに形成されていることになる。   In the embodiment described above, the machining feed direction of the chuck table 18 is the arrow X1 direction. In this case, the suction / discharge port 85 is formed on the circular side wall 78a opposite to the laser beam traveling direction during laser beam irradiation. Usually, laser processing is performed by reciprocal processing that performs processing on the return path as well as on the forward path of the chuck table 18, and therefore, on the return path, the suction discharge port 85 is formed on the circular side wall 78a on the laser beam traveling direction side. Become.

本実施形態の粉塵排出ユニット64では、第1及び第2吸引口83a,83bから集塵室80内に吸引した粉塵93を吸引排出口85を介して積極的に排出しているため、レーザービーム77の進行方向に対する吸引排出口85の形成位置はレーザービームの進行方向側及び反対側の何れでもよいことになる。   In the dust discharge unit 64 of the present embodiment, since the dust 93 sucked into the dust collection chamber 80 from the first and second suction ports 83a and 83b is actively discharged through the suction discharge port 85, the laser beam The formation position of the suction / exhaust port 85 with respect to the traveling direction 77 can be on either the traveling direction side or the opposite side of the laser beam.

上述した実施形態の粉塵排出ユニット64を備えたレーザー加工装置によると、アブレーション加工により発生した粉塵93の吸引をレーザービーム77の光路の両側且つ形成するレーザー加工溝92の両側から行い、レーザービーム77が照射される中央部分には粉塵93の滞留が殆どないため、レーザービーム77が粉塵93の流路を横断することがなくなり、レーザービームを安定してウェーハWに照射することができるため、深さや幅が一定のレーザー加工溝92を形成することができる。   According to the laser processing apparatus including the dust discharge unit 64 of the above-described embodiment, the dust 93 generated by the ablation process is sucked from both sides of the optical path of the laser beam 77 and both sides of the laser processing groove 92 to be formed. Since the dust 93 hardly stays in the central portion where the laser beam is irradiated, the laser beam 77 does not cross the flow path of the dust 93, and the laser beam can be stably irradiated to the wafer W. A laser-processed groove 92 having a constant sheath width can be formed.

以上の説明のように、本実施形態では、図1〜図4に示されるように、被加工物としてウェーハWを保持する保持手段としてのチャックテーブル18と、保持手段に保持された被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工により溝を形成する集光器62を有するレーザービーム照射手段(レーザービーム発生ユニット34とレーザー加工ヘッド36を含む)と、集光器62と被加工物の間の空間に配設されレーザービームを被加工物に照射することによってレーザー加工点付近に生成される粉塵を吸引して排出するノズル78を有する粉塵排出手段としての粉塵排出ユニット64を備えたレーザー加工装置2が構成される。   As described above, in this embodiment, as shown in FIGS. 1 to 4, the chuck table 18 as a holding unit that holds the wafer W as the workpiece, and the workpiece held by the holding unit. A laser beam irradiating means (including a laser beam generating unit 34 and a laser processing head 36) having a condenser 62 for irradiating the surface of the substrate with a laser beam to form grooves by ablation, a condenser 62 and a workpiece A dust discharge unit 64 is provided as a dust discharge means having a nozzle 78 that is disposed in a space between the nozzles and has a nozzle 78 that sucks and discharges dust generated near the laser processing point by irradiating the workpiece with a laser beam. A laser processing apparatus 2 is configured.

ところで、アブレーション加工が継続して行われると、図6及び図7に示すようにアブレーション加工により発生した粉塵93は、図8のノズル78を下面78mを下側から見た下面図において表されるように、第2の開口83の縁83mの全周に渡るように、縁83mの周囲に付着することになる。また、図6及び図7に示すように、縁83mを回り込むようにして粉塵93がノズル78の内部に付着することになる。   By the way, when the ablation process is continuously performed, as shown in FIGS. 6 and 7, the dust 93 generated by the ablation process is represented in a bottom view of the nozzle 78 of FIG. Thus, it adheres to the circumference | surroundings of the edge 83m so that the perimeter of the edge 83m of the 2nd opening 83 may be covered. Further, as shown in FIGS. 6 and 7, the dust 93 adheres to the inside of the nozzle 78 so as to go around the edge 83m.

このようにノズル78の第2の開口83に付着した粉塵93を取り除くために、図9及び図10に示されるノズルクリーナ40が用いられる。ノズルクリーナ40は、スポンジなどの通気性を有する部材で構成される内側部材41と、内側部材41の表面を覆うシート状のカバー部材42とからなるノズルクリーナ本体43と、ノズルクリーナ本体43を支持する支持部材44を有して構成される。   In order to remove the dust 93 adhering to the second opening 83 of the nozzle 78 in this way, the nozzle cleaner 40 shown in FIGS. 9 and 10 is used. The nozzle cleaner 40 includes a nozzle cleaner body 43 including an inner member 41 made of a breathable member such as a sponge, a sheet-like cover member 42 covering the surface of the inner member 41, and supports the nozzle cleaner body 43. It has the supporting member 44 to be configured.

内側部材41は、例えば、合成樹脂製のスポンジにて構成されることで通気性を有するようにしている。また、所定の厚みを有するスポンジにて構成することによりノズルクリーナ本体43を全体として弾性変形させることができる。これにより、後述するように、ノズル78をノズルクリーナ本体43に接触させた際には、ノズルクリーナ本体43を適宜収縮させることが可能となり、ノズル78側への大きな衝撃の発生や、これに伴う装置損傷などの不具合発生を抑えることができる。   The inner member 41 is made of, for example, a synthetic resin sponge so as to have air permeability. Moreover, the nozzle cleaner main body 43 can be elastically deformed as a whole by comprising a sponge having a predetermined thickness. As a result, as will be described later, when the nozzle 78 is brought into contact with the nozzle cleaner body 43, the nozzle cleaner body 43 can be appropriately contracted, and a large impact is generated on the nozzle 78 side. The occurrence of problems such as equipment damage can be suppressed.

カバー部材42は、例えば、ケブラー(登録商標)からなるニット製品にて構成されることで通気性を有するようにしている。このようなニット製品を使用する場合には、その伸縮性により所定の厚みを有するスポンジをカバーするのが容易であるとともに、強靭な素材で作られるニット製品を用いることにより、ノズルクリーナ40を繰り返し使用することが可能となる。   The cover member 42 is made of a knit product made of, for example, Kevlar (registered trademark) so as to have air permeability. When such a knitted product is used, it is easy to cover a sponge having a predetermined thickness due to its stretchability, and the nozzle cleaner 40 is repeatedly used by using a knitted product made of a tough material. Can be used.

支持部材44は、例えば、環状フレーム45と、環状フレーム45の開口45aを塞ぐ粘着テープ46とを有し、粘着テープ46の表面46aにノズルクリーナ本体43が貼着され、ノズルクリーナ本体43が粘着テープ46を介して環状フレーム45に固定される。   The support member 44 includes, for example, an annular frame 45 and an adhesive tape 46 that closes the opening 45a of the annular frame 45. The nozzle cleaner body 43 is adhered to the surface 46a of the adhesive tape 46, and the nozzle cleaner body 43 adheres. It is fixed to the annular frame 45 via the tape 46.

加えて、粘着テープ46におけるノズルクリーナ本体43が貼着される箇所には、通気孔46hが形成されている。通気孔46hを介してチャックテーブル18のポーラス吸着面18aに生じさせられる吸引力K1が、ノズルクリーナ本体43に作用する。この吸引力K1は、図示せぬ吸引手段によりチャックテーブル18に形成されたポーラス吸着面18aに作用するものであり、ポーラス吸着面18aが吸引力を発揮する吸着部として機能する。そして、通気孔46h、内側部材41及びカバー部材42がそれぞれ通気性を呈することによって、ノズルクリーナ本体43が全体として通気性を呈することになり、これにより、ポーラス吸着面18aとノズルクリーナ本体43の外部空間とが連通され、カバー部材42の表面に吸引力K2が発生させられる。   In addition, a vent hole 46h is formed at a portion of the adhesive tape 46 where the nozzle cleaner body 43 is attached. A suction force K1 generated on the porous suction surface 18a of the chuck table 18 via the vent hole 46h acts on the nozzle cleaner body 43. The suction force K1 acts on the porous suction surface 18a formed on the chuck table 18 by a suction means (not shown), and the porous suction surface 18a functions as a suction portion that exhibits the suction force. Then, the ventilation hole 46h, the inner member 41, and the cover member 42 each exhibit air permeability, so that the nozzle cleaner body 43 as a whole exhibits air permeability, whereby the porous suction surface 18a and the nozzle cleaner body 43 The external space communicates with each other, and a suction force K <b> 2 is generated on the surface of the cover member 42.

さらに、支持部材44の環状フレーム45は、上述したウェーハWを貼着固定するフレームFと同一の構成とすることで、ノズルクリーナ40は、ウェーハWを貼着固定したフレームFと同様に、図1に示すようにウェーハカセット8にセットされ、搬出入機構10によって自動的に搬出されるとともに、搬送手段16によりチャックテーブル18上に自動搬送されることができる。   Further, the annular frame 45 of the support member 44 has the same configuration as the frame F for adhering and fixing the wafer W, and the nozzle cleaner 40 is similar to the frame F for adhering and fixing the wafer W, as shown in FIG. 1 is set in the wafer cassette 8 and automatically carried out by the carry-in / out mechanism 10, and can be automatically carried on the chuck table 18 by the carrying means 16.

以上の構成とするノズルクリーナ40を用い、図10〜図12に示される方法により、ノズル78の粉塵93を除去するクリーニング作業が実施される。クリーニング作業においては、まず、上述したようにノズルクリーナ40を図1に示すウェーハカセット8にセットして自動搬送させることにより、図10に示されるように、複数のクランプ19によりノズルクリーナ40の環状フレーム45が保持された状態となる。また、チャックテーブル18のポーラス吸着面18aの上に粘着テープ46、及び、ノズルクリーナ本体43が配置された状態となる。カバー部材42の表面には、吸引力K2が生じている。   Using the nozzle cleaner 40 configured as described above, a cleaning operation for removing the dust 93 from the nozzle 78 is performed by the method shown in FIGS. In the cleaning operation, first, as described above, the nozzle cleaner 40 is set on the wafer cassette 8 shown in FIG. 1 and automatically conveyed, so that as shown in FIG. The frame 45 is held. Further, the adhesive tape 46 and the nozzle cleaner body 43 are arranged on the porous suction surface 18a of the chuck table 18. A suction force K <b> 2 is generated on the surface of the cover member 42.

次いで、チャックテーブル18を待機位置からレーザー加工ヘッド36の下方に移動させた後、図11に示すように、レーザー加工ヘッド36を下降させ、ノズルクリーナ本体43に対してノズル78の下面を接触させる。   Next, after moving the chuck table 18 from the standby position below the laser processing head 36, the laser processing head 36 is lowered and the lower surface of the nozzle 78 is brought into contact with the nozzle cleaner body 43 as shown in FIG. 11. .

ここで、本実施形態のように、内側部材41が所定の厚みを有するスポンジにて構成される場合には、ノズル78をノズルクリーナ本体43に接触させた際に、ノズルクリーナ本体43が全体として弾性変形するため、ノズル78側への大きな衝撃の発生や、これに伴う装置損傷などの不具合発生を抑えることができる。   Here, when the inner member 41 is configured by a sponge having a predetermined thickness as in the present embodiment, when the nozzle 78 is brought into contact with the nozzle cleaner body 43, the nozzle cleaner body 43 as a whole. Due to the elastic deformation, it is possible to suppress the occurrence of a large impact on the nozzle 78 side and the accompanying troubles such as damage to the apparatus.

そして、ノズルクリーナ本体43に対してノズル78の下面が接触すると、その接触の際の衝撃や、ノズル78内部に発生する気流により、ノズル78の縁83mから粉塵93が離脱する。また、この衝撃などによって離脱しない粉塵93についても、吸引力K2によってカバー部材42側に引き付けられ、ノズル78から離脱される。このように、ノズル78から粉塵93が離脱することにより、ノズル78に付着した粉塵93を除去することが可能となる。なお、より多くの粉塵93を除去させるために、ノズル78をノズルクリーナ本体43に接触させた後に、レーザー加工ヘッド36をわずかに上下動させてもよい。   When the lower surface of the nozzle 78 comes into contact with the nozzle cleaner main body 43, the dust 93 is detached from the edge 83m of the nozzle 78 by an impact at the time of the contact and an air flow generated inside the nozzle 78. Further, the dust 93 that does not leave due to this impact or the like is also attracted to the cover member 42 side by the suction force K <b> 2 and is released from the nozzle 78. As described above, the dust 93 is detached from the nozzle 78, so that the dust 93 attached to the nozzle 78 can be removed. In order to remove more dust 93, the laser processing head 36 may be slightly moved up and down after the nozzle 78 is brought into contact with the nozzle cleaner body 43.

さらに、チャックテーブル18をX軸方向に所定の回数だけ往復移動させることにより、ノズルクリーナ本体43をX軸方向に往復移動させると、ノズル78の下面がノズルクリーナ本体43によって擦られることになり、ノズル78からの粉塵93の除去がより促進される。また、第2の開口83の縁83mを回り込むようにしてノズル78の内部に付着した粉塵93についても、ノズルクリーナ本体43をX軸方向に往復移動させることで、より確実に除去することができる。   Further, when the nozzle cleaner body 43 is reciprocated in the X-axis direction by reciprocating the chuck table 18 a predetermined number of times in the X-axis direction, the lower surface of the nozzle 78 is rubbed by the nozzle cleaner body 43. Removal of the dust 93 from the nozzle 78 is further promoted. Also, dust 93 adhering to the inside of the nozzle 78 so as to go around the edge 83m of the second opening 83 can be more reliably removed by reciprocating the nozzle cleaner body 43 in the X-axis direction. .

以上のようにしてノズル78から粉塵93を除去した後、図12に示すように、レーザー加工ヘッド36を所定の位置まで上昇させ、ノズル78をノズルクリーナ本体43から遠ざける。ノズル78から除去された粉塵93は、ノズルクリーナ本体43に生じる吸引力K2によって、周囲に飛散することなく、ノズルクリーナ本体43に吸着させたままにすることができる。   After the dust 93 is removed from the nozzle 78 as described above, the laser processing head 36 is raised to a predetermined position as shown in FIG. 12, and the nozzle 78 is moved away from the nozzle cleaner body 43. The dust 93 removed from the nozzle 78 can be kept adsorbed to the nozzle cleaner body 43 without being scattered around by the suction force K2 generated in the nozzle cleaner body 43.

次いで、チャックテーブル18をレーザー加工ヘッド36の下の位置から待機位置へ移動させ、搬送手段16によってノズルクリーナ40をウェーハカセット8に自動的に戻すことで、クリーニング作業が終了される。   Next, the chuck table 18 is moved from the position below the laser processing head 36 to the standby position, and the nozzle cleaner 40 is automatically returned to the wafer cassette 8 by the conveying means 16, thereby completing the cleaning operation.

以上のように、本実施形態では、ノズルクリーナ40は、ノズルクリーナ本体43と、ノズルクリーナ本体43を支持する支持部材44からなり、保持手段(チャックテーブル18)上に保持されたノズルクリーナ40の上面にノズル78を下降させてノズル78の下面78mを当接させた後に、保持手段をノズル78に対して相対移動させることで、粉塵93を除去する。   As described above, in the present embodiment, the nozzle cleaner 40 includes the nozzle cleaner main body 43 and the support member 44 that supports the nozzle cleaner main body 43, and the nozzle cleaner 40 held on the holding means (chuck table 18). After lowering the nozzle 78 on the upper surface and bringing the lower surface 78m of the nozzle 78 into contact, the holding means is moved relative to the nozzle 78 to remove the dust 93.

そして、本実施形態では、保持手段は吸引力を発揮する吸着部(ポーラス吸着面18a)を有し、ノズルクリーナ本体43は通気性を有し、支持部材44は吸着部からの吸引力K1をノズルクリーナ本体43に作用させることで、ノズルクリーナ本体43に吸引力を発生させるための通気孔46hを有し、ノズル78から除去した粉塵93を飛散させることなくノズルクリーナ本体43に吸着させる構成としている。   In this embodiment, the holding means has a suction portion (porous suction surface 18a) that exerts a suction force, the nozzle cleaner body 43 has air permeability, and the support member 44 has a suction force K1 from the suction portion. By acting on the nozzle cleaner main body 43, the nozzle cleaner main body 43 has a vent hole 46h for generating a suction force, and the dust 93 removed from the nozzle 78 is adsorbed to the nozzle cleaner main body 43 without being scattered. Yes.

以上説明した本実施形態では、粉塵排出ユニット64(ノズル78)を取り外すことなく、粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができる。また、レーザー加工を行う通常のウェーハWと同様に、ウェーハカセット8にノズルクリーナ40をセットすることで、自動的にクリーニング作業を行うことが可能であり、クリーニング作業が終わった後には、ウェーハカセット8にセットされる通常のウェーハWについてのレーザー加工が実施可能である。このため、レーザー加工装置2の稼動を中断させることなくクリーニング作業が実施可能となる。   In the present embodiment described above, a cleaning operation for removing dust can be easily performed without removing the dust discharge unit 64 (nozzle 78). Similarly to the normal wafer W for laser processing, it is possible to automatically perform the cleaning operation by setting the nozzle cleaner 40 in the wafer cassette 8, and after the cleaning operation is completed, the wafer cassette Laser processing of a normal wafer W set to 8 can be performed. For this reason, the cleaning operation can be performed without interrupting the operation of the laser processing apparatus 2.

例えば、ウェーハWの所定枚数ごとにノズルクリーナ40をセットし、所定のスケジュールに基づいてクリーニング作業を自動的に実施することや、マニュアル操作にてノズルクリーナ40をセットしてクリーニング作業を実施することとしてもよい。   For example, the nozzle cleaner 40 is set for each predetermined number of wafers W and the cleaning operation is automatically performed based on a predetermined schedule, or the nozzle cleaner 40 is set by manual operation and the cleaning operation is performed. It is good.

また、上述の実施形態によれば、一度使用されたノズルクリーナ40について、付着した粉塵93を除去することにより、繰り返し使用することも可能となる。   Further, according to the above-described embodiment, the nozzle cleaner 40 that has been used once can be used repeatedly by removing the adhering dust 93.

36 レーザー加工ヘッド
40 ノズルクリーナ
41 内側部材
42 カバー部材
43 ノズルクリーナ本体
44 支持部材
45 環状フレーム
46 粘着テープ
46h 通気孔
78 ノズル
83 開口
83m 縁
36 Laser processing head 40 Nozzle cleaner 41 Inner member 42 Cover member 43 Nozzle cleaner body 44 Support member 45 Annular frame 46 Adhesive tape 46h Vent hole 78 Nozzle 83 Opening 83m Edge

Claims (2)

被加工物を保持する保持手段と、
該保持手段に保持された該被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工により溝を形成する集光器を有するレーザービーム照射手段と、
該集光器と該被加工物の間の空間に配設され該レーザービームを該被加工物に照射することによってレーザー加工点付近に生成される粉塵を吸引して排出するノズルを有する粉塵排出手段と、
を備えたレーザー加工装置について用いられる、レーザー加工装置用のノズルクリーナであって、
該ノズルクリーナは、
ノズルクリーナ本体と、
該ノズルクリーナ本体を支持する支持部材からなり、
前記支持部材は、環状フレームと、該環状フレームの開口を塞ぐ粘着テープとを有し、
該粘着テープの表面に前記ノズルクリーナ本体が貼着されるとともに、
該ノズルクリーナ本体が該粘着テープを介して該環状フレームに固定され、
該保持手段上に保持された該ノズルクリーナの上面に該ノズルを下降させて該ノズルの下面を該ノズルクリーナに当接させた後に、該保持手段を該ノズルに対して相対移動させることで、該粉塵を除去する、
ことを特徴とするレーザー加工装置用のノズルクリーナ。
Holding means for holding the workpiece;
A laser beam irradiation means having a condenser for irradiating the surface of the workpiece held by the holding means with a laser beam to form grooves by ablation;
Dust discharge having a nozzle that is disposed in a space between the condenser and the workpiece and sucks and discharges dust generated near the laser processing point by irradiating the workpiece with the laser beam. Means,
A nozzle cleaner for a laser processing apparatus used for a laser processing apparatus equipped with
The nozzle cleaner
The nozzle cleaner body,
A support member for supporting the nozzle cleaner body;
The support member includes an annular frame and an adhesive tape that closes an opening of the annular frame;
The nozzle cleaner body is attached to the surface of the adhesive tape,
The nozzle cleaner body is fixed to the annular frame via the adhesive tape,
After lowering the nozzle on the upper surface of the nozzle cleaner held on the holding means and bringing the lower surface of the nozzle into contact with the nozzle cleaner, the holding means is moved relative to the nozzle, Removing the dust,
A nozzle cleaner for a laser processing apparatus.
前記保持手段は吸引力を発揮する吸着部を有し、
前記ノズルクリーナ本体は通気性を有し、
前記支持部材は該吸着部からの該吸引力を該ノズルクリーナ本体に作用させることで、該ノズルクリーナ本体に吸引力を発生させるための通気孔を有し、
前記ノズルから除去した粉塵を飛散させることなく該ノズルクリーナ本体に吸着させる、
ことを特徴とする請求項1記載のレーザー加工装置用のノズルクリーナ。
The holding means has a suction portion that exerts a suction force;
The nozzle cleaner body has air permeability,
The support member has a ventilation hole for generating a suction force in the nozzle cleaner body by causing the suction force from the suction portion to act on the nozzle cleaner body.
Adsorb to the nozzle cleaner body without scattering the dust removed from the nozzle,
The nozzle cleaner for a laser processing apparatus according to claim 1.
JP2011157626A 2011-07-19 2011-07-19 Nozzle cleaner for laser processing equipment Active JP5808182B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011157626A JP5808182B2 (en) 2011-07-19 2011-07-19 Nozzle cleaner for laser processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011157626A JP5808182B2 (en) 2011-07-19 2011-07-19 Nozzle cleaner for laser processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013022601A JP2013022601A (en) 2013-02-04
JP5808182B2 true JP5808182B2 (en) 2015-11-10

Family

ID=47781539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011157626A Active JP5808182B2 (en) 2011-07-19 2011-07-19 Nozzle cleaner for laser processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5808182B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168270A1 (en) * 2017-03-14 2018-09-20 本田技研工業株式会社 Laser machining apparatus
JP6508549B2 (en) * 2017-05-12 2019-05-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 Laser processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013022601A (en) 2013-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102107849B1 (en) Laser machining apparatus and its intake passage cleaning method
JP6004675B2 (en) Laser processing equipment
JP6104025B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
KR102336955B1 (en) Wafer processing method
US20170106471A1 (en) Laser processing apparatus
US20100270273A1 (en) Laser beam processing machine
KR102084269B1 (en) Laser machining apparatus and method for coating protection film
JP5610991B2 (en) Laser processing equipment
JP5808182B2 (en) Nozzle cleaner for laser processing equipment
JP4666583B2 (en) Protective coating method
JP5637769B2 (en) Laser processing equipment
JP6061691B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
JP5706235B2 (en) Laser processing equipment
JP2011125871A (en) Laser beam machining apparatus
JP2011073080A (en) Imaging device
JP5394211B2 (en) Laser processing equipment
JP7431601B2 (en) laser processing equipment
JP5619510B2 (en) Laser processing equipment
JP5887164B2 (en) Wafer laser processing method
JP2021034647A (en) Protective film coating device and laser processing apparatus equipped with protective film coating device
JP2015015400A (en) Processing device
JP2014217871A (en) Laser processing device and laser processing method using the same
JP5788716B2 (en) Dust discharge device
JP2009076823A (en) Cutting method for wafer
JP2015138819A (en) Spinner device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140620

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150908

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150908

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5808182

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250