JP5808182B2 - Nozzle cleaner for laser processing equipment - Google Patents
Nozzle cleaner for laser processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP5808182B2 JP5808182B2 JP2011157626A JP2011157626A JP5808182B2 JP 5808182 B2 JP5808182 B2 JP 5808182B2 JP 2011157626 A JP2011157626 A JP 2011157626A JP 2011157626 A JP2011157626 A JP 2011157626A JP 5808182 B2 JP5808182 B2 JP 5808182B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- nozzle cleaner
- dust
- laser processing
- cleaner body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
本発明は、ウェーハ等の被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工によりレーザー加工溝を形成するレーザー加工装置に関し、より詳しくは、アブレーション加工により生じた粉塵を除去するために用いるノズルクリーナに関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus for forming a laser processing groove by ablation processing by irradiating a surface of a workpiece such as a wafer, and more specifically, a nozzle used for removing dust generated by ablation processing. Regarding cleaners.
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウェーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された各領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウェーハをストリートに沿って切断することにより半導体ウェーハを分割して個々の半導体チップを製造している。 In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and ICs, LSIs, etc. are divided into the partitioned regions. Form the device. Each semiconductor chip is manufactured by dividing the semiconductor wafer by cutting the semiconductor wafer along the streets.
また、サファイア基板の表面に発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハもストリートに沿って切断することにより個々の光デバイスに分割され、分割された光デバイスは、携帯電話、PC、LEDライト等の電気機器に広く利用されている。 In addition, an optical device wafer in which an optical device such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD) is formed on the surface of a sapphire substrate is also divided into individual optical devices by cutting along the street, and the divided light Devices are widely used in electric devices such as mobile phones, PCs, and LED lights.
半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等のウェーハをストリートに沿って分割する方法として、ウェーハに形成されたストリートに沿ってウェーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射することにより、アブレーション加工によりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って光デバイスウェーハを破断する方法が提案されている。 As a method of dividing a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer along a street, ablation processing is performed by irradiating the wafer with a pulsed laser beam having an absorptive wavelength along the street formed on the wafer. There has been proposed a method of forming a laser processing groove and breaking the optical device wafer along the laser processing groove.
しかし、このレーザー加工工程において、半導体ウェーハや光デバイスウェーハにレーザービームを照射すると、シリコンやサファイアが溶融して溶融屑、即ちデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生し、この粉塵が飛散してウェーハの矩形領域に形成されたデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。更に、この飛散した粉塵がレーザービームを照射する集光器に組み込まれた集光用対物レンズに付着して、レーザービームの照射を妨げるという問題がある。 However, in this laser processing process, when a semiconductor wafer or optical device wafer is irradiated with a laser beam, silicon or sapphire melts and generates fine dust called debris, that is, debris, which is scattered and scattered on the wafer. There is a problem that the quality of the device is deteriorated by adhering to the surface of the device formed in the rectangular region. Furthermore, there is a problem in that the scattered dust adheres to a condenser objective lens incorporated in a condenser that irradiates a laser beam, thereby hindering the irradiation of the laser beam.
その対策として、例えば集光用対物レンズの光軸に沿ってエアを噴出する噴出口を備え、噴出口の周りから粉塵を吸引して粉塵がデバイスの表面に堆積するのを防止する粉塵排出手段を備えたレーザー加工装置が提案されている(特開2007−69249号公報参照)。 As a countermeasure, for example, a dust discharge means that includes a jet outlet that jets air along the optical axis of the condenser objective lens and sucks dust from around the jet outlet to prevent dust from accumulating on the surface of the device. Has been proposed (see JP 2007-69249 A).
しかしながら、特許文献1に開示されたレーザー加工装置で実際にレーザー加工を実施すると、発生する粉塵を吸引する粉塵排出手段の下面に粉塵が付着することが確認された。このため、定期的に粉塵排出手段を装置から取り外し、清掃をしなければならないという問題が生じた。 However, when laser processing is actually performed with the laser processing apparatus disclosed in Patent Document 1, it has been confirmed that dust adheres to the lower surface of the dust discharging means for sucking the generated dust. For this reason, there arises a problem that the dust discharging means must be periodically removed from the apparatus and cleaned.
粉塵排出手段は多くの螺子等で固定されているため、取り外すことは容易ではなく、仮に取り外して清掃をすることになると、当然ながらまとまったメンテナンス時間を確保することが必要となり、レーザー加工装置の稼働時間が減ってしまうという弊害が生じる。 Since the dust discharging means is fixed with many screws, it is not easy to remove it. If it is to be removed and cleaned, it is of course necessary to secure a uniform maintenance time. There is a negative effect that the operating time is reduced.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、粉塵排出手段を取り外すことなく、ノズルに付着した粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができるレーザー加工装置用のノズルクリーナを提供することである。 The present invention has been made in view of such points, and the object of the present invention is to easily carry out a cleaning operation for removing dust adhering to the nozzle without removing the dust discharging means. A nozzle cleaner for a laser processing apparatus is provided.
請求項1に記載の発明によると、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された該被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工により溝を形成する集光器を有するレーザービーム照射手段と、該集光器と該被加工物の間の空間に配設され該レーザービームを該被加工物に照射することによってレーザー加工点付近に生成される粉塵を吸引して排出するノズルを有する粉塵排出手段と、を備えたレーザー加工装置について用いられる、レーザー加工装置用のノズルクリーナであって、該ノズルクリーナは、ノズルクリーナ本体と、該ノズルクリーナ本体を支持する支持部材からなり、前記支持部材は、環状フレームと、該環状フレームの開口を塞ぐ粘着テープとを有し、該粘着テープの表面に前記ノズルクリーナ本体が貼着されるとともに、該ノズルクリーナ本体が該粘着テープを介して該環状フレームに固定され、該保持手段上に保持された該ノズルクリーナの上面に該ノズルを下降させて該ノズルの下面を該ノズルクリーナに当接させた後に、該保持手段を該ノズルに対して相対移動させることで、該粉塵を除去する、ことを特徴とするレーザー加工装置用のノズルクリーナが提供される。 According to the first aspect of the present invention, the holding means for holding the workpiece, and the collector for forming a groove by ablation by irradiating the surface of the workpiece held by the holding means with a laser beam. A laser beam irradiating means, and disposed in a space between the condenser and the workpiece to irradiate the workpiece with the laser beam to suck dust generated near the laser processing point. A nozzle cleaner for a laser processing apparatus, which is used for a laser processing apparatus having a dust discharging means having a nozzle for discharging the nozzle, the nozzle cleaner including a nozzle cleaner body and a support for supporting the nozzle cleaner body made member, the support member, and a pressure-sensitive adhesive tape for closing an annular frame, the aperture of the annular frame, the nozzle cleaner on the surface of the adhesive tape With the body is attached, the nozzle cleaner body is fixed to the annular frame through the pressure-sensitive adhesive tape, the lower surface of the nozzle is lowered and the nozzle on the upper surface of the nozzle cleaner, which is held on the holding means After the nozzle is brought into contact with the nozzle cleaner, the dust is removed by moving the holding means relative to the nozzle to provide a nozzle cleaner for a laser processing apparatus.
請求項2に記載の発明によると、保持手段は吸引力を発揮する吸着部を有し、ノズルクリーナ本体は通気性を有し、支持部材は吸着部からの吸引力をノズルクリーナ本体に作用させることで、ノズルクリーナ本体に吸引力を発生させるための通気孔を有し、ノズルから除去した粉塵を飛散させることなくノズルクリーナ本体に吸着させる、ことを特徴とするレーザー加工装置用のノズルクリーナが提供される。 According to the second aspect of the present invention, the holding means has the suction portion that exhibits suction force, the nozzle cleaner body has air permeability, and the support member causes suction force from the suction portion to act on the nozzle cleaner body. A nozzle cleaner for a laser processing apparatus, characterized in that the nozzle cleaner body has a ventilation hole for generating suction force, and the dust removed from the nozzle is adsorbed to the nozzle cleaner body without scattering. Provided.
本発明によると、粉塵排出手段を取り外すことなく、ノズルに付着した粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができる。また、レーザー加工を行う通常のウェーハと同様に、自動的にクリーニング作業を行うことが可能であり、クリーニング作業が終わった後には、ウェーハカセットにセットされる通常のウェーハについてのレーザー加工が実施可能である。このため、レーザー加工装置の稼動を中断させることなくクリーニング作業が実施可能となる。 According to the present invention, it is possible to easily perform a cleaning operation for removing dust attached to the nozzle without removing the dust discharging means. In addition, it is possible to automatically perform cleaning work as with normal wafers that perform laser processing. After the cleaning work is completed, laser processing can be performed on normal wafers that are set in a wafer cassette. It is. For this reason, the cleaning operation can be performed without interrupting the operation of the laser processing apparatus.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態の粉塵排出ユニット64を具備したレーザー加工装置2の斜視図が示されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a
レーザー加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作ユニット4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるCRT等の表示モニタ6が設けられている。
On the front side of the
図2に示すように、加工対象の半導体ウェーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交されて形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the semiconductor wafer W to be processed, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 are formed. A number of devices D are formed in a region partitioned by.
ウェーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウェーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウェーハカセット8中にウェーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウェーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the annular frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 wafers) are accommodated in the
ウェーハカセット8の後方には、ウェーハカセット8からレーザー加工前のウェーハWを搬出するとともに、加工後のウェーハをウェーハカセット8に搬入する搬出入機構10が配設されている。
Behind the
ウェーハカセット8と搬出入機構10との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウェーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
Between the
30は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置30は加工後のウェーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、ウェーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。
仮置き領域12に搬出されたウェーハWは、搬送手段16により吸着されて保護膜被覆装置30に搬送される。保護膜被覆装置30では、ウェーハWの加工面に保護膜が被覆される。
The wafer W carried out to the
加工面に保護膜が被覆されたウェーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引されるとともに、複数のクランプ19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
The wafer W whose processing surface is coated with a protective film is attracted by the transport means 16 and transported onto the chuck table 18 and is sucked by the chuck table 18, and the frame F is fixed by a plurality of
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウェーハWのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント機構20が配設されている。
The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocable in the X-axis direction, and an
アライメント機構20は、ウェーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示モニタ6に表示される。
The
アライメント機構20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウェーハWに対してレーザービームを照射するレーザービーム発生ユニット34とレーザー加工ヘッド36が配設されている。レーザービーム発生ユニット34はケーシング35に収容され、図3に示すように、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器66と、繰り返し周波数設定手段68と、パルス幅調整手段70と、パワー調整手段72とを含んでいる。
On the left side of the
レーザービーム発生ユニット34のパワー調整手段72により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング35の先端に取り付けられたレーザー加工ヘッド36によりチャックテーブル18に保持されている半導体ウェーハWに照射される。レーザー加工ヘッド36は、ミラー74及び集光用対物レンズ76を有する集光器62と、集光器62に連結された粉塵排出ユニット64とから構成される。
The pulsed laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 72 of the laser
レーザービーム発生ユニット34とレーザー加工ヘッド36が取り付けられるケーシング35は、図示せぬパルスモーター等を備える上下動機構によって、上下方向(Z軸方向)に移動可能に構成されおり、これにより、レーザー加工ヘッド36を任意の高さ位置(Z軸方向の位置)となるように上昇、或いは、下降させることが可能となっている。
The
レーザービームの照射によりレーザー加工が終了したウェーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により把持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置30まで搬送される。保護膜被覆装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウェーハWを低速回転(例えば300rpm)させることによりウェーハを洗浄する。
The wafer W that has been subjected to laser processing by the irradiation of the laser beam is moved by moving the chuck table 18 in the X-axis direction and then is gripped by the transfer means 32 that can be moved in the Y-axis direction. Up to 30. In the protective
洗浄後、ウェーハWを高速回転(例えば3000rpm)させながらエアーノズルからエアーを噴出させてウェーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウェーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入機構10によりウェーハカセット8の元の収納場所にウェーハWは戻される。
After cleaning, the wafer W is dried at a high speed (for example, 3000 rpm) by blowing air from the air nozzle and drying the wafer W. Then, the wafer W is adsorbed by the transfer means 16 and returned to the
次に、図4乃至図6を参照して、本発明の粉塵排出手段の実施形態に係る粉塵排出ユニット64について詳細に説明する。図4を参照すると、ケーシング35の先端に取り付けられたレーザー加工ヘッド36の斜視図が示されている。
Next, with reference to FIG. 4 thru | or FIG. 6, the
レーザー加工ヘッド36は、図3に示されるようにミラー74及び集光用対物レンズ76を有する集光器62と、集光器62に連結部82を介して連結された粉塵排出ユニット64とから構成される。
As shown in FIG. 3, the
粉塵排出ユニット64は、図5及び図6に最もよく示されるように、上壁78bと、底壁78cと、上壁78bと底壁78cとを連結する円形側壁78aとから構成され、内部に集塵室80を画成するノズル78を含んでいる。
As best shown in FIGS. 5 and 6, the
ノズル78の上壁78bにはレーザービームの通過を許容する第1の開口81が形成されており、ノズル78の底壁78cにはレーザービームの通過を許容する第2の開口83が形成されている。
A
図6に最もよく示されるように、ノズル78の円形側壁78aには吸引排出口85が形成されており、この吸引排出口85を画成する円形側壁78aにはパイプ84が一体的に連結され、このパイプ84には吸引手段に接続されたホース86が連結されている。図6で矢印X1はチャックテーブル18が加工送りされる加工送り方向を示している。
As best shown in FIG. 6, a
本実施形態においては、図5に最もよく示されるように、ノズル78内には、ノズル78の上壁78b及び底壁78cに接し、屈曲点88aが吸引排出口85に対向するようにV形状隔壁88が挿入されている。このV形状隔壁88により、ノズル78の底壁78cに形成された第2の開口83は、V形状隔壁88の両側に配置された第1及び第2吸引口83a,83bと、第1及び第2吸引口83a,83bとの間の中央開口83cとに分離される。
In this embodiment, as best shown in FIG. 5, a V shape is formed in the
第1吸引口83aは第1流路94aを介して吸引排出口85に連通され、第2吸引口83bは第2流路94bを介して吸引排出口85に連通される。一方、中央開口83cはV形状隔壁88により吸引排出口85から隔離されている。
The
以下、このように構成された粉塵排出ユニット64の作用について説明する。レーザービーム発生ユニット34のレーザー発振器66からは例えば波長355nmのパルスレーザビームが発振され、パワー調整手段72により所定パワーに調整されたパルスレーザビームが集光器62のミラー74で反射され、更に集光用対物レンズ76によって集光されてチャックテーブル18に保持されている半導体ウェーハWに照射される。
Hereinafter, the operation of the
図6に示すように、集光用対物レンズ76によって集光されたレーザービーム77か半導体ウェーハWに照射され、アブレーション加工によりレーザー加工溝92を形成する。図6及び図7において、Tはダイシングテープであり、半導体ウェーハWはダイシングテープTに貼着されて、ダイシングテープTを介してチャックテーブル18により吸引保持されている。
As shown in FIG. 6, the
図6及び図7に示すように、半導体ウェーハWにレーザービームが照射されると、レーザー加工点90からデブリと呼ばれる微細な粉塵93が発生する。粉塵排出ユニット64のホース86を吸引手段に接続することにより、レーザー加工により発生した粉塵93は、図5に最もよく示されるように、ノズル78の底壁78cに形成された第1及び第2吸引口83a,83bを介して集塵室80内に吸引され、第1及び第2流路94a,94bに示されるように吸引排出口85方向に吸引される。
As shown in FIGS. 6 and 7, when the semiconductor wafer W is irradiated with a laser beam,
図6及び図7において、矢印A及びBは粉塵93の流れを示している。このようにレーザー加工点90で発生した粉塵93はV形状隔壁88の両側の第1及び第2吸引口83a,83bから集塵室80内に吸引され、集塵室80から吸引排出口85を介して排出されるため、V形状隔壁88の内側の中央開口83cから集塵室80内に吸引される粉塵93は殆ど発生しない。
6 and 7, arrows A and B indicate the flow of
よって、ウェーハWに照射されるレーザービーム77が粉塵93の流路を横断することがなくなり、その結果、レーザービーム77が粉塵93により妨げられることがなく、ウェーハWの表面に深さや幅が一定のレーザー加工溝92を形成することができる。
Therefore, the
上述した実施形態では、チャックテーブル18の加工送り方向は矢印X1方向で、この場合吸引排出口85はレーザービーム照射時のレーザービームの進行方向と反対側の円形側壁78aに形成されているが、通常レーザー加工はチャックテーブル18の往路時に加えて復路時にも加工を施す往復加工で実施されるため、復路時には吸引排出口85はレーザービームの進行方向側の円形側壁78aに形成されていることになる。
In the embodiment described above, the machining feed direction of the chuck table 18 is the arrow X1 direction. In this case, the suction /
本実施形態の粉塵排出ユニット64では、第1及び第2吸引口83a,83bから集塵室80内に吸引した粉塵93を吸引排出口85を介して積極的に排出しているため、レーザービーム77の進行方向に対する吸引排出口85の形成位置はレーザービームの進行方向側及び反対側の何れでもよいことになる。
In the
上述した実施形態の粉塵排出ユニット64を備えたレーザー加工装置によると、アブレーション加工により発生した粉塵93の吸引をレーザービーム77の光路の両側且つ形成するレーザー加工溝92の両側から行い、レーザービーム77が照射される中央部分には粉塵93の滞留が殆どないため、レーザービーム77が粉塵93の流路を横断することがなくなり、レーザービームを安定してウェーハWに照射することができるため、深さや幅が一定のレーザー加工溝92を形成することができる。
According to the laser processing apparatus including the
以上の説明のように、本実施形態では、図1〜図4に示されるように、被加工物としてウェーハWを保持する保持手段としてのチャックテーブル18と、保持手段に保持された被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工により溝を形成する集光器62を有するレーザービーム照射手段(レーザービーム発生ユニット34とレーザー加工ヘッド36を含む)と、集光器62と被加工物の間の空間に配設されレーザービームを被加工物に照射することによってレーザー加工点付近に生成される粉塵を吸引して排出するノズル78を有する粉塵排出手段としての粉塵排出ユニット64を備えたレーザー加工装置2が構成される。
As described above, in this embodiment, as shown in FIGS. 1 to 4, the chuck table 18 as a holding unit that holds the wafer W as the workpiece, and the workpiece held by the holding unit. A laser beam irradiating means (including a laser
ところで、アブレーション加工が継続して行われると、図6及び図7に示すようにアブレーション加工により発生した粉塵93は、図8のノズル78を下面78mを下側から見た下面図において表されるように、第2の開口83の縁83mの全周に渡るように、縁83mの周囲に付着することになる。また、図6及び図7に示すように、縁83mを回り込むようにして粉塵93がノズル78の内部に付着することになる。
By the way, when the ablation process is continuously performed, as shown in FIGS. 6 and 7, the
このようにノズル78の第2の開口83に付着した粉塵93を取り除くために、図9及び図10に示されるノズルクリーナ40が用いられる。ノズルクリーナ40は、スポンジなどの通気性を有する部材で構成される内側部材41と、内側部材41の表面を覆うシート状のカバー部材42とからなるノズルクリーナ本体43と、ノズルクリーナ本体43を支持する支持部材44を有して構成される。
In order to remove the
内側部材41は、例えば、合成樹脂製のスポンジにて構成されることで通気性を有するようにしている。また、所定の厚みを有するスポンジにて構成することによりノズルクリーナ本体43を全体として弾性変形させることができる。これにより、後述するように、ノズル78をノズルクリーナ本体43に接触させた際には、ノズルクリーナ本体43を適宜収縮させることが可能となり、ノズル78側への大きな衝撃の発生や、これに伴う装置損傷などの不具合発生を抑えることができる。
The
カバー部材42は、例えば、ケブラー(登録商標)からなるニット製品にて構成されることで通気性を有するようにしている。このようなニット製品を使用する場合には、その伸縮性により所定の厚みを有するスポンジをカバーするのが容易であるとともに、強靭な素材で作られるニット製品を用いることにより、ノズルクリーナ40を繰り返し使用することが可能となる。
The
支持部材44は、例えば、環状フレーム45と、環状フレーム45の開口45aを塞ぐ粘着テープ46とを有し、粘着テープ46の表面46aにノズルクリーナ本体43が貼着され、ノズルクリーナ本体43が粘着テープ46を介して環状フレーム45に固定される。
The
加えて、粘着テープ46におけるノズルクリーナ本体43が貼着される箇所には、通気孔46hが形成されている。通気孔46hを介してチャックテーブル18のポーラス吸着面18aに生じさせられる吸引力K1が、ノズルクリーナ本体43に作用する。この吸引力K1は、図示せぬ吸引手段によりチャックテーブル18に形成されたポーラス吸着面18aに作用するものであり、ポーラス吸着面18aが吸引力を発揮する吸着部として機能する。そして、通気孔46h、内側部材41及びカバー部材42がそれぞれ通気性を呈することによって、ノズルクリーナ本体43が全体として通気性を呈することになり、これにより、ポーラス吸着面18aとノズルクリーナ本体43の外部空間とが連通され、カバー部材42の表面に吸引力K2が発生させられる。
In addition, a
さらに、支持部材44の環状フレーム45は、上述したウェーハWを貼着固定するフレームFと同一の構成とすることで、ノズルクリーナ40は、ウェーハWを貼着固定したフレームFと同様に、図1に示すようにウェーハカセット8にセットされ、搬出入機構10によって自動的に搬出されるとともに、搬送手段16によりチャックテーブル18上に自動搬送されることができる。
Further, the
以上の構成とするノズルクリーナ40を用い、図10〜図12に示される方法により、ノズル78の粉塵93を除去するクリーニング作業が実施される。クリーニング作業においては、まず、上述したようにノズルクリーナ40を図1に示すウェーハカセット8にセットして自動搬送させることにより、図10に示されるように、複数のクランプ19によりノズルクリーナ40の環状フレーム45が保持された状態となる。また、チャックテーブル18のポーラス吸着面18aの上に粘着テープ46、及び、ノズルクリーナ本体43が配置された状態となる。カバー部材42の表面には、吸引力K2が生じている。
Using the
次いで、チャックテーブル18を待機位置からレーザー加工ヘッド36の下方に移動させた後、図11に示すように、レーザー加工ヘッド36を下降させ、ノズルクリーナ本体43に対してノズル78の下面を接触させる。
Next, after moving the chuck table 18 from the standby position below the
ここで、本実施形態のように、内側部材41が所定の厚みを有するスポンジにて構成される場合には、ノズル78をノズルクリーナ本体43に接触させた際に、ノズルクリーナ本体43が全体として弾性変形するため、ノズル78側への大きな衝撃の発生や、これに伴う装置損傷などの不具合発生を抑えることができる。
Here, when the
そして、ノズルクリーナ本体43に対してノズル78の下面が接触すると、その接触の際の衝撃や、ノズル78内部に発生する気流により、ノズル78の縁83mから粉塵93が離脱する。また、この衝撃などによって離脱しない粉塵93についても、吸引力K2によってカバー部材42側に引き付けられ、ノズル78から離脱される。このように、ノズル78から粉塵93が離脱することにより、ノズル78に付着した粉塵93を除去することが可能となる。なお、より多くの粉塵93を除去させるために、ノズル78をノズルクリーナ本体43に接触させた後に、レーザー加工ヘッド36をわずかに上下動させてもよい。
When the lower surface of the
さらに、チャックテーブル18をX軸方向に所定の回数だけ往復移動させることにより、ノズルクリーナ本体43をX軸方向に往復移動させると、ノズル78の下面がノズルクリーナ本体43によって擦られることになり、ノズル78からの粉塵93の除去がより促進される。また、第2の開口83の縁83mを回り込むようにしてノズル78の内部に付着した粉塵93についても、ノズルクリーナ本体43をX軸方向に往復移動させることで、より確実に除去することができる。
Further, when the nozzle
以上のようにしてノズル78から粉塵93を除去した後、図12に示すように、レーザー加工ヘッド36を所定の位置まで上昇させ、ノズル78をノズルクリーナ本体43から遠ざける。ノズル78から除去された粉塵93は、ノズルクリーナ本体43に生じる吸引力K2によって、周囲に飛散することなく、ノズルクリーナ本体43に吸着させたままにすることができる。
After the
次いで、チャックテーブル18をレーザー加工ヘッド36の下の位置から待機位置へ移動させ、搬送手段16によってノズルクリーナ40をウェーハカセット8に自動的に戻すことで、クリーニング作業が終了される。
Next, the chuck table 18 is moved from the position below the
以上のように、本実施形態では、ノズルクリーナ40は、ノズルクリーナ本体43と、ノズルクリーナ本体43を支持する支持部材44からなり、保持手段(チャックテーブル18)上に保持されたノズルクリーナ40の上面にノズル78を下降させてノズル78の下面78mを当接させた後に、保持手段をノズル78に対して相対移動させることで、粉塵93を除去する。
As described above, in the present embodiment, the
そして、本実施形態では、保持手段は吸引力を発揮する吸着部(ポーラス吸着面18a)を有し、ノズルクリーナ本体43は通気性を有し、支持部材44は吸着部からの吸引力K1をノズルクリーナ本体43に作用させることで、ノズルクリーナ本体43に吸引力を発生させるための通気孔46hを有し、ノズル78から除去した粉塵93を飛散させることなくノズルクリーナ本体43に吸着させる構成としている。
In this embodiment, the holding means has a suction portion (
以上説明した本実施形態では、粉塵排出ユニット64(ノズル78)を取り外すことなく、粉塵を除去するためのクリーニング作業を容易に実施することができる。また、レーザー加工を行う通常のウェーハWと同様に、ウェーハカセット8にノズルクリーナ40をセットすることで、自動的にクリーニング作業を行うことが可能であり、クリーニング作業が終わった後には、ウェーハカセット8にセットされる通常のウェーハWについてのレーザー加工が実施可能である。このため、レーザー加工装置2の稼動を中断させることなくクリーニング作業が実施可能となる。
In the present embodiment described above, a cleaning operation for removing dust can be easily performed without removing the dust discharge unit 64 (nozzle 78). Similarly to the normal wafer W for laser processing, it is possible to automatically perform the cleaning operation by setting the
例えば、ウェーハWの所定枚数ごとにノズルクリーナ40をセットし、所定のスケジュールに基づいてクリーニング作業を自動的に実施することや、マニュアル操作にてノズルクリーナ40をセットしてクリーニング作業を実施することとしてもよい。
For example, the
また、上述の実施形態によれば、一度使用されたノズルクリーナ40について、付着した粉塵93を除去することにより、繰り返し使用することも可能となる。
Further, according to the above-described embodiment, the
36 レーザー加工ヘッド
40 ノズルクリーナ
41 内側部材
42 カバー部材
43 ノズルクリーナ本体
44 支持部材
45 環状フレーム
46 粘着テープ
46h 通気孔
78 ノズル
83 開口
83m 縁
36
Claims (2)
該保持手段に保持された該被加工物の表面にレーザービームを照射してアブレーション加工により溝を形成する集光器を有するレーザービーム照射手段と、
該集光器と該被加工物の間の空間に配設され該レーザービームを該被加工物に照射することによってレーザー加工点付近に生成される粉塵を吸引して排出するノズルを有する粉塵排出手段と、
を備えたレーザー加工装置について用いられる、レーザー加工装置用のノズルクリーナであって、
該ノズルクリーナは、
ノズルクリーナ本体と、
該ノズルクリーナ本体を支持する支持部材からなり、
前記支持部材は、環状フレームと、該環状フレームの開口を塞ぐ粘着テープとを有し、
該粘着テープの表面に前記ノズルクリーナ本体が貼着されるとともに、
該ノズルクリーナ本体が該粘着テープを介して該環状フレームに固定され、
該保持手段上に保持された該ノズルクリーナの上面に該ノズルを下降させて該ノズルの下面を該ノズルクリーナに当接させた後に、該保持手段を該ノズルに対して相対移動させることで、該粉塵を除去する、
ことを特徴とするレーザー加工装置用のノズルクリーナ。 Holding means for holding the workpiece;
A laser beam irradiation means having a condenser for irradiating the surface of the workpiece held by the holding means with a laser beam to form grooves by ablation;
Dust discharge having a nozzle that is disposed in a space between the condenser and the workpiece and sucks and discharges dust generated near the laser processing point by irradiating the workpiece with the laser beam. Means,
A nozzle cleaner for a laser processing apparatus used for a laser processing apparatus equipped with
The nozzle cleaner
The nozzle cleaner body,
A support member for supporting the nozzle cleaner body;
The support member includes an annular frame and an adhesive tape that closes an opening of the annular frame;
The nozzle cleaner body is attached to the surface of the adhesive tape,
The nozzle cleaner body is fixed to the annular frame via the adhesive tape,
After lowering the nozzle on the upper surface of the nozzle cleaner held on the holding means and bringing the lower surface of the nozzle into contact with the nozzle cleaner, the holding means is moved relative to the nozzle, Removing the dust,
A nozzle cleaner for a laser processing apparatus.
前記ノズルクリーナ本体は通気性を有し、
前記支持部材は該吸着部からの該吸引力を該ノズルクリーナ本体に作用させることで、該ノズルクリーナ本体に吸引力を発生させるための通気孔を有し、
前記ノズルから除去した粉塵を飛散させることなく該ノズルクリーナ本体に吸着させる、
ことを特徴とする請求項1記載のレーザー加工装置用のノズルクリーナ。 The holding means has a suction portion that exerts a suction force;
The nozzle cleaner body has air permeability,
The support member has a ventilation hole for generating a suction force in the nozzle cleaner body by causing the suction force from the suction portion to act on the nozzle cleaner body.
Adsorb to the nozzle cleaner body without scattering the dust removed from the nozzle,
The nozzle cleaner for a laser processing apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011157626A JP5808182B2 (en) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | Nozzle cleaner for laser processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011157626A JP5808182B2 (en) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | Nozzle cleaner for laser processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013022601A JP2013022601A (en) | 2013-02-04 |
JP5808182B2 true JP5808182B2 (en) | 2015-11-10 |
Family
ID=47781539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011157626A Active JP5808182B2 (en) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | Nozzle cleaner for laser processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5808182B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018168270A1 (en) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | 本田技研工業株式会社 | Laser machining apparatus |
JP6508549B2 (en) * | 2017-05-12 | 2019-05-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Laser processing equipment |
-
2011
- 2011-07-19 JP JP2011157626A patent/JP5808182B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013022601A (en) | 2013-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102107849B1 (en) | Laser machining apparatus and its intake passage cleaning method | |
JP6004675B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP6104025B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
KR102336955B1 (en) | Wafer processing method | |
US20170106471A1 (en) | Laser processing apparatus | |
US20100270273A1 (en) | Laser beam processing machine | |
KR102084269B1 (en) | Laser machining apparatus and method for coating protection film | |
JP5610991B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP5808182B2 (en) | Nozzle cleaner for laser processing equipment | |
JP4666583B2 (en) | Protective coating method | |
JP5637769B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP6061691B2 (en) | Laser processing method and laser processing apparatus | |
JP5706235B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP2011125871A (en) | Laser beam machining apparatus | |
JP2011073080A (en) | Imaging device | |
JP5394211B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP7431601B2 (en) | laser processing equipment | |
JP5619510B2 (en) | Laser processing equipment | |
JP5887164B2 (en) | Wafer laser processing method | |
JP2021034647A (en) | Protective film coating device and laser processing apparatus equipped with protective film coating device | |
JP2015015400A (en) | Processing device | |
JP2014217871A (en) | Laser processing device and laser processing method using the same | |
JP5788716B2 (en) | Dust discharge device | |
JP2009076823A (en) | Cutting method for wafer | |
JP2015138819A (en) | Spinner device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5808182 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |