JP5804926B2 - 超電導薄膜 - Google Patents
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Description
このRE系超電導体を用いた超電導薄膜は、ケーブルやSMES(超電導エネルギー貯蔵装置)への応用が期待されており、臨界電流(Ic)特性や機械的強度(曲げ強度など)が要求される。
そこで、本発明の上記課題は下記の手段によって解決された。
<1>基板と、前記基板の主面に形成され、RE系超電導体を主体とする多層構造の超電導層とを有しており、前記超電導層は、RECuO2と前記RECuO2に接した空隙とを含有する空隙単位層を有しする超電導薄膜。
<2>前記空隙単位層において前記基板側の界面とは反対の界面における前記RECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、前記空隙単位層の両界面における前記空隙の面積含有率が実質的に0%である超電導薄膜。
<3>前記超電導層は、更に層全体の前記空隙の面積含有率が実質的に0%である超電導単位層を有している<1>又は<2>に記載の超電導薄膜。
<4>前記超電導層は、前記空隙単位層と前記超電導単位層とが繰返し積層された周期構造である、<3>に記載の超電導薄膜。
<5>前記基板と前記超電導層との間には、CeO2層が位置しており、前記CeO2層と前記超電導単位層が接している、<3>又は<4>に記載の超電導薄膜。
<6>前記空隙単位層における層全体の前記空隙の面積含有率は、0.1%以上20%以下である、<1>〜<5>の何れか1つに記載の超電導薄膜。
<7>前記空隙単位層における層全体の前記空隙の面積含有率は、1%以上10%以下である、<6>に記載の超電導薄膜。
<8>前記空隙単位層における層全体の前記空隙の面積含有率は、1%以上5%以下である、<7>に記載の超電導薄膜。
<9>前記超電導単位層は、ピニングセンターとして作用する不純物を含有している、<3>〜<5>の何れか1つに記載の超電導薄膜。
図1は、本発明の実施形態に係る超電導線1の積層構造を示す図である。
超電導線1は、テープ状の基板11上に中間層12、超電導層13、安定化層(保護層)14が順に形成された積層構造を有している。
ここで、REをPrとしたPrBa2Cu3O7−δだけは、現在、超電導現象が確認されていないが、将来酸素不定比量δを制御するなどして超電導現象が確認できた場合には、本発明の実施形態に係わる酸化物超電導体にPrBa2Cu3O7−δも含むものとする。
また、REBa2Cu3O7−δ中の各陽イオンの組成比は、厳密に1:2:3となる必要はなく、REBa2Cu3O7−δの結晶構造を維持できる程度にずれていてもよい。
図2は、図1に示す超電導線1の断面構造を示す図であって、特に超電導層13の層構造を詳細化したものである。
なお、超電導層13を構成する単位層同士の区別は、各単位層間に形成され得るY2O3、Gd2O3等のReOxの薄膜層、その他欠陥、転位、格子ひずみなどをTEM(Transmission Electron Microscope)等により特定して、区別することができる。また、単位層13−1、13−2、・・・13−nの各層の表面形態を光学顕微鏡やSEMなどの手段を用いて、in-situまたはex-situにより確認することができる。
また、この空隙単位層において、基板11側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率は実質的に0%であり、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率は実質的に0%であることが望ましい。すなわち、空隙は空隙単位層内に存在し、RECuO2は上側界面以外に存在し、下側界面にも存在していてもよい。
超電導層13が空隙を含有する空隙単位層を有することにより超電導層13の残留応力や格子の歪などを緩和して、超電導線1の反りを抑制でき、且つ、機械的強度を改善できるからである。また、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であるため、両界面からマイクロクラックが生じ難くなり、単に空隙を含有する場合に比べて機械的強度をより改善できる。
ここで、空隙やRECuO2が空隙単位層の界面に存在していると、当該界面上の単位層において空隙やRECuO2の上に位置する領域にはRE系超電導体が成長し難く、一次元のピンホールやその他異相が形成してしまい、結果としてIc特性の劣化に繋がる。本実施形態では、空隙やRECuO2を含有していても、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面(上側界面)における空隙及びRECuO2の面積含有率が実質的に0%であるため、当該上側界面上に成膜される単位層において空隙及びRECuO2がRE系超電導体の成長を妨げない。
なお、上記「実質的に」とは、界面において空隙及びRECuO2の面積含有率が完全に0%である場合だけでなく、0.01%以下の含有率も含む意味である。
一方で、空隙単位層の界面に空隙やRECuO2が存在していると、当該界面上に成膜される単位層においてRE系超電導体の成長速度と他の相の成長速度との関係が上述した関係と異なってしまうため、界面上に成膜される単位層において界面にある空隙やRECuO2の上の領域にはRE系超電導体が成長し難いと考えられる。
なお、RECuO2と空隙の確認は、超電導層13を構成する各単位層の断面TEMによって行うことができる。
さらに、空隙単位層における層全体の空隙の面積含有率は、1%以上10%以下であることが好ましい。1%以上であると反りを十分に抑制し、且つ機械的強度を十分に改善させることができるからである。10%以下であると、空隙の過剰含有による機械的強度の低下やIcの大幅な低下を抑制できるからである。
さらにまた、空隙単位層における層全体の空隙の面積含有率は、1%以上5%以下であることが好ましい。5%以下であるとIcの大幅な低下を抑制できるからである。
なお、「空隙の含有率」とは、空隙単位層断面における空隙の面積/全面積の百分率の平均である。空隙単位層断面観察はTEM及びFIB−SIM(Focused Ion Beam-Scanning Ion Microscope)により数箇所で行われる。
さらに、超電導線1は、超電導層第1構成層の他、超電導層13の一部を構成する層、すなわち複数の単位層13−1、13−2、・・・13−nのうち少なくとも1つの層では、層全体の空隙の面積含有率が実質的に0%である超電導単位層を有することが好ましい。
空隙単位層よりも超電導単位層の方が、空隙が存在しない分、臨界電流密度が向上する。例えば各単位層13−1、13−2、・・・13−nが全て空隙単位層である場合に比べて、単位層13−1、13−2、・・・13−nのうち少なくとも1つが超電導単位層である方が、高Icを得ることができる。
なお、これら空隙単位層及び超電導単位層の膜厚は、特に限定されないが、例えばそれぞれ20nm以上200nm以下である。
次に、以上で説明した超電導線1の製造方法について説明する。
中間層12の形成(成膜)方法としては、例えばPLD法、CVD法、MOCVD法、IBAD法、TFA−MOD法、又はスパッタ法などを用いることができる。特に、中間層12が多層膜で構成される場合は、最表層のキャップ層の形成(成膜)方法としては、PLD法やRFスパッタ法による成膜が好適に用いられる。
次に、図2に示すように、超電導層13を形成する。
超電導層13の形成(成膜)方法としては、例えばPLD法、CVD法、MOCVD法、TFA−MOD法、又はスパッタ法などが挙げられる。これら成膜方法の中でも、高真空を必要としない、大面積、複雑な形状の基材11にも成膜可能で、且つ、量産性に優れているという理由からMOCVD法を用いることが好ましい。
本実施形態では、超電導層13はMOCVD装置100を用いて多数回(少なくとも2回)にわたって成膜する。ここで、上述した空隙単位層を成膜するには、例えば成膜温度を760℃以上780℃以下にし、上述した原料溶液として、RE、Ba、及びCuの有機化合物原料(REBCO)をRE:Ba:Cu=1:1.25〜1.35:2.5〜2.6の比率で加えることにより行うことができる。また、上述した超電導単位層を成膜するには、例えば成膜温度を740℃以上760℃未満にし、上述した原料溶液として、RE、Ba、及びCuの有機化合物原料(REBCO)をRE:Ba:Cu=1:1.35〜1.45:2.5〜2.6の比率で加えることにより行うことができる。すなわち、空隙単位層を成膜するには、超電導単位層を成膜する場合に比べて、成膜温度を10〜30℃程度高くし、且つ、Baの比率を若干少なくすることで作製することができる。
なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わされて実施可能である。また、以下の変形例を、適宜、組み合わせてもよい。
実施例1では、超電導薄膜として超電導線を作製した。実施例1の超電導線において基板は、研磨ハステロイ基板を用いた。中間層は、基板側から順にIBAD(Ion Beam Assisted Deposition)−GZO(Gd2Zr2O7)とCeO2の多層構造とした。超電導層は、MOCVD法によりRTR往復多数回で成膜した。超電導層を構成する各単位層は、全て空隙の含有率を0.1%に調整した空隙単位層とした。ここで、空隙の含有率やRECuO2の存在は、超電導線の製造後TEMにより確認した。また、TEMにより、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であることも確認した。
なお、超電導層を構成する各空港単位層の成長温度(成膜温度)や組成比は、以下の表1に記載した通りである。
実施例2では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、実施例2の超電導線では、超電導層を構成する各単位層は、全て空隙の含有率を1%に調整した空隙単位層とした。ここで、空隙の含有率やRECuO2の存在は、超電導線の製造後TEMにより確認した。また、TEMにより、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であることも確認した。
実施例3では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、実施例3の超電導線では、超電導層を構成する各単位層は、全て空隙の含有率を3%に調整した空隙単位層とした。ここで、空隙の含有率やRECuO2の存在は、超電導線の製造後TEMにより確認した。また、TEMにより、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であることも確認した。
実施例4では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、実施例4の超電導線では、超電導層を構成する各単位層は、全て空隙の含有率を5%に調整した空隙単位層とした。ここで、空隙の含有率やRECuO2の存在は、超電導線の製造後TEMにより確認した。また、TEMにより、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であることも確認した。
実施例5では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、実施例5の超電導線では、超電導層を構成する各単位層は、全て空隙の含有率を6%に調整した空隙単位層とした。ここで、空隙の含有率やRECuO2の存在は、超電導線の製造後TEMにより確認した。また、TEMにより、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であることも確認した。
実施例6では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、実施例6の超電導線では、超電導層を構成する各単位層は、全て空隙の含有率を10%に調整した空隙単位層とした。なお、空隙の含有率は、超電導線の製造後TEMにより確認した。
実施例7では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、実施例7の超電導線では、超電導層を構成する各単位層は、全て空隙の含有率を20%に調整した超空隙単位層とした。ここで、空隙の含有率やRECuO2の存在は、超電導線の製造後TEMにより確認した。また、TEMにより、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、空隙単位層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であることも確認した。
実施例8では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、実施例8の超電導線では、超電導層は、空隙単位層と超電導単位層とが繰返し積層された周期構造とし、CeO2層と接する超電導層の最下層を、超電導単位層で構成した。また、各空隙単位層の空隙の含有率を2.5%に調整した。ここで、空隙の含有率やRECuO2の存在は、超電導線の製造後TEMにより確認した。また、TEMにより、空隙単位層の基板側の界面とは反対の界面におけるRECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、超電導層第1構成層の両界面における空隙の面積含有率が実質的に0%であることも確認した。
比較例1では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、比較例1の超電導線では、超電導層は、超電導単位層のみを複数積層して構成し、超電導層に空隙が無い状態としている。なお、空隙の含有率は、超電導線の製造後TEMにより確認した。
比較例2では、実施例1同様の方法で超電導線を作製した。ただし、比較例2の超電導線では、超電導層は、複数の単位層で構成し、各単位層間の界面の下方の領域だけでなく当該界面にも露出した空隙(RECuO2と接していない空隙)を含有している。なお、空隙の含有率は、超電導線の製造後TEMにより確認した。
以上のように作製した各実施例及び各比較例の超電導線に対して、機械的強度や反り、臨界電流Icをそれぞれ評価した。
機械的強度の評価は、測定対象の超電導線を200mm径のリールに巻いて、その後、線材断面をSEMやTEMで観測し、ミクロクラックや剥離の有無を確認することにより行った。
また、反りの評価は、線材幅方向の断面を光学顕微鏡で確認することにより行った。
また、Icの評価、得られた超電導線(線幅10mm)を液体窒素に浸漬した状態で四端子法を用いて測定することにより行った。電圧端子は1cm、電界基準は1μV/cmとした。
さらに、空隙単位層における層全体の空隙の面積含有率は、1%以上10%以下であることが好ましいことが分かった。1%以上であると反りを十分に抑制し、且つ機械的強度を十分に改善させることができるからである。10%以下であると、空隙の過剰含有による機械的強度の低下やIcの大幅な低下を抑制できるからである。
さらにまた、空隙単位層における層全体の空隙の面積含有率は、1%以上5%以下であることが好ましいことが分かった。5%以下であるとIcの大幅な低下を抑制できるからである。
11 基板
12 中間層(CeO2層)
13 超電導層
13−1〜13−n 単位層(空隙単位層、超電導単位層)
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の主面に形成され、RE系超電導体を主体とする多層構造の超電導層とを有しており、
前記超電導層は、RECuO2と前記RECuO2に接した空隙とを含有する空隙単位層を有する超電導薄膜。 - 前記空隙単位層において前記基板側の界面とは反対の界面における前記RECuO2の面積含有率が実質的に0%であり、前記空隙単位層の両界面における前記空隙の面積含有率が実質的に0%である請求項1に記載の超電導薄膜。
- 前記超電導層は、更に層全体の前記空隙の面積含有率が実質的に0%である超電導単位層を有している、
請求項1又は請求項2に記載の超電導薄膜。 - 前記超電導層は、前記空隙単位層と前記超電導単位層とが繰返し積層された周期構造である、
請求項3に記載の超電導薄膜。 - 前記基板と前記超電導層との間には、CeO2層が位置しており、
前記CeO2層と前記超電導単位層が接している、
請求項3又は請求項4に記載の超電導薄膜。 - 前記空隙単位層における層全体の前記空隙の面積含有率は、0.1%以上20%以下である、
請求項1〜請求項5の何れか1項に記載の超電導薄膜。 - 前記空隙単位層における層全体の前記空隙の面積含有率は、1%以上10%以下である、
請求項6に記載の超電導薄膜。 - 前記空隙単位層における層全体の前記空隙の面積含有率は、1%以上5%以下である、
請求項7に記載の超電導薄膜。 - 前記超電導単位層は、ピニングセンターとして作用する不純物を含有している、
請求項3〜請求項5の何れか1項に記載の超電導薄膜。
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