JP5799831B2 - 検査装置及び検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、検査装置及び検査方法に関する。

レチクルを製造した後には、欠陥検査装置を用いて、レチクルの欠陥の検査が行われる。

近時では、欠陥検査装置の精度が向上しており、多数の欠陥が検出される傾向にある。

検出された欠陥に対しては、レビューＳＥＭ等を用いて欠陥が検査員により観察され、必要に応じて欠陥の修復（修正）等が行われる。

特開２０１１−４７７２４号公報

しかしながら、多数の欠陥をレビューＳＥＭ等により検査員が観察するため、長時間を要する場合があった。

本発明の目的は、欠陥検査を効率化し得る検査装置及び検査方法を提供することにある。

実施形態の一観点によれば、レチクルを走査することにより、前記レチクルの各箇所における透過光の強度を示す測定データを取得するステップと、前記測定データに対して基準となる前記レチクルの各箇所についての参照データと、前記レチクルの各箇所についての前記測定データとを用いた減算処理を行うことにより、前記レチクルの各箇所についての第１のデータを生成するステップと、前記参照データの最大値より小さく、前記参照データの最小値より大きい所定値と、前記レチクルの各箇所についての前記参照データとを用いた減算処理を行うことにより得られた前記レチクルの各箇所についての第２のデータと、前記レチクルの各箇所についての前記第１のデータとを乗算することにより、前記レチクルの各箇所についての第３のデータを生成するステップと、前記レチクルの各箇所についての前記第３のデータに基づいて、前記レチクルの検出すべき欠陥を抽出するステップとを有することを特徴とする検査方法が提供される。

実施形態の他の観点によれば、レチクルを走査することにより、前記レチクルの各箇所における透過光の強度を示す測定データを取得する測定部と、前記測定データに対して基準となる前記レチクルの各箇所についての参照データと、前記レチクルの各箇所についての前記測定データとを用いた減算処理を行うことにより、前記レチクルの各箇所についての第１のデータを生成し、前記参照データの最大値より小さく、前記参照データの最小値より大きい所定値と、前記レチクルの各箇所についての前記参照データとを用いた減算処理を行うことにより得られた前記レチクルの各箇所についての第２のデータと、前記レチクルの各箇所についての前記第１のデータとを乗算することにより、前記レチクルの各箇所についての第３のデータを生成し、前記レチクルの各箇所についての前記第３のデータに基づいて前記レチクルの検出すべき欠陥を抽出する処理部とを有することを特徴とする検査装置が提供される。

開示の検査装置及び検査方法によれば、レチクルの各箇所についての測定データとレチクルの各箇所についての参照データとを用いた減算処理を行うことにより、レチクルの各箇所についての第１のデータを生成する。また、レチクルの各箇所についての参照データと所定値とを用いた減算処理を行うことにより、レチクルの各箇所についての第２のデータを生成する。第２のデータは、当該箇所が遮光パターンが形成される箇所か否かを示すものである。そして、レチクルの各箇所についての第１のデータとレチクルの各箇所についての第２のデータとを用いた乗算処理を行うことにより、レチクルの各箇所についての第３のデータを生成する。そして、レチクルの各箇所についての第３のデータに基づいて、検出すべき欠陥を抽出する。検出する必要の無い欠陥を除外することができるため、レチクルの欠陥検査を効率的に行うことができる。

図１は、第１実施形態による検査装置を示すブロック図である。 図２は、欠陥が存在していないレチクルを模式的に示した平面図である。 図３は、欠陥が存在しているレチクルを模式的に示した平面図である。 図４は、測定データの例を模式的に示したグラフである。 図５は、参照データの一部を模式的に示したグラフである。 図６は、第１のデータの例を示すグラフである。 図７は、第１のデータの絶対値と閾値ａとの関係の例を示すグラフである。 図８は、参照データと閾値ｂとの関係を示すグラフである。 図９は、第２のデータの例を示すグラフである。 図１０は、第３のデータの例を示すグラフである。 図１１は、第１実施形態による検査方法を示すフローチャートである。 図１２は、欠陥が存在していないレチクルを模式的に示した平面図である。 図１３は、欠陥が存在しているレチクルを模式的に示した平面図である。 図１４は、測定データの例を模式的に示したグラフである。 図１５は、参照データの一部を模式的に示したグラフである。 図１６は、第１のデータの例を示すグラフである。 図１７は、第１のデータの絶対値と閾値ａとの関係の例を示すグラフである。 図１８は、参照データと閾値ｂとの関係を示すグラフである。 図１９は、第２のデータの例を示すグラフである。 図２０は、第３のデータの例を示すグラフである。

［第１実施形態］
第１実施形態による検査装置及び検査方法について図１乃至図１１を用いて説明する。図１は、本実施形態による検査装置を示すブロック図である。

本実施形態による検査装置は、通常の欠陥検査装置が有している機能と同様の機能を有し、更に、欠陥検査を効率的に行い得るようになっているものである。通常の欠陥検査装置の機能を実現するための構成については、説明の便宜上、適宜省略している。

検査対象であるレチクル（フォトマスク）１０は、図示しない支持部により支持されるようになっている。支持部としては、例えばＸ−Ｙステージ等が用いられる。

レチクル１０には、光源１２から光が照射されるようになっている。光源１２としては、例えばレーザ光源が用いられる。かかるレーザ光源１２としては、例えばＡｒレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ等を用いることができる。

レチクル１０を透過した透過光は、受光部（受光素子）１４により受光されるようになっている。受光部１４は、受光した光の強度に応じた信号を出力するものである。

レチクル１０と光源１２との相対的な位置を変化させながら、光源１２によりレチクル１０に光を照射し、レチクル１０を透過した光を受光部１４により検出することにより、レチクル１０の走査（スキャン）が行われる。

こうして、光源１２と支持部（図示せず）と受光部１４とを含み、レチクル１０の走査を行う測定部１５が形成されている。

測定部１５の受光部１４からの出力信号は、処理部１６に入力されるようになっている。処理部１６は、本実施形態による検査装置全体の制御を司るととともに、所定の処理を行うものである。処理部１６には、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）が内蔵されている。処理部１６は、光源１２からレチクル１０に光を照射した際の位置座標のデータと透過光の強度のデータとを関連付けて順次取得する。これにより、レチクル１０の各箇所（各位置座標）における透過光の強度を示す測定データ（光強度データ）ｆ（ｘ，ｙ）が取得される。かかる測定データｆ（ｘ，ｙ）は、レチクル１０の検出画像（測定画像）を示す画像データである。

処理部１６には、記憶部１８が接続されている。記憶部１８としては、ＲＡＭ（Random Access Memory）やＨＤＤ（Hard Disc Drive）等が用いられる。取得された測定データｆ（ｘ，ｙ）は、例えば、記憶部１８内に設けられる測定データメモリ（光強度データメモリ）（図示せず）に記憶される。

図２は、欠陥が存在していないレチクルを模式的に示した平面図である。

図２に示すように、レチクル１０の透明基板２０上には、クロム膜等の遮光膜により形成されたパターン（遮光パターン）２２が形成されている。

図３は、欠陥が存在しているレチクルを模式的に示した平面図である。

図３における星印２４ａ〜２４ｄは、欠陥を模式的に示している。欠陥２４ａは、遮光パターン２２の一部に生じた透過性の欠陥を示している。このような欠陥２４ａは、遮光パターン２２の一部が剥離等することにより生じ得る。欠陥２４ｂは、遮光パターン２２が形成されない箇所に生じた透過性の欠陥を示している。欠陥２４ｃは、遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥を示している。欠陥２４ｄは、遮光パターン２２が形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥を示している。

なお、実際には、このような４つの態様の欠陥２４ａ〜２４ｄが図３のように直線上に等間隔で配列されるのは稀であるが、ここでは、説明の便宜上、４つの態様の欠陥２４ａ〜２４ｄが直線上に等間隔で生じた場合を例に説明する。

図４は、測定データの例を模式的に示したグラフである。図４における横軸は、レチクル１０を走査した際の位置を示しており、図４における縦軸は、透過光の強度を示している。図４は、図３の破線に沿ってレチクル１０の走査を行った場合に対応している。

図４において、透過光の強度が周囲と異なっている箇所は、図３に示す欠陥２４ａ〜２４ｄの箇所にそれぞれ対応している。

遮光パターン２２の一部に形成された透過性の欠陥２４ａの場合には、当該欠陥２４ａに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値が、当該欠陥２４ａの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも大きくなる。

遮光パターン２２が形成されない箇所に形成された透過性の欠陥２４ｂの場合には、当該欠陥２４ｂに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値が、当該欠陥２４ｂの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも小さくなる。

遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃの場合には、当該欠陥２４ｃに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、当該欠陥２４ｃの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも小さくなる。

遮光パターン２２が形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｄの場合には、当該欠陥２４ｄに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、当該欠陥２４ｄの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも小さくなる。

図５は、参照データの一部を模式的に示したグラフである。参照データｇ（ｘ，ｙ）は、レチクル１０に欠陥が存在しない場合に得られる測定データに対応するものであり、上述した測定データｆ（ｘ，ｙ）に対しての基準となるものである。図５における横軸は、レチクル１０を走査した際の位置を示しており、図５における縦軸は、レチクル１０に欠陥が存在しない場合の透過光の強度を示している。図５は、図２の破線に沿ってレチクル１０の走査を行った場合に対応する。なお、図２の破線と図３の破線とは位置的に対応している。

参照データｇ（ｘ，ｙ）は、例えば、レチクル１０の設計データ等に基づいて形成することが可能である。参照データｇ（ｘ，ｙ）は、例えば、記憶部１８内に設けられる参照データメモリ（図示せず）に記憶される。

処理部１６は、レチクル１０の各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）と、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）とを用いた減算処理を行うことにより、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する。具体的には、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）を、レチクル１０の各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）から減算することにより、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する。第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）は、以下のような式（１）により表される。

Ｄ１（ｘ，ｙ） ＝ ｆ（ｘ，ｙ）−ｇ（ｘ，ｙ） ・・・（１）
第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）は、測定データｆ（ｘ，ｙ）により示される測定画像と参照データｇ（ｘ，ｙ）により示される参照画像との差画像に対応する。

図６は、第１のデータの例を示すグラフである。図６における横軸は、位置を示しており、図６における縦軸は、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を示している。

測定データｆ（ｘ，ｙ）の値と参照データｇ（ｘ，ｙ）の値とが比較的大きく乖離している場合、即ち、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の大きさが比較的大きい場合には、当該箇所に欠陥が存在していると考えることができる。

一方、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の大きさが比較的小さい場合には、当該箇所には欠陥が存在していない、又は、当該箇所の欠陥は無視し得る程度のものであると考えることができる。

従って、処理部１６は、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値と、所定の閾値（所定値）ａとを対比し、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値が閾値ａ以上の場合には、当該箇所に欠陥が存在していると判断する。即ち、以下のような式（２）を満たす場合には、処理部１６は、当該箇所に欠陥が存在していると判断する。

｜Ｄ１（ｘ，ｙ）｜ ≧ ａ ・・・（２）
図７は、第１のデータの絶対値と閾値ａとの関係の例を示すグラフである。図７における横軸は、位置を示しており、図７における縦軸は、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値を示している。

図７に示すように、欠陥２４ａ〜２４ｄが存在している箇所においては、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値が閾値ａ以上となる。

第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値が所定の閾値ａより小さい場合には、処理部１６は、当該箇所には欠陥が存在していない、又は、当該箇所の欠陥は無視し得る程度のものであると判断する。

処理部１６は、欠陥が存在していると判断した箇所の位置座標（ｘ，ｙ）を、例えば、記憶部１８内に設けられる欠陥座標メモリ（図示せず）に記憶する。

遮光パターン２２の一部に生じた透過性の欠陥２４ａの場合には、当該欠陥２４ａに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、正となる。

遮光パターン２２が形成されない箇所に生じた透過性の欠陥２４ｂの場合には、当該欠陥２４ｂに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、負となる。

遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃの場合には、当該欠陥２４ｃに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、負となる。

遮光パターン２２が形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｄの場合には、当該欠陥２４ｄに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、負となる。

遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃの場合には、レチクル１０のパターンを転写する際に悪影響を及ぼさないため、敢えて欠陥として検出する必要がない。従って、本実施形態では、以下のようにして、遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃを、欠陥として検出しないようにする。

欠陥２４ｃが、遮光パターン２２が形成される箇所に位置するか、それとも、遮光パターン２２が形成されない箇所に位置するかは、参照データｇ（ｘ，ｙ）に基づいて判断することが可能である。

即ち、参照データｇ（ｘ，ｙ）の値が比較的大きい箇所は、遮光パターン２２が形成されない箇所である。

一方、参照データｇ（ｘ，ｙ）の値が比較的小さい箇所は、遮光パターン２２が形成される箇所である。

従って、処理部１６は、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）と所定の閾値（所定値）ｂとを用いた減算処理を行う。具体的には、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）から、閾値ｂを減算する。閾値ｂは、例えば、参照データｇ（ｘ，ｙ）の最大値ｇｍａｘと参照データｇ（ｘ，ｙ）の最小値ｇｍｉｎとの平均値を用いることができる。この場合、閾値ｂは、例えば、以下のような式（３）で表される。

ｂ ＝ （ｇｍａｘ＋ｇｍｉｎ）÷２ ・・・（３）
図８は、参照データと閾値ｂとの関係を示すグラフである。図８における横軸は、位置を示しており、図８における縦軸は、参照データｇ（ｘ，ｙ）を示している。

なお、閾値ｂは、参照データｇ（ｘ，ｙ）の最大値ｇｍａｘと参照データｇ（ｘ，ｙ）の最小値ｇｍｉｎとの平均値に限定されるものではない。参照データｇ（ｘ，ｙ）の最大値ｇｍａｘより小さく、参照データｇ（ｘ，ｙ）の最小値ｇｍｉｎより大きい値を、閾値ｂとして用いることができる。

こうして、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）と閾値ｂとを用いた減算処理を行うことにより、レチクル１０の各箇所についての第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を生成する。第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）は、以下のような式（４）で表される。

Ｄ２（ｘ，ｙ） ＝ ｇ（ｘ，ｙ）−ｂ ・・・（４）
図９は、第２のデータの例を示すグラフである。図９における横軸は、位置を示しており、図９における縦軸は、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を示している。

図２及び図９から分かるように、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値が正の箇所は、遮光パターン２２が形成されない箇所に対応する。

一方、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値が負の箇所は、遮光パターン２２が形成される箇所に対応する。

処理部１６は、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを用いて乗算処理することにより、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を生成する。そして、検出すべき欠陥２４ａ、２４ｂ、２４ｄと検出する必要がない欠陥２４ｃとを、以下のように区別する。

第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）は、以下のような式（５）で表される。

Ｄ３（ｘ，ｙ） ＝ Ｄ１（ｘ，ｙ）×Ｄ２（ｘ，ｙ） ・・・（５）
上述したように、遮光パターン２２の一部に生じた透過性の欠陥２４ａの場合には、当該欠陥２４ａに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、正となる。

また、上述したように、遮光パターン２２が形成される箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図９に示すように、負となる。

従って、遮光パターン２２の一部に生じた透過性の欠陥２４ａの場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）との積である第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、負となる。

図１０は、第３のデータの例を示すグラフである。図１０における横軸は、位置を示しており、図１０における縦軸は、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を示している。

図１０に示すように、欠陥２４ａに対応する第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２が形成されない箇所に生じた透過性の欠陥２４ｂの場合には、当該欠陥２４ｂに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２が形成されない箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図９に示すように、正となる。

従って、遮光パターン２２が形成されない箇所に生じた透過性の欠陥２４ｂの場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）との積である第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、図１０に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃの場合には、当該欠陥２４ｃに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２が形成される箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図９に示すように、負となる。

従って、遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃの場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）との積である第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、図１０に示すように、正となる。

また、上述したように、遮光パターン２２が形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｄの場合には、当該箇所２４ｄに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図６に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２が形成されない箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図９に示すように、正となる。

従って、遮光パターン２２が形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｄの場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）との積である第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、図１０に示すように、負となる。

このように、遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃの場合には、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が正となるのに対して、他の欠陥２４ａ，２４ｂ，２４ｄ場合には、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が負となる。このため、遮光パターン２２上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｃの場合と、その他の欠陥２４ａ，２４ｂ，２４ｄの場合とを、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）に基づいて区別することが可能である。

ところで、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が負であったとしても、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が十分に小さい場合には、無視し得る程度の欠陥、又は、測定誤差等によるものと考えることが可能である。

従って、処理部１６は、レチクル１０の各箇所についての第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）と所定の閾値（所定値）ｃとを対比することにより、検出すべき欠陥か否かを判断する。

具体的には、以下のような式（６）を満たす場合には、処理部１６は、当該箇所の欠陥を検出すべき欠陥であると判断する。

Ｄ３（ｘ，ｙ）≦ｃ ・・・（６）
一方、Ｄ３（ｘ，ｙ）が閾値ｃより大きい場合には、処理部１６は、当該箇所の欠陥は、検出すべき欠陥ではないと判断する。

処理部１６は、検出すべき欠陥の座標（ｘ，ｙ）を、例えば、記憶部１８内に設けられる検出必要欠陥座標メモリ（図示せず）に記憶する。

こうして、検出する必要のない欠陥２４ｃが除外され、検出すべき欠陥２４ａ，２４ｂ，２４ｄが抽出される。

こうして、本実施形態による検査装置が形成されている。

このように本実施形態によれば、測定データｆ（ｘ，ｙ）と参照データｇ（ｘ，ｙ）とを用いた減算処理を行うことにより、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する。また、参照データｇ（ｘ，ｙ）と閾値ｂとを用いた減算処理を行うことにより、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を生成する。そして、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを用いた乗算処理を行うことにより、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を生成する。そして、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を閾値ｃと対比することにより、レチクル１０の検出すべき欠陥を抽出する。本実施形態によれば、検出する必要のない欠陥を除外することができるため、レチクル１０の欠陥検査を効率的に行うことができる。

次に、本実施形態による検査方法について図１１を用いて説明する。図１１は、本実施形態による検査方法を示すフローチャートである。

まず、レチクル１０を走査することにより、レチクル１０の各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）を取得する（ステップＳ１）。

次に、レチクル１０の各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）とレチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）とを用いた減算処理を行うことにより、レチクル１０の各箇所についての第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する（ステップＳ２）。より具体的には、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）を、レチクル１０の各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）から減算することにより、レチクル１０の各箇所についての第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を求める（式（１）参照）。換言すれば、測定データｆ（ｘ，ｙ）により示される測定画像と参照データｇ（ｘ，ｙ）により示される参照画像との差画像のデータＤ１（ｘ，ｙ）を求める。

次に、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値と所定の閾値（所定値）ａとを対比することにより、欠陥を検出する（ステップＳ３）。換言すれば、差画像のデータＤ１（ｘ，ｙ）に基づいて、欠陥を検出する。第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値が閾値ａ以上の場合には、当該箇所に欠陥が存在していると判断する（式（２）参照）。一方、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値が閾値ａより小さい場合には、当該箇所には欠陥が存在していない、又は、当該箇所の欠陥は無視し得る程度のものであると判断する。処理部１６は、欠陥が存在していると判断した箇所の座標（ｘ，ｙ）を、記憶部１８内に設けられる欠陥座標メモリ（図示せず）に記憶する。

次に、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）と所定の閾値（所定値）ｂとを用いた減算処理を行うことにより、レチクル１０の各箇所についての第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を生成する（ステップＳ４）。より具体的には、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）から閾値ｂを減算することにより、レチクル１０の各箇所についての第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を求める（式（４）参照）。

次に、レチクル１０の各箇所についての第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを用いた乗算処理を行うことにより、レチクル１０の各箇所についての第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を生成する（式（５）参照）（ステップＳ５）。

次に、レチクル１０の各箇所についての第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）と所定の閾値（所定値）ｃとを対比することにより、レチクル１０の検出すべき欠陥を抽出する（式（６）参照）（ステップＳ６）。

こうして、検出する必要のない欠陥（検出不要欠陥）が除外され、検出すべき欠陥（検出必要欠陥）が抽出される。

次に、検出すべき欠陥、即ち、レビューや補修（修正）等を行うことが必要な欠陥に対して、レビューを行う（ステップＳ７）。レビューは、レビューＳＥＭ等を用いて、人（測定者、検査員）がレチクル１０の欠陥を観察するものである。

これにより、検出する必要のない欠陥が除外され、検出すべき欠陥についてだけレビューが行われるため、レチクル１０の欠陥検査を効率的に行うことができる。

そして、レビューの結果に応じて、レチクル１０の修復等が適宜行われる。

このように、本実施形態では、レチクル１０の各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）とレチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）とを用いた減算処理を行うことにより、レチクル１０の各箇所についての第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する。また、レチクル１０の各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）と閾値ｂとを用いた減算処理を行うことにより、レチクル１０の各箇所についての第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を生成する。そして、レチクル１０の各箇所についての第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）とレチクル１０の各箇所についての第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを用いた乗算処理を行うことにより、レチクル１０の各箇所についての第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を生成する。そして、レチクル１０の各箇所についての第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）と閾値ｃとを対比することにより、レチクル１０の検出すべき欠陥を抽出する。本実施形態によれば、検出する必要の無い欠陥を除外することができるため、レチクル１０の欠陥検査を効率的に行うことができる。

［第２実施形態］
第２実施形態による検査装置及び検査方法について図１２乃至図 を用いて説明する。図１乃至図１１に示す第１実施形態による検査装置及び検査方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による検査装置及び検査方法は、ビアを形成するための開口パターン２３が形成されたレチクル１０ａを検査するものである。

図１２は、欠陥が存在していないレチクルを模式的に示した平面図である。

図１２に示すように、レチクル１０ａの透明基板２０上には、クロム膜等により形成された遮光膜（遮光パターン）２２ａが形成されている。遮光膜２２ａには、ビアを形成するための開口パターン２３が形成されている。

図１３は、欠陥が存在しているレチクルを模式的に示した平面図である。

図１３における星印２４ｅ〜２４ｈは、欠陥を模式的に示している。欠陥２４ｅは、遮光パターン２２ａの一部に生じた透過性の欠陥を示している。このような欠陥２４ｅは、遮光パターン２２ａの一部が剥離等することにより生じ得る。欠陥２４ｆは、遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３の箇所に生じた透過性の欠陥を示している。欠陥２４ｇは、遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥を示している。欠陥２４ｈは、遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３の箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥を示している。

なお、実際には、このような４つの態様の欠陥２４ｅ〜２４ｈが図１３のように直線上に等間隔で配列されるのは稀であるが、ここでは、説明の便宜上、４つの態様の欠陥２４ｅ〜２４ｈが直線上に等間隔で生じた場合を例に説明する。

図１４は、測定データの例を模式的に示したグラフである。図１４における横軸は、レチクル１０を走査した際の位置を示しており、図１４における縦軸は、透過光の強度を示している。図１４は、図１３の破線に沿ってレチクル１０ａの走査を行った場合に対応している。

図１４において、透過光の強度が周囲と異なっている箇所は、図１３に示す欠陥２４ｅ〜２４ｈの箇所にそれぞれ対応している。

遮光パターン２２ａの一部に形成された透過性の欠陥２４ｅの場合には、当該欠陥２４ｅに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値が、当該欠陥２４ｅの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも大きくなる。

遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３に形成された透過性の欠陥２４ｆの場合には、当該欠陥２４ｆに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値が、当該欠陥２４ｆの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも小さくなる。

遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇの場合には、当該欠陥２４ｇに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、当該欠陥２４ｇの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも小さくなる。

遮光パターン２２ａが形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｈの場合には、当該欠陥２４ｈに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、当該欠陥２４ｈの周囲における第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値よりも小さくなる。

図１５は、参照データの一部を模式的に示したグラフである。参照データｇ（ｘ，ｙ）は、レチクル１０ａに欠陥が存在しない場合に得られる測定データに対応するものであり、上述した測定データｆ（ｘ，ｙ）に対しての基準となるものである。図１５における横軸は、レチクル１０ａを走査した際の位置を示しており、図１５における縦軸は、レチクル１０ａに欠陥が存在しない場合の透過光の強度を示している。図１５は、図１２の破線に沿ってレチクル１０ａの走査を行った場合に対応する。なお、図１２の破線と図１３の破線とは位置的に対応している。

参照データｇ（ｘ，ｙ）は、例えば、レチクル１０ａの設計データ等に基づいて形成することが可能である。参照データｇ（ｘ，ｙ）は、例えば、記憶部１８内に設けられる参照データメモリ（図示せず）に記憶される。

処理部１６は、第１実施形態において上述したように、レチクル１０ａの各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）と、レチクル１０ａの各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）とを用いた減算処理を行うことにより、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する。具体的には、レチクル１０ａの各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）を、レチクル１０ａの各箇所についての測定データｆ（ｘ，ｙ）から減算することにより、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する。

図１６は、第１のデータの例を示すグラフである。図１６における横軸は、位置を示しており、図１６における縦軸は、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を示している。

図１７は、第１のデータの絶対値と閾値ａとの関係の例を示すグラフである。図７における横軸は、位置を示しており、図７における縦軸は、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値を示している。

図１７に示すように、欠陥２４ｅ〜２４ｈが存在している箇所においては、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の絶対値が閾値ａ以上となる。

遮光パターン２２ａの一部に生じた透過性の欠陥２４ｅの場合には、当該欠陥２４ｅに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、正となる。

遮光パターン２２ａが形成されない箇所に生じた透過性の欠陥２４ｆの場合には、当該欠陥２４ｆに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、負となる。

遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇの場合には、当該欠陥２４ｇに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、負となる。

遮光パターン２２が形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｈの場合には、当該欠陥２４ｈに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、負となる。

遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇの場合には、レチクル１０ａのパターンを転写する際に悪影響を及ぼさないため、敢えて欠陥として検出する必要がない。従って、本実施形態では、以下のようにして、遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇを、欠陥として検出しないようにする。

欠陥２４ｇが、遮光パターン２２ａが形成される箇所に位置するか、それとも、遮光パターン２２ａが形成されない箇所に位置するかは、第１実施形態において上述したように、参照データｇ（ｘ，ｙ）に基づいて判断することが可能である。

即ち、参照データｇ（ｘ，ｙ）の値が比較的大きい箇所は、遮光パターン２２ａが形成されない箇所である。

一方、参照データｇ（ｘ，ｙ）の値が比較的小さい箇所は、遮光パターン２２ａが形成される箇所である。

従って、第１実施形態において上述したように、処理部１６は、レチクル１０ａの各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）と閾値ｂとを用いた減算処理を行う。具体的には、レチクル１０ａの各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）から、閾値ｂを減算する。

図１８は、参照データと閾値ｂとの関係を示すグラフである。図１８における横軸は、位置を示しており、図１８における縦軸は、参照データｇ（ｘ，ｙ）を示している。

こうして、レチクル１０ａの各箇所についての参照データｇ（ｘ，ｙ）と閾値ｂとを用いた減算処理を行うことにより、レチクル１０ａの各箇所についての第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を生成する。

図１９は、第２のデータの例を示すグラフである。図１９における横軸は、位置を示しており、図１９における縦軸は、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を示している。

図１２及び図１９から分かるように、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値が正の箇所は、遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３の箇所に対応する。

一方、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値が負の箇所は、遮光パターン２２ａが形成される箇所に対応する。

処理部１６は、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを用いて乗算処理することにより、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を生成する。そして、検出すべき欠陥２４ｅ、２４ｆ、２４ｈと検出する必要がない欠陥２４ｇとを、以下のように区別する。

上述したように、遮光パターン２２ａの一部に生じた透過性の欠陥２４ｅの場合には、当該欠陥２４ｅに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、正となる。

また、上述したように、遮光パターン２２ａが形成される箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図１９に示すように、負となる。

従って、遮光パターン２２ａの一部に生じた透過性の欠陥２４ｅの場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）との積である第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、負となる。

図２０は、第３のデータの例を示すグラフである。図２０における横軸は、位置を示しており、図２０における縦軸は、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）を示している。

図２０に示すように、欠陥２４ｅに対応する第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３の箇所に生じた透過性の欠陥２４ｆの場合には、当該欠陥２４ｆに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３の箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図１９に示すように、正となる。

従って、遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３の箇所に生じた透過性の欠陥２４ｆの場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）との積である第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、図２０に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇの場合には、当該欠陥２４ｇに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２ａが形成される箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図１９に示すように、負となる。

従って、遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇの場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）との積である第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、図２０に示すように、正となる。

また、上述したように、遮光パターン２２ａが形成されない箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｈの場合には、当該箇所２４ｈに対応する第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の値は、図１６に示すように、負となる。

また、上述したように、遮光パターン２２ａが形成されない箇所においては、当該箇所における第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の値は、図１９に示すように、正となる。

従って、遮光パターン２２ａが形成されない箇所、即ち、開口パターン２３の箇所に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｈの場合には、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値は、図２０に示すように、負となる。

このように、遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇの場合には、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が正となるのに対して、他の欠陥２４ｅ，２４ｆ，２４ｈ場合には、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が負となる。このため、遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇの場合と、その他の欠陥２４ｅ，２４ｆ，２４ｈの場合とを、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）に基づいて区別することが可能である。

ところで、第１実施形態において上述したように、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が負であったとしても、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の値が十分に小さい場合には、無視し得る程度の欠陥、又は、測定誤差等によるものと考えることが可能である。

従って、処理部１６は、レチクル１０ａの各箇所についての第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）と所定の閾値ｃとを対比することにより、検出すべき欠陥か否かを判断する。即ち、Ｄ３（ｘ，ｙ）が閾値ｃ以下の場合には、処理部１６は、当該箇所の欠陥を検出すべき欠陥であると判断する。一方、Ｄ３（ｘ，ｙ）が閾値ｃより大きい場合には、処理部１６は、当該箇所の欠陥は、検出すべき欠陥ではないと判断する。

処理部１６は、検出すべき欠陥の座標（ｘ，ｙ）を、例えば、記憶部１８内に設けられる検出必要欠陥座標メモリ（図示せず）に記憶する。

こうして、検出する必要のない欠陥２４ｇが除外され、検出すべき欠陥２４ｅ，２４ｆ，２４ｈが抽出される。

こうして、本実施形態による検査装置が形成されている。

本実施形態による検査方法は、第１実施形態による検査方法と同様であるため、説明を省略する。

ビアを形成するための開口パターン２３が形成されたレチクル１０ａでは、遮光パターン２２ａの面積比率が高い。このため、遮光性の異物等による欠陥２４ｇと遮光パターン２２ａとが重なり合う頻度が高い。一方、遮光パターン２２ａ上に付着した遮光性の異物等による欠陥２４ｇは、パターンを転写する際に悪影響を及ぼさないため、検出する必要のない欠陥である。このように、ビアを形成するためのレチクル１０ａの欠陥を検査する場合に、本実施形態による検査装置及び検査方法は特に有用である。

［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成した後に、第２のデータＤ２（ｘ、ｙ）を生成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。第２のデータＤ２（ｘ、ｙ）を予め生成しておくことも可能である。

また、上記実施形態では、参照データｇ（ｘ，ｙ）を測定データｆ（ｘ，ｙ）から減算することにより、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、測定データｆ（ｘ，ｙ）から参照データｇ（ｘ，ｙ）を減算することにより、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）を生成してもよい。この場合には、第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）の正負が、上記実施形態の場合とは反転することとなる。

また、上記実施形態では、参照データｇ（ｘ，ｙ）から閾値ｂを減算することにより第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を生成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、閾値ｂから参照データｇ（ｘ，ｙ）を減算することにより第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）を生成してもよい。この場合には、第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）の正負が、上記実施形態の場合とは反転することとなる。

正負が反転した第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と正負が反転した第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを乗算した場合には、上記実施形態と同様の第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）が生成されることとなる。

正負が反転した第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と正負が反転していない第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを乗算した場合には、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の正負が上記実施形態とは反転することとなる。また、正負が反転していない第１のデータＤ１（ｘ，ｙ）と正負が反転した第２のデータＤ２（ｘ，ｙ）とを乗算した場合にも、第３のデータＤ３（ｘ，ｙ）の正負が上記実施形態とは反転することとなる。この場合には、閾値ｃの値を正の値に設定すればよい。

上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）
レチクルを走査することにより、前記レチクルの各箇所における透過光の強度を示す測定データを取得するステップと、
前記測定データに対して基準となる前記レチクルの各箇所についての参照データと、前記レチクルの各箇所についての前記測定データとを用いた減算処理を行うことにより、前記レチクルの各箇所についての第１のデータを生成するステップと、
前記参照データの最大値より小さく、前記参照データの最小値より大きい所定値と、前記レチクルの各箇所についての前記参照データとを用いた減算処理を行うことにより得られた前記レチクルの各箇所についての第２のデータと、前記レチクルの各箇所についての前記第１のデータとを乗算することにより、前記レチクルの各箇所についての第３のデータを生成するステップと、
前記レチクルの各箇所についての前記第３のデータに基づいて、前記レチクルの検出すべき欠陥を抽出するステップと
を有することを特徴とする検査方法。

（付記２）
付記１記載の検査方法において、
前記参照データは、前記レチクルの設計データに基づいて生成される
ことを特徴とする検査方法。

（付記３）
付記１又は２記載の検査方法において、
前記所定値は、前記参照データの前記最大値と前記参照データの前記最小値との平均値である
ことを特徴とする検査方法。

（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の検査方法において、
前記レチクルは、ビアを形成するためのパターンが形成されたレチクルである
ことを特徴とする検査方法。

（付記５）
レチクルを走査することにより、前記レチクルの各箇所における透過光の強度を示す測定データを取得する測定部と、
前記測定データに対して基準となる前記レチクルの各箇所についての参照データと、前記レチクルの各箇所についての前記測定データとを用いた減算処理を行うことにより、前記レチクルの各箇所についての第１のデータを生成し、前記参照データの最大値より小さく、前記参照データの最小値より大きい所定値と、前記レチクルの各箇所についての前記参照データとを用いた減算処理を行うことにより得られた前記レチクルの各箇所についての第２のデータと、前記レチクルの各箇所についての前記第１のデータとを乗算することにより、前記レチクルの各箇所についての第３のデータを生成し、前記レチクルの各箇所についての前記第３のデータに基づいて前記レチクルの検出すべき欠陥を抽出する処理部と
を有することを特徴とする検査装置。

（付記６）
付記５記載の検査装置において、
前記参照データは、前記レチクルの設計データに基づいて生成される
ことを特徴とする検査装置。

（付記７）
付記５又は６記載の検査装置において、
前記所定値は、前記参照データの前記最大値と前記参照データの前記最小値との平均値である
ことを特徴とする検査装置。

（付記８）
付記５乃至７のいずれかに記載の検査装置において、
前記レチクルは、ビアを形成するためのパターンが形成されたレチクルである
ことを特徴とする検査装置。

１０、１０ａ…レチクル
１２…光源
１４…受光部
１５…測定部
１６…処理部
１８…記憶部
２０…透明基板
２２、２２ａ…遮光パターン
２３…開口パターン
２４ａ〜２４ｈ…欠陥

Claims (5)

1. レチクルを走査することにより、前記レチクルの各箇所における透過光の強度を示す測定データを取得するステップと、
   前記測定データに対して基準となる前記レチクルの各箇所についての参照データと、前記レチクルの各箇所についての前記測定データとを用いた減算処理を行うことにより、前記レチクルの各箇所についての第１のデータを生成するステップと、
   前記参照データの最大値より小さく、前記参照データの最小値より大きい所定値と、前記レチクルの各箇所についての前記参照データとを用いた減算処理を行うことにより得られた前記レチクルの各箇所についての第２のデータと、前記レチクルの各箇所についての前記第１のデータとを乗算することにより、前記レチクルの各箇所についての第３のデータを生成するステップと、
   前記レチクルの各箇所についての前記第３のデータに基づいて、前記レチクルの検出すべき欠陥を抽出するステップと
   を有することを特徴とする検査方法。
2. 請求項１記載の検査方法において、
   前記参照データは、前記レチクルの設計データに基づいて生成される
   ことを特徴とする検査方法。
3. 請求項１又は２記載の検査方法において、
   前記所定値は、前記参照データの前記最大値と前記参照データの前記最小値との平均値である
   ことを特徴とする検査方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検査方法において、
   前記レチクルは、ビアを形成するためのパターンが形成されたレチクルである
   ことを特徴とする検査方法。
5. レチクルを走査することにより、前記レチクルの各箇所における透過光の強度を示す測定データを取得する測定部と、
   前記測定データに対して基準となる前記レチクルの各箇所についての参照データと、前記レチクルの各箇所についての前記測定データとを用いた減算処理を行うことにより、前記レチクルの各箇所についての第１のデータを生成し、前記参照データの最大値より小さく、前記参照データの最小値より大きい所定値と、前記レチクルの各箇所についての前記参照データとを用いた減算処理を行うことにより得られた前記レチクルの各箇所についての第２のデータと、前記レチクルの各箇所についての前記第１のデータとを乗算することにより、前記レチクルの各箇所についての第３のデータを生成し、前記レチクルの各箇所についての前記第３のデータに基づいて前記レチクルの検出すべき欠陥を抽出する処理部と
   を有することを特徴とする検査装置。

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