JP5793189B2 - 破裂インジケータ - Google Patents

Description

発明の分野
本発明は、概して、破裂インジケータおよび破裂インジケータを含む圧力解放装置に関するものである。特に、破裂インジケータは、少なくとも、非電気伝導膜と電気伝導物質から形成される回路とからなる。破裂インジケータはラプチャディスクに極めて接近して配置されると、ラプチャディスクのインテグリティを監視でき、そして、電気回路を構成する１つ以上の電気伝導部の切断に起因する電気回路の中断を介して、ラプチャディスクの破裂を信号で伝えることができる。

先行技術の説明
多くの工程および適用例において、ラプチャディスクは、過圧開放装置において、例えば、２つのフェルールやパイプフランジの間などの流路に設置される。一般的な例としては、ラプチャディスクを視覚的に検査するためには、保護された装置の一部または関連する開放流路は分解される必要がある。加えて、ラプチャディスクは、しばしば、遠く離れた場所、または、物理的にアクセスできない場所に設置される。そのような配置において、ラプチャディスクのそのインテグリティを決定する視覚的な調査を行うことは非常に難しい。

電気的モニタリングシステムは、例えば、流量センサおよび破裂インジケータからなり、もしもディスクが破裂すると、緊急の通知を提供する。米国特許第５，１５５，４７１号は、流路を規定する支持ガスケットおよび、それらを横切って広がる薄く曲げやすい膜からなる流量センサを開示する。電気伝導ストリップは、電気インジケータ回路に常時接続する中で、膜の対向する象限を横切って接着される。

米国特許第４，９７８，９４７号は、破裂可能な流量インジケータおよび破裂可能な流量インジケータを含むラプチャディスクアセンブリを開示する。インジケータは、流路を横切って固定されるように構成された破裂可能部材からなり、破裂可能部材は、その一部を弱めるためにそこに形成された少なくとも１つの孔を備える。電流伝導体は、破裂可能部材の弱められた部分を横切って接着され、それによって、破裂可能部材は、そこで掛けられた流圧によって破裂すると、電流伝導体も破裂する。

米国特許第５，６３１，６３４号は、全体が金属によって構成され、円周状に間隔を空けて配置されたたくさんのペタルを備えるディスクを含む圧力センサアセンブリを開示する。そのディスクは、アラームモニタに接続された一対のリード線に接続される。ラプチャディスクの破裂またはバルブリークによる流圧の上昇にさらされると、圧力センサは引き裂かれて、それによって開回路を作る。

米国特許第５，１５５，４７１号明細書 米国特許第４，９７８，９４７号明細書 米国特許第５，６３１，６３４号明細書 米国特許第４，３４２，９８８号明細書 米国特許第６，９４５，４２０号明細書 米国特許出願公開第１２／４２２，８５１号明細書

発明の概要
本発明の一実施形態は、破裂インジケータであり、非電気伝導材料からなり、外側環状部と、第１および第２のブリッジ機構によって外側環状部と繋がる内側部とを備える。破裂インジケータは、第１および第２の電気伝導部からなる電気回路も備える。第１の電気伝導部は、外側環状部に位置する。第２の電気伝導部は、外側環状部から延びて、内側部へ向かって第１のブリッジ機構を横切り、第１の電気伝導部に繋がるように外側環状部へ向けて第２のブリッジ機構を横切って戻る。

本発明の他の実施形態は、破裂インジケータであり、非電気伝導材料からなり、外側環状部と、内側部と、外側環状部と内側部との間に配置された少なくとも２つの開口部とを備える。少なくとも２つの開口部は、少なくとも第１および第２のブリッジ機構によって互いに分離される。破裂インジケータも、少なくとも第１および第２の電気伝導部からなる電気回路を備える。第１の電気伝導部は、外側環状部に配置される。第２の電気伝導部は、内側部を横切って延びて、外側環状部に配置された第１の電気伝導部と繋がる。

本発明のもう１つの実施形態は、ラプチャディスクアセンブリであり、破裂可能な中央部を持つラプチャディスクと、破裂可能な中央部の破裂信号を伝達するための破裂インジケータとからなる。破裂インジケータは、非電気伝導材料からなり、外側環状部と、第１および第２のブリッジ機構によって外側環状部と繋がった内側部とを備える。破裂インジケータも、少なくとも第１および第２の電気伝導部からなる電気回路を備える。第１の電気伝導部は、外側環状部に配置され、第２の電気伝導部は、外側環状部から延びて、内側部への第１のブリッジ機構を横切って、１つの回路を形成するように第１の電気伝導部と繋がる外側環状部への第２のブリッジ機構を横切る。

本発明のさらにもう１つの実施形態は、流路内に配置されたラプチャディスクの状態の監視方法である。破裂インジケータは、非電気伝導材料からなり、外側環状部と、少なくとも第１および第２のブリッジ機構によって外側環状部と繋がった内側部とを備える。破裂インジケータは、１つの回路を形成するように互いに繋がった第１および第２の電気伝導部を少なくとも備える電気回路を更に含む。第１の電気伝導部は、外側環状部に配置され、第２の電気伝導部は、外側環状部から延びて、内側部へ延びる第１のブリッジ機構を横切り、第１の電気伝導部に接続する外側環状部へ延びる第２のブリッジ機構を横切る。破裂インジケータは流路内に配置され、そのため、流路内の十分な圧力条件の存在に応じたラプチャディスクの作用で、第１および第２のブリッジ機構の少なくとも１つを引き裂いて、これによって、第２の電気伝導部を分断して、回路を開放する。

本発明の一実施形態に係る、ラプチャディスクと破裂インジケータとを含む圧力開放アセンブリの斜視図である。 図１の圧力開放アセンブリの断面図である。 図１の圧力開放アセンブリの分解図である。 本発明に係る破裂インジケータよって構成されたラプチャディスクアセンブリの分解図である。 本発明に係る破裂インジケータの平面図である。 図５の破裂インジケータの６−６線に沿った断面図である。 図５の破裂インジケータの切断可能なブリッジ機構の拡大斜視図である。

好適実施形態の詳細な説明
以下の説明は、本発明のある実施形態を説明するものであり、それによっては、本発明の全ての範囲において、いかなる限定をも加えられるべきものではない。図１には、本発明の一実施形態に係る圧力開放アセンブリ１０が開示される。圧力開放アセンブリ１０は、概して、一対のフェルール１４、１６の間に入れられたラプチャディスクアセンブリ１２からなる。ラプチャディスクアセンブリ１２は、クランプ１８によってフェルール１４、１６の間に固定される。

圧力開放アセンブリ１０が設置されると、ラプチャディスクアセンブリ１２は基本的にオペレータの視界から隠される。こうして、ある適用例では、ラプチャディスクアセンブリ１２のインテグリティを監視し、ラプチャディスクアセンブリが壊れて、それによってフェルール孔１７、１９の間に流体が流れた場合に、それをオペレータに通報するために、センサを用いるのが望ましい。あるラプチャディスクアセンブリの実施形態では、センサは、例えば、フェルール１４、１６の間など、実際のラプチャディスクにごく隣接して配置される。しかし、これらの構造は、フェルールの間に固定されると、ラプチャディスクの破裂特性に影響を与え得るラプチャディスク上のストレス領域を作り出し得るため、フェルールの間に追加の構造を挿入する際は、十分注意を払わなければならない。

例えば、米国特許第４，３４２，９８８号に開示されている、「ストリップタイプ」の破裂インジケータは、フェルール１４、１６の間のラプチャディスクアセンブリに沿って固定された際、ラプチャディスクの破裂特性に対して、特定の厚さの特定のラプチャディスクにおける破裂圧力レンジの下端においてさえ、容認し難い影響を与える。フェルール１４、１６の間に固定されると、ストリップタイプの破裂インジケータは不連続の部分を作る効果があり、追加された厚さがラプチャディスクの外側環状部にストレス領域を作り、それによって、概して破裂圧力が低くなるようにラプチャディスクの破裂特性を変えることが理論付けられている。この影響は、所定のラプチャディスクの厚さに対して破裂圧力レンジの上端においてより顕著であることが予期された。以下で説明するように、本発明に係る破裂インジケータは、フェルールによって接触される領域にある程度の均一性を与えることでこの問題に対処する。

図２−４に示すように、ラプチャディスクアセンブリ１２は、ガスケット２６内に配置される、ラプチャディスク２０、支持部材２２、および破裂インジケータ２４からなる。ガスケット２６は、周縁側壁３２で繋がる層２８、３０からなり、中央オリフィス３４を含む。スリット３６は、層２８、３０の間に、ラプチャディスク２０、支持部材２２、および破裂インジケータ２４が挿入できるように周縁側壁３２の一部に形成される。ガスケット２６のそれぞれの層２８、３０は、略環状Ｏリングビード３８、４０と内側フランジ部４２、４４とをそれぞれ含む。

図面に示されるように、ラプチャディスク２０は、凹凸の（例えば、膨らんだ、またはドーム状の）中央破裂可能部４６を持つ逆動作ラプチャディスクからなる。しかし、順動作の膨らみディスク、および、非膨らみまたは平坦ラプチャディスクを使用することも本発明の範囲に入る。本発明に従って用いられる典型的なラプチャディスクは、米国特許第６，９４５，４２０号に詳細に述べられ、その全てを参照することにより本願に組み込まれる。

図４に示すように、支持部材２２は、環状内側ハブ４８、内側ハブ４８から半径方向に離れて位置する外側周辺部５０、および内側ハブ４８と外側周辺部５０との間に延びる少なくとも１つの接続部５２からなる。接続部５２は、外側周辺部の内側マージン５４および内側ハブの外側マージン５６と協働して、支持部材２２の少なくとも１つの孔５８を規定する。支持部材２２、特に、内側ハブ４８は、内側に延びる舌６０および歯６２を任意に備える。舌６０は、支持部材中央オリフィス６４内へ延びて、破裂中にラプチャディスク２０が断片化するのを防ぐように形状が決められている。図示された支持部材は、２００９年４月１３日に出願された、米国特許出願公開第１２／４２２，８５１号において更に詳細に説明され、その全てを参照することにより本願に組み込まれる。他の支持部材、例えば、比較的平坦な環状支持リング（例えば、孔５８の無い）は、支持部材２２の代わりに用いられてもよい。

本発明に係る破裂インジケータ２４の一実施形態は、図５に示される。破裂インジケータ２４は、外側環状部６６と内側部６８とからなる。環状部６６および内側部６８は、第１および第２のブリッジ機構７０、７２によってそれぞれ結合される。外側環状部６６および内側部６８は、さらに弓状孔７４、７６によって互いに分離される。

電気伝導部７８、８０は、破裂インジケータのインテグリティを監視し、そして、結果としてラプチャディスク２０の動作状態を監視するのに使われ得る回路を形成する。ある実施形態では、電気伝導部７８は、完全に外側環状部６６の上に配置され、第１部端８４、８６によって規定される極小隙間領域８２を除いて、外側環状部６６の全外周を実質的に囲むように延びる。これらの実施形態では、電気伝導部７８は、内側部６８のいかなる部分も横切って延びない。電気伝導部８０は、外側環状部６６から、特に、隙間領域８２を通って、第１のブリッジ機構７０を横切って、そして、内側部６８へ延びる。内側部６８のほぼ中央において、電気伝導部８０は方向を変え、第２のブリッジ機構７２を横切って、外側環状部６６へ戻るように延びる。図に示すように、電気伝導部８０は、ほぼ６０°方向を変えるが、代替可能な実施形態においては、この角度は、大きくても小さくてもよい。さらに他の実施形態においては、電気伝導部８０は、全く方向を変える必要がなく、内側部６８を通る真直ぐな経路を進み続けてもよい。第２のブリッジ機構７２の配向は、電気伝導部８０の経路に対応するように変えられる。電気伝導部８０は、回路を形成するために、外側環状部６６の外縁近くに配置された接点８８で電気伝導部７８と接続する。

外側環状部６６および内側部６８は、概して、非電気伝導膜からなる。一実施形態において、非電気伝導膜は、積層構造であり、例えば、カプトン（商標）として入手可能なポリイミドフィルムなど、少なくとも合成樹脂フィルム材料の２層からなる。ある実施形態において、特に、図６に示すように、破裂インジケータは、外側合成樹脂フィルム層９０、９２と、例えば、アクリルベースの接着剤である２つの粘着剤の中間層９４、９６と、電気伝導部７８、８０が形成される中央伝導層９８とからなる。中央伝導層９８は、あらゆる適切な電気伝導材料、例えば、銅または銀や、あるいは、更に以下に詳細に説明される銅及び銀からなる。例えば、上に塗布されまたはプリントされた電動層を持つフィルムの単シートなどの代替構造も本発明に係る破裂インジケータ２４の範囲に入る。

電気伝導部７８は、接点８８から第１部端８６に延びる弓形部１００を備える。弓形部１００は、外側環状部６６の外縁に対して、ある程度の均一な厚さを有し、そして、それによって構造負荷をかけない限り、回路の一部を構成しない。もし、弓形部１００が存在しなければ、この領域における外側環状部６６の厚さは、電気伝導部７８の領域における外側環状部６６の厚さと異なる。フェルール１４とフェルール１６との間に挿入され、固定されると、この厚さにおける不規則性は、ラプチャディスク２０における各部の応力を変化させ、それによって、その開口特性を変化させる。弓形部１００は回路の一部を形成しないが、弓形部１００を提供することで、これらストレス領域の生成は避けられる。構造負荷に対する隙間領域８２の影響は、電気伝導部８０によって緩和され、電気伝導材料によって塞がれない微小エリアのみ残して広がる。ある実施形態において、電気伝導部７８は、外側環状部６６の外縁の少なくとも約９０％の長さを持つ。他の実施形態では、この長さは、外側環状部６６の外縁の少なくとも約９５％である。

ブリッジ機構７０、７２の少なくとも１つは、そのブリッジ機構を切断するための起点を助ける、および／または、規定する弱領域を含んでもよい。ある実施形態において、それぞれのブリッジ機構は、ラプチャディスクの外側環状部６６から引き裂かれて分離される。別の実施形態において、ブリッジ機構は、外側環状部６６に接続され続けている内側部６８から分離されてもよい。さらに他の実施形態において、ブリッジ機構は、外側環状部６６および内側部６８の間のあるいくつかの点において引き裂かれてもよい。

スリットの先端に応力が集中して掛かるように開始スリットを備えるブリッジ機構に、ねじりモーメントが加えられると、破裂インジケータ回路を構成する平らなカプトン（商標）、接着剤および金属伝導材料は、より簡単に引き裂かれる。このねじりモーメントは、様々な方法によって加えられてもよい。ある実施形態では、ヒンジで連結された単一ペタルの中央破裂可能部（ペタル）の開口に関して、電気伝導部８０が角度を備えることで、第２のブリッジ機構７２を中心から外して配置する。他の実施形態では、第１および第２のブリッジ機構７０、７２は、互いに同軸上に並んでもよく、または、並ばなくてもよく、破裂インジケータ２４の中央部全体は、ラプチャディスク２０とヒンジで連結された単一ペタルの中央破裂可能部４６の中心線または対称軸に対して中心を外して配置されてもよい。さらにもう一つの実施形態では、破裂インジケータ２４の中央部は、破裂可能部４６の中心点に対して中央にされ、ブリッジ機構７０、７２は、ラプチャディスクペタルの対称軸に対して角度を曲げられ、そして、それらは、互いに同軸上に並んでもよく、並ばなくてもよい。

構造に関係なく、これらの実施形態では、単一ペタルが、破裂インジケータ２４の内側部６８に力を伝えるので、望ましいねじりモーメントが第２のブリッジ機構７２に伝えられ、応力がスリット１０２の先端に集中し、回路の開放を誘導する。ある実施形態では、図７の第２のブリッジ機構７２に示されるように、分離を開始するためのたった１つの弱領域が含まれる。追加の弱領域を排除することで、２以上の点の代わりに、一点に応力およびエネルギを集中する効果が得られ、これによって、分離の際の強化された性能に通じる。図７に示すように、第２のブリッジ機構７２は、弓状孔７６に繋がる開口端を持つスリット１０２を含む。ラプチャディスク２０の開口に際して、中央破裂可能部４６は、内側部６８と接触し、ブリッジ機構７０、７２に応力を掛ける。図に見られるように、第２のブリッジ機構７２は、概して、第１のブリッジ機構７０よりも狭く、そこから離れた場所にある。スリット１０２は、外側環状部６６からより簡単に切り離されて、それによって、電気伝導部８０を切断し、回路を開放できるように、スリット１０２の先端に応力を集中させて、第２のブリッジ機構７２を更に弱める働きをする。第２のブリッジ機構７２の切断において、内側部６８は、ヒンジとして働く第１のブリッジ機構７０に対して旋回できる。こうして、第１のブリッジ機構７０のために、内側部６８は、断片化せず、外側環状部６６に接続したままである。

ここで留意すべきは、図７に示すように、スリット１０２が、内側部６８へ向かって内側に傾斜している点である。このわずかな角度は、金属伝導部を横切る引き裂き方向を最適化する。特に、銅材料は、非伝導材料よりも高い強度を持ち、引き裂くのにエネルギが掛かる。この違いのため、材料分離の経路は、銅部分の端において方向を変える傾向がある。理想的には、その経路は、銅部分を横切る最短経路に沿って進み、こうして、最小限のエネルギで回路分離を達成する。経路は、金属部の端に到達するので、単一ペタルから離れるように方向を変えやすい。こうして、分離前の分離の最適経路は、単一ペタルに向けて内側に曲げられる。

本発明に係る一実施形態において、電気伝導部８０は、電気伝導部８０の少なくとも一部、特に、第２のブリッジ機構７２を横切って延び、銀で構成されるその一部を除いて、主として銅で構成されてもよい。特に、インクとして印刷された際、銀は、銅よりも引き裂きの抵抗が低い。よって、ある実施形態においては、電気伝導部８０の分離可能部を銀を用いて形成することが望ましい。

図４に示すように、一実施形態において、破裂インジケータ２４は、ガスケット２６内に配置される統合ユニットを形成するために、支持部材２２およびラプチャディスク２０によって組み立てられる。ガスケット２６内に配置される際、破裂インジケータ２４は、ラプチャディスク２０の下流に配置され、それらの間に支持部材２２が配置される。ガスケット中央オリフィス３４には、中央破裂可能部４６および内側部６８が設置される。ある実施形態では、ラプチャディスク２０は、凹凸の破裂可能部４６を持つ逆動作ラプチャディスクである。破裂インジケータは、ラプチャディスク２０に近接して配置され、支持部材２２によってそこから離されて、破裂可能部４６の凹部側に面してもよい。外側環状部６６が、直接、ラプチャディスクの外側環状部４７と面と面とで接触できるように、支持部材２２がラプチャディスクアセンブリから除かれても本発明の範囲に入る。もし、順動作膨らみディスクが使用されるのであれば、破裂インジケータ２４はラプチャディスクから更に下流に配置される必要があってもよく、あるいは、破裂インジケータ２４は膨らんだ形状を持ち、それによって、内側部６８は、順動作膨らみディスクの凸表面とおおよそ一致するが、膨らみディスクの膨らみ部が破裂するまで順動作膨らみディスクの凸表面と接触しないように形状が定められていてもよい。統合アセンブリとしてこれらの構成要素を供給することで、取付誤差、および取付誤差を削減した結果としての操作故障を削減できる。

ある実施形態において、破裂インジケータ２４は、電気伝導部７８、８０とそれぞれ接続される伝導リード線１０６、１０８からなるタグ１０４を備える。図１に示すように、その際、タグ１０４は、破裂インジケータ回路が大きな監視システムに統合されてもよいように、アダプタプラグ１１０、または他の似た構造に操作可能に接続されてもよい。２つのタグは設置の際に対になることができるので、同様に、タグ１０４は、支持部材タグ１１２と統合されてもよい。図４に示すように、ラプチャディスク２０も、タグ１１４を備えてもよいが、この実施形態では、タグ１１４は、タグ１０４および１１２ほど長くない。また一方、指定された圧力開放アセンブリ１０内で正確なラプチャディスクアセンブリ１２の適切な設置を支援し、保証し、そして視覚的に示唆することがタグ１１２の主な機能である。

例えば、流体管の隣接部の端部におけるパイプフランジの間をボルト締めされるラプチャディスクアセンブリ、または、ラプチャディスクホルダ内に組み立てられ、それから、流路管の隣接部の端部においてパイプフランジの間をボルト締めされるラプチャディスクアセンブリの適用例においては、フェルール１４、１６を利用しない適用例に用いられる破裂インジケータ２４も本発明の範囲に入る。そのような”ボルト締め”の適用例は、ラプチャディスクに隣接する軟性ガスケット材料の排除において、特に、フェルール１４、１６が存在する適用例と異なり、設置するにあたって非常に高い締め上げ力が必要となり、上述の利点が当てはまる。

本発明は、上述の他の実施形態で述べられたように破裂インジケータ２４を準備すること、およびラプチャディスクに近接して破裂インジケータを配置することで、ラプチャディスク２０の状態を監視する方法をも提供する。破裂インジケータ２４は、ラプチャディスクのインテグリティの変化をオペレータに通報するように作られた監視システムに操作可能に接続される。上述のとおり、ラプチャディスク２０の開口に際して、破裂可能部４６は、内側部６８と物理的に接触し、そして、外側環状部６６から第２のブリッジ機構７２を分離して、それによって、電気伝導部８０を引き裂いて、回路を開放する。回路の開放は、監視システムに、ラプチャディスク２０が破裂したことをオペレータに通報させる。

１０ 圧力開放アセンブリ、 １２ ラプチャディスクアセンブリ、 １４、１６ フェルール、１７、１９ フェルール孔、 １８ クランプ、 ２０ ラプチャディスク、 ２２ 支持部材、 ２４ 破裂インジケータ、 ２６ ガスケット、 ２８、３０ 層、 ３２ 周縁側壁、 ３４ 中央オリフィス、 ３６ スリット、 ３８、４０ 略円形のＯリングビード、 ４２、４４ 内側フランジ部、 ４６ 凹凸の中央破裂可能部、 ４７ ラプチャディスク外側環状部、 ４８ 環状内側ハブ、 ５０ 外側周辺部、 ５２ １つ以上の接続部、 ５４ 外側周辺部内側マージン、 ５６ 内側ハブ外側マージン、 ５８ １つ以上の開口部、 ６０ 内側に広がる舌、 ６２ 歯、 ６４ 支持部材中央オリフィス、 ６６ 外側環状部、 ６８ 内側部、 ７０ 第１のブリッジ機構、 ７２ 第２のブリッジ機構、 ７４、７６ 弓状孔、 ７８、８０ 電気伝導部、 ８２ 極小隙間領域、 ８４、８６ 第１部端、 ８８ 接点、 ９０、９２ 外側合成樹脂フィルム層、 ９４、９６ 粘着性の中間層、 ９８ 中央伝導層、 １００ 弓形部、 １０２ スリットの先端、 １０４ タグ、 １０６、１０８ リード線、 １１０ アダプタプラグ、 １１２ 支持部材タグ、 １１４ タグ。

Claims (31)

1. 外側環状部と少なくとも第１および第２のブリッジ機構によって前記外側環状部と繋がった内側部とを備える非電気伝導材料と、
   少なくとも第１および第２の電気伝導部を備える電気回路とからなり、
   前記第１の電気伝導部は前記外側環状部に配置され、前記第２の電気伝導部は、前記外側環状部から延びて、前記第１のブリッジ機構を前記内側部へ横切り、前記第２のブリッジ機構を前記外側環状部へ横切って、前記第１の電気伝導部と接続する破裂インジケータ。
2. 前記外側環状部および前記内側部は、非電気伝導膜からなる請求項１に記載の破裂インジケータ。
3. 前記非電気伝導膜は、合成樹脂フィルム材料の少なくとも２つの層からなる積層構造である請求項２に記載の破裂インジケータ。
4. 前記合成樹脂フィルム材料はポリイミドフィルムである請求項３に記載の破裂インジケータ。
5. 前記第１および第２の電気伝導部は、前記合成樹脂フィルム材料の少なくとも２つの層の間に配置される請求項３または４に記載の破裂インジケータ。
6. 前記第１の電気伝導部は、前記外側環状部の外縁に隣接して配置され、前記外側環状部の外周の少なくとも９０％の長さを持つ請求項１〜５のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
7. 前記第１の電気伝導部は、前記外側環状部の外周に延びて、隙間を介した一対の端部によって規定され、前記第２の電気伝導部は、前記一対の端部の間を前記第１のブリッジ機構に向かって延びる請求項１〜６のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
8. 前記第２のブリッジ機構は、前記第１のブリッジ機構から離れた場所にある請求項１〜７のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
9. 前記第２のブリッジ機構は引き裂かれるように作られており、それによって、前記第２の電気伝導部が切断される請求項１〜８のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
10. 前記第２のブリッジ機構は、前記第２のブリッジ機構の引き裂きおよび前記第２の電気伝導部の切断を助ける弱領域を含む請求項９に記載の破裂インジケータ。
11. 前記弱領域は、前記第２のブリッジ機構に形成されたスリットを備える請求項１０に記載の破裂インジケータ。
12. 前記第１の電気伝導部は、前記電気回路の一部を形成しない弓形部を備える請求項１〜１１のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
13. 前記破裂インジケータは、前記第１および第２の電気伝導部のためのリード線が配置された細長いタブを更に備える請求項１〜１２のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
14. 前記第２のブリッジ機構を横切って延びる前記第２の電気伝導部の少なくとも一部は、銀または銀インクからなる請求項１〜１３のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
15. 前記電気回路の残りは、銅からなる請求項１４に記載の破裂インジケータ。
16. 外側環状部と、内側部と、前記外側環状部と前記内側部との間に配置された少なくとも２つの弓状孔とを備える非電気伝導材料と、
    少なくとも第１および第２の電気伝導部を備える電気回路とからなり、
    前記少なくとも２つの弓状孔は、少なくとも第１および第２のブリッジ機構によって互いに分離され、
    前記第１の電気伝導部は前記外側環状部に配置され、前記第２の電気伝導部は、前記内側部を横切って延びて、前記外側環状部において前記第１の電気伝導部と接続する破裂インジケータ。
17. 前記外側環状部および前記内側部は、非電気伝導膜からなる請求項１６に記載の破裂インジケータ。
18. 前記非電気伝導膜は、合成樹脂フィルム材料の少なくとも２つの層からなる積層構造である請求項１７に記載の破裂インジケータ。
19. 前記第１および第２の電気伝導部は、前記合成樹脂フィルム材料の少なくとも２つの層の間に配置される請求項１８に記載の破裂インジケータ。
20. 前記第２のブリッジ機構は引き裂かれるように作られており、それによって、前記第２の電気伝導部が切断される請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
21. 前記第１のブリッジ機構は、前記第２のブリッジ機構が引き裂かれた際に、前記外側環状部および前記内側部の両方と接続されたままであるように作られる請求項２０に記載の破裂インジケータ。
22. 前記第２のブリッジ機構は、前記第２のブリッジ機構の引き裂きおよび前記第２の電気伝導部の切断を助ける弱領域を含む請求項２０または２１に記載の破裂インジケータ。
23. 前記弱領域は、前記少なくとも２つの弓状孔の内の１つに通じる開口端を持つスリットからなる請求項２２に記載の破裂インジケータ。
24. 前記第２のブリッジ機構を横切って延びる前記第２の電気伝導部の少なくとも一部は、銀または銀インクからなる請求項１６〜２３のいずれか一項に記載の破裂インジケータ。
25. 前記電気回路の残りは、銅からなる請求項２４に記載の破裂インジケータ。
26. 破裂可能な中央部を持つラプチャディスクと、
    請求項１〜２５のいずれか一項に記載の破裂インジケータとを備えるラプチャディスクアセンブリ。
27. 前記ラプチャディスクアセンブリは、前記ラプチャディスクと前記破裂インジケータとの間に入れられた支持部材を更に備える請求項２６に記載のラプチャディスクアセンブリ。
28. 前記ラプチャディスク、前記支持部材、および前記破裂インジケータは、エラストマーのガスケットの隣接する層の間に配置され、前記エラストマーのガスケットのそれぞれの層は、前記ラプチャディスクの前記破裂可能な中央部が配置される中央オリフィスを持つ請求項２７に記載のラプチャディスクアセンブリ。
29. 流路内に配置されたラプチャディスクの状態の監視方法であって、
    請求項１〜２０のいずれか一項に記載の破裂インジケータを準備し、
    前記流路内の十分な圧力条件の存在に応じた前記ラプチャディスクの作用によって、前記第１および第２のブリッジ機構の少なくとも１つが引き裂かれて、それによって、前記第２の電気伝導部を切断し、前記電気回路を開放するように、前記破裂インジケータを前記流路内に配置する監視方法。
30. 前記ラプチャディスクの開口に際して、前記ラプチャディスクの破裂可能部が前記内側部に物理的に接触し、前記第１および第２のブリッジ機構の少なくとも１つを引き裂くように、前記破裂インジケータが配置される請求項２９に記載の監視方法。
31. 前記ラプチャディスクは、凹凸の破裂可能部を持つラプチャディスクであり、前記破裂インジケータは、前記破裂可能部の凹部側に面するように前記ラプチャディスクに隣接して配置される請求項２９または３０に記載の監視方法。

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