JP5790606B2 - 過熱保護回路 - Google Patents
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Description
本発明は、感温ダイオードを備える過熱保護回路に関するものである。
従来、特許文献1に記載のように、パワーMOS(スイッチング素子)と同一の半導体チップに形成されたダイオード(感温ダイオード)を備える半導体リレー(過熱保護回路)が知られている。この過熱保護回路では、感温ダイオードの順方向降下電圧が負の温度特性を有する、すなわち温度が高いほど順方向降下電圧が小さくなることを利用し、順方向降下電圧が所定の閾値よりも小さくなると、スイッチング素子をオフするようになっている。
ところで、感温ダイオードの順方向降下電圧の温度特性は、−2mV/℃程度と小さい。このように電位レベルが低いため、外来ノイズの影響を受けやすく、正常であるにもかかわらず、過熱状態にあると検出するなど、誤動作が生じる虞がある。
これに対し、特許文献1では、感温ダイオードにローパスフィルタを接続することで、高周波ノイズを除去し、誤動作を抑制するようにしている。しかしながら、このようなフィルタを設けてもノイズレベルが高い場合には、誤動作が生じてしまう。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、感温ダイオードを備える過熱保護回路において、外来ノイズによる誤動作を、従来よりも低減することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る過熱保護回路(10)は、
スイッチング素子(24)と同一の基板(26)に形成された感温ダイオード(12)と、
感温ダイオード(12)と直列に接続され、負荷(22)を所定の駆動状態とすべく設定されるスイッチング素子(24)の駆動制御信号に基づいて、感温ダイオード(12)に定電流を供給するものであり、スイッチング素子(24)のオンに対応して、感温ダイオード(12)に第1定電流(Ia)を供給し、スイッチング素子(24)のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード(12)に第1定電流(Ia)よりも小さい第2定電流(Ib)を供給する電流供給部(14)と、
感温ダイオード(12)の順方向降下電圧を検出して検出値を所定の閾値と比較し、検出値が閾値よりも小さい場合に、出力信号として、異常を示す異常検出信号を出力するものであり、第1定電流(Ia)が供給されるときの検出値が過熱検出用の閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力し、第2定電流(Ib)が供給されるときの検出値が感温ダイオード故障診断用の閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力する電圧検出部(16)と、
第1定電流(Ia)が供給され、電圧検出部から異常検出信号が出力される場合に、スイッチング素子(24)をオフさせるオフ手段(18)と、を備えることを特徴とする。
スイッチング素子(24)と同一の基板(26)に形成された感温ダイオード(12)と、
感温ダイオード(12)と直列に接続され、負荷(22)を所定の駆動状態とすべく設定されるスイッチング素子(24)の駆動制御信号に基づいて、感温ダイオード(12)に定電流を供給するものであり、スイッチング素子(24)のオンに対応して、感温ダイオード(12)に第1定電流(Ia)を供給し、スイッチング素子(24)のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード(12)に第1定電流(Ia)よりも小さい第2定電流(Ib)を供給する電流供給部(14)と、
感温ダイオード(12)の順方向降下電圧を検出して検出値を所定の閾値と比較し、検出値が閾値よりも小さい場合に、出力信号として、異常を示す異常検出信号を出力するものであり、第1定電流(Ia)が供給されるときの検出値が過熱検出用の閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力し、第2定電流(Ib)が供給されるときの検出値が感温ダイオード故障診断用の閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力する電圧検出部(16)と、
第1定電流(Ia)が供給され、電圧検出部から異常検出信号が出力される場合に、スイッチング素子(24)をオフさせるオフ手段(18)と、を備えることを特徴とする。
これによれば、スイッチング素子(24)のオンに対応して、過熱検出をすることができる。また、過熱検出に際し、感温ダイオード(12)に、第2定電流(Ib)よりも大きい第1定電流(Ia)を供給するため、これにより順方向降下電圧の電位レベルを高めてノイズマージンを稼ぎ、外来ノイズの影響を受けにくくすることができる。すなわち、外来ノイズによる誤動作を、従来よりも低減することができる。
さらに、スイッチング素子(24)のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード(12)に第2定電流(Ib)を供給するため、そのときの順方向降下電圧に基づき、感温ダイオード(12)の故障、例えばグランドショートの有無を検出することができる。また、このように感温ダイオード(12)の故障を検出できる構成としながらも、スイッチング素子(24)のオフに対応して第1定電流(Ia)を供給する構成に較べて、消費電力を低減することができる。
また、本発明のさらなる特徴は、駆動制御信号と電圧検出部(16)の出力信号とに基づいて、感温ダイオード(12)の故障有無を判定し、判定結果に応じた判定信号を出力する故障診断部(20)を備え、故障診断部(20)は、第2定電流(Ib)が供給されるときの検出値が感温ダイオード(12)の故障を示す閾値よりも小さい場合に、判定信号として、感温ダイオード(12)に故障が生じたことを示す故障信号を出力することにある。
これによれば、スイッチング素子(24)のオフに対応して、感温ダイオード(12)に第2定電流(Ib)が供給されるのを利用し、感温ダイオード(12)における故障有無を判定することができる。
また、本発明のさらなる特徴は、電流供給部(14)は、スイッチング素子(24)がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、オン期間におけるスイッチング素子(24)のオンに対応して、感温ダイオード(12)に第1定電流(Ia)を供給し、オン期間におけるスイッチング素子(24)のオフ及びオフ期間に対応して、感温ダイオード(12)に第2定電流(Ib)を供給することにある。
これによれば、スイッチング素子(24)をデューティ駆動するオン期間において、スイッチング素子(24)をオフ→オンとする際に、感温ダイオード(12)の順方向降下電圧が所望の電位レベルに到達するまでの時間を、オフで電流ゼロとする場合に較べて短くすることができる。これにより、過熱を検出し、スイッチング素子(24)をオフさせるまでの時間を短縮することができる。また、第2定電流(Ib)を供給するため、オン期間中、第1定電流(Ia)を供給する構成に較べて、消費電力を低減することもできる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。
(第1実施形態)
図1に示すように、過熱保護回路10は、要部として、感温ダイオード12と、該感温ダイオード12に定電流を供給する電流供給部14と、感温ダイオード12の順方向降下電圧と所定の閾値とを比較し、比較結果を出力する電圧検出部としてのコンパレータ16と、所定の条件が揃うとスイッチング素子24をオフさせるオフ手段としてのANDゲート18と、を備えている。さらに、本実施形態では、過熱保護回路10が、故障診断部20を備えている。
図1に示すように、過熱保護回路10は、要部として、感温ダイオード12と、該感温ダイオード12に定電流を供給する電流供給部14と、感温ダイオード12の順方向降下電圧と所定の閾値とを比較し、比較結果を出力する電圧検出部としてのコンパレータ16と、所定の条件が揃うとスイッチング素子24をオフさせるオフ手段としてのANDゲート18と、を備えている。さらに、本実施形態では、過熱保護回路10が、故障診断部20を備えている。
感温ダイオード12は、モータ等の負荷22の駆動状態を制御するスイッチング素子24と、同一の基板26に形成されている。この基板26は、感温ダイオード12とスイッチング素子24がともに形成された半導体チップである。スイッチング素子24は、電源とグランドの間で、負荷22を電源側(高電位側)として、負荷22に直列接続されている。このスイッチング素子24としては、絶縁ゲート型のトランジスタであるMOSFETやIGBTを採用することができる。本実施形態では、nチャネル型のMOSFETを採用しており、MOSFETのソースが接地され、ドレインが負荷22に接続されている。
また、スイッチング素子24のゲートには、ゲート信号生成部28(ゲートドライバ)から、ゲート信号が入力されるようになっている。また、ゲート信号生成部28には、PWM信号生成部30からPWM信号が入力され、PWM信号生成部30には、駆動信号生成部32から駆動信号が入力されるようになっている。
ここで、駆動信号とは指令電圧であり、本実施形態では、図3に示すように、スイッチング素子24がデューティ駆動されるオン期間はハイレベル「1」、オフ期間はローレベル「0」の信号となっている。PWM信号とは、上記駆動信号と三角波などのキャリア信号とにより形成され、図3に示すように所定のデューティ比を有している。ゲート信号とは、PWM信号を増幅処理等したものである。スイッチング素子24は、PWM信号がハイレベルでオンとなり、ローレベルでオフとなる。このため、スイッチング素子24のオン期間、換言すればデューティ駆動期間において、スイッチング素子24は、オンとオフを取りうる。一方、スイッチング素子24のオフ期間、換言すればデューティ駆動オフ期間において、スイッチング素子24はオフとなる。
電流供給部14は、感温ダイオード12と直列に接続され、スイッチング素子24の駆動を制御する駆動制御信号に基づいて、感温ダイオード12に定電流を供給するものである。ここで言う駆動制御信号とは、上記した駆動信号及びPWM信号の少なくとも一方である。そして、スイッチング素子24のオンに対応して、感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給し、スイッチング素子24のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給するように構成されている。第2定電流Ibは、第1定電流Iaよりも小さい(Ib<Ia)値に設定されている。
本実施形態では、図1に示すように、電流供給部14が、第1定電流Iaを供給する第1定電流源34と、第2定電流Ibを供給する第2定電流源36と、を有している。これら定電流源34,36は、並列に設けられている。第1定電流源34には、第1定電流源34を低電位側として第1SW38が直列接続されており、第2定電流源36には、第2定電流源36を低電位側として第2SW40が直列接続されている。これらSW38,40は、ともにpチャネル型のMOSFETであり、ドレインがグランド側、ソースが電源側となっている。
そして、SW38,40のゲートは、電流選択部42を介して、PWM信号生成部30とゲート信号生成部28とを電気的に接続するラインに接続されている。すなわち、電流選択部42には、PWM信号が入力される。この電流選択部42は、第1定電流Ia及び第2定電流Ibのいずれか一方を、感温ダイオード12に供給する電流として選択するものである。本実施形態では、図2に示すように、電流選択部42が、NOTゲート44を有しており、SW38,40のうち、第1SW38のゲートには、NOTゲート44を介してPWM信号が入力されるようになっている。例えばPWM信号がハイレベルの場合、第1SW38のゲートに入力される信号は、NOTゲート44にて反転されてローレベルとなり、第1SW38はオンとなる。一方、第2SW40のゲートには、PWM信号そのもの、すなわちハイレベルの信号が入力されるため、第2SW40はオフとなる。また、PWM信号がローレベルの場合、第1SW38のゲートに入力される信号は、NOTゲート44にて反転されてハイレベルとなり、第1SW38はオフとなる。一方、第2SW40のゲートには、ローレベルの信号が入力されるため、第2SW40はオンとなる。このように、第1SW38のオン・オフは、図3に示すPWM信号のハイ・ローと同様となり、第2SW40のオン・オフは、PWM信号のハイ・ローに対して逆となる。
コンパレータ16は、感温ダイオード12の順方向降下電圧と、閾値設定部46にて設定された閾値とを比較して、その比較結果を2値の信号で出力するように構成されている。コンパレータ16の非反転入力端子(+)と電流供給部14との接続点には、感温ダイオード12のカソードが接続されている。すなわち、感温ダイオード12の順方向降下電圧が非反転入力端子に入力されるようになっている。一方、コンパレータ16の反転入力端子(−)には、閾値設定部46が接続されている。
本実施形態では、閾値設定部46が、PWM信号に基づいて閾値を設定するようになっている。詳しくは、PWM信号がハイレベルの場合、過熱検出用の閾値を設定する。また、PWM信号がローレベルの場合、感温ダイオード12の故障診断用の閾値を設定する。本実施形態では、故障診断用の閾値として、グランドショート診断用の閾値を設定する。これら閾値は、予め設定されて閾値設定部46に格納されている。
ところで、感温ダイオード12の順方向降下電圧は、負の温度特性を有しており、−2mV/℃程度である。スイッチング素子24がオンされている、すなわち感温ダイオード12に第1定電流Iaが供給されているときの、順方向降下電圧を示す非反転入力端子の電圧が、過熱検出用の閾値を示す反転入力端子の電圧よりも大きいと、コンパレータ16の出力信号として、ハイレベルが出力される。一方、非反転入力端子の電圧が、反転入力端子の電圧よりも小さいと、コンパレータ16の出力信号として、ローレベルが出力される。また、スイッチング素子24がオフされている、すなわち感温ダイオード12に第2定電流Ibが供給されているときの、非反転入力端子の電圧が、故障診断用の閾値を示す反転入力端子の電圧よりも大きいと、コンパレータ16の出力信号として、ハイレベルが出力される。一方、非反転入力端子の電圧が、反転入力端子の電圧よりも小さいと、コンパレータ16の出力信号として、ローレベルが出力される。コンパレータ16の出力信号のうち、ハイレベルの信号は正常信号であり、ローレベルの信号は、過熱状態か、感温ダイオード12の故障を示す異常検出信号である。
ANDゲート18は、第1定電流Iaが供給されている、すなわちスイッチング素子24がオンされている場合に、コンパレータ16から異常検出信号が出力されると、駆動信号によらず、スイッチング素子24を強制的にオフさせるように構成されている。ANDゲート18の入力端子の一方には、コンパレータ16の出力信号が入力され、入力端子の他方には、駆動信号生成部32から駆動信号が入力されるようになっている。そして、ANDゲート18の出力が、PWM信号生成部30に入力されるようになっている。このように、駆動信号は、直接的にPWM信号生成部30に入力されるのではなく、ANDゲート18を介して入力されるようになっている。
ANDゲート18は、一対の入力端子ともにハイレベルが入力された場合にのみ、ハイレベルを出力する。したがって、コンパレータ16から異常検出信号(ローレベル)が入力されると、ANDゲート18からの出力は、駆動信号がハイレベル及びローレベルのいずれであっても、ローレベル「0」となる。したがって、PWM信号もローレベルとなり、スイッチング素子24をオフとすることができる。
故障診断部20は、感温ダイオード12における故障有無を判定し、判定結果に応じた判定信号を出力するものである。本実施形態では、故障診断部20が負論理のNORゲートとなっている。故障診断部20の入力端子の一方には、コンパレータ16の出力信号が入力され、入力端子の他方には、駆動信号生成部32から駆動信号が入力されるようになっている。故障診断部20から出力される判定信号は、一対の入力端子ともにローレベルが入力された場合にのみ、ハイレベル「1」を出力する。すなわち、駆動信号がローレベル、且つ、コンパレータ16の出力信号が異常検出信号であるがローレベルの場合にのみ、ハイレベル「1」を出力する。それ以外は、ローレベル「0」となる。故障診断部20の判定信号のうち、ローレベルの信号は正常信号であり、ハイレベルの信号は、感温ダイオード12に故障が生じていることを示す故障信号である。
なお、過熱保護回路10を構成する電流供給部14、コンパレータ16、ANDゲート18、故障診断部20、ゲート信号生成部28、PWM信号生成部30、駆動信号生成部32、及び閾値設定部46は、同一のICチップ48に形成されている。
次に、本実施形態に係る過熱保護回路10の特徴部分の作用効果について説明する。
本実施形態では、スイッチング素子24のオンに対応して、感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給し、コンパレータ16が、このときの順方向降下電圧を過熱検出用の閾値と比較する。したがって、スイッチング素子24の異常により、感温ダイオード12の周囲部分、すなわち基板26の温度が上昇した場合に、過熱状態にあることを検出することができる。
また、過熱検出に際し、感温ダイオード12に、第2定電流Ibよりも大きい第1定電流Iaを供給するため、これにより順方向降下電圧の電位レベルを高めてノイズマージンを稼ぎ、外来ノイズの影響を受けにくくすることができる。すなわち、外来ノイズによる誤動作を、従来よりも低減することができる。
さらに、スイッチング素子24のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給するため、そのときの順方向降下電圧に基づき、感温ダイオード12の故障、例えばグランドショートの有無を検出することができる。特に本実施形態では、故障診断部20を備えるため、感温ダイオード12に第2定電流Ibが供給されるのを利用して、感温ダイオード12における故障有無を判定することもできる。また、このように、感温ダイオード12の故障を検出できる構成としながらも、スイッチング素子24のオフに対応して第1定電流Iaを供給する構成に較べて、消費電力を低減することができる。
また、電流供給部14は、スイッチング素子24がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、オン期間におけるスイッチング素子24のオンに対応して、感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給する。そして、オン期間におけるスイッチング素子24のオフ及びオフ期間に対応して、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給する。したがって、オン期間において、スイッチング素子24をオフ→オンとする際に、感温ダイオード12の順方向降下電圧が所望の電位レベルに到達(回復)するまでの時間を、オフで電流ゼロとする場合に較べて短くすることができる。これにより、過熱時に、スイッチング素子24をオフさせるまでの時間を短縮することができる。また、第2定電流Ibを供給するため、オン期間中、第1定電流Iaを供給する構成に較べて、消費電力を低減することもできる。
(第2実施形態)
本実施形態において、上記実施形態に示した過熱保護回路10と共通する部分についての説明は割愛する。
本実施形態において、上記実施形態に示した過熱保護回路10と共通する部分についての説明は割愛する。
本実施形態の特徴は、電流供給部14が、オン期間とオフ期間とのうち、オン期間の全てに対応して感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給し、オフ期間に対応して、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給することにある。すなわち、デューティ駆動されるオン期間中は感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給し、オフ期間中は、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給することにある。
図4に示すように、SW38,40のゲートは、電流選択部42を介して、駆動信号生成部32とANDゲート18とを電気的に接続するラインに接続されている。すなわち、電流選択部42には、ANDゲート18に入力される前の駆動信号が入力される。本実施形態でも、第1実施形態同様、電流選択部42が、NOTゲート44を有しており、SW38,40のうち、第1SW38のゲートには、NOTゲート44を介して駆動信号が入力されるようになっている。例えば駆動信号がハイレベルの場合、第1SW38のゲートに入力される信号は、NOTゲート44にて反転されてローレベルとなり、第1SW38はオンとなる。一方、第2SW40のゲートには、駆動信号そのもの、すなわちハイレベルの信号が入力されるため、第2SW40はオフとなる。また、駆動信号がローレベルの場合、第1SW38のゲートに入力される信号は、NOTゲート44にて反転されてハイレベルとなり、第1SW38はオフとなる。一方、第2SW40のゲートには、ローレベルの信号が入力されるため、第2SW40はオンとなる。このように、第1SW38のオン・オフは、図5に示す駆動信号のハイ・ローと同様となり、第2SW40のオン・オフは、駆動信号のハイ・ローに対して逆となる。すなわち、オン期間中は第1SW38がオンして第1定電流Iaが供給され、オフ期間中は第2SW40がオンして第2定電流Ibが供給されるようになっている。
次に、本実施形態に係る過熱保護回路10の特徴部分の作用効果について説明する。
上記したように、本実施形態では、オン期間におけるスイッチング素子24のオフタイミングに第1定電流Iaを供給する。したがって、オン期間において、スイッチング素子24をオフ→オンで感温ダイオード12に供給する電流が変化しない。このため、オン期間において、スイッチング素子24をオフ→オンとする際に、感温ダイオード12の順方向降下電圧が所望の電位レベルに到達(回復)するまでの時間を、さらに短くすることができる。これにより、過熱を検出し、スイッチング素子24をオフさせるまでの時間を、さらに短縮することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
上記実施形態では、駆動信号生成部32とゲート信号生成部28の間に、PWM信号生成部30を有し、スイッチング素子24をデューティ駆動する例を示した。しかしながら、PWM信号生成部30を有さない、すなわちスイッチング素子24をデューティ駆動しない構成としても良い。
上記実施形態では、過熱保護回路10が故障診断部20を有する例を示したが、故障診断部20を有さず、過熱保護回路10の外部にコンパレータ16の出力信号を出力して、判定するようにしても良い。
上記実施形態では、同一のICチップ48に、過熱保護回路10を構成する電流供給部14、コンパレータ16、ANDゲート18、故障診断部20、ゲート信号生成部28、PWM信号生成部30,駆動信号生成部32、及び閾値設定部46が形成される例を示した。しかしながら、上記例に限定されるものではない。例えば図6に示す第1変形例では、ICチップ50に、電流供給部14、コンパレータ16、ゲート信号生成部28、及び閾値設定部46が、形成されている。また、マイコン52が、ANDゲート18、故障診断部20、PWM信号生成部30、及び駆動信号生成部32を有している。
上記実施形態では、オフ手段としてANDゲート18を備える例を示した。しかしながら、オフ手段は上記例に限定されるものではない。例えば図7に示す第2変形例では、第2実施形態に示したように、オン期間中は第1定電流Iaが供給される構成において、駆動信号生成部32がオフ手段を兼ねており、コンパレータ16の出力信号が駆動信号生成部32に入力されるようになっている。駆動信号生成部32は、駆動信号がハイレベル「1」のときに、コンパレータ16から異常検出信号が入力されると、駆動信号をローレベル「0」とする。なお、第1実施形態同様、スイッチング素子24のオンに対応して第1定電流Iaが供給される構成の場合、コンパレータ16の出力信号がPWM信号生成部30に入力され、PWM信号生成部30がオフ手段を兼ねるようにしても良い。
上記実施形態では、電流選択部42がNOTゲート44を備える例を示した。しかしながら、電流選択部42は、上記例に限定されるものではない。駆動制御信号に基づいて、第1定電流Ia及び第2定電流Ibのいずれか一方が感温ダイオード12に供給されるように、定電流源34,36を選択できるものであれば良い。
第1実施形態では、オン期間におけるスイッチング素子24のオン(PWM信号のハイレベル)に対応して、感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給し、オン期間におけるスイッチング素子24のオフ及びオフ期間に対応して、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給する例を示した。また、第2実施形態では、オン期間の全てに対応して、感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給し、オフ期間中、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給する例を示した。しかしながら、電流供給部14としては、スイッチング素子24のオンに対応して、感温ダイオード12に第1定電流Iaを供給し、スイッチング素子24のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給することのできるものであれば良い。オン期間におけるスイッチング素子24のオフ及びオフ期間の少なくとも一部で、感温ダイオード12に供給する電流をゼロとしても良い。すなわち、常に第2定電流Ibを供給するのではなく、たまに第2定電流Ibを供給しても良い。例えばオン期間におけるスイッチング素子24のオフ(デューティ駆動中のオフ)に対応して、感温ダイオード12に流れる電流をゼロとし、オフ期間中、感温ダイオード12に第2定電流Ibを供給するようにしても良い。また、デューティ駆動中のオフにおいて、第2定電流Ibと電流ゼロを交互に設定しても良い。
10・・・過熱保護回路、12・・・感温ダイオード、14・・・電流供給部、16・・・コンパレータ(電圧検出部)、18・・・ANDゲート(オフ手段)、20・・・故障診断部、22・・・負荷、24・・・スイッチング素子、26・・・基板、28・・・ゲート信号生成部、30・・・PWM信号生成部、32・・・駆動信号生成部、34・・・第1定電流源、36・・・第2定電流源、38・・・第1SW、40・・・第2SW、42・・・電流選択部、44・・・NOTゲート、46・・・閾値設定部、48・・・ICチップ、50・・・ICチップ、52・・・マイコン、Ia・・・第1定電流、Ib・・・第2定電流
Claims (4)
- スイッチング素子(24)と同一の基板(26)に形成された感温ダイオード(12)と、
前記感温ダイオード(12)と直列に接続され、負荷(22)を所定の駆動状態とすべく設定される前記スイッチング素子(24)の駆動制御信号に基づいて、前記感温ダイオード(12)に定電流を供給するものであり、前記スイッチング素子(24)のオンに対応して、前記感温ダイオード(12)に第1定電流(Ia)を供給し、前記スイッチング素子(24)のオフのうち、少なくとも一部に対応して、前記感温ダイオード(12)に前記第1定電流(Ia)よりも小さい第2定電流(Ib)を供給する電流供給部(14)と、
前記感温ダイオード(12)の順方向降下電圧を検出して検出値を所定の閾値と比較し、前記検出値が前記閾値よりも小さい場合に、出力信号として、異常を示す異常検出信号を出力するものであり、前記第1定電流(Ia)が供給されるときの前記検出値が過熱検出用の前記閾値よりも小さい場合に、前記異常検出信号を出力し、前記第2定電流(Ib)が供給されるときの前記検出値が感温ダイオード故障診断用の前記閾値よりも小さい場合に、前記異常検出信号を出力する電圧検出部(16)と、
前記第1定電流(Ia)が供給され、前記電圧検出部(16)から前記異常検出信号が出力される場合に、前記スイッチング素子(24)をオフさせるオフ手段(18)と、
を備えることを特徴とする過熱保護回路。 - 前記駆動制御信号と前記電圧検出部(16)の出力信号とに基づいて、前記感温ダイオード(12)の故障有無を判定し、判定結果に応じた判定信号を出力する故障診断部(20)を備え、
前記故障診断部(20)は、前記第2定電流(Ib)が供給されるときの前記検出値が前記感温ダイオード(12)の故障を示す前記閾値よりも小さい場合に、前記判定信号として、前記感温ダイオード(12)に故障が生じたことを示す故障信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の過熱保護回路。 - 前記電流供給部(14)は、前記スイッチング素子(24)がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、前記オン期間における前記スイッチング素子(24)のオンに対応して、前記感温ダイオード(12)に前記第1定電流(Ia)を供給し、前記オン期間における前記スイッチング素子(24)のオフ及び前記オフ期間に対応して、前記感温ダイオード(12)に前記第2定電流(Ib)を供給することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の過熱保護回路。
- 前記電流供給部(14)は、前記スイッチング素子(24)がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、前記オン期間の全てに対応して、前記感温ダイオード(12)に前記第1定電流(Ia)を供給し、前記オフ期間に対応して、前記感温ダイオード(12)に前記第2定電流(Ib)を供給することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の過熱保護回路。
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