JP5788208B2

JP5788208B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP5788208B2
Application number: JP2011096608A
Authority: JP
Inventors: ▲景▼ 周申; 庸桓慎; 准宇李; ▲令▼ 究金; 亨賛高; 賢九安; 全　栢　均; 栢均全; ▲同▼ 兌金; ▲教▼ 直辛; 台欽厳; 閔 ▲是▼ 丁; 会林金; 進秀鄭
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2010-04-22
Filing date: 2011-04-22
Publication date: 2015-09-30
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Also published as: CN102236211A; JP2011227505A; US20110261307A1; US8482709B2

Description

本発明は液晶表示装置に関し、より詳細には表示品質を改善することができる液晶表示装置に関する。

一般的に、液晶表示装置は、液晶層に電圧を印加して光の透過率を制御することによって映像を表示する。しかし、液晶表示装置は液晶層の液晶分子が配向した方向のみに光を透過させるため、他の表示装置に比べて相対的に狭い視野角を有する。

したがって、１つの画素を液晶分子が相異なる方向へ配向する多数のドメインで分けて駆動するＰＶＡ（ＰａｔｔｅｒｎｅｄＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード及びＳＰＶＡ（ＳｕｐｅｒＰａｔｔｅｒｎｅｄＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等が開発されている。ＰＶＡモード及びＳＰＶＡモードでは、垂直配向液晶を利用し、互いに対向する画素電極と共通電極とに所定の大きさのスリット開口パターンを形成し、各画素にマルチドメインを形成する。

しかし、スリット開口パターンを形成するためには別の工程が要求され、スリット開口パターンによって開口率が減少してしまう。

韓国特許公開第１０−２００７−００２８１３８号公報

したがって、本発明の目的は開口率及び透過率を増加させて表示品質を改善することができる液晶表示装置を提供するものである。

本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１基板、配向膜、第２基板、及び液晶層を含む。

前記第１基板は多数の画素領域に各々対応して配置された多数の画素電極を含み、前記第２基板は前記多数の画素電極と対向する共通電極を含む。前記配向膜は前記第１及び第２基板間に配置され、前記画素領域各々に対応して第１方向へ配向した第１領域、前記第１方向と反対になる第２方向へ配向した第２領域、前記第１方向と異なる第３方向へ配向した第３領域及び前記第３方向と反対になる第４方向へ配向した第４領域を備えている。前記液晶層は前記第１及び第２基板間に配置され、前記第１乃至第４領域によって前記各画素領域に定義された多数のドメインで相異なる方向へ配向する液晶分子を含む。

この場合、前記多数の画素電極各々は前記多数のドメインの中で少なくとも１つのドメインに対応して前記第１乃至第４方向の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を備える。

本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、多数の画素が配置された第１基板、前記第１基板と対向する第２基板、及び前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層を含む。

各画素は相異なる液晶配向方向を有する多数のドメインを含み、前記第１及び第２基板の中で少なくとも１つは前記ドメインの境界部に対応して位置する光遮断膜を含む。前記光遮断膜の端部は前記光遮断膜を基準として互いに隣接する２つのドメインの液晶配向方向の中でいずれか１つと平行な方向に面取りされる。

本発明のその他の実施形態による液晶表示装置は、第１ベース基板、前記第１ベース基板の上に配置された画素電極、前記画素電極をカバーする第１配向膜、前記第１基板に対向する第２ベース基板、前記第２ベース基板の上に配置された共通電極、前記共通電極をカバーする第２配向膜及び前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に配置された液晶層を含む。

前記第１ベース基板は複数の列と複数の行を含む複数の画素領域を有し、前記画素電極は前記画素領域に配置される。

前記第１配向膜は前記列に沿って延長されて第１方向へ配向した複数の第１配向領域と、前記第１配向領域に交互に配置されて前記第１方向の逆方向である第２方向へ配向された複数の第２配向領域を含む。

前記第２配向膜は前記行に沿って延長されて前記第１方向と垂直１第３方向へ配向された複数の第３配向領域と、前記第３配向領域に交互して配置されて前記第３方向の逆方向である第４方向へ配向された複数の第４配向領域を含む。

前記第１及び第２配向領域各々は平面の上で同一行に配置された互いに隣接する２画素領域の一部と重畳し、前記第３及び第４配向領域各々は平面の上で同一列に配置された互いに隣接する２画素領域の一部と重畳する。

前記液晶層は前記第１及び第３配向領域が重畳する第１ドメインと、前記第１及び第４配向領域が重畳する第２ドメインと、前記第２及び第３配向領域が重畳する第３ドメイン、及び前記第２及び第４配向領域が重畳する第４ドメインを含む。ここで前記液晶層は各ドメインで相異なる方向へ配向される。

各画素領域は前記第１乃至第４ドメインを含み、前記画素領域の中で１つの画素領域での前記第１乃至第４ドメインの配列順序は前記１つの画素領域に隣接する画素領域での前記第１乃至第４ドメインの配列順序と異なる。

前記各画素領域において、前記第１乃至第４ドメインの配向方向が右回りの方向、又は左回りの方向に循環する画素領域を循環型画素領域と称し、前記第１及び第４ドメインの配向方向、又は前記第２及び第３ドメインの配向方向が互いに対向するか、或いは反対方向に向ける画素領域を収斂発散型画素領域と称する時、前記循環型画素領域と前記収斂発散型画素領域とは前記行と前記列に沿って交互的に配置される。

このような液晶表示装置によれば、第１配向膜が第１及び第２方向へ配向し、第２配向膜が第３及び第４方向へ配向する場合、画素電極には前記第１乃至第４方向の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を備える。画素領域に液晶配向方向が相異なる多数のドメインが定義された場合、各ドメインの液晶配向方向にしたがって、前記延長部が形成される位置が決定され得る。

よって、液晶配向方向が隣接する画素電極側を向かうドメインの境界で発生するフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅｆｉｅｌｄ）領域をブラックマトリクスが形成された遮光領域内側へ移動させることができる。したがって、液晶表示装置の全体の開口率及び透過率を向上させることができる。

また、イオン性不純物のマイグレーションによって発生する線残像を減少させた高品質な液晶表示装置を提供できる。

本発明の第１実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。図１に示した液晶表示装置の一部を示した拡大平面図である。図２のＩ−Ｉ’線の断面図である。表示パネルのアレイ基板の上に配置された第１配向膜の配向過程を示した断面図である。表示パネルのアレイ基板の上に配置された第１配向膜の配向過程を示した断面図である。図４Ａに示した第１マスクの平面図である。表示パネルの対向基板の上に配置された第２配向膜の配向過程を示した断面図である。表示パネルの対向基板の上に配置された第２配向膜の配向過程を示した断面図である。図６Ａに示した第２マスクの平面図である。第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画素の等価回路図である。図１１に示した画素のレイアウト図である。図１２に示した切断線II−II’に沿った断面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。図１４Ｃに示した第１及び第２画素電極が配置されたアレイ基板の平面図である。図１５に示した切断線III−III’に沿った断面図である。本発明の第３実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図である。図１７に示した画素を配置するアレイ基板の平面図である。本発明の第４実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図である。図１８に示した画素を備えたアレイ基板の平面図である。本発明の第５実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図である。図２１に示した画素が配置されたアレイ基板の平面図である。図２１に示した画素が配置された本発明の他の実施形態によるアレイ基板の平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向、第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。本発明の他の実施形態によるアレイ基板の平面図である。本発明の第６実施形態による液晶表示装置の平面図である。図２６に示したＡ１部分の拡大図である。図２６に示した本発明の他の実施形態によるＡ１部分の平面図である。本発明の第７実施形態による液晶表示装置の画素を示した平面図である。図２８に示した切断線IV−IV’に沿った断面図である。本発明の第８実施形態による液晶表示装置の画素を示した平面図である。本発明の第９実施形態による液晶表示装置において第１基板の配向方向を示した平面図である。本発明の第９実施形態による液晶表示装置において第２基板の配向方向を示した平面図である。図３１Ａの第１基板と図３１Ｂの第２基板とを組み合わせたときの液晶層の配向を示した断面図である。図３１Ｃの画素領域が３ｘ５行列マトリクスパターンで繰り返して配向される液晶表示装置を示した平面図である。本発明の第１０実施形態による液晶表示装置の一部を示した拡大平面図である。図３２と同一の方式に画素領域が３ｘ５行列マトリクスパターンで繰り返して配向される液晶表示装置を示した平面図である。

本発明は多様な変更を加えることができ、色々な形態を有することができる。ここでは、特定実施形態を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定するわけではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むことと理解されなければならない。

各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して使用する。添付の図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して図示していることがある。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するのに用いられるが、構成要素は用語により限定されるわけではない。用語は１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的のみで用いられる。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないで、第１構成要素は第２構成要素と称され、類似に第２構成要素も第１構成要素と称される。単数表現は文脈で明白に指摘しない限り、複数の表現を含む。

本出願の明細書で、“含む”、又は“有する”等の用語は明細書に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせることが存在すること意味し、１つ、又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらの組み合わせの存在、又は付加可能性をあらかじめ排除しないこととして理解されなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分“上に”あるとする場合、これは他の部分の“真上に”ある場合のみでなくその中間にその他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板等の部分が他の部分“下に”あるとする場合、これは他の部分の“真下に”ある場合のみでなくその中間にその他の部分がある場合も含む。

以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態をより詳細に説明する。

図１は本発明の第１実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。図２は図１に示した液晶表示装置の一部を示した拡大平面図である。図３は図２のＩ−Ｉ’線の断面図である。

図１乃至図３を参照すれば、本発明の第１実施形態による液晶表示装置４００は第１基板１００、第２基板２００、及び第１基板１００と第２基板２００との間に配置された液晶層３００を含む。

第１基板１００は第１ベース基板１１０、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極ＰＥ、及び第１配向膜１２０を含む。

第１ベース基板１１０は複数の画素領域ＰＡを有する。図２及び図３では説明の便宜上１つの画素領域ＰＡのみを表示し、実際に液晶表示装置４００に画素領域ＰＡが複数の列と複数の行とを有したマトリクス形態に配列される。

画素領域ＰＡは互いに同一の構造を有するので、以下では、説明の便宜上、１つの画素領域ＰＡのみを一例として説明する。ここで、画素領域ＰＡは一方向へ長く延長された長方形状とされるが、これに限定されるのではない。画素領域ＰＡの形状はＶ字形状、Ｚ字形状等の形状に多様に変形できる。

画素領域ＰＡにはゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ及び画素電極ＰＥが配置される。

ゲートラインＧＬは第１ベース基板１１０の上に一方向へ延長されて配置される。

データラインＤＬは第１ベース基板１１０の上にゲートラインＧＬと絶縁されるように交差して配置される。

薄膜トランジスタＴＦＴはゲートラインＧＬとデータラインＤＬとの交差部に隣接して配置される。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲートラインＧＬから分岐されたゲート電極ＧＥ、データラインＤＬから分岐されたソース電極ＳＥ及びソース電極ＳＥから離隔されたドレイン電極ＤＥを含む。

画素電極ＰＥはドレイン電極ＤＥに接続される。

図３を参照すれば、第１ベース基板１１０の上の画素領域ＰＡにはゲートラインＧＬとゲート電極ＧＥとが配置される。

ゲートラインＧＬの上には第１絶縁層１５１を間に置いて半導体パターンＳＭが配置される。半導体パターンＳＭ等が形成された第１ベース基板１１０の上にはデータラインＤＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配置される。ここで、半導体パターンＳＭはソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとの間で導通チャンネル（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｃｈａｎｎｅｌ）を形成する。

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ等が形成された第１絶縁層１５１の上には第２絶縁層１５２が配置される。第２絶縁層１５２の上には有機層１５３が配置される。有機層１５３の上には画素電極ＰＥが配置され、第２絶縁層１５２と有機層１５３とを貫通して形成されたコンタクトホールＣＨを通してドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。

第１配向膜は画素電極ＰＥを覆うように画素電極ＰＥの上に形成される。

第２基板２００は第１基板１００に対向して配置される。第２基板２００は、第２ベース基板２１０、カラーフィルタＣＦ、ブラックマトリクス２４１、共通電極ＣＥ、及び第２配向膜２２０を含む。

カラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクス２４１は第２ベース基板２１０の上に配置される。共通電極ＣＥ及び第２配向膜２２０はカラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクス２４１の上に順次形成される。

カラーフィルタＣＦは画素領域ＰＡに対応して配置される。各カラーフィルタＣＦは赤色、緑色、又は青色の中でいずれか１つの色を有する。ブラックマトリクス２４１は複数のカラーフィルタＣＦとの間に形成され、複数のカラーフィルタＣＦの間の液晶層３００を透過する光を遮断する。共通電極ＣＥはカラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクス２４１の上に配置される。第２配向膜２２０は共通電極ＣＥを覆う。

液晶層３００は第１配向膜１２０と第２配向膜２２０との間に配置される。液晶層３００は垂直配向型液晶モードである。しかし、これに限定されるわけではなく、例えば、ツイステッドネマチック型液晶（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌｓ）モードであってもよい。

ゲートラインＧＬを通して供給される駆動信号に応答して薄膜トランジスタＴＦＴがターンオンされると、データラインＤＬを通して供給される画像信号がターンオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通して画素電極ＰＥに供給される。したがって、共通電極ＣＥには共通電圧が印加されて画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が発生する。電界によって液晶層３００の液晶分子が駆動される結果、液晶層３００を透過する光量によって画像が表示される。

液晶分子のプレチルト角（ｐｒｅ−ｔｉｌｔａｎｇｌｅ）は液晶層に電界が印加される前に液晶分子が回転、又はチルトした角度である。液晶層３００に含まれた液晶分子のプレチルト角は第１配向膜１２０と前記第２配向膜２２０との特性によって変化する。液晶層３００は垂直配向液晶を含む場合、垂直配向液晶は基板の表面に対して８８゜乃至８９゜のプレチルト角を有する。

本発明の一実施形態として、第１及び第２配向膜１２０、２２０の各々は多数の領域を含み、各領域で異なる方向へ配向される。以下、第１及び第２配向膜１２０、２２０を配向するために使われる方法に対しては後述する。

第１配向膜１２０および第２配向膜２２０を各領域で特定方向へ配向するために使われる方法は光を利用するものである。例えば、前記方法は異なる偏光方向を有する紫外線を配向膜へ照射する方法や、配向膜の表面に対して傾いた光を配向膜へ照射する方法等がある。

図４Ａ及び図４Ｂは表示パネルの第１基板の上に配置された第１配向膜の配向過程を示した断面図であり、図５は図４Ａに示した第１マスクの平面図である。

図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、画素電極ＰＥを覆うために第１配向膜１２０が第１ベース基板１１０の上に形成される。先に説明した通り、第１ベース基板１１０と画素電極ＰＥとの間には１つ以上の層が配置されるが、説明の便宜上、図４Ａ及び図４Ｂでは省略している。第１配向膜１２０は、光（例えば、紫外線ＵＶ、又はレーザ）の照射により分解（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二量体化反応（ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）、異性化反応（ｉｓｏｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中の１つの反応がおこりポリビニルシンナメート（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃｉｎｎａｍａｔｅ：ＰＶＣＮ）系物質、又はポリシロキサンシンナメート（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅｃｉｎｎａｍａｔｅ：ＰＳＣＮ）系物質、セルロースシンナメート（Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅｃｉｎｎａｍａｔｅ：ＣｅｌＣＮ）系物質等のような高分子物質を含むようにしてもよい。

第１配向膜１２０の上部には複数の第１開口部１３１が形成された第１マスク１３０が配置される。図５に示すように、第１マスク１３０で複数の第１開口部１３１は第１方向Ｄ１に並べて延長される。

一方、画素領域ＰＡは第１方向Ｄ１と直角をなす方向に二分割された第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とを含む。この場合、第１マスク１３０の第１開口部１３１の各々は画素領域ＰＡの第１領域Ａ１の上に対応して位置する。第１開口部１３１が第１領域Ａ１に対応して配置されれば、第１配向膜１２０の表面に対して所定角度θに傾いた光を第１配向膜１２０へ照射して第１配向膜１２０の第１領域Ａ１を１次露光する。所定角度θは４０゜乃至４５゜の範囲を有するようにしてもよい。特に、１次露光の時、光を出射する露光装置（図示せず）は第１方向Ｄ１へ第１開口部１３１に沿って移動しながら第１領域Ａ１に光を照射することができる。

第１配向膜１２０表面に斜めに光を照射する方法は第１ベース基板１１０を傾けるか、或いは光源を傾けることによって可能である。

続いて、第１開口部１３１が画素領域ＰＡの第２領域Ａ２に対応するように第１マスク１３０をシフトさせる。第１開口部１３１が第２領域Ａ２に対応して配置されれば、第１配向膜１２０の第２領域Ａ２に光を斜めに傾けて照射することによって２次露光を実行する。特に、２次露光の時、光源は第１方向Ｄ１と反対になる第２方向Ｄ２へ第１開口部１３１に沿って移動して第２領域Ａ２に光を照射する。

上のような露光工程が完了すれば、第１配向膜１２０を第１領域Ａ１で第１方向Ｄ１へ第１角度にチルトさせ、第２領域Ａ２で第２方向Ｄ２へ第２角度にチルトさせる。例えば、第１配向膜１２０がチルトされた角度を以下第１配向膜１２０のプレチルト角と称し、プレチルト角は８５゜乃至８９゜をとり得る。したがって、第１配向膜１２０は無電界状態でプレチルト角程度液晶層（図示せず）の液晶分子が傾くように垂直配向させることができる。

本実施形態によれば、液晶分子が配向される方向を精度に制御することができる。また、光を利用して第１配向膜を配向する方法が開示されているが、本発明はこれに限定されるわけではない。配向膜を配向するための他の方法、例えば、ラビング方式（ｒｕｂｂｉｎｇｍｅｔｈｏｄ）、又は反応性メソゲン（ＲｅａｃｔｉｖｅＭｅｓｏｇｅｎｓ）方式と同一の方式が適用されてもよい。

図６Ａ及び図６Ｂは表示パネルの対向基板の上に配置された第２配向膜の配向過程を示した断面図であり、図７は図５Ａに示した第２マスクの平面図である。

図６Ａ及び図６Ｂを参照すれば、第２基板２００は第２ベース基板２１０及び第２ベース基板２１０の上に形成された共通電極ＣＥを含む。図６Ａ及び図６Ｂでは説明の便宜上、共通電極ＣＥが１つの画素領域ＰＡに対応して形成された構造を示したが、共通電極ＣＥは第２ベース基板２１０の上に全体的に形成される。また、第２ベース基板２１０と共通電極ＣＥとの間には１つ以上の層が配置されているが、説明の便宜上、図６Ａ及び図６Ｂでは省略している。

第２基板２００の上には共通電極ＣＥを覆うように第２配向膜２２０が配置される。第２配向膜２２０は光（例えば、紫外線ＵＶ、又はレーザ）の照射によって分解（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二量体化反応（ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）、異性化反応（ｉｓｏｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中で１つの反応がなされるポリビニルシンナメート（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃｉｎｎａｍａｔｅ：ＰＶＣＮ）系物質、又はポリシロキサンシンナメート（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅｃｉｎｎａｍａｔｅ：ＰＳＣＮ）系物質、セルロースシンナメート（Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅｃｉｎｎａｍａｔｅ：ＣｅｌＣＮ）系物質等と同一の高分子物質を含むようにしてもよい。

第２配向膜２２０の上部には複数の第２開口部２３１が形成された第２マスク２３０が配置される。図７に示したように第２マスク２３０で複数の第２開口部２３１は第１方向Ｄ１（図５に示される）と直角をなす第３方向Ｄ３へ並べて延長される。

一方、画素領域ＰＡは第１方向Ｄ１に二分割された第３領域Ａ３と第４領域Ａ４とを含む。この場合、第２マスク２３０の第２開口部２３１の各々は画素領域ＰＡの第３領域Ａ３の上部に位置する。第２配向膜２２０の表面に対して所定角度に傾いた光が第２配向膜２２０へ照射され、第２配向膜２２０の第３領域Ａ３を３次露光する。３次露光の時、光源は第３方向Ｄ３へ第２開口部２３１に沿って移動しながら、第３領域Ａ３へ光を照射することができる。

第２ベース基板２１０を傾けるか、或いは光源を第２配向膜２２０の表面に対して傾けることによって、光を第２配向膜２２０表面に所定角度に傾けて照射することができる。

次に、第２開口部２３１が各画素領域ＰＡの第４領域Ａ４に対応するように第２マスク２３０をシフトさせる。第２開口部２３１が第４領域Ａ４に対応して配置されれば、第２配向膜２２０の表面に対して所定角度に傾いた光を第４領域Ａ４へ照射することによって、第２配向膜２２０の第４領域Ａ４の４次露光工程を実行する。特に、４次露光の時、光源は第３方向Ｄ３と反対になる第４方向Ｄ４へ第２開口部２３１に沿って移動して第４領域Ａ４へ光を照射する。

上のような露光工程が完了すれば、第２配向膜２２０を第３領域Ａ３で第３方向Ｄ３へ第３角度にチルトさせ、第４領域Ａ４で第４方向Ｄ４へ第４角度にチルトさせる。例えば、第２配向膜２２０のプレチルト角は８５゜乃至８９゜をとり得る。したがって、第２配向膜２２０は無電界状態でプレチルト角程度液晶層（図示せず）の液晶分子が傾くように垂直配向させることができる。

図８Ａ乃至図８Ｃは第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。特に、図８Ａは図４Ｂの第１配向膜の配向方向を示した平面図であり、図８Ｂは図６Ｂの第２配向膜の配向方向を示した平面図であり、図８Ｃは画素電極の平面図である。

図８Ａ乃至図８Ｃを参照すれば、第１基板１００で画素領域ＰＡは第１及び第２領域Ａ１、Ａ２で区分され、第１領域Ａ１で第１配向膜１２０は第１方向Ｄ１に配向され、第２領域Ａ２で第１配向膜１２０は第２方向Ｄ２へ配向される。

一方、第２基板２００で画素領域ＰＡは第３及び第４領域Ａ３、Ａ４で区分され、第３領域Ａ３で第２配向膜２２０は第３方向Ｄ３へ配向され、第４領域Ａ４で第２配向膜２２０は第４方向Ｄ４へ配向される。

第１基板１００と第２基板２００とが互いに対向して結合されれば、図８Ｃに示したように第１基板１００と第２基板２００との間には第１及び第３領域Ａ１、Ａ３が重畳する領域に対応する第１ドメインＤＭ１、第１及び第４領域Ａ１、Ａ４が重畳する領域に対応する第２ドメインＤＭ２、第２及び第３領域Ａ２、Ａ３が重畳する領域に対応する第３ドメインＤＭ３及び第２及び第４領域Ａ２、Ａ４が重畳する領域に対応する第４ドメインＤＭ４が形成される。

第１及び第２配向膜１２０、２２０の間に配置された液晶層３００で、液晶分子は各ドメインで異なる方向へ配向される。第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で液晶分子は４つの異なる方向へ配向される。より具体的には、第１ドメインＤＭ１での液晶分子は第１及び第２配向膜１２０、２２０が各々配向される第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第５方向Ｄ５へ配列され、第２ドメインＤＭ２での第１及び第２配向膜１２０、２２０が各々配向される第１及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第６方向Ｄ６へ配列される。第３ドメインＤＭ３で第１及び第２配向膜１２０、２２０が各々配向される第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第７方向Ｄ７へ配列され、第４ドメインＤＭ４での第１及び第２配向膜１２０、２２０が各々配向される第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第８方向Ｄ８へ配列できる。

したがって、図８Ｃに示したように液晶層３００の液晶分子は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で右回り方向へ順次循環する方向に配向される。このように、異なる方向に配向される液晶分子を有する複数のドメインＤＭ１〜ＤＭ４を画素領域に形成することによって、液晶表示装置４００の広い視野角を確保することができる。

また、第１基板１００に配置された画素電極ＰＥは第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の中で少なくとも１つのドメインに対応する画素電極ＰＥのある部分に第１乃至第４方向Ｄ１〜Ｄ４の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を配置する。

具体的には、液晶層３００の配向方向が図８Ｃに示したように第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で右回り方向へ順次循環する場合、画素電極ＰＥの延長部は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４に対応する画素電極ＰＥの領域で画素電極ＰＥのエッジに沿って位置する第１延長部１１１ａ、第２延長部１１１ｂ、第３延長部１１１ｃ及び第４延長部１１１ｄを含むことができる。

第１延長部１１１ａは第１ドメインＤＭ１に対応する画素電極ＰＥの領域で第１方向Ｄ１へ外側に延長される。即ち、第１延長部１１１ａは第１ドメインＤＭ１に対応する画素電極ＰＥの領域で画素電極ＰＥの外側エッジに沿って位置する。第２延長部１１１ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する画素電極ＰＥの領域で第４方向Ｄ４へ画素電極ＰＥの外側に延長される。また、第３延長部１１１ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第３方向Ｄ３へ画素電極ＰＥの外側に延長され、第４延長部１１１ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第２方向Ｄ２へ画素電極ＰＥの外側に延長される。

画素電極ＰＥと画素電極ＰＥに隣接する隣接画素電極との間のフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅｆｉｅｌｄ）によって画素電極ＰＥと隣接画素電極との間の境界で液晶分子が異常に配向（以下、「誤配向」という。）され得る。２つの隣接する画素電極ＰＥの間で発生するフリンジフィールドの位置は液晶分子が各隣接画素で配向される方向によって決定され得る。即ち、液晶分子の配向方向が隣接画素電極に向ける領域で画素電極ＰＥと隣接画素電極（図８Ｃに示してない）との間にフリンジフィールドが発生する。

本発明の一実施形態で、画素電極ＰＥと隣接画素電極との間にフリンジフィールドが形成される位置に第１乃至第４延長部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄが形成される。このように、第１乃至第４延長部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄを形成すれば、画素電極ＰＥと隣接画素電極との間の境界は光を遮断して光の漏れを防止するブラックマトリクス２４１が形成された遮光領域へ移動できる。このように、フリンジフィールドが形成される境界部分が遮光領域へ移動されれば、誤配向領域が遮光領域の内側に位置され、液晶分子の誤配向によって漏洩される光が遮断される。その結果、画素間の境界部で液晶分子の誤配向によって液晶表示装置４００の全体開口率及び透過率が減少することを防止することができる。

図９Ａ乃至図９Ｃは本発明の他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。特に、図９Ａは本発明の他の実施形態による第１配向膜の配向方向を示し、図９Ｂは本発明の他の実施形態による第２配向膜の配向方向を示し、図９Ｃは本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。

図９Ａ乃至図９Ｃを参照すれば、第１基板１００で画素領域ＰＡは第１及び第２領域Ａ１、Ａ２で区分され、第１配向膜１２０は第１領域Ａ１で第１方向Ｄ１１に配向され、第２領域Ａ２で第２方向Ｄ２へ配向される。

一方、第２基板２００で画素領域ＰＡは第３及び第４領域Ａ３、Ａ４で区分され、第２配向膜２２０は第３領域Ａ３で第３方向Ｄ３へ配向され、第４領域Ａ４で第４方向Ｄ４へ配向される。

第１基板１００と第２基板２００が互いに対向して結合されれば、図９Ｃに示したように第１基板１００と第２基板２００との間には前記第１及び第３領域Ａ１、Ａ３が重畳する領域に対応して第１ドメインＤＭ１が形成され、第１及び第４領域Ａ１、Ａ４が重畳する領域に対応して第２ドメインＤＭ２が形成され、第２及び第３領域Ａ２、Ａ３が重畳する領域に対応して第３ドメインＤＭ３が形成され、第２及び第４領域Ａ２、Ａ４が重畳する領域に対応して第４ドメインＤＭ４が形成される。

この場合、液晶分子は第１ドメインＤＭ１で第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第５方向Ｄ５に配列され、第２ドメインＤＭ２で液晶分子は第１及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第６方向Ｄ６に配列され、第３ドメインＤＭ３で液晶分子は第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第７方向Ｄ７に配列され、第４ドメインＤＭ４で液晶分子は第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第８方向Ｄ８に配列される。

したがって、図９Ｃに示したように、第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３で液晶層３００の配向方向は互いに対向し、第１及び第４ドメインＤＭ１、ＤＭ４で液晶層３００の配向方向は互いに反対になる。

また、第１基板１００に配置された画素電極ＰＥは第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の中で少なくとも１つのドメインに対応する第１乃至第４方向Ｄ１〜Ｄ４の中で少なくとも一方向へ延長された少なくとも１つの延長部を配置する。具体的には、第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３の液晶配向方向が互いに対向する場合、画素電極ＰＥの延長部は前記第１ドメインＤＭ１に沿って配置された第１延長部１１１ｅ及び第２延長部１１１ｆ、前記第４ドメインＤＭ４に沿って配置された第３延長部１１１ｇ及び第４延長部１１１ｈを含んでもよい。

第１延長部１１１ｅは画素電極ＰＥから第４ドメインＤＭ４で第１方向Ｄ１へ外側に延長され、第２延長部１１１ｆは第３方向Ｄ３へ延長される。また、第３延長部１１１ｇは第２方向Ｄ２へ延長され、第４延長部１１１ｈは第４方向Ｄ４へ延長される。

画素電極ＰＥ中の液晶配向方向が互いに対向する第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３では隣接画素電極との間にフリンジフィールドが発生しない。しかし、液晶配向方向が互いに反対になる第１及び第４ドメインＤＭ１、ＤＭ４では隣接画素電極との間にフリンジフィールドが発生する。したがって、第１及び第４ドメインＤＭ１、ＤＭ４に対応する領域で画素電極ＰＥに第１乃至第４延長部１１１ｅ〜１１１ｈを形成することによって、液晶分子が誤配向された領域をブラックマトリクス２４１が形成された遮光領域の内側へ移動させ得る。その結果、液晶表示装置の開口率及び透過率を増加させ得る。

図１０Ａ乃至図１０Ｃは本発明のその他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向及び第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。特に、図１０Ａは本発明の他の実施形態による第１配向膜の配向方向を示し、図１０Ｂは本発明の他の実施形態による第２配向膜の配向方向を示し、図１０Ｃは画素領域に配置された画素電極を示す。

図１０Ａ乃至図１０Ｃを参照すれば、第１基板１００で画素領域ＰＡは第１サブ画素領域ＳＰＡ１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ２で区分される。また、第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２の各々は前記第１及び第２領域Ａ１、Ａ２で区分される。液晶分子は第１領域Ａ１で前記第１方向Ｄ１に配向され、前記第２領域Ａ２で前記第２方向Ｄ２へ配向される。

一方、前記第２基板２００で前記第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２は前記第３及び第４領域Ａ３、Ａ４で区分される。前記液晶分子は前記第３領域Ａ３で前記第３方向Ｄ３へ配向され、前記第４領域Ａ４で前記第４方向Ｄ４へ配向される。

第１基板１００と第２基板２００とが互いに対向して結合されれば、図１０Ｃに示したように第１サブ画素領域ＳＰＡ１に対応して第１基板１００と第２基板２００との間には第１及び第３領域Ａ１、Ａ３が重畳して形成された第１ドメインＤＭ１が形成され、第１及び第４領域Ａ１、Ａ４が重畳して形成された第２ドメインＤＭ２が形成され、第２及び第３領域Ａ２、Ａ３が重畳する第３ドメインＤＭ３が形成され、第２及び第４領域Ａ２、Ａ４が重畳して形成された第４ドメインＤＭ４が形成される。

また、第２サブ画素領域ＳＰＡ２に対応して第１基板１００と第２基板２００との間には第１及び第３領域Ａ１、Ａ３が重畳して形成された第１ドメインＤＭ１、第１及び第４領域Ａ１、Ａ４が重畳して形成された第２ドメインＤＭ２、第２及び第３領域Ａ２、Ａ３が重畳して形成された第３ドメインＤＭ３及び第２及び第４領域Ａ２、Ａ４が重畳して形成された第４ドメインＤＭ４が形成される。

第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で液晶層３００に含まれた液晶分子は異なる方向へ配列される。具体的には、第１ドメインＤＭ１で液晶分子は第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第５方向Ｄ５へ配列され、第２ドメインＤＭ２で液晶分子は第２及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第６方向Ｄ６へ配列され、第３ドメインＤＭ３で液晶分子は第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第７方向Ｄ７へ配列され、第４ドメインＤＭ４で液晶分子は第１及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第８方向Ｄ８へ配列される。

したがって、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で液晶層３００の配向方向は第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２の各々で左回りの方向へ順次循環する。このように、各サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２に異なる配向方向を有する複数のドメインＤＭ１〜ＤＭ４が形成されることによって、液晶表示装置４００は広い視野角を確保することができる。

また、第１基板１００の第１サブ画素領域ＳＰＡ１に第１画素電極１４１が配置され、第２サブ画素領域ＳＰＡ２に第２画素電極１４２が配置される。第１及び第２画素電極１４１、１４２は第１方向Ｄ１に互いに隣接して配置される。

第１画素電極１４１は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の中で少なくとも１つのドメインに対応して第１乃至第４方向Ｄ１〜Ｄ４の中で少なくとも一方向へ延長された少なくとも１つの延長部を配置する。具体的には、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向が左回りの方向へ順次循環する場合、第１画素電極１４１の延長部は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の各々に沿って配置された第１延長部１４１ａ、第２延長部１４１ｂ、第３延長部１４１ｃ及び第４延長部１４１ｄを含んでもよい。

特に、第１延長部１４１ａは第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長され、第２延長部１４１ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長される。また、第３延長部１４１ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長され、第４延長部１４１ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長される。

一方、第２画素電極１４２は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の中で少なくとも１つのドメインに対応して第１乃至第４方向Ｄ１〜Ｄ４の中で少なくとも一方向へ延長された少なくとも１つの延長部を配置する。具体的に、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向が左回りの方向へ順次循環する場合、第２画素電極１４２の延長部は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の各々に沿って配置された第５延長部１４２ａ、第６延長部１４２ｂ、第７延長部１４２ｃ及び第８延長部１４２ｄを含むことができる。

第５延長部１４２ａは第３方向Ｄ３へ延長され、第６延長部１４２ｂは第２方向Ｄ２へ延長される。また、第７延長部１４２ｃは第１方向Ｄ１へ延長され、第８延長部１４２ｄは第４方向Ｄ４へ延長される。

以後、図１１乃至図１３を参照して各画素に２つのサブ画素が配置された構造を例として画素電極に形成された延長部を具体的に説明する。

図１１は本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画素の等価回路図である。本発明の他の実施形態による液晶表示装置は複数の画素を含む。しかし、図１１では説明の便宜上１つの画素のみを示したが、残りの画素もこれと類似の構造を有する。

図１１を参照すれば、画素ＰＸは第１サブ画素ＳＰＸ１及び第２サブ画素ＳＰＸ２を含む。第１サブ画素ＳＰＸ１は第１薄膜トランジスタＴｒ１、第１液晶キャパシタＣｌｃ１及び第１ストレージキャパシタＣｓｔ１を含み、第２サブ画素ＳＰＸ２は第２薄膜トランジスタＴｒ２、第２液晶キャパシタＣｌｃ２、第２ストレージキャパシタＣｓｔ２、第３薄膜トランジスタＴｒ３及びカップリングキャパシタＣｃｐを含む。第１及び第２サブ画素ＳＰＸ１、ＳＰＸ２は互いに隣接する２つのデータライン（以下、「第１データラインＤＬｍ」及び「第２データラインＤＬｍ＋１」と称する。）間に配置される。

また、第１サブ画素ＳＰＸ１の第１薄膜トランジスタＴｒ１は第１データラインＤＬｍ及び第１ゲートラインＧＬｎに接続され、第２サブ画素ＳＰＸ２の第２薄膜トランジスタＴｒ２は第１データラインＤＬｍ及び第１ゲートラインＧＬｎに接続される。

具体的には、第１薄膜トランジスタＴｒ１は第１データラインＤＬｍに接続された第１ソース電極、第１ゲートラインＧＬｎに接続された第１ゲート電極、及び第１液晶キャパシタＣｌｃ１に接続された第１ドレイン電極を含む。第１ストレージキャパシタＣｓｔ１は第１ドレイン電極と第１ストレージラインＳＬｎとの間に配置されて第１液晶キャパシタＣｌｃ１に並列接続される。第２薄膜トランジスタＴｒ２は第１データラインＤＬｍに接続された第２ソース電極、第１ゲートラインＧＬｎに接続された第２ゲート電極及び第２液晶キャパシタＣｌｃ２に接続された第２ドレイン電極を含む。第２ストレージキャパシタＣｓｔ２は第２ドレイン電極と第２ストレージラインＳＬｎ＋１との間に配置されて第２液晶キャパシタＣｌｃ２に並列接続される。

第１ゲートラインＧＬｎに第１ゲート信号が印加されると、第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が同時にターンオンされる。第１データラインＤＬｍに印加されたデータ電圧はターンオンされた第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を通して第１及び第２液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２に各々印加される。したがって、第１ゲート信号のハイ区間の間に第１及び第２液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２には同一の大きさの画素電圧が充電される。

一方、第３薄膜トランジスタＴｒ３は第２薄膜トランジスタＴｒ２の第２ドレイン電極に接続された第３ソース電極、第２ゲートラインＧＬｎ＋１に接続された第３ゲート電極及びカップリングキャパシタＣｃｐに接続された第３ドレイン電極を含む。第２ゲートラインＧＬｎ＋１は第１ゲート信号が下降した後に上乗される第２ゲート信号を受信する。第２ゲート信号に応答して第３薄膜トランジスタＴｒ３がターンオンされると、第２液晶キャパシタＣｌｃ２とカップリングキャパシタＣｃｐとの間で電圧分配が生じ、その結果、第２液晶キャパシタＣｌｃ２に充電された画素電圧が低くなる。電圧分配以後に第２液晶キャパシタＣｌｃ２の画素電圧の電圧レベルはカップリングキャパシタＣｃｐの充電率に依存する。

結局、第２ゲート信号が受信された以後に、第１液晶キャパシタＣｌｃ１には第１画素電圧が充電され、第２液晶キャパシタＣｌｃ２には前記第１画素電圧より低い第２画素電圧が充電できる。

図１２は図１１に示した画素のレイアウト図であり、図１３は図１２に示した切断線II−II'｀に沿った断面図である。

図１２及び図１３を参照すれば、液晶表示装置４００は第１基板１００、第１基板１００と対向して結合する第２基板２００、及び第１基板１００と第２基板２００との間に配置された液晶層３００とを含む。

第１基板１００は第１ベース基板１１０、第１ベース基板１１０の上で、第２方向Ｄ２へ互いに平行に延長された第１及び第２データラインＤＬｍ、ＤＬｍ＋１、第１ベース基板１１０の上で第３方向Ｄ３へ延長された第１及び第２ゲートラインＧＬｎ、ＧＬｎ＋１を含む。

また、第１基板１００は第３方向Ｄ３へ延長された第１ストレージラインＳＬｎ、第１ストレージラインＳＬｎから分岐され、第２方向Ｄ２へ延長された第１及び第２分岐電極ＬＳＬｎ、ＲＳＬｎをさらに含む。また、第１基板１００は第３方向Ｄ３へ延長された第２ストレージラインＳＬｎ＋１、第２ストレージラインＳＬｎ＋１から分岐され、第１方向Ｄ１へ延長された第３及び第４分岐電極ＬＳＬｎ＋１、ＲＳＬｎ＋１をさらに含む。

第１薄膜トランジスタＴｒ１は第１ゲートラインＧＬｎから分岐される第１ゲート電極ＧＥ１と、第１データラインＤＬｍから分岐される第１ソース電極ＳＥ１と、第１画素電極１４１と電気的に接続される第１ドレイン電極ＤＥ１とを含む。

第１画素電極１４１は第１ストレージラインＳＬｎ、第１及び第２分岐電極ＬＳＬｎ、ＲＳＬｎと部分的にオーバーラップし、第１ストレージキャパシタＣｓｔ１（図１１に示される）を形成する。

第１画素電極１４１は異なる方向に配向される液晶分子を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。特に、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向は左回りの方向へ順次循環する。

図１２に示すように、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向は左回りの方向へ順次循環する場合、第１画素電極１４１の第１延長部１４１ａは第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする。第１画素電極１４１の第２延長部１４１ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長される。また、第１画素電極１４１の第３延長部１４１ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長される。第１画素電極１４１の第４延長部１４１ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１とオーバーラップする。

一方、第２薄膜トランジスタＴｒ２は第１ゲートラインＧＬｎから分岐され第２ゲート電極ＧＥ２と、第１データラインＤＬｍから分岐される第２ソース電極ＳＥ２と第２画素電極１４２と電気的に接続される第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。

第２画素電極１４２は第２ストレージラインＳＬｎ＋１、第３及び第４分岐電極ＬＳＬｎ＋１、ＲＳＬｎ＋１と部分的にオーバーラップして第２ストレージキャパシタＣｓｔ２（図１１に示される）を形成する。

第２画素電極１４２は異なる方向に配向される液晶分子を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。特に、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向は左回りの方向へ順次循環する。

第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向は左回りの方向へ循環する場合、第２画素電極１４２の第５延長部１４２ａは第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする。第２画素電極１４２の第６延長部１４２ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長される。また、第２画素電極１４２の第７延長部１４２ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長される。第２画素電極１４２の第８延長部１４２ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて前記第２データラインＤＬｍ＋１とオーバーラップする。

前記第１基板１００は前記第３薄膜トランジスタＴｒ３及び前記カップリングキャパシタＣｃｐをさらに含む。前記第３薄膜トランジスタＴｒ３の第３ゲート電極ＧＥ３は第２ゲートラインＧＬｎ＋１から分岐され、第３ソース電極ＳＥ３は第２ドレイン電極ＤＥ２から延長され、第３ドレイン電極ＤＥ３はカップリングキャパシタＣｃｐに接続される。カップリングキャパシタＣｃｐは第３ドレイン電極ＤＥ３から延長された第１電極ＣＥ１及び第２分岐電極ＲＳＬｎから延長されて第１電極ＣＥ１と対向する第２電極ＣＥ２でなされる。しかし、カップリングキャパシタＣｃｐの構造はこれに限定されない。

図１３を参照すれば、第１基板１００は第１絶縁膜１５１、第２絶縁膜１５２及び有機膜１５３をさらに含む。

一方、第２基板２００は第２ベース基板２１０、ブラックマトリクス２４１、カラーフィルタ層Ｒ、Ｇ、Ｂ、共通電極２１１及び第２配向膜２２０を含む。ブラックマトリクス２４１は第１基板１００の遮光領域に対応して形成される。遮光領域は第１及び第２データラインＤＬｍ、ＤＬｍ＋１、第１乃至第３薄膜トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３、カップリングキャパシタＣｃｐ及び第１及び第２ゲートラインＧＬｎ、ＧＬｎ＋１が形成された領域で定義できる。遮光領域には第１及び第２画素電極１４１、１４２が形成されないので、液晶分子が配向できなくて光漏れが発生し得る。したがって、ブラックマトリクス２４１は遮光領域に形成されて光漏れを遮断する。

本発明の一実施形態によれば、ブラックマトリクス２４１は第１画素電極１４１の第１及び第４延長部１４１ａ、１４１ｄと部分的にオーバーラップし得る。図面に図示しないが、ブラックマトリクス２４１は第１画素電極１４１の第２及び第３延長部１４１ｂ、１４１ｃと部分的にオーバーラップし、第２画素電極１４２の第５乃至第８延長部１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃ、１４２ｄと部分的にオーバーラップし得る。

第１乃至第８延長部１４１ａ〜１４１ｄ、１４２ａ〜１４２ｄをブラックマトリクス２４１とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域が遮光領域内側へ移動され得る。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置の全体開口率及び透過率が減少することを防止することができる。

一方、共通電極２１１は第１画素電極１４１と対向して第１液晶キャパシタＣｌｃ１を形成する。図面に示さないが、共通電極ＣＥは第２画素電極１４２と対向して第２液晶キャパシタＣｌｃ２を形成する。

図１４Ａ乃至図１４Ｃは本発明のその他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向と第１及び第２画素電極の形状とを示した平面図である。特に、図１４Ａは本発明の他の実施形態による第１配向膜の配向方向を示し、図１４Ｂは本発明の他の実施形態による第２配向膜の配向方向を示し、図１４Ｃは画素領域に配置された第１及び第２画素電極を示す。

図１４Ａ乃至図１４Ｃを参照すれば、第１基板１００で画素領域ＰＡは第１サブ画素領域ＳＰＡ１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ２で区分される。また、第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２の各々は第１及び第２領域Ａ１、Ａ２で区分される。第１領域Ａ１は第１方向Ｄ１に配向され、第２領域Ａ２は第２方向Ｄ２に配向される。

一方、第２基板２００で第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２は第３及び第４領域Ａ３、Ａ４で区分される。第３領域Ａ３は第３方向Ｄ３へ配向され、第４領域Ａ４は第４方向Ｄ４へ配向される。

第１基板１００と第２基板２００とが互いに対向して結合されれば、図１４Ｃに示したように第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２に対応して第１基板１００と第２基板２００との間には第１及び第３領域Ａ１、Ａ３が重畳する第１ドメインＤＭ１、第１及び第４領域Ａ１、Ａ４が重畳する第２ドメインＤＭ２、第２及び第３領域Ａ２、Ａ３が重畳する第３ドメインＤＭ３及び第２及び第４領域Ａ２、Ａ４が重畳する第４ドメインＤＭ４が形成される。

第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で液晶層３００に含まれた液晶分子は相異なる方向へ配列される。具体的には、液晶分子は第１ドメインＤＭ１で第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第５方向Ｄ５へ配列され、第２ドメインＤＭ２で液晶分子は第１及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第６方向Ｄ６へ配列され、前記第３ドメインＤＭ３で液晶分子は第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第７方向Ｄ７へ配列され、第４ドメインＤＭ４で液晶分子は第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第８方向Ｄ８へ配列される。

したがって、第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３で液晶層３００の配向方向は互いに対向し、第１及び第４ドメインＤＭ１、ＤＭ４で液晶層３００の配向方向は互いに反対になる。このように、第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２各々に相異なる配向方向を有する多数のドメインＤＭ１〜ＤＭ４が形成されることによって、液晶表示装置４００は広い視野角を確保することができる。

第１及び第４ドメインＤＭ１、ＤＭ４の液晶配向方向が互いに対向する場合、第１画素電極１４１は第２ドメインＤＭ２に沿って配置された第１延長部１４１ｅ及び第２延長部１４１ｆ、第３ドメインＤＭ３に沿って配置された第３延長部１４１ｇ及び第４延長部１４１ｈを含む。

第１延長部１４１ｅは第１方向Ｄ１へ延長され、第２延長部１４１ｆは第４方向Ｄ４へ延長される。また、第３延長部１４１ｇは第２方向Ｄ２へ延長され、第４延長部１４１ｈは第３方向Ｄ３へ延長される。

第１及び第４ドメインＤＭ１、ＤＭ４の液晶配向方向が互いに対向する場合、第２画素電極１４２は第２ドメインＤＭ２に沿って配置された第５延長部１４２ｅ及び第６延長部１４２ｆ、第３ドメインＤＭ３に沿って配置された第７延長部１４２ｇ及び第８延長部１４２ｈを含む。

第５延長部１４２ｅは第１方向Ｄ１へ延長され、第６延長部１４２ｆは第４方向Ｄ４へ延長される。また、第７延長部１４２ｇは第２方向Ｄ２へ延長され、第８延長部１４２ｈは第３方向Ｄ３へ延長される。

図１５は図１４Ｃに示した第１及び第２画素電極が配置された第１基板の平面図であり、図１６は図１５に示した切断線III−III’に沿った断面図である。但し、図１５に示した構成要素の中で図１２に示した構成要素と同一の構成要素に対しては同一の参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。

図１５を参照すれば、第１画素電極１４１は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３で液晶層３００の配向方向は互いに対向する。

第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３の配向方向が互いに対向する場合、第１画素電極１４１の第１延長部１４１ｅは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長され、第１画素電極１４１の第２延長部１４１ｆは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第１データラインＤＬｍと部分的にオーバーラップする。また、第１画素電極１４１の第３延長部１４１ｇは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長され、第１画素電極１４１の第４延長部１４１ｈは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１と部分的にオーバーラップする。

また、第２画素電極１４２は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３で液晶層の配向方向は互いに対向する。

第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３の配向方向が互いに対向する場合、第２画素電極１４２の第５延長部１４２ｅは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長され、第２画素電極１４２の第６延長部１４２ｆは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第１データラインＤＬｍと部分的にオーバーラップする。また、第２画素電極１４２の第７延長部１４２ｇは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長され、第２画素電極１４２の第８延長部１４２ｈは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１と部分的にオーバーラップする。

図１６に示したように第１画素電極１４１の第１乃至第４延長部１４１ｅ、１４１ｆ、１４１ｇ、１４１ｈはブラックマトリクス２４１と部分的にオーバーラップできる。また、第２画素電極１４２の第５乃至第８延長部１４２ｅ、１４２ｆ、１４２ｇ、１４２ｈもブラックマトリクス２４１と部分的にオーバーラップし得る。

第１乃至第８延長部１４１ｅ〜１４１ｈ、１４２ｅ〜１４２ｈをブラックマトリクス２４１とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域を遮光領域内側へ移動させることができる。その結果、液晶表示装置４００の開口率及び透過率を向上させることができる。

図１７は本発明の第３実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図である。

図１７を参照すれば、本発明の第３実施形態による画素ＰＸは第１サブ画素ＳＰＸ１及び第２サブ画素ＳＰＸ２を含む。第１サブ画素ＳＰＸ１は第１薄膜トランジスタＴｒ１、第１液晶キャパシタＣｌｃ１及び第１ストレージキャパシタＣｓｔ１でなされ、第２サブ画素ＳＰＸ２は第２薄膜トランジスタＴｒ２、第２液晶キャパシタＣｌｃ２、第２ストレージキャパシタＣｓｔ２、第３薄膜トランジスタＴｒ３及びカップリングキャパシタＣｃｐを含む。

第１薄膜トランジスタＴｒ１は第１データラインＤＬｍに接続された第１ソース電極、第１ゲートラインＧＬｎに接続された第１ゲート電極、第１液晶キャパシタＣｌｃ１に接続された第１ドレイン電極を含む。第１ストレージキャパシタＣｓｔ１は第１ドレイン電極と第１ストレージラインＳＬｎとの間に形成され、第１液晶キャパシタＣｌｃ１に並列接続される。

第２薄膜トランジスタＴｒ２は第１データラインＤＬｍに接続された第２ソース電極、第１ゲートラインＧＬｎに接続された第２ゲート電極、第２液晶キャパシタＣｌｃ２に接続された第２ドレイン電極を含む。第２ストレージキャパシタＣｓｔ２は第２ドレイン電極と第２ストレージラインＳＬｎ＋１との間に形成され、第２液晶キャパシタＣｌｃ２に並列接続される。

第３薄膜トランジスタＴｒ３は第２ドレイン電極に接続された第３ソース電極、第１ストレージラインＳＬｎに接続された第３ゲート電極及びカップリングキャパシタＣｃｐに接続された第３ドレイン電極を含む。カップリングキャパシタＣｃｐは第３ドレイン電極と第１ストレージラインＳＬｎとの間に形成される。

第１ゲートラインＧＬｎに第１ゲート信号が印加されれば、第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が同時にターンオンされる。第１データラインＤＬｍに印加されたデータ電圧はターンオンされた第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を通して第１及び第２液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２に各々印加される。したがって、第１及び第２液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２には同一の大きさの画素電圧が充電される。本発明の一実施形態として、データ電圧は０Ｖ乃至１５Ｖ間の大きさを有するようにしてもよい。

第３薄膜トランジスタＴｒ３は第１ストレージラインＳＬｎに印加されるストレージ電圧に応答してターンオンされる。例えば、第１ストレージラインＳＬｎには７．５Ｖのストレージ電圧が印加される。第３薄膜トランジスタＴｒ３のチャンネル幅（ｗｉｄｔｈ）はストレージ電圧によって第３薄膜トランジスタＴｒ３がターンオンされる程の大きさを有するように設定され得る。

本発明の一実施形態で、ストレージ電圧によって第３薄膜トランジスタＴｒ３はターンオン状態であるので、第１液晶キャパシタＣｌｃ１の充電率及びカップリングキャパシタＣｃｐの充電率にしたがって第１液晶キャパシタＣｌｃ１とカップリングキャパシタＣｃｐとの間で電圧分配が生じる。電圧分配によって第１ロードＮ１の電位が変化される。即ち、第１ロードＮ１に正極性のデータ電圧が印加される場合、電圧分配によって第１ロードＮ１の電位は減少し、第１ロードＮ１に負極性のデータ電圧が印加される場合、電圧分配によって第１ロードＮ１の電位は増加する。ここで、第１ロードＮ１の電位の変動幅はカップリングキャパシタＣｃｐの充電率にしたがって調整することができる。

結局、第１液晶キャパシタＣｌｃ１に第１画素電圧が充電される時、第２液晶キャパシタＣｌｃ２には第３薄膜トランジスタＴｒ３及びカップリングキャパシタＣｃｐによって第１画素電圧より小さい大きさの第２画素電圧が充電される。

図１８は図１７に示した画素を配置する第１基板の平面図である。
図１８を参照すれば、第１基板１００は第１方向Ｄ１へ互いに平行に延長された第１及び第２データラインＤＬｍ、ＤＬｍ＋１、第３方向Ｄ３へ延長された第１ゲートラインＧＬｎ、第３方向Ｄ３へ延長された第１及び第２ストレージラインＳＬｎ、ＳＬｎ＋１を含む。第１基板１００は第１ストレージラインＳＬｎから分岐されて第１方向Ｄ１へ延長された第１分岐電極ＬＳＬｎ、第２分岐電極ＲＳＬｎを含む。

第１薄膜トランジスタＴｒ１の第１ゲート電極ＧＥ１は第１ゲートラインＧＬｎから分岐され、第１ソース電極ＳＥ１は第１データラインＤＬｍから分岐される。第１薄膜トランジスタＴｒ１の第１ドレイン電極ＤＥ１は第１画素電極１４１と電気的に接続される。

第１画素電極１４１は第１ストレージラインＳＬｎ、第１及び第２分岐電極ＬＳＬｎ、ＲＳＬｎと部分的にオーバーラップされて第１ストレージキャパシタＣｓｔ１（図１７に示される）を形成する。

第１画素電極１４１は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。特に、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向は左回りの方向へ循環する。

第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第１画素電極１４１の第１延長部１４１ａは第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする。第１画素電極１４１の第２延長部１４１ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長される。また、第１画素電極１４１の第３延長部１４１ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長される。第１画素電極１４１の第４延長部１４１ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１とオーバーラップする。

一方、第２薄膜トランジスタＴｒ２の第２ゲート電極ＧＥ２は第１ゲートラインＧＬｎから分岐され、第２ソース電極ＳＥ２は第１データラインＤＬｍから分岐される。第２薄膜トランジスタＴｒ２の第２ドレイン電極ＤＥ２は第２画素電極１４２と電気的に接続される。

第２画素電極１４２は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。特に、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向は左回りの方向へ循環する。

第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第２画素電極１４２の第５延長部１４２ａは第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする。第２画素電極１４２の第６延長部１４２ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長される。また、第２画素電極１４２の第７延長部１４２ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長される。第２画素電極１４２の第８延長部１４２ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１とオーバーラップする。

第１基板１００は第３薄膜トランジスタＴｒ３及びカップリングキャパシタＣｃｐをさらに含む。第３薄膜トランジスタＴｒ３の第３ゲート電極ＧＥ３は第１ストレージラインＳＬｎから分岐され、第３ソース電極ＳＥ３は第２ドレイン電極ＤＥ２から延長され、第３ドレイン電極ＤＥ３はカップリングキャパシタＣｃｐに接続される。カップリングキャパシタＣｃｐは第３ドレイン電極ＤＥ３から延長された第１電極ＣＥ１及び第１ストレージラインＳＬｎから延長されて第１電極ＣＥ１と対向する第２電極ＣＥ２でなされる。しかし、カップリングキャパシタＣｃｐの構造はこれに限定されない。

図１９は本発明の第４実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図であり、図２０は図１７に示した画素を配置する第１基板の平面図である。

但し、図１９及び図２０の画素は第２カップリングキャパシタＣｃｐ２を追加で配置する点を除いては図１１及び図１２に示した画素と類似な構造を有する。

図１９及び図２０を参照すれば、第１カップリングキャパシタＣｃｐ１は第３薄膜トランジスタＴｒ３の第３ドレイン電極ＤＥ３と第１ストレージラインＳＬｎとの間に形成される。具体的に、第１カップリングキャパシタＣｃｐ１は第３ドレイン電極ＤＥ３から延長された第１電極ＣＥ１及び第１ストレージラインＳＬｎから延長されて第１電極ＣＥ１と対向する第２電極ＣＥ２とを含む。

一方、第２カップリングキャパシタＣｃｐ２は第３薄膜トランジスタＴｒ３の第３ドレイン電極ＤＥ３と第１液晶キャパシタＣｌｃ１の第１画素電極１４１との間に形成される。具体的に、第２カップリングキャパシタＣｃｐ２は第１電極ＣＥ１から延長された第３電極ＣＥ３及び第１画素電極１４１から延長されて第３電極ＣＥ３と対向する第４電極ＣＥ４を含む。

第２ゲートラインＧＬｎ＋１に印加される第２ゲート信号に応答して第３薄膜トランジスタＴｒ３がターンオンされれば、第１カップリングキャパシタＣｃｐ１と第２液晶キャパシタＣｌｃ２との間で電圧分配が生じる。電圧分配によって、第１カップリングキャパシタＣｃｐ１と第２液晶キャパシタＣｌｃ２とには同一の電圧が充電されるが、第２液晶キャパシタＣｌｃ２に充電された第２画素電圧は第１液晶キャパシタＣｌｃ１に充電された第１画素電圧より低くなる。

また、第２カップリングキャパシタＣｃｐ２を通して第１液晶キャパシタＣｌｃ１と第１カップリングキャパシタＣｃｐ１とを接続すれば、第１カップリングキャパシタＣｃｐ１のカップリングによって第１液晶キャパシタＣｌｃ１に充電された第１画素電圧が上昇する。

一方、図２０を参照すれば、第１画素電極１４１は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。特に、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向は左回りの方向へ循環する。

上述のように、第１及び第２画素電極１４１、１４２に延長部が形成されれば、液晶表示装置４００の開口率及び透過率が向上され得る。

図２１は本発明の第５実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図である。

本発明の第５実施形態による液晶表示装置は多数の画素を含む。しかし、図２１では説明の便宜のために１つの画素のみを示したが、残りの画素もこれと類似な構造を有する。

図２１を参照すれば、画素ＰＸは第１サブ画素ＳＰＸ１及び第２サブ画素ＳＰＸ２を含む。第１サブ画素ＳＰＸ１は第１薄膜トランジスタＴｒ１、第１液晶キャパシタＣｌｃ１及び第１ストレージキャパシタＣｓｔ１でなされ、第２サブ画素ＳＰＸ２は第２薄膜トランジスタＴｒ２、第２液晶キャパシタＣｌｃ２及び第２ストレージキャパシタＣｓｔ２を含む。第１及び第２サブ画素ＳＰＸ１、ＳＰＸ２は互いに隣接する２つのデータライン（以下、第１データラインＤＬｍ及び第２データラインＤＬｍ＋１と称する）の間に配置される。

また、第１サブ画素ＳＰＸ１の第１薄膜トランジスタＴｒ１は第１データラインＤＬｍ及びゲートラインＧＬｎに接続され、第２サブ画素ＳＰＸ２の第２薄膜トランジスタＴｒ２は第２データラインＤＬｍ＋１及びゲートラインＧＬｎに接続される。
第１液晶キャパシタＣｌｃ１は第１ストレージキャパシタＣｓｔ１に並列接続され、第２液晶キャパシタＣｌｃ２は第２ストレージキャパシタＣｓｔ２に並列接続される。

ゲートラインＧＬｎにゲート信号が印加されれば、第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が同時にターンオンされる。第１データラインＤＬｍに印加された第１データ電圧はターンオンされた第１薄膜トランジスタＴｒ１を通して第１液晶キャパシタＣｌｃ１で印加され、第２データラインＤＬｍ＋１に印加された第２データ電圧はターンオンされた第２薄膜トランジスタＴｒ２を通して第２液晶キャパシタＣｌｃ２に印加される。第１及び第２データ電圧の大きさは相異なる。したがって、第１及び第２液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２には相異なる大きさの画素電圧が充電される。本発明の一実施形態として、第１液晶キャパシタＣｌｃ１に第１画素電圧が充電されれば、第２液晶キャパシタＣｌｃ２には第１画素電圧より低い大きさの第２画素電圧が充電できる。

図２２は図２１に示した画素が配置された第１基板の平面図である。

図２２を参照すれば、第１基板１００は第１方向Ｄ１へ互いに平行に延長された第１及び第２データラインＤＬｍ、ＤＬｍ＋１、第３方向Ｄ３へ延長されたゲートラインＧＬｎを含む。

第１薄膜トランジスタＴｒ１の第１ゲート電極ＧＥ１はゲートラインＧＬｎから分岐され、第１ソース電極ＳＥ１は第１データラインＤＬｍから分岐される。第１薄膜トランジスタＴｒ１の第１ドレイン電極ＤＥ１は第１画素電極１４１と電気的に接続される。

第１画素電極１４１は第１ストレージラインＳＬｎ、第１及び第２分岐電極ＬＳＬｎ、ＲＳＬｎと部分的にオーバーラップして第１ストレージキャパシタＣｓｔ１（図２１に示される）を形成する。

第１画素電極１４１は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向が左回り方向へ循環する場合、第１画素電極１４１の第１延長部１４１ａは第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする。第１画素電極１４１の第２延長部１４１ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長される。また、第１画素電極１４１の第３延長部１４１ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長される。第１画素電極１４１の第４延長部１４１ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１とオーバーラップする。

一方、第２薄膜トランジスタＴｒ２の第２ゲート電極ＧＥ２はゲートラインＧＬｎから分岐され、第２ソース電極ＳＥ２は第２データラインＤＬｍ＋１から分岐される。第２薄膜トランジスタＴｒ２の第２ドレイン電極ＤＥ２は第２画素電極１４２と電気的に接続される。

第２画素電極１４２は第２ストレージラインＳＬｎ＋１、第３及び第４分岐電極ＬＳＬｎ＋１、ＲＳＬｎ＋１と部分的にオーバーラップして第２ストレージキャパシタＣｓｔ２（図２１に示される）を形成する。

第２画素電極１４２は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第２画素電極１４２の第５延長部１４２ａは第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする。第２画素電極１４２の第６延長部１４２ｂは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長される。また、第２画素電極１４２の第７延長部１４２ｃは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長される。第２画素電極１４２の第８延長部１４２ｄは第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１とオーバーラップする。

したがって、第１画素電極１４１の第１乃至第４延長部１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ、１４１ｄはブラックマトリクス２４１（図１３に示される）と部分的にオーバーラップし得る。また、第２画素電極１４２の第５乃至第８延長部１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃ、１４２ｄもブラックマトリクス２４１と部分的にオーバーラップし得る。
第１乃至第８延長部１４１ａ〜１４１ｂ、１４２ａ〜１４２ｂをブラックマトリクス２４１とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域が遮光領域内側へ移動できる。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置４００の開口率及び透過率が減少することを防止できる。

図２３は図２１に示した画素が配置された本発明の他の実施形態による第１基板の平面図である。但し、図２３に示した構成要素の中で図２２に示した構成要素と同一の構成要素に対しては同一の参照符号を併記して、それに対する具体的な説明は省略する。

図２３を参照すれば、第１及び第２画素電極１４１、１４２は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。

また、第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３の配向方向が互いに対向する場合、第２画素電極１４２の第５延長部１４２ｅは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長され、第２画素電極１４２の第６延長部１４２ｆは第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第１データラインＤＬｍと部分的にオーバーラップする。また、第２画素電極１４２の第７延長部１４２ｇは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長され、第２画素電極１４２の第８延長部１４２ｈは第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１と部分的にオーバーラップする。

したがって、第１画素電極１４１の第１乃至第４延長部１４１ｅ、１４１ｆ、１４１ｇ、１４１ｈはブラックマトリクス２４１（図１６に示される）と部分的にオーバーラップし得る。また、第２画素電極１４２の第５乃至第８延長部１４２ｅ、１４２ｆ、１４２ｇ、１４２ｈもブラックマトリクス２４１と部分的にオーバーラップし得る。
第１乃至第８延長部１４１ｅ〜１４１ｈ、１４２ｅ〜１４２ｈをブラックマトリクス２４１とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域を遮光領域内側へ移動させることができる。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置４００の開口率及び透過率が減少することを防止することができる。

図２４Ａ乃至図２４Ｃは本発明のその他の実施形態による第１及び第２配向膜の配向方向と第１及び第２画素電極の形状を示した平面図である。特に、図２４Ａは本発明の他の実施形態による第１配向膜の配向方向を示し、図２４Ｂは本発明の他の実施形態による第２配向膜の配向方向を示し、図２４Ｃは画素領域に配置された第１及び第２画素電極を示す。

図２４Ａ乃至図２４Ｃを参照すれば、第１基板１００で画素領域ＰＡは第１サブ画素領域ＳＰＡ１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ２で区分される。また、第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２の各々は第１及び第２領域Ａ１、Ａ２で区分される。第１領域Ａ１は第１方向Ｄ１１に配向され、第２領域Ａ２は第２方向Ｄ２に配向される。

一方、第２基板２００で第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２は第３及び第４領域Ａ３、Ａ４で区分される。第３領域Ａ３は第３方向Ｄ３に配向され、第４領域Ａ４は第４方向Ｄ４へ配向される。ここで、第１サブ画素領域ＳＰＡ１の第４領域Ａ４と第２サブ画素領域ＳＰＡ２の第４領域Ａ４は互いに隣接して配置される。本発明の他の一実施形態として、第１サブ画素領域ＳＰＡ１の第３領域Ａ３と第２サブ画素領域ＳＰＡ２の第３領域Ａ３とは互いに隣接して配置され得る。

第１サブ画素領域ＳＰＡ１に対応して第１基板１００と第２基板２００との間には第１及び第３領域Ａ１、Ａ３が重畳する第１ドメインＤＭ１、第１及び第４領域Ａ１、Ａ４が重畳する第２ドメインＤＭ２、第２及び第３領域Ａ２、Ａ３が重畳する第３ドメインＤＭ３及び第２及び第４領域Ａ２、Ａ４が重畳する第４ドメインＤＭ４が形成される。

第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で液晶層３００に含まれた液晶分子は相異なる方向へ配列される。具体的に、液晶分子は第１ドメインＤＭ１で第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第５方向Ｄ５に配列され、第２ドメインＤＭ２で第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第６方向Ｄ６に配列され、第３ドメインＤＭ３で第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第７方向Ｄ７に配列され、第４ドメインＤＭ４で第１及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第８方向Ｄ８に配列される。

したがって、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で液晶層３００の配向方向は左回りの方向へ循環する。

一方、第２サブ画素領域ＳＰＡ２に対応して第１基板１００と第２基板２００との間には第１及び第４領域Ａ１、Ａ４が重畳する第５ドメインＤＭ５、第１及び第３領域Ａ１、Ａ３が重畳する第６ドメインＤＭ６、第２及び第４領域Ａ２、Ａ４が重畳する第７ドメインＤＭ７及び第２及び第３領域Ａ２、Ａ３が重畳する第８ドメインＤＭ８が形成される。

第５乃至第８ドメインＤＭ５〜ＤＭ８で液晶層３００に含まれた液晶分子は相異なる方向へ配列される。具体的には、液晶分子は第５ドメインＤＭ５で第１及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第９方向Ｄ９に配列され、第６ドメインＤＭ６で第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第１０方向Ｄ１０に配列され、第７ドメインＤＭ７で第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第１１方向Ｄ１１に配列され、第８ドメインＤＭ８で第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第１２方向Ｄ１２に配列される。

したがって、第５及び第８ドメインＤＭ５、ＤＭ８で液晶層３００の配向方向は互いに対向し、第６及び第７ドメインＤＭ６、ＤＭ７で液晶層３００の配向方向は互いに反対になる。このように、第１及び第２サブ画素領域ＳＰＡ１、ＳＰＡ２各々に相異なる配向方向を有する多数のドメインＤＭ１〜ＤＭ８が形成されることによって、液晶表示装置４００は広い視野角を確保することができる。

第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の液晶配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第１画素電極１４１は第１ドメインＤＭ１に対応して第３方向Ｄ３へ延長された第１延長部１４１ａ、第２ドメインＤＭ２に対応して第１方向Ｄ１へ延長された第２延長部１４１ｂ、第３ドメインＤＭ３に対応して第２方向Ｄ２へ延長された第３延長部１４１ｃ及び第４ドメインＤＭ４に対応して第４方向Ｄ４へ延長された第４延長部１４１ｄでなされる。

一方、第５及び第８ドメインＤＭ５、ＤＭ８の液晶配向方向が互いに対向する場合、第２画素電極１４２は第６ドメインＤＭ６に対応して第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３へ各々延長された第５延長部１４２ｅ及び第６延長部１４２ｆ、第７ドメインＤＭ７に対応して第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４へ各々延長された第７延長部１４２ｇ及び第８延長部１４２ｈを含む。

図２４Ｃでは第１サブ画素領域ＳＰＡ１で配向方向が左回りの方向へ循環し、第２サブ画素領域ＳＰＡ２で第５及び第８ドメインＤＭ５、ＤＭ８の液晶配向方向が互いに対向する場合のみを示した。しかし、第１サブ画素領域ＳＰＡ１で配向方向が右回りの方向へ循環し、この場合、第２サブ画素領域ＳＰＡ２で第６及び第７ドメインＤＭ６、ＤＭ７の液晶配向方向が互いに対向することができる。

図２５は本発明の他の実施形態による第１基板の平面図である。但し、図２５では第１基板１００に配置された多数の画素の中で１つの画素のみを示した。

図２５を参照すれば、第１基板１００は第１方向Ｄ１へ互いに平行に延長された第１及び第２データラインＤＬｍ、ＤＬｍ＋１、第３方向Ｄ３へ延長されたゲートラインＧＬｎを含む。第１基板１００の各画素は第１薄膜トランジスタＴｒ１、第３画素電極１４３、第２薄膜トランジスタＴｒ２及び第４画素電極を含む。第４画素電極は第１電極部１４４及び第２電極部１４５で分離される。

第１薄膜トランジスタＴｒ１は第１データラインＤＬｍ及びゲートラインＧＬｎに接続され、第２薄膜トランジスタＴｒ２は第２データラインＤＬｍ＋１及びゲートラインＧＬｎに接続される。

具体的には、第１薄膜トランジスタＴｒ１の第１ゲート電極ＧＥ１はゲートラインＧＬｎから分岐され、第１ソース電極ＳＥ１は第１データラインＤＬｍから分岐される。第１薄膜トランジスタＴｒ１の第１ドレイン電極ＤＥ１は第３画素電極１４３と電気的に接続される。第２薄膜トランジスタＴｒ２の第２ゲート電極ＧＥ２はゲートラインＧＬｎから分岐され、第２ソース電極ＳＥ２は第２データラインＤＬｍ＋１から分岐される。第２薄膜トランジスタＴｒ２の第２ドレイン電極ＤＥ２は第４画素電極と電気的に接続される。

第１及び第２電極部１４４、１４５は第２方向Ｄ２に互いに所定間隔離隔されて互いに電気的に接続される。第３画素電極１４３は第１電極部１４４と第２電極部１４５との間に配置され、第１及び第２電極部１４４、１４５と電気的に絶縁される。

図２５に示したように第３画素電極１４３は相異なる配向方向を有する第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の配向方向が左回り方向へ循環する場合、第３画素電極１４３は第１ドメインＤＭ１に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする第１延長部１４３ａ及び第２ドメインＤＭ２に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長された第２延長部１４３ｂを含む。また、第３画素電極１４３は第３ドメインＤＭ３に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長された第３延長部１４３ｃ及び第４ドメインＤＭ４に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第２データラインＤＬｍ＋１とオーバーラップする第４延長部１４３ｄをさらに含む。

第１及び第２電極部１４４、１４５は相異なる配向方向を有する第５乃至第８ドメインＤＭ５〜ＤＭ８で区分される。第５乃至第８ドメインＤＭ５〜ＤＭ８の配向方向が左回り方向へ循環する場合、第２画素電極１４４、１４５の第１電極部１４４は第５ドメインＤＭ５に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長された第５延長部１４４ａ、第５ドメインＤＭ５に対応する領域で第３方向Ｄ３へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする第６延長部１４４ｂ及び第７ドメインＤＭ７に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長された第７延長部１４４ｃを含む。

第２電極部１４５は第６ドメインＤＭ６に対応する領域で第１方向Ｄ１へ延長された第８延長部１４５ａ、第８ドメインＤＭ８に対応する領域で第２方向Ｄ２へ延長された第９延長部１４５ｂ及び第８ドメインＤＭ８に対応する領域で第４方向Ｄ４へ延長されて第１データラインＤＬｍとオーバーラップする第１０延長部１４５ｃを含む。

図面に示さないが、第３画素電極１４３の第１乃至第４延長部１４３ａ、１４３ｂ、１４３ｃ、１４３ｄはブラックマトリクス２４１（図１０に示される）と部分的にオーバーラップし得る。また、第１電極部１４４の第５乃至第７延長部１４４ａ、１４４ｂ、１４４ｃ及び第２電極部１４５の第８乃至第１０延長部１４５ａ、１４５ｂ、１４５ｃもブラックマトリクス２４１と部分的にオーバーラップし得る。

第１乃至第１０延長部１４１ａ〜１４１ｂ、１４４ａ〜１４４ｃ、１４５ａ〜１４５ｃをブラックマトリクス２４１とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域が遮光領域内側へ移動できる。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置４００の開口率及び透過率が減少することを防止することができる。

図２６は本発明の第６実施形態による液晶表示装置の平面図である。但し、図２６に示した構成要素の中で図１２に示した構成要素と同一の構成要素に対しては同一の参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。

図２６を参照すれば、画素ＰＸは第１サブ画素電極１４１に対応して形成された光遮断膜ＢＬを含む。特に、光遮断膜ＢＬは第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の境界に配置されるようにしてもよい。本発明の一実施形態として、光遮断膜ＢＬは第１ストレージラインＳＬｎと平行に延長されたストライプ形状でなされ、第１及び第２ドメインＤＭ１、ＤＭ２の境界部及び第３及び第４ドメインＤＭ３、ＤＭ４の境界部に位置することができる。

また、光遮断膜ＢＬの両端部は第１分岐電極ＬＳＬｎ及び第２分岐電極ＲＳＬｎに各々接続されることができる。光遮断膜ＢＬの両端部の各々は光遮断膜ＢＬを基準として互いに隣接する２つのドメインの液晶配向方向の中でいずれか１つと平行な方向へ面取りされ得る。

光遮断膜ＢＬの両端部の中で第１分岐電極ＬＳＬｎに接続された第１端部は第１及び第２ドメインＤＭ１、ＤＮ２の中でいずれか１つの液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。本発明の一実施形態として、光遮断膜ＢＬの第１端部は第２ドメインＤＭ２の液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。

一方、光遮断膜ＢＬの両端部の中で第２分岐電極ＲＳＬｎに接続された第２端部は第３及び第４ドメインＤＭ３、ＤＭ４の中でいずれか１つの液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。本発明の一実施形態として、光遮断膜ＢＬの第２端部は第３ドメインＤＭ３の液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。

図１では光遮断膜ＢＬがストライプ形状を有することを示したが、ここに限定されない。即ち、光遮断膜ＢＬは第１及び第３ドメインＤＭ１、ＤＭ３の境界部及び第２及び第４ドメインＤＭ２、ＤＭ４の境界部に各々延長されて十字形状を有することができる。光遮断膜ＢＬが十字形状を有する場合、光遮断膜ＢＬの４つの端部の各々が該当ドメインの液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。

また、図１では光遮断膜ＢＬが第１サブ画素電極１４１の第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の境界部に配置される構造を示したが、光遮断膜ＢＬは第２サブ画素電極１４２の第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の境界部に配置され得る。

このように、光遮断膜ＢＬがドメインＤＭ１〜ＤＭ４の境界部に配置されれば、ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の境界部で液晶分子の誤配向によって発生されるテキスチャー不良（ｔｅｘｔｕｒｅｄｅｔｅｃｔ）が視認されることを防止することができる。

また、上述のように光遮断膜ＢＬの第１及び第２端部が面取りされれば面取された面積ぐらい画素ＰＸの開口率及び透過率が増加し得る。

図２７Ａは図２６に示したＡ１部分の拡大図である。

図２７Ａを参照すれば、光遮断膜ＢＬは第２分岐電極ＲＬＳｎから分岐される。ここで、第２分岐電極ＲＳＬｎと接続される光遮断膜ＢＬの第２端部は第３ドメインＤＭ３の液晶配向方向（図１に示される）と平行な方向へ面取された構造を有するようにしてもよい。

光遮断膜ＢＬが第２分岐電極ＲＳＬｎを通して第１ストレージラインＳＬｎ（図１に示される）に接続されれば、第１ストレージラインＳＬｎを通してストレージ電圧を受信する。したがって、光遮断膜ＢＬは第１サブ画素電極１４１との間に形成される第１ストレージキャパシタＣｓｔ１の静電容量を増加させる役割を果たすことができる。

図２７Ａでは光遮断膜ＢＬの第２端部のみを図示したが、光遮断膜ＢＬの第１端部は第１分岐電極ＬＳＬｎから分岐できる。

図２７Ｂは本発明の他の実施形態によるＡ１部分の平面図である。

図２７Ｂを参照すれば、光遮断膜ＢＬは第２分岐電極ＲＬＳｎと所定間隔に離隔されて配置されることができる。即ち、光遮断膜ＢＬの第２端部が第２分岐電極ＲＳＬｎと離隔されて電気的に絶縁になれば、光遮断膜ＢＬは第１ストレージラインＳＬｎからストレージ電圧を受信することができない。したがって、光遮断膜ＢＬは第１ストレージキャパシタＣｓｔ１の静電容量を増加させる役割を果たせない。

しかし、光遮断膜ＢＬが第２分岐電極ＲＳＬｎと離隔されて配置されれば、離隔された空間ぐらい画素の開口率及び透過率が向上され得る。

図面に示さないが、光遮断膜ＢＬの第１端部は第１分岐電極ＬＳＬｎと電気的に接続されるか、或いは絶縁できる。電気的に接続される場合、光遮断膜ＢＬの第２端部が第２分岐電極ＲＳＬｎと絶縁されても光遮断膜ＢＬは第１分岐電極ＬＳＬｎを通してストレージ電圧を受信するので、第１ストレージキャパシタＣｓｔ１の静電容量を増加させる役割を果たすことができる。

しかし、光遮断膜ＢＬの第１端部が第１分岐電極ＬＳＬｎと絶縁されれば、光遮断膜ＢＬはフローティング状態となる。したがって、第１ストレージキャパシタＣｓｔ１の静電容量を増加させる役割は実行できない。しかし、光遮断膜ＢＬの第１端部と第１分岐電極ＬＳＬｎとの間の離隔空間ぐらい画素ＰＸの開口率及び透過率が向上し得る。

図２８は本発明の第７実施形態による液晶表示装置の画素を示した平面図であり、図２９は図２８に示した切断線II−II’に沿った断面図である。

図２８を参照すれば、第１及び第２サブ画素電極１４１、１４２の各々は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分され、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の液晶配向方向は左回りの方向へ循環する。具体的には、第１ドメインＤＭ１の液晶配向方向は第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３のベクトルの合計で定義される第５方向Ｄ５になり、第２ドメインＤＭ２の液晶配向方向は第１方向Ｄ１及び第４方向Ｄ４のベクトルの合計で定義される第６方向Ｄ６になり、第３ドメインＤＭ３の液晶配向方向は第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義される第７方向Ｄ７がなり、第４ドメインＤＭ４の液晶配向方向は第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義される第８方向Ｄ８になる。

第１サブ画素電極１４１は第１ドメインＤＭ１で第３方向Ｄ３へ延長された第１延長部１４１ｉ及び第４ドメインＤＭ４で第４方向Ｄ４へ延長された第２延長部１４１ｊを配置できる。また、第２サブ画素電極１４２は第１ドメインＤＭ１で第３方向Ｄ３へ延長された第３延長部１４２ｉ及び第４ドメインＤＭ４で第４方向Ｄ４へ延長された第４延長部１４２ｊを配置できる。

一方、第１データラインＤＬｍは第１延長部１４１ｉと対応する領域で第１延長部１４１ｉの内側に屈曲され、第１サブ画素電極１４１の第２ドメインＤＭ２と隣接する領域ではまた外側に屈曲できる。また、第３延長部１４２ｉと対応する領域で第３延長部１４２ｉの内側に屈曲され、第２サブ画素電極１４２の第２ドメインＤＭ２に隣接する領域でまた外側に屈曲できる。したがって、第１データラインＤＬｍは１つの画素毎に４回屈曲された構造を有するようにしてもよい。

第２データラインＤＬｍ＋１は第２延長部１４１ｊと対応する領域で第２延長部１４１ｊの内側に屈曲され、第２サブ画素電極１４２の第３ドメインＤＭ３と隣接する領域ではまた外側に屈曲できる。また、第４延長部１４２ｊと対応する領域で第４延長部１４２ｊの内側に屈曲され、第４延長部１４２ｊが終わる時点からまた外側に屈曲できる。したがって、第２データラインＤＬｍ＋１は１つの画素毎に４回屈曲された構造を有することができる。

第１及び第２サブ画素電極１４１、１４２のエッジ部では各ドメインの液晶配向方向にしたがってフリンジフィールドが形成される。特に、第１ドメインＤＭ１の左側辺及び第４ドメインＤＭ４の右側辺にフリンジフィールドが形成される。フリンジフィールドが形成されれば、その領域で液晶分子が異常に配向（以下、誤配向）される。

第１乃至第４延長部１４１ｉ、１４１ｊ、１４２ｉ、１４２ｊはフリンジフィールドに対応して形成され、第１及び第２サブ画素電極１４１、１４２のエッジ部をブラックマトリクス領域へ移動させることができる。したがって、第１乃至第４延長部１４１ｉ、１４１ｊ、１４２ｉ、１４２ｊを形成することによって、液晶の誤配向によるテキスチャー不良が視認できないようにすることができる。

図２９を参照すれば、第２サブ画素電極１４２の第３延長部１４２ｉは対向基板２００に配置されたブラックマトリクス２４１が形成された領域に位置する。また、第１データラインＤＬｍは第１分岐電極ＬＳＬｎより内側に位置し、第３延長部１４２ｉとオーバーラップする。したがって、液晶の誤配向によるテキスチャー不良が視認できないようにすることができる。

図３０は本発明の第８実施形態による液晶表示装置の画素を示した平面図である。

図３０を参照すれば、第１サブ画素電極１４１は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分される。これらの中で、第１及び第４ドメインＤＭ１、ＤＭ４の液晶配向方向は互いに対向し、第２及び第３ドメインＤＭ２、ＤＭ３の液晶配向方向は互いに反対になる。ここで、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の液晶配向方向はコンバージェント（ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｔ）及びダイバージェント（ｄｉｖｅｒｇｅｎｔ）型として定義することができる。

具体的には、第１ドメインＤＭ１の液晶配向方向は第１方向Ｄ１及び第４方向Ｄ４のベクトルの合計で定義される第６方向Ｄ６になり、第２ドメインＤＭ２の液晶配向方向は第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３のベクトルの合計で定義される第５方向Ｄ６になり、第３ドメインＤＭ３の液晶配向方向は第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義される第８方向Ｄ８がなり、第４ドメインＤＭ４の液晶配向方向は第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義される第７方向Ｄ８になる。

第１サブ画素電極１４１は第２ドメインＤＭ２で第３方向Ｄ３へ延長された第５延長部１４１ｋ及び第３ドメインＤＭ３で第４方向Ｄ４へ延長された第６延長部１４１ｌを配置できる。

一方、第２サブ画素電極１４２は第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４で区分され、第１乃至第４ドメインＤＭ１〜ＤＭ４の液晶配向方向は左回りの方向へ循環する。具体的に、第１ドメインＤＭ１の液晶配向方向は第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３のベクトルの合計で定義される第５方向Ｄ５になり、第２ドメインＤＭ２の液晶配向方向は第１方向Ｄ１及び第４方向Ｄ４のベクトルの合計で定義される第６方向Ｄ６になり、第３ドメインＤＭ３の液晶配向方向は第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義される第７方向Ｄ７がなり、第４ドメインＤＭ４の液晶配向方向は第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義される第８方向Ｄ８になる。

第２サブ画素電極１４２は第１ドメインＤＭ１で第３方向Ｄ３へ延長された第３延長部１４２ｉ及び第４ドメインＤＭ４で第４方向Ｄ４へ延長された第４延長部１４２ｊを配置できる。

第１データラインＤＬｍは第５延長部１４１ｋと対応する領域で第５延長部１４１ｋの内側に屈曲された後、屈曲なしに延長されて第２サブ画素電極１４２の第３延長部１４２ｉの内側に位置する。次に、第１データラインＤＬｍは第２サブ画素電極１４２の第３延長部１４２ｉが終わる時点で屈曲されて第２サブ画素電極１４２の第２ドメインＤＭ２の外側に配置される。したがって、第１データラインＤＬｍは１つの画素毎に少なくとも２回屈曲された構造を有することができる。

また、第２データラインＤＬｍ＋１は第６延長部１４１ｊの内側に位置し、第６延長部１４１ｊが終わる時点で第４ドメインＤＭ４の外側に屈曲される。以後、屈曲なしに延長されて第２サブ画素電極１４２の第４延長部１４２ｊが始まる時点で屈曲されて第４延長部１４２ｊの内側に位置する。したがって、第２データラインＤＬｍ＋１は１つの画素毎に２回屈曲された構造を有することができる。

結果的に、図３０に示した第１及び第２データラインＤＬｍ、ＤＬｍ＋１の屈曲回数は図２８に示した第１及び第２データラインより減少する。即ち、第１サブ画素電極に配置された第１乃至第４ドメインの液晶配向方向を水廉発散型（コンバージェント及びダイバージェント型（ｃｏｎｖｅｒｇｅｎｔａｎｄｄｉｖｅｒｇｅｎｔｔｙｐｅ）で形成し、第２サブ画素電極に配置された第１乃至第４ドメインの液晶配向方向を左回りの方向へ形成すれば、第１及び第２データラインの屈曲回数を減少させ得る。

このように、第１及び第２データラインＤＬｍ、ＤＬｍ＋１の屈曲回数が減少すれば、配線抵抗を減少させることができ、液晶表示装置の収率を向上させ得る。

以下図３１Ａ乃至図３１Ｃを参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置の液晶配向に対して説明する。

図３１Ａは本発明の第９実施形態による液晶表示装置において第１基板１００の配向方向を説明するための平面図であって、第１配向膜１２０に光配向方法を利用して示した矢印方向へ液晶分子が配向されるようにした状態を示した図面である。

図３１Ｂは本発明の第９実施形態による液晶表示装置において第２基板２００の配向方向を説明するための平面図であって、第２配向膜２２０に光配向方法を利用して示した矢印方向へ液晶分子が配向されるようにした状態を示した図面である。

図３１Ｃは図３１Ａの第１基板１００と図３１Ｂの第２基板２００とを結合させた時の液晶層３００の配向を示した断面図であって、第１基板１００と第２基板２００の配向方向が合わせた配向方向を示した。図３１Ｃの配向方向は第１基板１００の配向方向と第２基板２００の配向方向とのベクトルの合計に該当する。

図３１Ａ乃至図３１Ｃにおいて、各画素領域ＰＡ及びこれに隣接する画素領域ＰＡの配向方向を表示するために複数の画素領域ＰＡの中で２ｘ２行列形態を成す４つの画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、Ｐ２２とこれに対応する領域を示した。ここで、実線によって表す境界は各画素領域ＰＡの境界を示し、点線による境界は配向領域の境界を示す。

また、本実施形態に対する説明では４つの画素領域ＰＡが２ｘ２行列形態をなすと示したが、４つの画素領域ＰＡという名称の代わりに４つのサブ画素領域と称することができる。この場合、４つのサブ画素領域が２ｘ２行列形態をなし、４つのサブ画素領域が集まって１つの画素領域をなすようになる。ここで、各画素領域がサブ画素領域と称する場合にも、名称は異なりに使われるが、各画素領域の配列は図３１Ａ乃至図３１Ｃの場合と同一である。

これに加えて、図３１Ａ乃至図３１Ｃでは各画素領域ＰＡが行方向に狭くて列方向に長い長方形形態に開示したが、これに限定されることではない。各画素領域ＰＡは列方向に狭くて行方向に長い長方形形態に配置されることができる。

図３１Ａを参照すれば、第１基板１００には２ｘ２行列形態の画素領域、即ち、第１行第１列の第１画素領域Ｐ１１、第１行第２列の第２画素領域Ｐ１２、第２行第１列の第３画素領域Ｐ２１、及び第２行第２列の第４画素領域Ｐ２２が配置される。

第１配向膜１２０は第１乃至第４画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、Ｐ２２の上で液晶層３００が互いに反対になる方向へ配向されるようにする第１配向領域ＡＮ１と第２配向領域ＡＮ２とを有する。第１配向領域ＡＮ１は第１方向Ｄ１に液晶層３００が配向されるようにする領域であり、第２配向領域ＡＮ２は第１方向Ｄ１の逆方向である第２方向Ｄ２に液晶層３００が配向されるようにする領域である。第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とは列の延長方向に該当する。説明しないＤ３とＤ４の各々は行の延長方向に該当する第３方向及び第４方向である。

ここで、第２配向領域ＡＮ２は第１配向領域ＡＮ１との間に配置される。

第２配向領域ＡＮ２は同一の行に配置され、互いに隣接する２画素領域の一部に重畳する。即ち、第一番目の行の互いに隣接する第１画素領域Ｐ１１と第２画素領域Ｐ１２とにおいて、第２配向領域ＡＮ２は第１画素領域Ｐ１１の一部と第２画素領域Ｐ１２との一部を覆う。また、第二番目の行の互いに隣接する第３画素領域Ｐ２１と第４画素領域Ｐ２２とにおいて、第２配向領域ＡＮ２は第３画素領域Ｐ２１の一部と第４画素領域Ｐ２２との一部を覆う。

本実施形態では第２配向領域ＡＮ２が同一の行に配置された互いに隣接する２画素領域の各々と重畳された面積が同一の場合を示したが、これに限定されることではない。例えば、第２配向領域ＡＮ２と第１画素領域Ｐ１１とが重畳する部分の面積は第２配向領域ＡＮ２と第２画素領域Ｐ１２とが重畳する面積より大きいか、或いは小さいことができる。したがって、各画素領域内での配向領域の面積を多様に調節できる。

説明の便宜上、図３１Ｂには第１基板１００の各画素領域に対応する２ｘ２行列形態の画素領域を有する第２基板２００を示す。図３１Ｂを参照すれば、第２基板２００は第１行第１列の第１画素領域Ｐ１１、第１行第２列の第２画素領域Ｐ１２、第２行第１列の第３画素領域Ｐ２１、及び第２行第２列の第４画素領域Ｐ２２を含む。

第２配向膜２２０は第１乃至第４画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、及びＰ２２の上で液晶層３００が互いに反対になる方向へ配向されるようにする第３配向領域ＡＮ３と第４配向領域ＡＮ４とを有する。第３配向領域ＡＮ３は第３方向Ｄ３に液晶層３００が配向されるようにする領域であり、第４配向領域ＡＮ４は第３方向Ｄ３の逆方向である第４方向Ｄ４に液晶層３００が配向されるようにする領域である。第３方向Ｄ３と第４方向Ｄ４は行の延長方向に該当し、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直角をなすことができる。

ここで、第４配向領域ＡＮ４は第３配向領域ＡＮ３との間に配置される。

第４配向領域ＡＮ４は同一の列に配置され、互いに隣接する２画素領域の一部に重畳する。即ち、第１番目の列の互いに隣接する第１画素領域Ｐ１１と第３画素領域Ｐ２１とにおいて、第４配向領域ＡＮ４は第１画素領域Ｐ１１の一部と第３画素領域Ｐ２１との一部を覆う。また、第２番目の列の互いに隣接する第２画素領域Ｐ１２と第４画素領域Ｐ２２とにおいて、第４配向領域ＡＮ４は第２画素領域Ｐ１２の一部と第４画素領域Ｐ２２との一部を覆う。

本実施形態では第４配向領域ＡＮ４が同一の列に配置された互いに隣接する２画素領域の各々と重畳された面積が同一の場合を示したが、これに限定されることではない。例えば、第４配向領域ＡＮ４と第１画素領域Ｐ１１とが重畳する部分の面積は、第４配向領域ＡＮ４と第４画素領域Ｐ２２とが重畳する面積より大きいか、或いは小さい面積であり得る。

図３１Ｃを参照すれば、液晶層３００は第１基板１００と第２基板２００との結合によって第１基板１００の配向方向と第２基板２００の配向方向とのベクトルの合計に該当する配向方向を有するようになる。したがって、液晶層３００は各配向方向のベクトルの合計に該当する配向方向を有する複数のドメインに分かれる。

複数のドメインは第１配向領域ＡＮ１と第３配向領域ＡＮ３とが重畳する第１ドメインＤＭ１と、第１配向領域ＡＮ１と第４配向領域ＡＮ４とが重畳する第２ドメインＤＭ２と、第２配向領域ＡＮ２と第３配向領域ＡＮ３とが重畳する第３ドメインＤＭ３、及び第２配向領域ＡＮ２と第４配向領域ＡＮ４が重畳する第４ドメインＤＭ４を含む。

ここで、第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４は相異なる配向方向を有する。即ち、液晶層３００は各ドメインで相異なる方向を有する。

液晶層３００は第１ドメインＤＭ１で第１及び第３方向Ｄ１、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第５方向Ｄ５へ配向される。液晶層３００は第２ドメインＤＭ２で第１及び第４方向Ｄ１、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第６方向Ｄ６へ配向される。液晶層３００は第３ドメインＤＭ３で第２及び第３方向Ｄ２、Ｄ３のベクトルの合計で定義された第７方向Ｄ７へ配向される。液晶層３００は第４ドメインＤＭ４で第２及び第４方向Ｄ２、Ｄ４のベクトルの合計で定義された第８方向Ｄ８へ配向される。第５乃至第８方向Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、及びＤ８は各々異なる方向である。

画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、及びＰ２２の各々は第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４を含む。画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、及びＰ２２各々において、第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４の配列順序は次の通りである。第１画素領域Ｐ１１では第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４が右回り方向へ第１ドメインＤＭ１、第３ドメインＤＭ３、第４ドメインＤＭ４及び第２ドメインＤＭ２の順序に配列される。第２画素領域Ｐ１２では第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４が右回り方向へ第３ドメインＤＭ３、第１ドメインＤＭ１、第２ドメインＤＭ２、及び第４ドメインＤＭ４の順序に配列される。第３画素領域Ｐ２１では第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４が右回り方向へ第２ドメインＤＭ２、第４ドメインＤＭ４、第３ドメインＤＭ３、及び第１ドメインＤＭ１の順序に配列される。第４画素領域Ｐ２２では第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４が右回り方向へ第４ドメインＤＭ４、第２ドメインＤＭ２、第３ドメインＤＭ３、及び第１ドメインＤＭ１の順序に配列される。

上述した通りに、第１乃至第４画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、及びＰ２２での第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４の配列順序は各々異なる。

ここで、第１乃至第４画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、及びＰ２２の中で第１画素領域Ｐ１１と第４画素領域Ｐ２２との全体的なドメインの配向方向を注意深くみれば、各ドメインの配向方向が左回りの方向や右回り方向へ循環する。ここで、ドメインの配向方向が第１画素領域Ｐ１１や第４画素領域Ｐ２２のように全体的に循環する画素領域を循環型画素領域と称する。

第１乃至第４画素領域Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ２１、及びＰ２２の中で第２画素領域Ｐ１２と第３画素領域Ｐ２１とは第１画素領域Ｐ１１と第４画素領域Ｐ２２と異なり、全体的なドメインの配向方向が循環しない。むしろ、１つの画素内で第１ドメインＤＭ１の配向方向と第４ドメインＤＭ４の配向方向とは対向して内側に収斂するか、或いは反対方向に向かう外側の方向へ発散する。第２ドメインＤＭ２の配向方向と第３ドメインＤＭ３の配向方向とがまた対向するか、或いは外側の方向へ発散する。したがって、第２画素領域Ｐ１２と第３画素領域Ｐ２１との配向方向は全体的に曲がっているが、その曲がる方向は第１方向Ｄ１や第２方向Ｄ２に向う。ここで、第２画素領域Ｐ１２、又は第３画素領域Ｐ２１のように全体的なドメインの配向方向が対向するか、或いは外側に向かう画素領域を収斂発散型画素領域と称する。

図３１Ｃを参照すれば、循環型画素領域に隣接する画素領域には収斂発散型画素領域が配置され、収斂発散型画素領域に隣接する画素領域には循環型画素領域が配置される。

図３２は図３１Ｃの画素領域が同一に反復される液晶表示装置を示した平面図であり、画素領域が３ｘ５行列形態である場合を示した図面である。

図３２を参照すれば、第１配向領域ＡＮ１と第２配向領域ＡＮ２とは各々の列に沿って延長される形態に配置される。第１配向領域ＡＮ１と第２配向領域ＡＮ２とは交互に配置される。第１配向領域ＡＮ１と第２配向領域ＡＮ２とは同一行に配置された互いに隣接する２画素領域の一部と重畳する。

第３配向領域ＡＮ３と第４配向領域ＡＮ４とは各々の行に沿って延長される形態に配置される。第３配向領域ＡＮ３と第４配向領域ＡＮ４とは交互的に配置される。第３配向領域ＡＮ３と第４配向領域ＡＮ４とは同一列に配置された互いに隣接する２画素領域の一部と重畳する。

さらに、第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４の中で相異なる画素領域に属しながら互いに隣接するドメインは同一の方向へ配向される。

図３２において、画素領域の各々は第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４を含み、画素領域の中で１つの画素領域での第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４の配列順序は１つの画素領域に隣接する画素領域での第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４の配列順序と全て異なる。
また、循環型画素領域と収斂発散型画素領域とが行と列に沿って交互的に配置される。さらに、いずれか１つの画素領域が循環型である場合には行と列方向に隣接する４つの画素領域全てが収斂発散型画素領域に該当する。これと反対に、いずれか１つの画素領域が収斂発散型画素領域の場合には行と列方向に隣接する４つの画素領域全てが循環型画素領域に該当する。

上述した構造を有する液晶表示装置は１つの画素領域内に相異なる配向方向を有する複数のドメインが形成されるので広い側面視認性を表す。また、上述した構造を有する液晶表示装置では使用者に視認になる画像に現れる欠陥である線残像が減少する。

線残像が減少する理由は次の通りである。

一般的な液晶表示装置の液晶層にはイオン性不純物（ｉｏｎｉｃｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ）が存在する。イオン性不純物は製造の時から存在でき、液晶層の両端に配置された電極によって反復的に形成される電界によって後発的に発生することもあり得る。後発的に発生されたイオン性不純物は同一の階調を長い間の時間の間に持続的に表示した画素領域でよく発見される。

各画素領域の電極に電圧が印加されれば、イオン性不純物は電気的引力によって電極方向へ移動する。さらに、イオン性不純物の移動によって漏洩電流（リーク電流）が発生する。漏洩電流が発生する地点の液晶分子は漏洩電流により誤配列される。その結果、漏洩電流が発生する地点での輝度が他の地点での輝度より減少するか、或いは増加する欠陥が発生する。

イオン性不純物の移動性は電界、液晶分子の形態、及び液晶分子の配向方向に影響を及ぶ。イオン性不純物は電界のエッチ付近で容易に移動する。これは電界の影響が最小化されて電界の影響無しで電気的引力によって移動できるためである。

また、イオン性不純物は液晶分子の短軸方向より長軸方向に沿って相対的に容易に移動する。これは液晶分子の形態に起因する。また、液晶分子が互いに隣接する領域で同一の方向へ配向される場合にはイオン性不純物が１つの領域で隣接する領域に移動するのが容易である。

しかし、本発明の実施形態によれば１つの画素領域において液晶層３００の液晶分子がドメイン毎に相異なる方向へ配向される。また１つの画素領域と１つの画素領域に隣接する他の画素領域のドメインは液晶分子の配向方向が一致するか、或いは対称とならないように相異なる配列順序を有する。さらに、本発明の一実施形態ではイオン性不純物の移動性が減り、イオン性不純物による線残像欠陥が減る。

表１は本発明の技術が適用されない液晶表示装置と本発明の実施形態による液晶表示装置との線残像に対する実験結果を表す。

本発明の技術が適用されない液晶表示装置は各画素領域が循環型画素領域を有するように用意した。さらに、本発明の技術が適用されない液晶表示装置は隣接する画素領域は全て同一に循環型画素領域を有する。本発明の実施形態による液晶表示装置は第９実施例のように循環型画素領域と収斂発散型画素領域とが交互的に配置されるように用意した。

表１で残像が見え始める階調は配向方向を除いて全ての条件を同一に維持しながら液晶表示装置に一定時間残像パターンを印加した後、画面全体を同一階調が現れるように電圧を印加した時残像が見え始める階調を意味する。階調は０Ｇ乃至２５５Ｇを有し、Ｇは階調レベル（ｇｒａｙｌｅｖｅｌ）を表す。ここで、０Ｇは黒色であり、２５５Ｇは白色であり、その間の階調レベルは灰色を表す。下記表１では残像が見え始める階調が低い階調レベルを有すれば有するほど残像がない液晶表示装置に該当する。

表１を参照すれば本発明の第６実施形態による液晶表示装置は本発明の技術が適用されない液晶表示装置に比べて残像が減る効果があることを確認することができる。

表２は本発明の技術が適用されない液晶表示装置と本発明の実施形態による液晶表示装置との線残像が発生した時間に対する実験結果を表す。表２の実験条件は配向方向を除いて全ての条件を表１での実験条件と同一に維持しながら液晶表示装置に一定時間残像パターンを印加した後、画面全体を同一階調が現れるように電圧を印加した。

表２を参照すれば本発明の第６実施形態による液晶表示装置は本発明の技術が適用されない液晶表示装置に比べて線残像が現れる時間が顕著に遅れることを確認することができる。

以下、本発明の第１０実施形態による液晶表示装置を説明する。本発明の第２実施形態では重畳された説明を避けるために第９実施形態との差異点を中心に説明する。以下実施形態で特別に説明しない部分は第９実施形態にしたがう。同一の番号は同一の構成要素を、類似の番号は類似の構成要素を示す。

図３３は本発明の第１０実施形態による液晶表示装置の一部を示した拡大平面図である。ここで、液晶表示装置４００には複数の画素領域ＰＡが存在するが、説明の便宜上１つの画素領域ＰＡのみを一実施形態として説明する。実際液晶表示装置４００には画素領域ＰＡと同一の構造を有する画素領域が複数の列と複数の行とに有するマトリクス形態に配列される。

図３３を参照すれば、本実施形態の各画素領域ＰＡ内に画素電極が第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２とに分離されて形成されたことと第１及び第２サブ画素電極ＰＥ１、ＰＥ２に各々対応される第１薄膜トランジスタＴｒ１と第２薄膜トランジスタＴｒ２及び第１データラインＤＬ１と第２データラインＤＬ２を有すること以外には第６実施形態と類似の構造を有する。

各画素領域にはゲートラインＧＬ、第１データラインＤＬ１、第２データラインＤＬ２、第１薄膜トランジスタＴｒ１、第２薄膜トランジスタＴｒ２、第１サブ画素電極ＰＥ１、及び第２サブ画素電極ＰＥ２が配置される。

ゲートラインＧＬは第１方向Ｄ１へ延長されて配置される。第１データラインＤＬ１と第２データラインＤＬ２はゲートラインＧＬとに交差して他の方向へ延長される。

第１薄膜トランジスタＴｒ１はゲートラインＧＬと第１データラインＤＬ１との交差部に隣接する位置に配置される。第１薄膜トランジスタＴｒ１はゲートラインＧＬから分岐された第１ゲート電極ＧＥ１と、第１データラインＤＬ１から分岐された第１ソース電極ＳＥ１及び第１ソース電極ＳＥ１から離隔されて配置された第１ドレイン電極ＤＥ１を含む。

第２薄膜トランジスタＴｒ２はゲートラインＧＬと第２データラインＤＬ２の交差部に隣接する位置に配置される。第２薄膜トランジスタＴｒ２はゲートラインＧＬから分岐された第２ゲート電極ＧＥ２と、第２データラインＤＬ２から分岐された第２ソース電極ＳＥ２及び第２ソース電極ＳＥ２から離隔されて配置された第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。

第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２は第１データラインＤＬ１と第２データラインＤＬ２との間に配置される。

第１サブ画素電極ＰＥ１は第１ドレイン電極ＤＥ１とコンタクトホールを通して接続され、第２サブ画素電極ＰＥ２は第２ドレイン電極ＤＥ２とコンタクトホールを通して接続される。第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２とは各々第１薄膜トランジスタＴｒ１と第２薄膜トランジスタＴｒ２とを通して同一の階調に対して互いに電圧レベルが異なる２つの電圧を各々受信する。

図３４は図３３と同一の方式に画素領域が同一に反復される液晶表示装置を示した平面図であって、画素領域が３ｘ５行列形態に配列された場合を示したことである。

図３４を参照すれば、第１配向領域ＡＮ１と第２配向領域ＡＮ２とは各々列に沿って延長される形態に配置される。第１配向領域ＡＮ１と第２配向領域ＡＮ２とは交互的に配置される。第１配向領域ＡＮ１と第２配向領域ＡＮ２とは同一の行に配置された互いに隣接する２サブ画素領域の一部と重畳する。第３配向領域ＡＮ３と第４配向領域ＡＮ４とは各々行に沿って延長される形態に配置される。第３配向領域ＡＮ３と第４配向領域ＡＮ４とは交互的に配置され、各々互いに隣接する２サブ画素領域の一部と重畳する。この時、第３配向領域ＡＮ３にいて、列方向に互いに隣接するサブ画素領域の中で１つに対しては第２サブ画素電極ＰＥ２と重畳し、互いに隣接する画素領域の中で残りの１つに対しては第１サブ画素電極ＰＥ１と重畳する。第４配向領域ＡＮ４また互いに隣接するサブ画素領域の中で１つに対しては第２サブ画素電極ＰＥ２と重畳して、互いに隣接する画素領域の中で残りの１つに対しては第２サブ画素電極ＰＥ２と重畳する。

また、各サブ画素領域は第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４を含み、サブ画素領域の中で１つの画素領域での第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４の配列順序は、サブ画素領域に隣接するサブ画素領域での第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３及びＤＭ４の配列順序と全て異なる。また循環型画素領域と収斂発散型画素領域が行と列に沿って交互的に配置される。さらに、いずれか１つの画素領域が循環型である場合には行と列方向に隣接する４つのサブ画素領域全てが収斂発散型画素領域に該当する。それと反対に、いずれか１つのサブ画素領域が収斂発散型画素領域の場合には行と列方向に隣接する４つのサブ画素領域全てが循環型画素領域に該当する。

上述した構造を有する液晶表示装置は同一階調を表示しながら、第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２とによって液晶層３００の配向を互いに異なりに調節できるので側面視認性を向上させることができる。また、１つの画素領域内で第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２とが相異なる配向領域に対応するので、１つの画素内でのイオン性不純物の移動性を減少させることができる。イオン性不純物は電界のエッジ付近で容易に移動するのに第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２との間は第３配向領域ＡＮ３と第４配向領域ＡＮ４との間に該当するために液晶層３００の配向方向が異なり、イオン性不純物の容易に移動できないためである。

本実施形態では第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２とが列方向に配列されたことを示したが、これに限定されるのではない。即ち、多様な個数と形態のサブ画素電極を配置でき、各サブ画素電極の配列また多様な方向に配列できる。例えば、第１サブ画素電極ＰＥ１と第２サブ画素電極ＰＥ２とが行方向に配列できる。さらに、第１サブ画素電極ＰＥ１が２領域で分かれるようにしてもよい。この場合には第２サブ画素電極ＰＥ２を分かれた第１サブ画素電極ＰＥ１間に配置することができる。
以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の当業者、又は該当技術分野に通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。

例えば、本発明の実施形態は例示的に画素領域の模様が長方形形態であるもののみが説明されたが、多様な形状の画素領域を有することができ、また画素電極の模様や個数また多様に変容できることはもちろんである。

したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されず、特許請求の範囲の上により定められなければならないことである。

１００第１基板
１２０第１配向膜
１４１、１４２第１及び第２画素電極
２００第２基板
２２０第２配向膜
２４１ブラックマトリクス
３００液晶層
４００液晶表示装置
Ｐ１１第１画素領域
Ｐ１２第２画素領域
Ｐ２１第３画素領域
Ｐ２２第４画素領域
ＰＡ画素領域
ＰＥ画素電極
Ｄ１〜Ｄ１２第１乃至第１２方向
ＤＭ１〜ＤＭ４第１乃至第４ドメイン

Claims

画素領域に対応して配置された画素電極を含む第１基板と、
前記画素電極と対向する共通電極を含む第２基板と、
前記第１及び第２基板の間に配置され、前記画素領域対応して第１方向へ配向された第１領域と、前記第１方向と異なる第２方向へ配向された第２領域と、前記第１及び第２方向と異なる第３方向へ配向された第３領域と、前記第１乃至第３方向と異なる第４方向へ配向された第４領域を含む配向膜と、
前記第１及び第２基板の間に配置された液晶分子を含み、前記液晶分子が前記第１乃至第４領域によって前記画素領域に定義された多数のドメインで相異なる方向へ配向される液晶層とを含み、
前記多数のドメインは、前記第１領域と前記第３領域が重畳する領域で定義された第１ドメインと、前記第１及び第４領域が重畳する領域で定義された第２ドメインと、前記第２及び第３領域が重畳する領域で定義された第３ドメインと、前記第２及び第４領域が重畳する領域で定義された第４ドメインとを含み、
前記液晶分子は前記第１ドメインで前記第１及び第３方向のベクトルの合計で定義された第５方向へ配向され、前記第２ドメインで前記第１及び第４方向のベクトルの合計で定義された第６方向へ配向され、前記第３ドメインで前記第２及び第３方向のベクトルの合計で定義された第７方向へ配向され、前記第４ドメインで前記第２及び第４方向のベクトルの合計で定義された第８方向へ配向され、前記画素電極は、第１乃至第４延長部をさらに含み、前記第１乃至第４延長部は前記第１乃至第４ドメイン各々で前記画素電極のエッジから延長され、前記第１乃至第４延長部各々は、前記第１方向乃至第４方向の内、対応するドメインの配向方向を決定する二つの方向の内いずれか１つの方向に延長されることを特徴とする液晶表示装置。
前記配向膜は照射される光によって、分解（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二量体化反応（ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）、及び異性化反応（ｉｓｏｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でいずれか１つの反応がおきる高分子物質でなされることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第５方向、第６方向、第７方向及び第８方向が左回りの方向へ順次的に回転する場合、
前記第１延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第４ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長されることを含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
前記第５方向、第６方向、第７方向及び第８方向が右回りの方向へ順次的に回転する場合、
前記第１延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第４ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長されることを含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
前記第５方向が前記第８方向と対向する場合、
前記第１延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
前記第６方向と前記第７方向とが互いに反対になる場合、
前記第１延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第４ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第４ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長されることを含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
前記配向膜は前記画素電極をカバーする第１配向膜及び前記共通電極をカバーする第２配向膜を含み、
前記第１配向膜は前記第１方向へ配向された前記第１領域及び前記第１方向と反対になる前記第２方向へ配向された前記第２領域でなされ、
前記第２配向膜は前記第１方向と直角をなす前記第３方向へ配向された前記第３領域及び前記第３方向と反対になる前記第４方向へ配向された第４領域でなされたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記画素電極同一の階調に対して相異なる電圧を受信する第１及び第２サブ画素電極を含み、
前記第１配向膜は前記第１及び第２サブ画素電極をカバーし、
前記第１乃至第４延長部は前記第１及び第２サブ画素電極各々に設けられることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第１及び第２配向膜各々は照射される光によって、分解（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二量体化反応（ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）、及び異性化反応（ｉｓｏｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でいずれか１つの反応がおきる高分子物質でなされることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
前記第５方向、第６方向、第７方向及び第８方向が左回りの方向へ順次的に回転する場合、
前記第１延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第４ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
前記第１基板は前記第１方向へ延長されて前記第３方向へ配列された多数のデータライン及び前記第３方向へ延長されて前記第１方向へ配列された多数のゲートラインをさらに含み、
前記第１及び第２サブ画素電極は前記第１方向へ互いに隣接して配置されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
前記画素電極は互いに隣接する２つのデータライン間に配置され、前記第１及び第２サブ画素電極各々の前記第１及び第４延長部は前記２つのデータラインと各々オーバーラップすることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
前記第５方向、第６方向、第７方向及び第８方向が右回りの方向へ順次的に回転する場合、
前記第１延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第４ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
前記第５方向と前記第８方向が互いに対向する場合、
前記第１延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第２ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
前記第６方向と第７方向が互いに反対になる場合、
前記第１延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第１方向へ延長され、
前記第２延長部は前記第１ドメインに対応する領域で前記第３方向へ延長され、
前記第３延長部は前記第４ドメインに対応する領域で前記第２方向へ延長され、
前記第４延長部は前記第３ドメインに対応する領域で前記第４方向へ延長されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
前記画素は前記第１サブ画素電極に接続された第１トランジスタ及び前記第２サブ画素電極に接続された第２トランジスタをさらに含み、
前記第１及び第２サブ画素電極は前記第１方向に互いに隣接して配置され、前記第１及び第２トランジスタは前記第１及び第２サブ画素電極の間に位置することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
前記第１基板は前記第１方向へ延長されて前記第３方向へ配列された多数のデータライン及び前記第３方向へ延長されて前記第１方向へ配列された多数のゲートラインをさらに含み、
前記第１及び第２トランジスタは同一のデータライン及び同一のゲートラインに接続されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
前記第１基板は前記第１方向へ延長されて前記第３方向へ配列された多数のデータライン及び前記第３方向へ延長されて前記第１方向へ配列された多数のゲートラインをさらに含み、
前記画素領域は互いに隣接する２つのデータライン間に配置され、
前記画素領域の前記第１トランジスタは前記２つのデータラインの中で１つに接続され、前記第２トランジスタは残りの１つに接続されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
前記第２サブ画素電極は前記第１方向に沿って互いに所定間隔離隔され、互いに電気的に接続された２つの電極部を含み、前記第１サブ画素電極は前記２つの電極部の間に配置されたことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
前記第２基板はブラックマトリクスをさらに含み、
前記画素電極の前記第１乃至第４延長部各々は前記ブラックマトリクスと部分的に重畳して配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
画素領域に対応して配置された画素電極を含む第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶分子を含む液晶層と、
前記第１及び第２基板の間に配置され、前記画素領域対応して第１方向へ配向された第１領域と、前記第１方向と異なる第２方向へ配向された第２領域と、前記第１及び第２方向と異なる第３方向へ配向された第３領域と、前記第１乃至第３方向と異なる第４方向へ配向された第４領域を含む配向膜と
を含み、
前記画素電極には相異なる液晶配向方向を有する多数のドメインが定義され、前記第１及び第２基板の中で少なくとも１つは前記ドメインの境界部に対応して位置する光遮断膜を含み、
前記多数のドメインは、前記第１領域及び前記第３領域が重畳する領域で定義された第１ドメインと、前記第１及び第４領域が重畳する領域で定義された第２ドメインと、前記第２及び第３領域が重畳する領域で定義された第３ドメインと、前記第２及び第４領域が重畳する領域で定義された第４ドメインとを含み、
前記液晶分子は前記第１ドメインで前記第１及び第３方向のベクトルの合計で定義された第５方向へ配向され、前記第２ドメインで前記第１及び第４方向のベクトルの合計で定義された第６方向へ配向され、前記第３ドメインで前記第２及び第３方向のベクトルの合計で定義された第７方向へ配向され、前記第４ドメインで前記第２及び第４方向のベクトルの合計で定義された第８方向へ配向され、
前記光遮断膜の一端部は前記光遮断膜を基準として互いに隣接する前記第１及び第２ドメインの液晶配向方向の中でいずれか１つと平行である方向へ面取され、前記光遮断膜の他端部は前記光遮断膜を基準として互いに隣接する前記第３及び第４ドメインの液晶配向方向の中でいずれか１つと平行である方向へ面取され、
前記画素電極は、第１乃至第２延長部をさらに含み、前記第１延長部は前記第１及び第２ドメインの中で前記面取方向と平行しないドメインに対応して形成され、前記第２延長部は前記第３及び第４ドメインの中で前記面取方向と平行しないドメインに対応して形成されることを特徴とする液晶表示装置。
前記画素は前記画素電極とオーバーラップするストレージ配線部をさらに含み、
前記光遮断膜は前記ストレージ配線部から延長されたことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
前記画素は前記画素電極とオーバーラップするストレージ配線部をさらに含み、
前記光遮断膜は前記ストレージ配線部と所定間隔に離隔されて位置することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
前記画素は第１サブ画素及び前記第１サブ画素より低い電圧が充電される第２サブ画素を含み、
前記第１サブ画素は前記第１乃至第４ドメインで区分される第１サブ画素電極を含み、前記第２サブ画素は前記第１乃至第４ドメインで区分される前記第２サブ画素電極を含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
前記第１及び第２サブ画素各々の前記第１乃至第４ドメインの液晶配向方向は左回りの方向へ循環することを特徴とする請求項２４に記載の液晶表示装置。
前記光遮断膜は前記第１サブ画素電極と対向するように配置され、
前記光遮断膜の第１端部は前記第１及び第２ドメインの境界に位置し、前記第２ドメインの液晶配向方向と同一の方向へ面取りされ、前記光遮断膜の第２端部は前記第３及び第４ドメインの境界に位置し、前記第３ドメインの液晶配向方向と同一の方向へ面取されたことを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置。
前記第１延長部は前記第１及び第２サブ画素電極の前記第１ドメインに対応して配置され、前記第２延長部は前記第１及び第２サブ画素電極の前記第４ドメインに対応して配置されることを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置。
前記第１及び第２サブ画素は互いに隣接する第１及び第２データライン間に配置され、前記第１及び第２延長部は前記第１及び第２データラインと各々オーバーラップすることを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置。
前記第１及び第２データラインは１つの画素内で４回屈曲された構造を有することを特徴とする請求項２８に記載の液晶表示装置。
前記第１サブ画素の第１乃至第４ドメインの液晶配向方向は前記第２サブ画素の第１乃至第４ドメインの液晶配向方向と互いに異なることを特徴とする請求項２４に記載の液晶表示装置。
前記第１延長部は前記第１サブ画素電極の前記第２ドメイン及び前記第２サブ画素電極の前記第１ドメインに対応して配置され、前記第２延長部は前記第１及び第２サブ画素電極の前記第４ドメインに対応して配置されることを特徴とする請求項３０に記載の液晶表示装置。
前記第１及び第２サブ画素は互いに隣接する第１及び第２データライン間に配置され、前記第１及び第２延長部は前記第１及び第２データラインと各々オーバーラップすることを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置。
前記第１及び第２データラインは１つの画素内で２回屈曲された構造を有することを特徴とする請求項３２に記載の液晶表示装置。
前記各画素で第１方向へ配向された第１領域及び前記第１方向と異なる第２方向へ配向された第２領域を含み、前記第１基板の上に配置された第１配向膜と、
前記第２基板の上に配置されて前記第１配向膜と対向する第２配向膜とをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
前記第１及び第２配向膜各々は照射される光によって、分解（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二量体化反応（ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）、及び異性化反応（ｉｓｏｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でいずれか１つの反応がおきる高分子物質でなされたことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置。
複数の列と複数の行でなされた複数の画素領域を有する第１ベース基板と、
前記画素領域に配置された画素電極と、
前記画素電極をカバーし、前記列に沿って延長され、第１方向へ配向された複数の第１配向領域と、前記第１配向領域に交互して配置されて複数の第２配向領域とを含む第１配向膜と、
前記第１ベース基板に対向する第２ベース基板と、
前記第２ベース基板の上に配置されて前記画素電極と対向する共通電極と、
前記共通電極をカバーし、前記行に沿って延長されて前記第１方向と垂直な第３方向へ配向された複数の第３配向領域と、前記第３配向領域に交互して配置され、前記第３方向の逆方向である第４方向へ配向された複数の第４配向領域とを含む第２配向膜と、
前記第１配向膜及び前記第２配向膜の間に配置された液晶層を含み、
前記第１及び第２配向領域各々は平面の上で同一の行に配置された互いに隣接する２画素領域の一部と重畳し、前記第３及び第４配向領域各々は平面の上で同一の列に配置され、
前記液晶層は前記第１及び第３配向領域が重畳する第１ドメインと、前記第１及び第４配向領域が重畳する第２ドメインと、前記第２及び第３配向領域が重畳する第３ドメインと、前記第２及び第４配向領域が重畳する第４ドメインとを含み、各ドメインで相異なる方向へ配向され、
前記第１ドメインで前記第１及び第３方向のベクトルの合計で定義された第５方向へ配向され、前記第２ドメインで前記第１及び第４方向のベクトルの合計で定義された第６方向へ配向され、前記第３ドメインで前記第２及び第３方向のベクトルの合計で定義された第７方向へ配向され、前記第４ドメインで前記第２及び第４方向のベクトルの合計で定義された第８方向へ配向され、
各画素領域は前記第１乃至第４ドメインを含み、前記画素領域の中で１つの画素領域での前記第１乃至第４ドメインの配列順序は前記１つの画素領域に隣接する画素領域での前記第１乃至第４ドメインの配列順序と異なり、
前記各画素領域において、前記第１乃至第４ドメインの配向方向が右回りの方向、又は左回りの方向へ循環する画素領域を循環型画素領域と称し、前記第１及び第４ドメインの配向方向、又は前記第２及び第３ドメインの配向方向が互いに対向するか、或いは反対方向に向く画素領域を収斂発散型画素領域と称する時、前記循環型画素領域と前記収斂発散型画素領域とは前記行と前記列に沿って交互に配置されることを特徴とする液晶表示装置。
前記第１乃至第４ドメインの中で相異なる画素領域に属しながら互いに隣接する２ドメインは同一の方向へ配向されたことを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置。
前記各画素領域が前記第１配向領域と重畳する部分の面積は前記各画素領域が前記第２配向領域と重畳する部分の面積と同一であることを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置。
前記各画素領域が前記第３配向領域と重畳する部分の面積と前記各画素領域に前記第４配向領域と重畳する部分の面積は同一であることを特徴とする請求項３８に記載の液晶表示装置。
前記第１乃至第４配向領域各々が互いに隣接する２画素領域の中で１つと重畳された面積は前記互いに隣接する画素領域の中で残りの１つと重畳する面積と異なることを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置。
前記第１ベース基板の上に前記行の延長方向へ延長されて前記列の延長方向へ配列された複数のゲートラインと、前記列方向へ延長されて前記行の延長方向へ配列された複数のデータラインとをさらに含むことを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置。
前記各画素領域は前記ゲートラインの中で１つと前記データラインの中で１つとに接続された薄膜トランジスタをさらに含み、前記薄膜トランジスタは前記画素電極の中で対応する画素電極に接続されたことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置。
前記各画素電極は互いに隣接する２つのデータライン間に配置され、同一の階調に対して相異なる電圧を受信する第１サブ画素電極と第２サブ画素電極とを含むことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置。
前記各画素領域は前記ゲートラインの中で１つと前記互いに隣接する２つのデータラインの中で１つとに接続された第１薄膜トランジスタと、前記ゲートラインの中で１つと前記互いに隣接する２つのデータラインの中で残りの１つとに接続された第２薄膜トランジスタとを含み、
前記第１サブ画素電極は前記第１薄膜トランジスタと接続され、前記第２サブ画素電極は前記第２薄膜トランジスタに接続されたことを特徴とする請求項４３に記載の液晶表示装置。
前記各画素領域に配置された第１サブ画素電極と前記第２サブ画素電極とは前記列の延長方向へ配列され、
前記第１サブ画素電極は前記第１配向領域と前記第２配向領域の中で１つと重畳し、前記第２サブ画素電極は前記第１配向領域と前記第２配向領域の中で残りと重畳することを特徴とする請求項４３に記載の液晶表示装置。
前記第１サブ画素電極は前記第３配向領域と前記第４配向領域の中で１つと重畳し、前記第２サブ画素電極は前記第３配向領域と前記第４配向領域の中で残りと重畳することを特徴とする請求項４３に記載の液晶表示装置。