KR20150071772A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 절연막, 제1 전압이 인가되며 상기 절연막 아래에 위치하는 제1 부영역 전극과 상기 제1 전압이 인가되며 상기 절연막 위에 위치하는 제2 부영역 전극을 포함하는 제1 부화소 전극 및 상기 절연막 위에 위치하며 제2 전압이 인가되는 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극, 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 및 상기 제2 절연 기판 위에 위치하며, 공통 전압이 인가되는 공통 전극을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 부화소 전극의 일부와 중첩하고, 상기 제1 전압과 상기 공통 전압의 차이는 상기 제2 전압과 상기 공통 전압의 차이보다 크며, 상기 공통 전압과 상기 화소 전극 사이의 전압 차이에 따라 상기 제2 부영역 전극이 위치하는 제1 부분, 상기 제1 부영역 전극과 상기 제2 부화소 전극이 중첩하는 제2 부분, 상기 제2 부화소 전극에서 상기 제1 부영역 전극과 중첩하지 않는 제3 부분으로 구분되며, 상기 절연막 위에 위치하는 상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극은 서로 다른 두 방향으로 연장된 복수의 미세 가지부를 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.
전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치는 또한 각 화소 전극에 연결되어 있는 스위칭 소자 및 스위칭 소자를 제어하여 화소 전극에 전압을 인가하기 위한 게이트선과 데이터선 등 다수의 신호선을 포함한다.
이러한 액정 표시 장치 중에서도, 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode)의 액정 표시 장치가 대비비가 크고 기준 시야각이 넓어서 각광받고 있다. 여기에서 기준 시야각이란 대비비가 1:10인 시야각 또는 계조간 휘도 반전 한계 각도를 의미한다.
이러한 방식의 액정 표시 장치의 경우에는 측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하기 위하여, 하나의 화소를 두 개의 부화소로 분할하고 두 부화소의 전압을 달리 인가함으로써 투과율을 다르게 하는 방법이 제시되었다.
그러나, 이처럼 하나의 화소를 두 개의 부화소로 구분하고, 투과율을 다르게 하여 측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하는 경우, 저계조 또는 고계조에서 휘도가 높아져서, 측면에서의 계조 표현이 어렵고, 이에 따라 화질이 저하되는 문제점이 발생하기도 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하면서도 저계조 영역에서 정확한 계조 표현이 가능한 표시 장치를 제공하는 것이다. 또한, 곡면형 표시 장치에서 표시판의 시프트로 인해 발생하는 텍스쳐를 방지하는 화소 구조를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 절연 기판, 상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 절연막, 제1 전압이 인가되며 상기 절연막 아래에 위치하는 제1 부영역 전극과 상기 제1 전압이 인가되며 상기 절연막 위에 위치하는 제2 부영역 전극을 포함하는 제1 부화소 전극 및 상기 절연막 위에 위치하며 제2 전압이 인가되는 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극, 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 및 상기 제2 절연 기판 위에 위치하며, 공통 전압이 인가되는 공통 전극을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 부화소 전극의 일부와 중첩하고, 상기 제1 전압과 상기 공통 전압의 차이는 상기 제2 전압과 상기 공통 전압의 차이보다 크며, 상기 공통 전압과 상기 화소 전극 사이의 전압 차이에 따라 상기 제2 부영역 전극이 위치하는 제1 부분, 상기 제1 부영역 전극과 상기 제2 부화소 전극이 중첩하는 제2 부분, 상기 제2 부화소 전극에서 상기 제1 부영역 전극과 중첩하지 않는 제3 부분으로 구분되며, 상기 절연막 위에 위치하는 상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극은 서로 다른 두 방향으로 연장된 복수의 미세 가지부를 포함한다.
상기 제1 부분, 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분 순으로 상기 공통 전압과의 전압 차이가 감소할 수 있다.
상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극은 간극을 사이에 두고 이웃하는 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 부영역 전극 및 상기 제2 부영역 전극은 접촉 구멍을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 부영역 전극은 상기 제2 부화소 전극의 일부와 중첩하며, 중첩하는 부분에 대해 통판 형태일 수 있다.
상기 표시 장치는 소정의 곡률 반경을 가지는 곡면형일 수 있다.
상기 제2 부영역 전극 및 상기 제2 부화소 전극은 각각 가로 줄기부를 포함하며,상기 복수의 미세 가지부는 상기 가로 줄기부로부터 서로 다른 두 방향으로 기울어지게 연장될 수 있다.
상기 제1 절연 기판, 상기 절연막 및 상기 화소 전극을 포함하는 하부 표시판, 상기 제2 절연 기판 및 상기 공통 전극을 포함하는 상부 표시판, 및 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판 사이에 주입된 액정층을 더 포함하고, 상기 가로 줄기부의 일측에 위치하는 상기 액정층의 액정 분자는 제1 방향으로 배열되고, 상기 가로 줄기부의 다른 일측에 위치하는 상기 액정층의 액정 분자는 제2 방향으로 배열될 수 있다.
상기 가로 줄기부의 일측에 위치하는 상기 복수의 미세 가지부와 상기 가로 줄기부의 다른 일측에 위치하는 상기 복수의 미세 가지부는 실질적으로 연장되는 방향이 반대 방향일 수 있다.
상기 제2 부화소 전극의 가로 줄기부는 상기 제2 부영역 전극과 중첩하는 부분에 대해 제거될 수 있다.
상기 제2 부영역 전극과 상기 제2 부화소 전극은 평면상으로 사각형을 형성할 수 있다.
상기 제2 부영역 전극과 상기 제2 부화소 전극은 상기 가로 줄기부에 대해 상이한 기울기를 가지며 소정의 간격으로 이격된 경계를 가질 수 있다.
상기 제1 부영역 전극은 상기 경계의 평면 형상과 대응하는 통판 형태일 수 있다.
상기 제1 부화소 전극 및 상기 제2 부화소 전극은 각각 상판 단위 전극과 하판 단위 전극을 연결하는 제1 연결부 및 제2 연결부를 포함할 수 있다.
상기 제1 연결부는 상기 제1 부영역 전극 또는 상기 제2 부영역 전극 중 어느 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 제1 연결부는 상기 제1 부영역 전극과 동일한 층에 위치하며, 상기 가로 줄기부와 평행할 수 있다.
상기 제2 연결부는 상기 제2 부화소 영역의 상기 미세 가지부의 끝 부분에서 연장되어 상기 상부 단위 전극과 상기 하부 단위 전극을 연결할 수 있다.
상기 제1 부화소 전극에 연결된 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 부화소 전극에 연결된 제2 박막 트랜지스터, 및 상기 제2 박막 트랜지스터와 연결된 분압 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
이상과 같은 표시 장치에 의하면, 측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하면서도 저계조 영역에서 정확한 계조 표현이 가능하고, 곡면형 표시 장치를 제공하는 경우, 표시판의 시프트에 의한 텍스쳐 발생을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 사시도이다.
도 2(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 한 화소의 평면도이고, 도 2(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 한 화소 영역에 대한 액정의 배열 방향이다.
도 3은 도 2의 III-III선에 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 2의 IV-IV선에 따라 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 부화소 전극의 제1 부영역 전극에 대한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 부화소 전극의 제2 부영역 전극 및 제2 부화소 전극의 평면도이다.
도 8(a) 내지 도 8(b)는 곡면형 표시 장치를 제조함에 따른 패널의 시프트를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이다.
도 11(a) 내지 도 11(c)는 본 발명의 실시예에 따른 화소 영역의 이미지이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과율 및 시인성에 대한 그래프이다.
도 13은 본 발명의 실시예에서 계조에 대한 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 회로도이다.
도 15 내지 도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 회로도이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
그러면, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 한 화소의 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III선에 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 2의 IV-IV선에 따라 자른 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 곡면형 표시 장치이다. 표시 장치는 오목형 또는 볼록형으로 굴곡시켜 곡면형으로 형성할 수 있다. 본 명세서는 시청자 기준으로, 가로 길이보다 세로 길이가 짧고, 가로 방향으로 굴곡된 랜드스케이프(landscape) 타입을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 가로 길이보다 세로 길이가 길고, 세로 방향으로 굴곡된 포트레이트(portrait) 타입일 수 있으며, 이에 제한되지 않고 평평한 표시 장치일 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200), 그리고 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 개재되어 있으며 액정 분자(31)를 포함하는 액정층(3)을 포함한다.
먼저 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 절연 기판(110) 위에 게이트선(121), 기준 전압선(131), 그리고 유지 전극(135)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(미도시)을 포함한다.
기준 전압선(131)은 게이트선(121)과 평행하게 뻗을 수 있으며, 확장부(136)를 가지며, 확장부(136)는 뒤에서 설명하는 접촉 구멍(185c)을 통해 제3 드레인 전극(175c)과 연결되어 있다.
기준 전압선(131)은 화소 영역을 둘러싸는 유지 전극(135)을 포함한다.
게이트선(121), 기준 전압선(131), 그리고 유지 전극(135) 위에는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 비정질 또는 결정질 규소 등으로 만들어질 수 있는 제1 반도체(154a), 제2 반도체(154b), 및 제3 반도체(154c)가 형성되어 있다.
제1 반도체(154a), 제2 반도체(154b), 및 제3 반도체(154c) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 163b, 163c, 165a, 165b, 165b)가 형성되어 있다. 반도체(154a, 154b, 154c)가 산화물 반도체인 경우, 저항성 접촉 부재는 생략될 수 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 163b, 163c, 165a, 165b, 165b)와 게이트 절연막(140) 위에는 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함하는 데이터선(171), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체(171, 173a, 173b 173c, 175a, 175b, 175c)가 형성되어 있다.
제2 드레인 전극(175b)은 제3 소스 전극(173c)과 연결되어 있고, 제3 드레인 전극(175c)은 기준 전압선(131)의 확장부(136)와 접촉 구멍(185c)를 통해 연결된다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a), 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체(154a)와 함께 제1 박막 트랜지스터(Qa)를 형성하며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 반도체 부분(154a)에 형성된다. 이와 유사하게, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b), 및 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체(154b)와 함께 제2 박막 트랜지스터(Qb)를 형성하며, 박막 트랜지스터의 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 반도체 부분(154b)에 형성되고, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c), 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체(154c)와 함께 제3 박막 트랜지스터, 즉 분압 트랜지스터(Qr)를 형성하며, 제3 박막 트랜지스터의 채널은 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이의 반도체 부분(154c)에 형성된다. 분압 스위칭 소자(Qr)는 게이트선(121)이 전달하는 게이트 신호에 따라 제어되며, 분압 스위칭 소자(Qr) 및 제2 스위칭 소자(Qb)가 턴온되면 데이터선(171)이 전달하는 데이터 전압이 제2 스위칭 소자(Qb) 및 분압 스위칭 소자(Qr)에 의해 분압되어 액정 축전기에 전달될 수 있다.
데이터 도전체(171, 173a, 173b 173c, 175a, 175b, 175c) 및 노출된 반도체(154a, 154b, 154c) 부분 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있는 제1 보호막(passivation layer)(180a)이 형성되어 있다.
제1 보호막(180a) 위에는 색필터(230)가 위치한다.
색필터(230)가 위치하지 않는 영역 및 색필터(230)의 일부 위에는 차광 부재(light blocking member)(도시하지 않음)가 위치할 수 있다. 차광 부재는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막아준다.
색필터(230) 위에는 덮개막(capping layer)(80)이 위치한다. 덮개막(80)은 색필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색필터로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동 시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지한다.
덮개막(80) 위에는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)이 위치하고, 제1 부영역 전극(a1) 위에는 절연막(180b)이 위치한다.
절연막(180b) 위에는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2) 및 제2 부화소 전극(191b)이 위치한다. 이때 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)과 제2 부영역 전극(a2)은 접촉 구멍(184a)을 통해 상호 연결될 수 있다.
제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통해 각기 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 제1 부영역 전극(a1)과 제2 부영역 전극(a2)은 접촉 구멍(184a)을 통해 전기적으로 연결되어 있는바, 제1 부영역 전극(a1)은 제2 부영역 전극(a2)이 인가받은 데이터 전압(제1 전압)을 전달 받는다.
보다 구체적으로, 본 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소 영역은 제1 부화소 전극(191a), 제2 부화소 전극(191b) 및 공통 전극(270)을 포함하며, 이는 위치 상으로 구별되는 상부 단위 전극(UP)과 하부 단위 전극(DP)을 포함하며, 인가되는 전기장의 크기로 구별되는 제1 부분(R1), 제2 부분(R2) 및 제3 부분(R3)을 포함한다.
상부 단위 전극(UP) 및 하부 단위 전극(DP)에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)은 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과 상이한 층에 위치하며, 일례로써 절연막을 사이에 두고 상이한 층에 위치할 수 있다.
제1 부영역 전극(a1)은 상부 단위 전극(UP) 및 하부 단위 전극(DP)에 위치하는 각각의 제1 부영역 전극(a1)을 연결하기 위한 제1 연결부(195a)를 더 포함할 수 있으며, 제1 연결부(195a)의 형상은 제한이 없다.
제1 부영역 전극(a1)은 제1 박막 트랜지스터와 연결된 제2 부영역 전극(a2)과 전기적으로 연결되어 제1 전압을 인가받을 수 있다.
하나의 상부 또는 하부 단위 전극(UP, DP)에 위치하는 제2 부영역 전극(a2)은 대략적으로 하나의 밑변과 두 개의 빗변으로 이루어지는 삼각형일 수 있으며, 상기 하나의 밑변은 하나의 화소 영역의 테두리와 대응할 수 있다.
또한, 상부 단위 전극과 하부 단위 전극에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)은 상호 연결될 수 있으며, 일례로써 화소 영역의 테두리를 따라 연장된 제1 연결부(195a)를 통해 연결될 수 있다.
제2 부영역 전극(a2)은 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 제1 전압을 인가받을 수 있으며, 이는 고계조를 나타낸다.
제2 부화소 전극(191b)은 하나의 화소 영역 테두리와 평행하는 테두리를 포함하고, 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)이 포함하는 두 개의 빗변에 대해 대응하는 빗변을 포함할 수 있다. 따라서, 상부 단위 전극 또는 하부 단위 전극을 살펴보면, 제2 부화소 전극(191b)과 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)은 평면 상으로 상호 중첩되지 않으면서 가로 세로 길이가 유사한 사각형 형상을 나타낼 수 있다.
또한, 상부 단위 전극(UP) 및 하부 단위 전극(DP)에 위치하는 제2 부화소 전극(191b)은 제2 연결부(195b)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 일례로써 제2 연결부(195b)는 제2 부화소 영역(a2)의 제2 미세 가지부(194b)의 끝 부분에서 연장되어 상부 단위 전극(UP)과 하부 단위 전극(DP)을 연결할 수 있다.
제2 부화소 전극(191b)은 분압 트랜지스터와 연결된 제2 박막 트랜지스터와 연결되어 제1 전압 보다 낮은 제2 전압을 인가받을 수 있다.
이때, 제2 부영역 전극(a2)이 위치하는 영역을 제1 부분, 제1 부영역 전극(a1)과 제2 부화소 전극(191b)이 중첩하는 영역을 제2 부분, 제2 부화소 전극(191b)에서 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하지 않는 영역을 제3 부분으로 정의한다.
각각의 화소 전극에 인가되는 전압과 공통 전압의 차이에 따라 제1 부분(R1)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기가 가장 크고, 제3 부분(R3)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기가 가장 작다. 제2 부분(R2)에는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)에 의한 전기장의 영향이 존재하기 때문에 제2 부분(R2)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기는 제1 부분(R1)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기보다는 작고, 제3 부분(R3)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기보다는 크게 된다.
이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 하나의 화소 영역을 상대적으로 높은 제1 전압이 인가되는 제1 부화소 전극(191a)이 위치하는 제1 부분(R1), 제1 부화소 전극(191a)의 일부분과 상대적으로 낮은 제2 전압이 인가되는 제2 부화소 전극(191b)의 일부분이 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제2 부분(R2), 그리고 상대적으로 낮은 제2 전압이 인가되는 제2 부화소 전극(191b)만이 위치하는 제3 부분(R3)으로 구분한다. 이에 대해서는 이하에서 도 5 내지 도 8을 참조하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
이제, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제2 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)와 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
그러나, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 경우, 차광 부재(220)는 하부 표시판(100) 위에 위치할 수 있고, 발명의 다른 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 경우, 색 필터는 상부 표시판(200)에 위치할 수도 있다.
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(도시하지 않음)이 형성되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다.
두 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(도시하지 않음)가 구비되어 있는데, 두 편광자의 투과축은 직교하며 이중 한 투과축은 게이트선(121)에 대하여 나란한 것이 바람직하다. 그러나, 편광자는 두 표시판(100, 200) 중 어느 하나의 바깥쪽 면에만 배치될 수도 있다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 전기장이 없는 상태에서 입사광은 직교 편광자를 통과하지 못하고 차단된다.
액정층(3)과 배향막 중 적어도 하나는 광 반응성 물질, 보다 구체적으로 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함할 수 있다.
그러면, 본 실시예에 따른 표시 장치, 일례로써 액정 표시 장치의 구동 방법에 대하여 간략하게 설명한다. 이는 도 13에서 도시하는 회로도를 참조할 수 있다.
게이트선(121)에 게이트 온 신호가 인가되면, 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 그리고 제3 게이트 전극(124c)에 게이트 온 신호가 인가되어, 제1 스위칭 소자(Qa), 제2 스위칭 소자(Qb), 그리고 제3 스위칭 소자인 분압 트랜지스터(Qr)가 턴 온 된다. 이에 따라 데이터선(171)에 인가된 데이터 전압은 턴 온 된 제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)를 통해 각각 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에 인가된다. 이 때, 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)에는 동일한 크기의 제1 전압이 인가된다. 하지만, 제2 부화소 전극(191b)에 인가된 전압은 제2 스위칭 소자(Qb)와 직렬 연결되어 있는 제3 스위칭 소자인 분압 트랜지스터(Qr)를 통해 분압되어 제2 전압이 된다. 따라서, 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압은 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압보다 더 작게 된다.
다시, 도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소 영역은 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)만이 위치하는 제1 부분(R1), 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)이 위치하며 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하는 제2 부분(R2) 및 제2 부화소 전극(191b)의 일부분, 즉 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과 중첩하지 않는 제2 부화소의 제3 부분(R3)으로 이루어진다.
또한, 하나의 화소 영역은 하부 표시판(100)에 위치하는 상부 단위 전극(UP)과 하부 단위 전극(DP) 그리고 상부 표시판(200)에 위치하는 공통 전극(270)을 포함한다. 따라서, 각각의 상부 단위 전극과 하부 단위 전극은 각각 제1 부분(R1), 제2 부분(R2) 및 제3 부분(R3)을 포함할 수 있으며, 제1 부분(R1), 제2 부분(R2) 및 제3 부분(R3)은 각각의 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극에서 두 개의 영역으로 구분될 수 있는바, 각 부분들은 하나의 화소 영역에서는 네 개의 영역으로 구분될 수 있다.
또한, 도 2(a)를 살펴보면, 본 발명의 화소 영역에 대한 액정 분자의 배열을 알 수 있다. 구체적으로 한편, 상부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 일측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세가지부(194a, 194b)는 제1 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 일측에 위치하는 액정층의 액정 분자는 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.
또한, 상부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 타측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세 가지부(194a, 194b)는 제2 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 타측에 위치하는 액정층의 액정 분자(31)는 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.
이와 마찬가지로, 하부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 일측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세가지부는 제2 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 일측에 위치하는 액정층(3)의 액정 분자는 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.
또한, 하부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 타측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세 가지부는 제1 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 타측에 위치하는 액정층의 액정 분자는 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.
그러면 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기본 화소 전극의 형상을 구체적으로 살펴본다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)의 평면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2) 및 제2 부화소 전극의 평면도이고, 도 8(a) 내지 도 8(b)는 곡면형 표시 장치를 제조함에 따른 패널의 시프트를 나타낸 것이다.
도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소 영역은 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함하며, 이는 위치 상으로 구별되는 상부 단위 전극(UP)과 하부 단위 전극(DP)을 포함하며, 인가되는 전기장의 크기로 구별되는 제1 부분(R1), 제2 부분(R2) 및 제3 부분(R3)으로 구분 가능하다.
우선, 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)과 관련하여 위치 상으로 구분되는 상부 단위 전극(UP) 및 하부 단위 전극(DP)에 대해 도 5 내지 7을 참조하여 살펴본다. 하나의 상부 단위 전극(UP) 또는 하부 단위 전극(DP)은 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함하며, 하나의 상부 단위 전극(UP), 하부 단위 전극(DP) 및 공통 전극(270)이 하나의 화소 영역을 형성한다.
도 5를 참고하면, 상부 단위 전극(UP) 및 하부 단위 전극(DP)에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)은 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과 상이한 층에 위치하며, 일례로써 절연막을 사이에 두고 상이한 층에 위치할 수 있다.
제1 부영역 전극(a1)은 제2 부영역 전극(a2)의 빗변과 평행한 빗변을 가지는 형상이며, 일례로써 도 4에 도시된 바와 같이 제2 부영역 전극(a2)과 제2 부화소 전극(191b) 사이 이격된 공간과 평면상으로 닮음이다. 다만, 제1 부영역 전극(a1)은 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하기 위해 상기 이격된 공간 보다는 넓게 형성된다.
제1 부영역 전극(a1)은 접촉 구멍을 통해 제2 부영역 전극(a2)과 연결되며, 제2 부영역 전극(a2)에 인가되는 제1 데이터 전압을 전달받는다.
또한, 제1 부영역 전극(a1)은 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극에 위치하는 각각의 제1 부영역 전극(a1)을 연결하기 위한 제1 연결부(195a)를 더 포함할 수 있으며, 제1 연결부(195a)의 형상은 제한이 없다.
따라서, 상부 단위 전극과 하부 단위 전극은 각각 제1 부영역 전극(a1)을 포함하며, 상부 단위 전극과 하부 단위 전극에 위치하는 제1 부영역 전극(a1)은 대칭되는 위치에 배치되는 동일한 형상을 가질 수 있다.
다음, 제1 부화소 전극의 제2 부영역 전극(a2)에 대해 살펴본다. 하나의 단위 전극(UP, DP)에 위치하는 제2 부영역 전극(a2)은 대략적으로 하나의 밑변과 두 개의 빗변으로 이루어지는 삼각형일 수 있으며, 상기 하나의 밑변은 하나의 화소 영역의 테두리와 대응할 수 있다.
상부 단위 전극(UP)에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)은 제2 부영역 전극(a2)의 중앙에 위치하는 제1 가로 줄기부(192a) 및 이로부터 연장되어 서로 다른 두 개의 방향으로 연장된 복수의 제1 미세 가지부(194a)를 포함한다. 이때 제1 가로 줄기부(192a)는 상기 하나의 밑변과 수직일 수 있다.
하부 단위 전극(DP)에 위치하는 제2 부영역 전극(a2) 역시 동일하게 제1 가로 줄기부(192a) 및 제1 미세 가지부(194a)를 포함할 수 있으며, 하부 단위 전극과 상부 단위 전극의 전극 형상은 상호 대칭일 수 있다.
복수의 제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(192a)를 기준으로 약 40도 내지 약 50도 기울어질 수 있다. 복수의 제1 미세 가지부(194a)의 가장 자리에 의해 발생하는 프린지 필드에 의하여, 제1 부분(R1)에 위치하는 액정층(3)의 액정 분자(31)들은 서로 다른 두 개의 방향으로 눕게 된다. 보다 구체적으로, 액정 분자(31)들은 복수의 제1 미세 가지부(194a)가 연장된 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다.
또한, 상부 단위 전극과 하부 단위 전극에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)은 상호 연결될 수 있으며, 일례로써 화소 영역의 테두리를 따라 연장된 제1 연결부(195a)를 통해 연결될 수 있다.
상부 단위 전극과 하부 단위 전극에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)은 동일한 형상일 수 있으며, 동일한 위치에 위치하거나 도 4에 도시된 바와 같이 상호 대칭일 수 있다.
다음, 제2 부화소 전극(191b)은 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극 각각에 가로 줄기부(192b) 및 이로부터 서로 다른 두 방향으로 연장되는 제2 미세 가지부(194b)를 포함할 수 있다.
제2 부화소 전극(191b)은 하나의 화소 영역 테두리와 평행하는 테두리를 포함하고, 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)이 포함하는 두 개의 빗변에 대해 대응하는 빗변을 포함할 수 있다. 따라서, 상부 단위 전극 또는 하부 단위 전극을 살펴볼 때, 제2 부화소 전극(191b)과 제1 부화소 전극의 제2 부영역 전극(a2)은 평면 상으로 상호 중첩되지 않으면서 가로 세로 길이가 유사한 사각형 형상을 나타낼 수 있다. 이러한 상부 단위 전극 또는 하부 단위 전극을 세로 방향으로 합쳐놓은 경우, 세로 방향 길이가 가로 방향 길이보다 긴 하나의 화소 영역을 형성한다.
복수의 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(192b)를 기준으로 약 40도 내지 약 50도 기울어질 수 있다. 복수의 제2 미세 가지부(194b)의 가장 자리에 의해 발생하는 프린지 필드에 의하여, 제3 부분(R3)에 위치하는 액정층(3)의 액정 분자(31)들은 서로 다른 두 개의 방향으로 눕게 된다. 보다 구체적으로, 액정 분자(31)들은 복수의 제2 미세 가지부(194b)가 연장된 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다.
또한, 제1 미세 가지부(194a) 및 제2 미세 가지부(194b)는 동일한 기울기를 가질 수 있다. 구체적으로 각각의 가로 줄기부에 대해 동일한 측면에 위치하는 제1 미세 가지부(194a) 및 제2 미세 가지부(194b)는 동일한 기울기를 가지면서 연장된다. 따라서, 상이한 전압이 인가되는 경우에도, 동일한 측면에 위치하는 액정 분자(31)들은 동일한 방향으로 배열될 수 있다.
또한, 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극에 위치하는 제2 부화소 전극(191b)은 제2 연결부(195b)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 일례로써 제2 연결부(195b)는 상기 제2 부화소 영역의 제2 미세 가지부(194b)의 끝 부분에서 연장되어 상기 상부 단위 전극과 상기 하부 단위 전극을 연결할 수 있다.
다음, 인가되는 전기장의 크기에 따라 구분되는 제1 부분(R1), 제2 부분(R2) 및 제3 부분(R3)에 대해 살펴본다.
우선, 제1 부분(R1)은 하부 표시판에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과 상부 표시판(200)에 위치하는 공통 전극(270)이 전기장을 생성한다. 이때 제2 부영역 전극(a2)에 인가되는 전압은 한 화소 영역에 인가되는 전압 중 가장 큰 값을 가지는바, 공통 전극(270)과 전기장의 세기가 센 영역을 형성한다.
다음, 제2 부분(R2)은 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)과 제2 부화소 전극(191b)이 중첩되는 영역이다. 제1 부영역 전극(a1)과 상부 표시판의 공통 전극 사이에 형성되는 전기장과 함께, 제2 부화소 전극(191b)의 제2 미세 가지부와 공통 전극 사이에 형성되는 전기장에 의해 액정층(3)의 액정 분자(31)가 배열된다. 이때 제2 부분(R2)에는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)에 의한 전기장의 영향 및 제2 부화소 전극(191b)에 의한 전기장의 영향이 공존하는바, 제2 부분(R2)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기는 제1 부분(R1)에위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기보다는 작고, 제3 부분(R3)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기보다는 크게 된다.
다시, 도 6을 참고하면, 제3 부분(R3)은 하부 표시판(100)의 제2 부화소 전극(191b)과 상부 표시판(200)의 공통 전극이 함께 전기장을 생성한다. 이때 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압은 제2 스위칭 소자를 통해 인가되는 제2 전압으로서, 분압 트랜지스터에 의해 제1 전압보다 낮은 전압이 인가된다. 따라서, 제2 부화소 전극(191b)과 공통 전극 사이에 형성되는 전기장은 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과 공통 전극 사이에 형성되는 전기장보다 작다.
따라서, 제1 부분(R1)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기가 가장 크고, 제3 부분(R3)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기가 가장 작다. 제2 부분(R2)에는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)에 의한 전기장의 영향이 존재하기 때문에 제2 부분(R2)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기는 제1 부분(R1)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기보다는 작고, 제3 부분(R3)에 위치하는 액정층에 가해지는 전기장의 세기보다는 크게 된다.
이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 하나의 화소 영역을 상대적으로 높은 제1 전압이 인가되는 제1 부화소 전극(191a)이 위치하는 제1 부분(R1), 제1 부화소 전극(191a)의 일부분과 상대적으로 낮은 제2 전압이 인가되는 제2 부화소 전극(191b)의 일부분이 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제2 부분(R2), 그리고 상대적으로 낮은 제2 전압이 인가되는 제2 부화소 전극(191b)만이 위치하는 제3 부분(R3)으로 구분한다.
따라서, 제1 부분(R1), 제2 부분(R2), 제3 부분(R3)에 대응하는 액정 분자들에 가해지는 전기장의 세기가 다르게 되어, 액정 분자들이 기울어지는 각도가 다르게 되고, 이에 따라 각 부분의 휘도가 달라진다. 이처럼, 하나의 화소 영역을 서로 다른 휘도를 가지는 3개의 부분으로 구분하게 되면, 계조에 따른 투과율의 변화를 완만하게 조절함으로써, 측면에서 저계조와 고계조에서도 계조 변화에 따라 투과율이 급격히 변화하는 것을 방지함으로써, 정측면 시인성을 정면 시인성에 가깝게 하면서도, 저계조와 고계조에서도 정확한 계조 표현이 가능하다.
한편, 상부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 일측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세가지부(194a, 194b)는 제1 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 일측에 위치하는 액정층의 액정 분자는 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.
또한, 상부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 타측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세 가지부(194a, 194b)는 제2 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 타측에 위치하는 액정층의 액정 분자(31)는 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.
이와 마찬가지로, 하부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 일측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세가지부는 제2 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 일측에 위치하는 액정층(3)의 액정 분자는 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.
또한, 하부 단위 전극에서 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 타측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세 가지부는 제1 방향으로 기울어지게 연장된다. 이때 가로 줄기부의 타측에 위치하는 액정층의 액정 분자는 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.
도 8(a)을 참조하면, 곡면형 표시 장치를 제공함에 있어 표시판에 힘을 가하는 경우, 상부 표시판(200)과 하부 표시판(100)의 얼라인이 좌우로 어긋날 수 있다.
이때 본 발명의 일 실시예에 따르면, 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 일측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세 가지부는 동일한 방향으로 기울어지게 연장되어 이에 의한 액정 분자 역시 동일한 방향으로 배열된다.
또한, 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 타측에 위치하는 제1 미세 가지부 및 제2 미세 가지부 역시 동일한 방향으로 기울어지게 연장되어 이에 의한 액정 분자(31)는 동일한 제2 방향으로 배열된다.
따라서, 가로 줄기부(192a, 192b)를 기준으로 상하측에 위치하는 미세 가지부는 인가되는 전압에 관계없이 동일한 액정 분자 배열을 나타낸다. 도 8(b)에 도시된 바와 같이 상부 표시판(200) 또는 하부 표시판(100)이 좌우로 미스-얼라인 된 경우에도, 상하부 전극 사이에는 동일하게 배열된 액정 분자가 위치하는바, 텍스쳐의 발현을 감소시킬 수 있다.
도 9 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기본 화소 전극의 평면도를 살펴본다. 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이고, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기본 화소의 평면도이다. 전술한 본 발명의 일 실시예와 동일 유사한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극에 위치하는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)을 연결하는 제1 연결부(195a)는 화소 영역이 포함하는 가로 줄기부(192a, 192b)와 평행할 수 있다.
또한, 이와 더불어 제2 부화소 전극(191b)이 포함하는 제2 가로 줄기부(192b)의 일부 영역이 제거된다. 구체적으로, 제2 부화소 전극(191b)과 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)은 중첩하는데, 이때 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하는 제2 가로 줄기부에 해당하는 영역이 제거된다.
따라서, 제1 전압을 인가 받는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과, 제2 부영역 전극(a2)과 전기적으로 연결되어 있으며 제2 부화소 전극(191b)의 제2 가로 줄기부가 삭제되어 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하지 않는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)의 일부는 공통 전극(270)과 전기장을 생성하는 제1 부분(R1)을 이룬다.
또한, 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하지 않으면서 제2 전압을 인가받는 제2 부화소 전극(191b)의 일부는 상부 표시판에 위치하는 공통 전극(270)과 전기장을 생성하는 제3 부분(R3)을 이룬다.
마지막으로, 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하는 복수의 제2 미세 가지부가 공통 전극(270)과 전기장을 생성하며, 이와 더불어 제1 부영역 전극(a1)은 공통 전극(270)과 전기장을 생성하며, 해당 영역은 제2 부분(R2)을 이룬다.
이때 전기장의 세기는 전술한 바와 같이 제1 부분(R1), 제2 부분(R2), 제3 부분(R3) 순으로 작아진다.
이와 같은 다른 실시예에 따르면, 본 발명의 일 실시예와 비교하여 제2 가로 줄기부가 제거된 영역 및 제2 연결부가 위치하는 영역에서의 텍스쳐 발현이 감소된다.
다음, 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 살펴본다. 도 10에 도시된 바와 같이 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극에 위치하는 각각의 제1 부영역 전극(a1)을 연결하는 연결부가 없으며, 각각의 제1 부영역 전극(a1)은 제2 부영역 전극(a2)과 전기적으로 연결되는 접촉 구멍(184a)을 통해 전압을 인가 받는다.
또한, 도 9와 마찬가지로 제2 부화소 전극(191b)이 포함하는 제2 가로 줄기부의 일부 영역이 제거된다. 구체적으로, 제2 부화소 전극(191b)과 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1)은 중첩하는데, 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하는 제2 가로 줄기부에 해당하는 영역이 제거된다.
따라서, 제1 전압을 인가받는 제1 부화소 전극(191a)의 제2 부영역 전극(a2)과, 제2 부영역 전극(a2)과 전기적으로 연결되어 있으며 제2 부화소 전극(191b)의 제2 가로 줄기부가 삭제되어 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하지 않는 제1 부화소 전극(191a)의 제1 부영역 전극(a1) 일부는 공통 전극(270)과 전기장을 생성하는 제1 부분(R1)을 이룬다.
또한, 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하지 않으면서 제2 전압을 인가받는 제2 부화소 전극(191b)의 일부는 상부 표시판에 위치하는 공통 전극(270)과 전기장을 생성하는 제3 부분(R3)을 이룬다.
마지막으로, 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하는 복수의 제2 미세 가지부(194b)가 공통 전극(270)과 전기장을 생성하며, 이와 더불어 제1 부영역 전극(a1)은 공통 전극(270)과 전기장을 생성하고, 상기 영역은 제2 부분(R2)을 이룬다.
전기장의 세기는 전술한 바와 같이 제1 부분(R1), 제2 부분(R2), 제3 부분(R3) 순으로 작아진다. 이와 같은 실시예에 따르면 제1 부영역 전극을 연결하는 제1 연결부에 의해 발생하는 텍스쳐의 발현을 감소시킬 수 있다.
이하에서 도 11 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 살펴본다. 도 11(a) 내지 도 11(c)는 본 발명의 실시예에 따른 화소 영역의 이미지이고, 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과율 및 시인성에 대한 그래프이며, 도 13은 본 발명의 실시예에서 계조에 대한 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 11(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 하나의 화소 영역에 대한 이미지이고, 도 11(b)는 도 9에 도시된 실시예에 따른 화소 영역에 대한 이미지고, 도 11(c)는 도 10에 도시된 실시예에 따른 화소 영역에 대한 이미지이다.
도 11(a)를 살펴보면, 상부 단위 전극과 하부 단위 전극 사이에 위치하는 제1 부영역 전극(a1)을 연결하는 제1 연결부에 의한 텍스쳐 및 제1 부영역 전극(a1)과 제2 부화소 전극(191b)의 가로 줄기부가 중첩하는 영영역에 발생하는 텍스쳐를 제외하고는 텍스쳐의 발생이 거의 없음을 알 수 있다.
도 11(b)를 살펴보면, 가로 줄기부와 평행하게 형성된 제1 연결부에 의해 텍스쳐가 일부 발현되었으나, 제1 부영역 전극(a1)과 중첩하는 제2 부화소 전극(191b)의 제2 가로 줄기부를 일부 제거함에 따라 해당 영역에 발생하는 텍스쳐를 제거함을 확인하였다.
또한, 도 11(c)를 살펴보면, 도 9에 대해 제1 연결부를 삭제한 실시예인바, 제1 연결부에 의해 발생하는 텍스쳐도 제거됨을 확인하였다.
도 12를 참조하면, 제일 우측에 표시된 구조는 본 발명의 비교예로서 약 0.18의 측면 시인성 지표과 약 90%의 투과율을 나타낸다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 대해 투과율과 측면 시인성을 살펴본 경과, 투과율은 전압비가 증가함에 따라 증가하는 경향을 보이고, 측면 시인성은 전압비가 감소함에 따라 향상되는 경향을 나타냈다. 투과율과 측면 시인성은 다소 트레이드-오프 특성을 나타내는바, 이를 적절히 선택한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기존 비교예에 대해 거의 동일한 투과율 대비 상당히 개선된 측면 시인성을 나타냄을 확인하였다.
또한, 도 13에 도시된 바와 같이 이상적인 감마 곡선에 대해 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 저계조에서는 다소 낮은 투과율을 나타냈으나, 고계조로 갈수록 비교예에 비해 높은 투과율을 나타냄을 확인할 수 있었다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 높은 투과율 대비 상당히 개선된 측면 시인성을 나타내며, 특히 곡면형 표시 장치를 제공함에 있어서 텍스쳐의 발현을 상당히 감소시킬 수 있다.
이하에서는 도 14 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 회로도를 살펴본다.
우선 도 14에 도시한 화소(PX)의 동작에 대해 설명하면, 먼저 게이트선(121)에 게이트 온 전압(Von)이 인가되면 이에 연결된 제1 스위칭 소자(Qa), 제2 스위칭 소자(Qb), 그리고 제3 스위칭 소자(Qc)가 턴 온 된다. 이에 따라 데이터선(171)에 인가된 데이터 전압은 턴 온 된 제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)를 통해 각각 제1 액정 축전기(Clca) 및 제2 액정 축전기(Clcb)에 인가되어 제1 액정 축전기(Clca) 및 제2 액정 축전기(Clcb)는 데이터 전압 및 공통 전압(Vcom)의 차이만큼 충전된다. 이 때, 제1 액정 축전기(Clca) 및 제2 액정 축전기(Clcb)에는 제1 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)를 통해 동일한 데이터 전압이 전달되나 제2 액정 축전기(Clcb)의 충전 전압은 제3 스위칭 소자(Qc)를 통해 분압이 된다. 따라서, 제2 액정 축전기(Clcb)의 충전 전압은 제1 액정 축전기(Clca)의 충전 전압보다 작아지므로 두 부화소(PXa, PXb)의 휘도가 달라질 수 있다. 따라서, 제1 액정 축전기(Clca)에 충전되는 전압과 제2 액정 축전기(Clcb)의 충전되는 전압을 적절히 조절하면 측면에서 바라보는 영상이 정면에서 바라보는 영상에 최대한 가깝게 되도록 할 수 있고, 이에 따라 측면 시인성을 개선할 수 있다.
그러나 본 발명이 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소(PX)의 구조는 도 14에 도시한 실시예에 한정되는 것은 아니고 다양할 수 있다.
이하에서는 도 15의 실시예를 살펴본다.
본 발명의 실시예에 의한 액정 표시 장치는 복수의 게이트선(GL)과 복수의 데이터선(DL), 복수의 유지 전극선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결되어 있는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 각 화소(PX)는 한 쌍의 제1 및 제2 부화소(PXa, PXb)를 포함하고, 제1 부화소(PXa)에는 제1 부화소 전극이 형성되고, 제2 부화소(PXb)에는 제2 부화소 전극이 형성된다.
본 발명의 실시예에 의한 액정 표시 장치는 게이트선(GL) 및 데이터선(DL)에 연결되어 있는 스위칭 소자(Q), 스위칭 소자(Q)와 연결되어 제1 부화소(PXa)에 형성되는 제1 액정 축전기(Clca)와 제1 유지 축전기(Csta), 스위칭 소자(Q)와 연결되어 제2 부화소(PXb)에 형성되는 제2 액정 축전기(Clcb)와 제2 유지 축전기(Cstb), 및 스위칭 소자(Q) 및 제2 액정 축전기(Clcb) 사이에 형성되는 보조 축전기(Cas)를 더 포함한다.
스위칭 소자(Q)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GL)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(DL)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 제1 액정 축전기(Clca), 제1 유지 축전기(Csta), 보조 축전기(Cas)와 연결되어 있다.
보조 축전기(Cas)의 일측 단자는 스위칭 소자(Q)의 출력 단자에 연결되고, 타측 단자는 제2 액정 축전기(Clcb) 및 제2 유지 축전기(Cstb)에 연결된다.
보조 축전기(Cas)에 의해 제2 액정 축전기(Clcb)의 충전 전압이 제1 액정 축전기(Clca)의 충전 전압보다 낮게 하여 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도 16의 실시예를 살펴본다.
본 발명의 실시예에 의한 액정 표시 장치는 복수의 게이트선(GLn, GLn+1), 복수의 데이터선(DL), 복수의 유지 전극선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결되어 있는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 각 화소(PX)는 한 쌍의 제1 및 제2 부화소(PXa, PXb)를 포함하고, 제1 부화소(PXa)에는 제1 부화소 전극이 형성되고, 제2 부화소(PXb)에는 제2 부화소 전극이 형성된다.
본 발명의 실시예에 의한 액정 표시 장치는 게이트선(GLn) 및 데이터선(DL)에 연결되어 있는 제1 스위칭 소자(Qa)와 제2 스위칭 소자(Qb), 제1 스위칭 소자(Qa)와 연결되어 제1 부화소(PX)에 형성되는 제1 액정 축전기(Clca)와 제1 유지 축전기(Csta), 제2 스위칭 소자(Qb)와 연결되어 제2 부화소에 형성되는 제2 액정 축전기(Clcb)와 제2 유지 축전기(Cstb), 제2 스위칭 소자(Qb)와 연결되고 다음 단의 게이트선(GLn+1)에 의해 스위칭되는 제3 스위칭 소자(Qc), 및 제3 스위칭 소자(Qc)와 연결되어 있는 보조 축전기(Cas)를 더 포함한다.
제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)는 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GLn)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(DL)과 연결되어 있으며, 출력 단자는 각각 제1 액정 축전기(Clca) 및 제1 유지 축전기(Csta), 제2 액정 축전기(Clcb) 및 제2 유지 축전기(Cstb)와 각각 연결되어 있다.
제3 스위칭 소자(Qc) 역시 하부 표시판(100)에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 제어 단자는 다음 단의 게이트선(GLn+1)과 연결되어 있고, 입력 단자는 제2 액정 축전기(Clcb)와 연결되어 있으며, 출력 단자는 보조 축전기(Cas)와 연결되어 있다.
보조 축전기(Cas)의 일측 단자는 제3 스위칭 소자(Qc)의 출력 단자에 연결되고, 타측 단자는 유지 전극선(SL) 에 연결된다.
본 발명의 실시예에 의한 액정 표시 장치의 동작을 살펴보면, 게이트선(GLn)에 게이트 온 전압이 인가되면 이에 연결된 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)가 턴 온 되고, 데이터선(171)의 데이터 전압이 제1 및 제2 부화소 전극에 인가된다.
이어, 게이트선(GLn)에 게이트 오프 전압이 인가되고, 다음 단의 게이트선(GLn+1)에 게이트 온 전압이 인가되면 제1 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)는 턴 오프되고 제3 스위칭 소자(Qc)는 턴 온된다. 이에 따라 제2 스위칭 소자(Qb)의 출력 단자와 연결된 제2 부화소 전극의 전하가 보조 축전기(Cas)로 흘러 들어 제2 액정 축전기(Clcb)의 전압이 하강한다.
이와 같이 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)의 충전 전압을 다르게 하여 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도 17의 실시예를 살펴본다.
본 발명의 실시예에 의한 액정 표시 장치는 복수의 게이트선(GL), 복수의 데이터선(DL1, DL2), 복수의 유지 전극선(SL)을 포함하는 신호선과 이에 연결되어 있는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 각 화소(PX)는 한 쌍의 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clab)와 제1 및 제2 유지 축전기(Csta, Cstb)를 포함한다.
각 부화소는 하나의 액정 축전기와 유지 축전기를 포함하며, 추가적으로 하나의 박막 트랜지스터(Q)를 포함한다. 하나의 화소에 속하는 두 부화소의 박막 트랜지스터(Q)는 동일한 게이트선(GL)에 연결되어 있지만, 서로 다른 데이터선(DL1, DL2)에 연결되어 있다. 서로 다른 데이터선(DL1, DL2)은 서로 다른 레벨의 데이터 전압을 동시에 인가하여 두 부화소의 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)가 서로 다른 충전 전압을 가지도록 한다. 그 결과 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도 18의 실시예를 살펴본다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도 27에 도시된 바와 같이 게이트선(GL), 데이터선(DL), 제1 전원선(SL1), 제2 전원선(SL2), 게이트선(GL) 및 데이터선(DL)에 연결되는 제1 스위칭 소자(Qa), 제2 스위칭 소자(Qb)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 스위칭 소자(Qa)에 연결되는 보조 승압 축전기(Csa) 및 제1 액정 축전기(Clca), 제2 스위칭 소자(Qb)에 연결되는 보조 감압 축전기(Csb) 및 제2 액정 축전기(Clcb)를 더 포함한다.
제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로 이루어진다. 제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)는 동일한 게이트선(GL) 및 동일한 데이터선(DL)에 연결되어 동일한 타이밍에 턴 온되어 동일한 데이터 신호를 출력한다.
제1 전원선(SL1) 및 제2 전원선(SL2)에는 일정한 주기를 가지고 스윙하는 형태의 전압이 인가된다. 제1 전원선(SL1)에는 일정 주기(예를 들면, 1H) 동안 제1 저전압이 인가되고, 그 다음 일정 주기 동안 제1 고전압이 인가된다. 제2 전원선(SL2)에는 일정 주기 동안 제2 고전압이 인가되고, 그 다음 일정 주기 동안 제2 저전압이 인가된다. 이때, 제1 주기와 제2 주기는 한 프레임 동안 복수 회 반복되어 제1 전원선(SL1)과 제2 전원선(SL2)에는 스윙하는 형태의 전압이 인가되는 것이다. 이때, 제1 저전압과 제2 저전압은 동일하고 제1 고전압과 제2 고전압도 동일할 수 있다.
보조 승압 축전기(Csa)는 제1 스위칭 소자(Qa) 및 제1 전원선(SL1)에 연결되고, 보조 감압 축전기(Csb)는 제2 스위칭 소자(Qb) 및 제2 전원선(SL2)에 연결된다.
보조 승압 축전기(Csa)가 제1 스위칭 소자(Qa)와 연결된 부분의 단자(이하, '제1 단자'라 함)의 전압(Va)은 제1 전원선(SL1)에 제1 저전압이 인가되면 낮아지고, 제1 고전압이 인가되면 높아진다. 그 후 제1 전원선(SL1)의 전압이 스윙함에 따라서 제1 단자의 전압(Va)도 스윙하게 된다.
또한, 보조 감압 축전기(Csb)가 제1 스위칭 소자(Qb)와 연결된 부분의 단자(이하, '제2 단자'라 함)의 전압(Vb)은 제2 전원선(SL2)에 제2 고전압이 인가되면 높아지고, 제2 저전압이 인가되면 낮아진다. 그 후 제2 전원선(SL2)의 전압이 스윙함에 따라서 제2 단자의 전압(Vb)도 스윙하게 된다.
이와 같이 두 부화소에 동일한 데이터 전압이 인가되더라도 제1 및 제2 전원선(SL1, SL2)에서 스윙하는 전압의 크기에 따라서 두 부화소의 화소 전극의 전압(Va, Vb)가 변화되므로 이를 통하여 두 부화소의 투과율을 다르게 하고 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
도 15 내지 도 18의 실시예에서는 기준 전압선이 사용되지 않지만, 데이터선에 평행한 어떠한 선을 사용하여 화소의 표시 영역의 중앙을 세로로 가로지르도록 형성하여 표시 품질을 향상시킨다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100, 200 : 표시판 121 : 게이트선
124 : 게이트 전극 131 : 기준 전압선
140 : 게이트 절연막 154 : 반도체
171 : 데이터선 173 : 소스전극
175 : 드레인 전극 180b : 절연막
184a, 185a, 185b : 접촉 구멍 191 : 화소 전극
191a : 제1 부화소 전극 191b : 제2 부화소 전극
192a, 192b : 가로 줄기부 194a, 194b : 미세 가지부
195a, 195b : 연결부 210 : 제2 절연 기판
220 : 차광 부재 230 : 색 필터

Claims (18)

  1. 제1 절연 기판,
    상기 제1 절연 기판 위에 위치하는 절연막,
    제1 전압이 인가되며 상기 절연막 아래에 위치하는 제1 부영역 전극과 상기 제1 전압이 인가되며 상기 절연막 위에 위치하는 제2 부영역 전극을 포함하는 제1 부화소 전극 및 상기 절연막 위에 위치하며 제2 전압이 인가되는 제2 부화소 전극을 포함하는 화소 전극,
    상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 및
    상기 제2 절연 기판 위에 위치하며, 공통 전압이 인가되는 공통 전극을 포함하고,
    상기 제1 영역은 상기 제2 부화소 전극의 일부와 중첩하고, 상기 제1 전압과 상기 공통 전압의 차이는 상기 제2 전압과 상기 공통 전압의 차이보다 크며,
    상기 공통 전압과 상기 화소 전극 사이의 전압 차이에 따라 상기 제2 부영역 전극이 위치하는 제1 부분, 상기 제1 부영역 전극과 상기 제2 부화소 전극이 중첩하는 제2 부분, 상기 제2 부화소 전극에서 상기 제1 부영역 전극과 중첩하지 않는 제3 부분으로 구분되며,
    상기 절연막 위에 위치하는 상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극은 서로 다른 두 방향으로 연장된 복수의 미세 가지부를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 부분, 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분 순으로 상기 공통 전압과의 전압 차이가 감소하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 부화소 전극과 상기 제2 부화소 전극은 간극을 사이에 두고 이웃하는 상부 단위 전극 및 하부 단위 전극을 포함하는 표시 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 제1 부영역 전극 및 상기 제2 부영역 전극은 접촉 구멍을 통해 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 제1 부영역 전극은 상기 제2 부화소 전극의 일부와 중첩하며, 중첩하는 부분에 대해 통판 형태인 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 표시 장치는 소정의 곡률 반경을 가지는 곡면형인 표시 장치.
  7. 제2항에서,
    상기 제2 부영역 전극 및 상기 제2 부화소 전극은 각각 가로 줄기부를 포함하며,
    상기 복수의 미세 가지부는 상기 가로 줄기부로부터 서로 다른 두 방향으로 기울어지게 연장되는 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 절연 기판, 상기 절연막 및 상기 화소 전극을 포함하는 하부 표시판,
    상기 제2 절연 기판 및 상기 공통 전극을 포함하는 상부 표시판, 및
    상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판 사이에 주입된 액정층을 더 포함하고,
    상기 가로 줄기부의 일측에 위치하는 상기 액정층의 액정 분자는 제1 방향으로 배열되고,
    상기 가로 줄기부의 다른 일측에 위치하는 상기 액정층의 액정 분자는 제2 방향으로 배열되는 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 가로 줄기부의 일측에 위치하는 상기 복수의 미세 가지부와 상기 가로 줄기부의 다른 일측에 위치하는 상기 복수의 미세 가지부는 실질적으로 연장되는 방향이 반대 방향인 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제2 부화소 전극의 가로 줄기부는 상기 제2 부영역 전극과 중첩하는 부분에 대해 제거된 표시 장치.
  11. 제2항에서,
    상기 제2 부영역 전극과 상기 제2 부화소 전극은 평면상으로 사각형을 형성하는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제2 부영역 전극과 상기 제2 부화소 전극은 상기 가로 줄기부에 대해 상이한 기울기를 가지며 소정의 간격으로 이격된 경계를 가지는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 부영역 전극은 상기 경계의 평면 형상과 대응하는 통판 형태인 표시 장치.
  14. 제2항에서,
    상기 제1 부화소 전극 및 상기 제2 부화소 전극은 각각 상판 단위 전극과 하판 단위 전극을 연결하는 제1 연결부 및 제2 연결부를 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 제1 연결부는 상기 제1 부영역 전극 또는 상기 제2 부영역 전극 중 어느 하나와 동일한 층에 위치하는 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 연결부는 상기 제1 부영역 전극과 동일한 층에 위치하며, 상기 가로 줄기부와 평행한 표시 장치.
  17. 제14항에서,
    상기 제2 연결부는 상기 제2 부화소 영역의 상기 미세 가지부의 끝 부분에서 연장되어 상기 상부 단위 전극과 상기 하부 단위 전극을 연결하는 표시 장치.
  18. 제1항에서,
    상기 제1 부화소 전극에 연결된 제1 박막 트랜지스터,
    상기 제2 부화소 전극에 연결된 제2 박막 트랜지스터, 및
    상기 제2 박막 트랜지스터와 연결된 분압 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9921434B2 (en) 2015-06-26 2018-03-20 Samsung Display Co. Ltd. Liquid crystal display device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160085387A (ko) * 2015-01-07 2016-07-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
CN105093727B (zh) * 2015-09-24 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、曲面显示面板、曲面显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001264809A (ja) * 2000-03-17 2001-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2002014374A (ja) * 2000-04-28 2002-01-18 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2006195255A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Casio Comput Co Ltd ディスプレイパネル
JP2006338024A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
KR20070000109A (ko) * 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US20090322974A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and driving method thereof
US20130002625A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Au Optronics Corporation Pixel structure and method of driving the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW373114B (en) 1996-08-05 1999-11-01 Sharp Kk Liquid crystal display device
TWI277042B (en) 2003-10-28 2007-03-21 Seiko Epson Corp Electro-optical device, electronic equipment, and method of manufacturing electro-optical device
KR100659075B1 (ko) 2004-12-01 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 곡면형 플라즈마 디스플레이 패널, 그 제조 방법 및 이를구비한 곡면형 플라즈마 디스플레이 장치
JP2006251161A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
KR20060102220A (ko) 2005-03-23 2006-09-27 삼성전자주식회사 표시장치
JP2007333818A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 Sharp Corp 表示パネル
JP5322427B2 (ja) 2007-12-19 2013-10-23 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP5095828B2 (ja) 2008-12-26 2012-12-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2013025015A (ja) 2011-07-20 2013-02-04 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法
KR101995919B1 (ko) * 2013-01-30 2019-07-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001264809A (ja) * 2000-03-17 2001-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2002014374A (ja) * 2000-04-28 2002-01-18 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2006195255A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Casio Comput Co Ltd ディスプレイパネル
JP2006338024A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置
KR20070000109A (ko) * 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US20090322974A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and driving method thereof
KR20100000682A (ko) * 2008-06-25 2010-01-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 구동 방법
US20130002625A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Au Optronics Corporation Pixel structure and method of driving the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9921434B2 (en) 2015-06-26 2018-03-20 Samsung Display Co. Ltd. Liquid crystal display device

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