JP5785367B2 - スイッチング電源 - Google Patents

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Description

本発明は、スイッチング電源に関する。
近年では、車両の燃費性能及び環境保護性能を向上させる技術の1つとして、車両にエンジンとモータの2つの動力源を搭載し、走行状況に応じて両者を協調制御するハイブリッドシステムの導入が進んでいる。このハイブリッドシステムでは、モータを駆動する場合、高電圧バッテリから出力される直流電圧をインバータによって3相交流電圧に変換してモータに供給することが一般的である。
また、このハイブリッドシステムでは、インバータの入力側に設けられた平滑コンデンサにスイッチング電源を接続し、モータ駆動時に平滑コンデンサに蓄えられた高電圧電力を、スイッチング電源によって低電圧電力に変換して低電圧バッテリに蓄えることにより、エネルギー効率の向上及び感電事故の防止を図っている。
このように車両に搭載されるスイッチング電源には、高い信頼性に加えて高性能化、小型化及び低コスト化が要求されるため、従来から様々な改良技術が提案されている。例えば、下記特許文献1には、配線距離の延長を抑制しつつ、各磁気回路部品間の相互電磁干渉を低減可能なスイッチング電源(DC−DCコンバータ)の構成が開示されている。
特開2001−314080号公報
上記特許文献1に開示されたスイッチング電源では、各構成部品の配置(レイアウト)を、電磁干渉や配線距離を考慮しながら設計する必要があるため、小型化が困難であった。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、小型化が容易なスイッチング電源を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明では、スイッチング電源に係る解決手段として、1次側に1次コイル及び共振コイルを有し、2次側に2次コイル及び平滑コイルを有するトランスと、前記トランスの1次側に接続されるスイッチング素子と前記トランスの2次側に接続される整流素子とが実装されたパワーモジュールとを備える、という手段を採用する。
これによると、スイッチング電源をトランス及びパワーモジュールの2部品で構成でき、小型化が容易となる。また、トランスとパワーモジュール間の配線距離を短くでき、配線抵抗の低減が可能である。
本発明によれば、小型化が容易なスイッチング電源を提供することができる。
本実施形態におけるインダクタ1の分解斜視図及び組立て後の斜視図である。 2つのインダクタ1を組み合わせて得られる合成インダクタの斜視図及びその等価回路図である。 図2に示す合成インダクタを2つ隣り合うように配置した状態を示す斜視図及びその等価回路図である。 本実施形態におけるトランス100の分解斜視図、組立て後の斜視図及び等価回路図である。 本実施形態におけるスイッチング電源SSの回路構成図である。 スイッチング電源SSにおいて、スイッチング回路200及び整流回路300を実装したパワーモジュール400とトランス100とを接続した状態を示す外観斜視図である。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下では、説明の便宜上、本実施形態におけるスイッチング電源を説明するに当って、始めにスイッチング電源が備えるトランスの構成部品であるインダクタについて説明する。
〔インダクタ〕
図1(a)は、本実施形態におけるインダクタ1の分解斜視図であり、図1(b)は、組立て後におけるインダクタ1の斜視図である。これらの図に示すように、本実施形態におけるインダクタ1は、コア10、絶縁ケース20及び平板状コイル30から構成されている。
コア10は、例えば平面的に矩形をなすE字型のフェライトコアであり、長辺方向の両端部に突出するように形成された外磁脚11及び12と、これら外磁脚11と12との間の中間位置において並列的に突出するように形成された内磁脚13とを有している。内磁脚13は、コア10の短辺方向に対して高さの異なる2つの領域に区分されるように段差部が形成されている。この内磁脚13において高い領域の頂上面(以下、第1頂上面と称す)13aと、外磁脚11、12の頂上面11a、12aとは、互いに同一の高さとなるように寸法設定されているが、内磁脚13において低い領域の頂上面(以下、第2頂上面と称す)13bは、少なくとも第1頂上面13aより低くなるように寸法設定されている。
また、コア10において、外磁脚11と内磁脚13との間には底面14aを有する溝部14が形成され、外磁脚12と内磁脚13との間には底面15aを有する溝部15が形成されている。なお、コア10において、一方のE字形状の側面を10a、他方のE字形状の側面を10b、一方の矩形状の側面を10c、他方の矩形状の側面を10d、各磁脚頂上面11a、12a及び13aに対して反対側の面(裏面)を10eとする。
絶縁ケース20は、コア10の外磁脚11、12の頂上面11a、12aと、内磁脚13の第1頂上面13a及び第2頂上面13bと、裏面10eとが露出し、その他の面が被覆されるように加工形成された絶縁部材である。つまり、この絶縁ケース20には、コア10の各磁脚頂上面11a、12a、13a及び13bを露出させるための開口部21、22、23と、裏面10eを露出させるための開口部24とが設けられている。このような絶縁ケース20をコア10に装着することで、コア10の各磁脚頂上面11a、12a、13a、13b及び裏面10eは外部に露出する一方、各溝部底面14a、15a及び各側面10a、10b、10c、10dを含む他の面は絶縁ケース20によって被覆された状態となる(図1(b)参照)。
平板状コイル30は、コア10の側面10a、10b、10d及び溝部底面14a、15aを沿うように折り曲げ加工によって形成された平板状配線部材(バスバー)である。つまり、この平板状コイル30は、コア10の側面10aを沿うように形成された導電路31と、溝部底面14a、15aを沿うように形成された導電路32、33と、側面10bを沿うように形成された導電路34、35と、側面10dを沿うように形成された導電路36とを有している。
詳細には、導電路31は、コア10の側面10aにおいて溝部14から15までの区間を沿うように、コア10の長辺方向と平行に延設されている。導電路32は、溝部底面14aの全区間を沿うように、導電路31の溝部14側の端部から屈曲してコア10の短辺方向と平行に延設されている。導電路33は、溝部底面15aの全区間を沿うように、導電路31の溝部15側の端部から屈曲してコア10の短辺方向と平行に延設されている。
導電路34は、コア10の側面10bにおいて溝部14から側面10dまでの区間を沿うように、導電路32の側面10b側の端部から屈曲してコア10の長辺方向と平行に延設されている。導電路35は、コア10の側面10bにおける溝部15から側面10cまでの区間を沿うように、導電路33の側面10b側の端部から屈曲してコア10の長辺方向と平行に延設されている。導電路36は、コア10の側面10dにおいて側面10bから中央位置までの区間を沿うように、導電路34の側面10d側の端部から屈曲してコア10の短辺方向と平行に延設されている。
また、この平板状コイル30は、導電路35の端部(導電路33に対して反対側の端部)からコア10の短辺方向に屈曲して形成された端子部37と、導電路36の端部(導電路34に対して反対側の端部)からコア10の長辺方向に屈曲して形成された端子部38とを有している。これら端子部37、38には、それぞれネジ止め固定を可能とする貫通孔37a、38aが設けられている。このような平板状コイル30を、絶縁ケース20が装着されたコア10に絶縁ケース20の上から配置することで、図1(b)に示すインダクタ1が得られる。
図2(a)は、上述した構成のインダクタ1を2つ使用し、絶縁ケース20及び平板状コイル30がそれぞれ付加された状態で、2つのコア10をそれぞれの各磁脚頂上面11a、12a及び13aが向かい合って当接するように組み合わせた状態を示す斜視図である。なお、図2(a)では、2つのインダクタ1を区別するために、一方のインダクタ1及びその構成要素の符号に「A」を付記し、他方のインダクタ1及びその構成要素の符号に「B」を付記している。また、以下の説明において、必ずしも両者を区別する必要がない場合には、符号に「A」或いは「B」を付記しない場合がある。
図2(a)に示すように、同一構成の2つのインダクタ1A、1Bを組み合わせることにより、2つの平板状コイル30A、30Bの端子部38A、38Bは、外磁脚11側の側面10dの中央位置で重なり合って接続し、2つの平板状コイル30A、30Bの端子部37A、37Bは、外磁脚12側の側面10cで離間する。言い換えれば、2つのインダクタ1A、1Bを組み合わせた場合に、図2(a)に示す状態となるように、平板状コイル30は加工形成されている。
また、図2(a)に示すように、2つのインダクタ1A、1Bにおけるコア10A、10Bが組み合わされることで、両者の外磁脚11と内磁脚13との間の溝部14による空間S1が形成され、両者の外磁脚12と内磁脚13との間の溝部15による空間S2が形成される。これらの空間S1、S2を利用して1次コイルを巻回することで、後述するような平板状コイル30A、30Bを2次コイルとして使用するトランスを得ることが可能となる。
ここで、上記のように、2つのインダクタ1A、1Bのコア10A、10Bをそれぞれの各磁脚頂上面11a、12a及び13aが向かい合って当接するように組み合わせた場合、コア10Aの内磁脚13Aの第2頂上面13bと、コア10Bの内磁脚13Bの第2頂上面13bとの間にギャップが形成される。つまり、コア10A、10Bを対向するように組み合わせた場合、ギャップを有する磁路とギャップの無い磁路とが形成されるため、同一のコイルで異なる2つのインダクタンスを形成することができるようになる。
すなわち、内磁脚13に段差が形成されたコア10を用いることにより、1次コイルの一部を共振コイルとして利用し、2次コイル(平板状コイル30)の一部を平滑コイルとして利用することが可能となり、コア10を1次コイル用、2次コイル用、共振コイル用及び平滑コイル用のコアとして共通化することが可能となる。
図2(b)は、図2(a)のように組み合わされたインダクタ1A、1B(以下、合成インダクタと称す)の等価回路図である。この図2(b)に示すように、合成インダクタの等価回路は、コア10Aに巻回されて一端を端子部37A、他端を端子部38Aとする平板状コイル30Aと、コア10Bに巻回されて一端を端子部37B、他端を端子部38Bとする平板状コイル30Bとが直列接続された構成となる。ここで、平板状コイル30Aは、2次コイル30A1と平滑コイル30A2の直列回路と等価であり、平板状コイル30Bは、2次コイル30B1と平滑コイル30B2の直列回路と等価である。なお、平板状コイル30Aと30Bの接続部分である端子部38A、38Bは、後述するトランスのセンタータップとして利用できる。
図3(a)は、図2(a)に示す合成インダクタを、さらにもう1組用意して隣り合うように配置した状態を示す斜視図である。なお、図3(a)では、追加したもう1組の合成インダクタを構成する一方のインダクタ1及びその構成要素の符号に「C」を付記し、他方のインダクタ1及びその構成要素の符号に「D」を付記している。
つまり、等価回路としては、図3(b)に示すように、コア10Cに巻回されて一端を端子部37C、他端を端子部38Cとする平板状コイル30C(2次コイル30C1と平滑コイル30C2の直列回路と等価)と、コア10Dに巻回されて一端を端子部37D、他端を端子部38Dとする平板状コイル30D(2次コイル30D1と平滑コイル30D2の直列回路と等価)とが直列接続された部分が追加される。この場合、平板状コイル30Cと30Dの接続部分である端子部38C、38Dは、後述するトランスのセンタータップとして利用できる。
このように2つの合成インダクタを隣り合うように配置した構成において、2つの合成インダクタのそれぞれに形成される空間S1、S2を利用して1次コイルを巻回すると、後述のような2次側が2系統に分割され、且つ平滑コイル及び共振コイルが一体的に組み込まれた分割型トランスを得ることができる。
〔トランス〕
続いて、本実施形態におけるトランス100について説明する。図4(a)は、本実施形態におけるトランス100の分解斜視図であり、図4(b)は、組立て後におけるトランス100の斜視図であり、図4(c)は、トランス100の等価回路図である。なお、本実施形態におけるトランス100は、図3(a)に示した2組の合成インダクタのそれぞれに形成される空間S1、S2を利用して1次コイル40を巻回して得られるものであり、2次側が2系統に分割され、且つ平滑コイル及び共振コイルが一体的に組み込まれた分割型トランスである。
つまり、図4(a)に示すように、本実施形態におけるトランス100は、コア10A、絶縁ケース20A及び平板状コイル(2次コイル)30Aからなるインダクタ1Aと、コア10B、絶縁ケース20B及び平板状コイル30Bからなるインダクタ1Bと、コア10C、絶縁ケース20C及び平板状コイル30Cからなるインダクタ1Cと、コア10D、絶縁ケース20D及び平板状コイル30Dからなるインダクタ1Dと、環状に巻回形成された1次コイル40とから構成されている。
1次コイル40は、環状部41と、該環状部41の内側に形成された孔部42と有しており、さらに、1次コイル40の両端には1次側回路(スイッチング回路)と接続するための1次側接続端子P11、P12が接続されている。
このような1次コイル40の孔部42に対し、インダクタ1Aにおけるコア10Aの内磁脚13Aを嵌め込む(同時にコア10Aの溝部14A、15Aに1次コイル40の環状部41が嵌め込まれる)一方、インダクタ1Aと対向する側から、インダクタ1Bにおけるコア10Bの内磁脚13Bを嵌め込む(同時にコア10Bの溝部14B、15Bに1次コイル40の環状部41が嵌め込まれる)ことで、インダクタ1Aと1Bを1次コイル40を挟んで組み合わせ、同様に、インダクタ1Cと1Dとを1次コイル40を挟んで組み合わせることにより、図4(b)に示すようなトランス100が得られる。
なお、図4(b)に示すように、平板状コイル30A、30B、30C、30Dの端子部37A、37B、37C、37Dには、2次側回路(整流回路)と接続するための2次側接続端子P21、P22、P23、P24が接続されている。また、以下では、説明の便宜上、平板状コイル30Aと30Bの接続部分である端子部38A、38BをセンタータップCT1と称し、平板状コイル30Cと30Dの接続部分である端子部38C、38DをセンタータップCT2と称する(図4(b)、(c)参照)。
図4(c)に示すように、トランス100の等価回路は、図3(b)に示した等価回路に、1次側接続端子P11、P12が両端に接続された1次コイル40が追加された構成となる。上述したように、1次コイル40の一部は共振コイルとして利用することができるため、1次コイル40は、1次コイル40aと共振コイル40b、40cの直列回路と等価である。このような回路構成のトランス100において、1次側接続端子P11、P12に1次交流電圧を印加すると、1次コイル40aと2次コイル30A1、30B1、30C1、30D1のそれぞれの巻数比に応じた2次交流電圧が、2次側接続端子P21とセンタータップCT1の端子間、2次側接続端子P22とセンタータップCT1の端子間、2次側接続端子P23とセンタータップCT2の端子間、及び2次側接続端子P24とセンタータップCT2の端子間に発生することになる。
〔スイッチング電源〕
続いて、本実施形態におけるスイッチング電源SSについて説明する。図5は、本実施形態におけるスイッチング電源SSの回路構成図である。この図5に示すように、本実施形態におけるスイッチング電源SSは、図4に示したトランス100と、トランス100の1次側に接続されたスイッチング回路200と、トランス100の2次側に接続された整流回路300とから構成されている。
トランス100の回路構成は、図4(c)と同様であるので説明を省略する。スイッチング回路200は、外部から入力される直流電圧を、スイッチング動作によって1次交流電圧に変換してトランス100の1次側に出力する回路であり、直流電圧を入力するための正極入力端子201及び負極入力端子202と、平滑コンデンサ203と、4つのトランジスタ204、205、206、207と、4つのスナバダイオード208、209、210、211とから構成されている。
平滑コンデンサ203の一端は正極入力端子201と接続され、他端は負極入力端子202と接続されている。各トランジスタ204、205、206、207は、例えばn型の電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transister)である。トランジスタ204と206のドレイン端子は正極入力端子201と接続され、トランジスタ205と207のソース端子は負極入力端子202と接続されている。そして、トランジスタ204のソース端子とトランジスタ205のドレイン端子が接続され、トランジスタ206のソース端子とトランジスタ207のドレイン端子が接続されている。なお、トランジスタ207のドレイン端子(トランジスタ206のソース端子)は、トランス100の1次側接続端子P12と接続されている。
また、図5では図示を省略しているが、各トランジスタ204、205、206、207のゲート端子はPWM(Pulse Width Modulation)制御回路と接続されている。つまり、各トランジスタ204、205、206、207のオン/オフ動作(スイッチング動作)は、PWM制御回路から各ゲート端子に入力されるPWM信号によって制御されている。
スナバダイオード208は、トランジスタ204のドレイン−ソース端子間に並列接続されている。スナバダイオード209は、トランジスタ205のドレイン−ソース端子間に並列接続されている。スナバダイオード210は、トランジスタ206のドレイン−ソース端子間に並列接続されている。スナバダイオード211は、トランジスタ207のドレイン−ソース端子間に並列接続されている。
一方、整流回路300は、トランス100から出力される2次交流電圧を、整流作用によって直流電圧に変換して外部に出力する回路であり、4つの整流ダイオード301、302、303、304と、平滑コンデンサ305と、第1出力端子306と、第2出力端子307とから構成されている。
整流ダイオード301のカソード端子はトランス100の2次側接続端子P21に接続され、アノード端子は第1出力端子306と接続されている。整流ダイオード302のカソード端子はトランス100の2次側接続端子P22に接続され、アノード端子は第1出力端子306と接続されている。整流ダイオード303のカソード端子はトランス100の2次側接続端子P23に接続され、アノード端子は第1出力端子306と接続されている。整流ダイオード304のカソード端子はトランス100の2次側接続端子P24に接続され、アノード端子は第1出力端子306と接続されている。平滑コンデンサ305の一端は第1出力端子306と接続され、他端は第2出力端子307と接続されている。また、トランス100のセンタータップCT1及びCT2も第2出力端子307と接続されている。
このように、本実施形態におけるスイッチング電源SSは、トランス100の2次側出力時において、2次コイル30A1、30B1、30C1、30D1のそれぞれと1対1で接続された平滑コイル30A2、30B2、30C2、30D2によってリプル成分を吸収しつつ、センタータップCT1、CT2から電流を出力する構成を採用している。
図6(a)は、スイッチング電源SSにおいて、上記のスイッチング回路200及び整流回路300が実装されたパワーモジュール400とトランス100を接続した状態を示す外観斜視図である。パワーモジュール400は、アルミ基板401と、アルミ基板401上における両方の長辺側の中央位置に配置されたコネクタ402、403と、アルミ基板401上においてコネクタ402と403間の領域に配置されたトランジスタパッケージ404、405、406、407、コンデンサパッケージ408、409、及びダイオードパッケージ410、411、412、413とから構成されている。
トランジスタパッケージ404、405、406、407には、スイッチング回路200におけるトランジスタ203、204、205、206がそれぞれ内包されている。コンデンサパッケージ408には、スイッチング回路200における平滑コンデンサ203が内包され、コンデンサパッケージ409には、整流回路300における平滑コンデンサ305が内包されている。ダイオードパッケージ410、411、412、413には、整流回路300における整流ダイオード301、302、303、304がそれぞれ内包されている。これらの各回路素子を内包するパッケージは、図5に示したスイッチング回路200及び整流回路300が形成されるように、アルミ基板401上において結線されている。
また、コネクタ402は、外部入力される直流電圧と、不図示のPWM制御回路から入力されるPWM信号(各トランジスタ203、204、205、206のゲート端子に入力される信号)とを受けてスイッチング回路200に出力する役割と、トランス100の2次側から出力される2次交流電圧を受けて整流回路300に出力する役割と、整流回路300から出力される直流電圧を受けて後述の外部出力端子603に出力する役割を担うコネクタであり、垂直上方に突出するように配置された各信号の入出力端子402aを有している。コネクタ403は、アルミ基板401上のスイッチング回路200から出力される1次交流電圧を受けて、トランス100の一次側に出力する役割を担うコネクタであり、垂直上方に突出するように配置された出力端子403aを有している。
このようなパワーモジュール400のアルミ基板401には、その対角線上の両端に貫通孔401a、401bが形成されており、ワッシャー付きのネジN1、N2を貫通孔401a、401bに貫通させて、冷却板500上に設けられているネジ孔に締結することにより、パワーモジュール400を冷却板500に固定する。
また、貫通孔61aが形成された押圧部材60をトランス100の上部に配置した状態で、ワッシャー付きのネジN3を貫通孔61aに貫通させ、押圧部材60によってトランス100を上部から押圧しつつ、冷却板500上に設けられているネジ孔に締結することで、トランス100を冷却板500に固定する。トランス100のセンタータップCT1、CT2は、ワッシャー付きのネジN4、N5によってアルミ基板401に締結されることにより、アルミ基板401上の整流回路300と電気的に接続される。なお。冷却板500は、放熱性に優れた材料から形成されており、ヒートシンクとしての役割を担っている。
さらに、冷却板500には、長辺側の縁に沿って四角柱状のボス501、502、503、504が垂直上方に突出するように形成されており、図6(b)に示すように、制御基板600がこれらのボス501、502、503、504にネジ止め固定される。この制御基板600には、トランス100の1次側接続端子P11、P12及び2次側接続端子P21、P22、P23、P24と、パワーモジュール400の入出力端子402a及び出力端子403aとが貫通する貫通孔が設けられている。よって、図6(b)に示すように、制御基板600が冷却板500に固定されると、各端子の先端部分が制御基板600を貫通して露出した状態となる。この状態で、制御基板600上に露出した各端子をハンダ付けすることで、各端子と制御基板600上に形成された配線パターンとを電気的に接続する。
制御基板600には、直流電圧を外部入力するための外部入力端子601、602と、PWM制御回路が設けられており、これら外部入力端子601、602とPWM制御回路の出力端子(つまり、PWM信号の出力端子)は、制御基板600上においてパワーモジュール400の入出力端子402aと電気的に接続される。また、パワーモジュール400の出力端子403aと、トランス100の1次側接続端子P11、P12は、制御基板600上において電気的に接続される。
また、トランス100の2次側接続端子P21、P22、P23、P24と、パワーモジュール400の入出力端子402aは、制御基板600上において電気的に接続される。さらに、制御基板600には、整流回路300から出力される直流電圧を外部に出力するための外部出力端子603は設けられており、この外部出力端子603とパワーモジュール400の入出力端子402aは、制御基板600上において電気的に接続される。このような構成することで、図5に示す回路構成を備えたスイッチング電源SSが得られる。
以上のような本実施形態によれば、スイッチング電源SSをトランス100及びパワーモジュール400の2部品で構成でき、小型化が容易となる。また、トランス100とパワーモジュール400間の配線距離を短くでき、配線抵抗の低減が可能である。
〔変形例〕
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、以下のような変形例が挙げられる。
(1)上記実施形態では、図1に示したような形状を有する平板状コイル(2次コイル)30を例示したが、この平板状コイル30は、少なくともコア10の側面10a、10bと溝部底面14a、15aを沿うような形状をしていれば良く、端子部37、38の有無や位置は特に限定されない。
(2)上記実施形態では、図4に示したように、トランス100として合成インダクタ(インダクタ1が2つ組み合わされたもの)を2組使用する分散型トランスを例示して説明したが、これに限らず、合成インダクタを1組、或いは3組以上の複数使用するトランスを構成しても良い。この場合、合成インダクタの数(2次コイル数、平滑コイル数)に応じて、整流回路400側の整流ダイオードの数も適宜変更すれば良い。
(3)上記実施形態では、高さの異なる2つの領域に区分されるように段差部が形成されている内磁脚13を有するコア10を用いることで、コア10をトランス100の1次コイル用、2次コイル用、共振コイル用及び平滑コイル用のコアとして共通化する場合を例示したが、透磁率が異なる2つの領域に区分されるように異種材料を用いて形成されたコアを用いても、段差部を形成した場合と同様の効果を得ることができる。異種材料としては、例えば、透磁率が高いフェライト材と透磁率が低いダスト材とを用いることができる。
(4)上記実施形態では、図5に示したような回路構成のスイッチング回路200と整流回路300を有するスイッチング電源400を例示して説明したが、これらの回路構成はあくまで一例であり、スイッチング電源400に要求される性能や仕様、或いはトランス100の構成に応じて、スイッチング回路200と整流回路300の回路構成を適宜変更しても良い。
SS…スイッチング電源、1…インダクタ、10…コア、20…絶縁ケース、30(30A1、30B1、30C1、30D1)…2次コイル、30A2、30B2、30C2、30D2…平滑コイル、40(40a)…1次コイル、40b、40c…共振コイル、100…トランス、200…スイッチング回路、203、204、205、206…トランジスタ(スイッチング素子)、300…整流回路、301、302、303、304…整流ダイオード(整流素子)、400…パワーモジュール

Claims (1)

  1. 両端部に形成された外磁脚と、該外磁脚間に形成されて高さ又は透磁率が互いに異なる第1,第2領域が形成された内磁脚とを有する一対のコアを、一方のコアの前記外磁脚、前記内磁脚の前記第1領域、及び前記内磁脚の前記第2領域が、それぞれ他方のコアの前記外磁脚、前記内磁脚の前記第1領域、及び前記内磁脚の前記第2領域と対向するように組み合わせたコア部材と、前記外磁脚と前記内磁脚とによって形成される空間を利用して、前記コア部材の前記内磁脚の周囲に巻回された1次コイルと、前記一対のコアの側面及び前記外磁脚と前記内磁脚との間の溝部底面を沿うように前記コア部材の各々に設けられており、前記外磁脚と前記内磁脚とによって形成される空間において前記1次コイルを挟み込むようにされている2つの2次コイルとを備えるトランスと、
    前記トランスの1次側に接続されるスイッチング素子と前記トランスの2次側に接続される整流素子とが実装されたパワーモジュールと、
    を備えることを特徴とするスイッチング電源。
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