JP5781595B2 - イオンビーム試料準備装置及び方法 - Google Patents
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Description
本願は、先に出願された2010年4月11日に出願された米国仮特許出願第61/322,870号明細書の利益を主張するものである。出願第61/322,870号明細書は参照により本明細書に援用される。
p1)処理が望まれる試料の領域をイオンシールドの使用可能部分に位置合わせするステップ、
p2)試料の所望の領域を1つ又は複数のイオンビームで処理することができるように、BIBSCイオンミリングシステム内で試料とシールドとを位置合わせするステップ、
p3)イオンミリングシステムを、イオンビームミリングに適切な真空レベルまで脱気するステップ、
p4)時には生体内光学顕微鏡撮像等のプロセス監視ステップを使用し、十分な切断深度及び断面品質を確認して、1つ又は複数のイオンミリング動作を実行するステップ、
p5)BIBSCイオンミリング機器を通気し、機器から試料を取り出すステップ。
p6)最終的な解析顕微鏡に試料を導入し、解析を開始できるように、顕微鏡を初期化するステップ、
p7)所望のエリアを撮像できるように、任意の数の顕微鏡の並進移動ステージ、傾斜ステージ、及び回転ステージを調整することにより、準備のできた断面表面の位置を見つけるステップ、
p8)所望の顕微鏡解析又は分光解析を実行するステップ、
p9)試料を顕微鏡から取り出すステップ、
p10)試料を解析した後、試料を再処理して、切断深度、位置、又は角度を変更すると判断し得る−従来ではp1〜p9を繰り返す必要がある。
1.シールド、試料−シールド取り付け装置内のシールド保持装置、BIBSCイオンミル内のシールド保持装置、最終的な解析機器内のシールド保持装置の基準特徴により、処理ステップp1、p2、及びp7での大幅な時間効率が可能であること、
2.シールドに耐久的に接着した試料の一体性及びシールドに単に締め付けられた状態でのより低い程度でのシールドへの試料の一体性により、p4中に、長時間であり、温度が変化してさえも、試料へのシールドの位置合わせが一貫した状態を保持する際により大きな確実性が可能であり、その一方で、この精密な位置合わせが維持されない場合には、断面切断プロセスの品質が低減すること、
3.処理ステップp1においてシールドに耐久的に接着された試料の一体性により、ミリング動作全体を通して試料とシールドとの空間的関係を共に維持する高価でかなり大きな固定装置の必要性がなくなり、複数の固定装置なしで、ミリング前に複数の試料を準備できること、
4.シールドに耐久的に接着されるか、又は締め付けられる試料の一体性により、撮像対物レンズと試料との間に利用される作業距離が最小の場合であっても、顕微鏡で観察する前に、試料をシールドから取り外す必要性がなくなり、これにより、処理ステップp6での試料再取り付け中の時間及び試料が破損する危険性を低減できること、
5.ステップp10でのように試料の再処理が実行される場合、シールドに耐久的に接着されるか、又は締め付けられる試料の一体性により、ステップp1及びp2の必要性をなくすことができ、試料を再び取り付ける間の処理時間及び試料が破損する危険性が大幅に低減すること、及び
6.ステップp10でのように試料の再処理が実行される場合、シールドに耐久的に接着されるか、又は締め付けられる試料の一体性により、試料及びシールドに衝突するイオンビームの角度を変更することで、異なる断面平面を元々の切断の断面平面に非常に近くで切断することができること、
が挙げられるが、これらに限定されない。
8−試料
10−真空チャンバ
18−チャンバカバー
20−イオンビーム放射手段
22−中央イオンビーム軸
40−シールド保持ステージ
42−シールド保持手段
42a−シールド保持手段の第1の部材
42b−シールド保持手段の第2の部材
46−シールド保持位置
48−シールド解放位置
50−回転シールド保持ステージ
52−回転駆動装置
54−回転軸
56−真空封止
60−シールド
61−遮蔽面
61a、61b等−第1の遮蔽面、第2の遮蔽面等
62−試料近接面
63−シールドエッジ
64−溝部
65−可視位置合わせマーク
66−コア材料
67−被覆材料
68−試料締め付け手段
70a、70b、70c、70d、70e、70f−第1の基準特徴、第2の基準特徴、第3の基準特徴、第4の基準特徴、第5の基準特徴、第6の基準特徴
72−基準面
90−真空ポンプ手段
92−ポンプマニフォルド
Claims (42)
- イオンビーム試料準備装置において、
a)真空チャンバ内に配置され、イオンビームをシールドに向けるイオンビーム放射手段と、
b)前記真空チャンバ内に配置されるシールド保持ステージであって、
i)第1の基準特徴、
ii)第2の基準特徴、
iii)少なくともシールド解放位置及びシールド保持位置を有するシールド保持手段
を備える、シールド保持ステージと、
c)少なくとも剛性平坦部を有し、前記シールド保持ステージに着脱可能且つ再配置可能に保持される前記シールドと、
を備え、前記シールドが、
i)前記シールドにより試料を前記真空チャンバ内に保持するために前記試料を前記シールドに耐久的に接着するように構成された試料近接面、
ii)前記イオンビームの経路に配置され、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持されている場合、前記試料に向けられた前記イオンビームの部分を遮蔽するように位置決めされる第1の遮蔽面、
iii)前記イオンビームの部分の経路に配置された部分を有する第2の遮蔽面、
iv)前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間に形成されるシールドエッジ、
v)前記シールドに一体形成される第3の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第3の基準特徴を付勢して、前記第1の基準特徴に当接させる、第3の基準特徴、
vi)前記シールドに一体形成される第4の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第4の基準特徴を付勢して、前記第2の基準特徴に当接させる、第4の基準特徴、及び
vii)前記第2の遮蔽面上の可視位置合わせマークであって、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持される場合、イオンビームが前記シールドエッジに衝突する領域に対して、前記可視位置合わせマークの位置が所定の関係にあるように構成される、可視位置合わせマーク、
をさらに備えることを特徴とする、装置。 - 請求項1に記載の装置において、前記シールド保持ステージが第5の基準特徴をさらに備え、前記シールドが、前記シールドに一体形成された第6の基準特徴をさらに備え、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第6の基準特徴を付勢して、前記第5の基準特徴に当接させることを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が約90度未満且つ約80度を超える角度であることを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が約87度未満且つ約83度を超える角度であることを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が、低いスパッタリング収率を有する非磁性材料で作られることを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記第1の遮蔽面の少なくとも一部がタンタル又はチタンで作られることを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記第3の基準特徴が基準面であり、前記基準面の少なくとも一部が、前記試料近接面の少なくとも一部と同一の広がりを有することを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記試料近接面が、前記シールドと前記試料との間で接着剤を流すための少なくとも1つの溝部を有することを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記シールドが、前記シールドに結合されるように、および前記試料近接面に対して前記試料を保持するように構成された試料締め付け手段をさらに備えることを特徴とする、装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記シールドがコア材料に接合する被覆材料で作られ、前記被覆材料の部分が前記第1の遮蔽面の少なくとも一部を形成し、前記コア材料の部分が、前記シールドの前記第3及び第4の基準特徴を形成することを特徴とする、装置。
- イオンビーム試料準備装置において、
a)真空チャンバ内に配置され、イオンビームをシールドに向けるイオンビーム放射手段と、
b)前記真空チャンバ内に配置される回転シールド保持ステージであって、
i)第1の基準特徴、
ii)第2の基準特徴、
iii)少なくともシールド解放位置及びシールド保持位置を有するシールド保持手段、
iv)実質的に前記第1の基準特徴の平面に配置された回転軸、
v)前記回転軸を中心として前記シールド保持ステージを回転させる回転駆動装置
を備える、回転シールド保持ステージと、
c)少なくとも剛性平坦部を有し、前記シールド保持ステージに着脱可能且つ再配置可能に保持される前記シールドと、
を備え、
前記シールドが、
i)前記シールドに一体形成される第3の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第3の基準特徴を付勢して、前記第1の基準特徴に当接させる、第3の基準特徴、
ii)前記シールドに一体形成される第4の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第4の基準特徴を付勢して、前記第2の基準特徴に当接させる、第4の基準特徴、
iii)前記イオンビームの経路に配置され、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持されている場合、試料に向けられた前記イオンビームの部分を遮蔽するように位置決めされる第1の遮蔽面、
iv)前記シールドにより前記試料を前記真空チャンバ内に保持するために前記試料を前記シールドに耐久的に接着するように構成された試料近接面、
v)前記イオンビームの部分の経路に配置された部分を有する第2の遮蔽面、
vi)前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間に形成されるシールドエッジであって、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持される場合、前記シールドエッジが、前記回転軸に対して略垂直に保持される、シールドエッジ、及び
vii)前記第2の遮蔽面上の可視位置合わせマークであって、前記可視位置合わせマークの位置が、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持される場合、前記イオンビームが前記シールドエッジに衝突する領域に対して所定の関係にあるように構成される、可視位置合わせマーク、
をさらに備えることを特徴とする、装置。 - 請求項11に記載の装置において、前記シールド保持ステージが第5の基準特徴をさらに備え、前記シールドが、前記シールドに一体形成された第6の基準特徴をさらに備え、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第6の基準特徴を前記第5の基準特徴に当接するように促すことを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が約90度未満且つ約80度を超える角度であることを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が約87度未満且つ約83度を超える角度であることを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記第1の遮蔽面が、低いスパッタリング収率を有する非磁性材料で作られることを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記第1の遮蔽面の少なくとも一部がタンタル又はチタンで作られることを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記第3の基準特徴が基準面であり、前記基準面の少なくとも一部が、前記試料近接面の少なくとも一部と同一の広がりを有することを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記試料近接面が、前記シールドと前記試料との間で接着剤を流すための少なくとも1つの溝部を有することを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記シールドが、前記シールドに結合されるように、および前記試料近接面に対して前記試料を保持するように構成された試料締め付け手段をさらに備えることを特徴とする、装置。
- 請求項11に記載の装置において、前記シールドがコア材料に接合する被覆材料で作られ、前記被覆材料の部分が前記第1の遮蔽面の少なくとも一部を形成し、前記コア材料の部分が、前記シールドの前記第3及び第4の基準特徴を形成することを特徴とする、装置。
- イオンビーム試料準備装置内で試料を準備するためのキットにおいて、
a)シールド保持ステージであって、
i)第1の基準特徴、
ii)第2の基準特徴、
iii)少なくともシールド解放位置及びシールド保持位置を有するシールド保持手段
を備える、シールド保持ステージと、
b)少なくとも剛性平坦部を有し、前記シールド保持ステージに着脱可能且つ再配置可能に保持されるシールドと、
を備え、前記シールドが、
i)前記シールドに一体形成される第3の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第3の基準特徴を付勢して、前記第1の基準特徴に当接させる、第3の基準特徴、
ii)前記シールドに一体形成される第4の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第4の基準特徴を付勢して、前記第2の基準特徴に当接させる、第4の基準特徴、
iii)第1の遮蔽面、
iv)前記シールドにより試料を前記真空チャンバ内に保持するために前記試料を前記シールドに耐久的に接着する試料近接面、
v)前記イオンビームの部分の経路に配置された部分を有する第2の遮蔽面、
vi)前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間に形成されるシールドエッジ、及び
vii)前記第2の遮蔽面上の可視位置合わせマークであって、前記シールドが前記シールド保持手段の前記シールド保持位置に保持される場合、前記可視位置合わせマークの位置が、前記イオンビームが前記シールドエッジに衝突する領域に対して所定の関係にあるように構成される、可視位置合わせマーク、
をさらに備えることを特徴とする、キット。 - 請求項21に記載のキットにおいて、前記シールド保持ステージが第5の基準特徴をさらに備え、前記シールドが、前記シールドに一体形成された第6の基準特徴をさらに備え、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第6の基準特徴を付勢して、前記第5の基準特徴に当接させることを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が、約90度未満且つ約80度を超える角度であることを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が、約87度未満且つ約83度を超える角度であることを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記第3の基準特徴が基準面であり、前記基準面の部分が、前記試料近接面の部分と同一の広がりを有することを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記第1の遮蔽面が、スパッタリング収率の低い非磁性材料で作られることを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記第1の遮蔽面の少なくとも一部がタンタル又はチタンで作られることを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記試料近接面が、前記シールドと前記試料との間で接着剤を流すための少なくとも1つの溝部を有することを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記シールドが、前記シールドに結合され、前記試料近接面に対して前記試料を保持するように構成された試料締め付け手段をさらに備えることを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記シールドがコア材料に接合する被覆材料で作られ、前記被覆材料の部分が前記第1の遮蔽面の少なくとも一部を形成し、前記コア材料の部分が、前記シールドの前記第3及び第4の基準特徴を形成することを特徴とする、キット。
- 請求項21に記載のキットにおいて、前記シールド保持ステージ及び前記シールドが別個に包装されることを特徴とする、キット。
- イオンビーム試料準備装置内で準備された試料を顕微鏡で観測するためのキットにおいて、
a)シールド保持ステージであって、
i)第1の基準特徴、
ii)第2の基準特徴、
iii)少なくともシールド解放位置及びシールド保持位置を有するシールド保持手段
を備える、シールド保持ステージと、
b)少なくとも剛性平坦部を有し、前記シールド保持ステージに着脱可能且つ再配置可能に保持されるシールドと、
を備え、前記シールドが、
i)前記シールドに一体形成される第3の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第3の基準特徴を付勢して、前記第1の基準特徴に当接させる、第3の基準特徴、
ii)前記シールドに一体形成される第4の基準特徴であって、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第4の基準特徴を付勢して、前記第2の基準特徴に当接させる、第4の基準特徴、
iii)第1の遮蔽面、及び
iv)前記シールドにより試料を前記真空チャンバ内に保持するために前記試料を前記シールドに耐久的に接着する試料近接面、
v)イオンビームの部分の経路に配置された部分を有する第2の遮蔽面、
vi)前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間に形成されるシールドエッジ、及び
vii)可視位置合わせマークであって、前記試料が前記イオンビーム試料準備装置で準備された領域に対して、前記可視位置合わせマークの位置が所定の関係にあるように構成される可視位置合わせマーク、
をさらに備えることを特徴とする、キット。 - 請求項32に記載のキットにおいて、前記シールド保持ステージが第5の基準特徴をさらに備え、前記シールドが、前記シールドに一体形成された第6の基準特徴をさらに備え、前記シールド保持位置にある前記シールド保持手段が、前記第6の基準特徴を付勢して、前記第5の基準特徴に当接させることを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が、約90度未満且つ約80度を超える角度であることを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記第1の遮蔽面と前記試料近接面の間の角度が、約87度未満且つ約83度を超える角度であることを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記第3の基準特徴が基準面であり、前記基準面の部分が、前記試料近接面の部分と同一の広がりを有することを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記シールドが、スパッタリング収率の低い非磁性材料で作られることを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記シールドの少なくとも一部がタンタル又はチタンで作られることを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記試料近接面が、前記シールドと前記試料との間で接着剤を流すための少なくとも1つの溝部を有することを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記シールドが、前記シールドに結合され、前記試料近接面に対して前記試料を保持するように構成された試料締め付け手段をさらに備えることを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記シールドがコア材料に接合する被覆材料で作られ、前記被覆材料の部分が前記第1の遮蔽面の少なくとも一部を形成し、前記コア材料の部分が、前記シールドの前記第3及び第4の基準特徴を形成することを特徴とする、キット。
- 請求項32に記載のキットにおいて、前記シールド保持ステージ及び前記シールドが別個に包装されることを特徴とする、キット。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US32287010P | 2010-04-11 | 2010-04-11 | |
US61/322,870 | 2010-04-11 | ||
US13/082,361 | 2011-04-07 | ||
US13/082,361 US8653489B2 (en) | 2010-04-11 | 2011-04-07 | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
PCT/US2011/031649 WO2011130097A2 (en) | 2010-04-11 | 2011-04-08 | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013524242A JP2013524242A (ja) | 2013-06-17 |
JP5781595B2 true JP5781595B2 (ja) | 2015-09-24 |
Family
ID=44799250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013503968A Active JP5781595B2 (ja) | 2010-04-11 | 2011-04-08 | イオンビーム試料準備装置及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8653489B2 (ja) |
EP (1) | EP2558836B1 (ja) |
JP (1) | JP5781595B2 (ja) |
WO (1) | WO2011130097A2 (ja) |
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US6784427B1 (en) | 2003-07-31 | 2004-08-31 | Bal-Tec Ag | Samples for transmission electron microscopy |
JP4037809B2 (ja) | 2003-08-20 | 2008-01-23 | 日本電子株式会社 | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
JP4557130B2 (ja) * | 2003-09-16 | 2010-10-06 | 日本電子株式会社 | 試料作製装置 |
JP2005116865A (ja) | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Canon Inc | イオンミリング装置およびイオンミリング方法 |
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JP4553739B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2010-09-29 | 日本電子株式会社 | 試料ホルダおよびイオンビーム加工装置 |
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JP4594156B2 (ja) | 2005-04-21 | 2010-12-08 | 日本電子株式会社 | 試料作製方法および試料作製装置 |
JP4504880B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-07-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空排気系を利用したシリンダを用いたイオンビーム電流測定機構 |
JP4942180B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-05-30 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 試料作製装置 |
JP4922632B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-04-25 | 日本電子株式会社 | イオンビームを用いる断面試料作製方法 |
JP2007333682A (ja) | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Jeol Ltd | イオンビームを用いた断面試料作製装置 |
JP2008091221A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Hitachi High-Tech Science Systems Corp | イオンビーム加工装置及び方法 |
JP2009025243A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Jeol Ltd | 試料作製装置 |
JP5222507B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2013-06-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置及び試料加工方法 |
JP5020794B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2012-09-05 | 日本電子株式会社 | 試料断面作製装置の試料遮蔽機構 |
JP5020836B2 (ja) | 2008-01-23 | 2012-09-05 | 日本電子株式会社 | 試料断面作製装置の遮蔽材保持機構 |
JP2009245783A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンミリング装置及びイオンミリング方法 |
-
2011
- 2011-04-07 US US13/082,361 patent/US8653489B2/en active Active
- 2011-04-08 EP EP11769332.5A patent/EP2558836B1/en active Active
- 2011-04-08 WO PCT/US2011/031649 patent/WO2011130097A2/en active Application Filing
- 2011-04-08 JP JP2013503968A patent/JP5781595B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011130097A2 (en) | 2011-10-20 |
EP2558836A4 (en) | 2014-06-04 |
JP2013524242A (ja) | 2013-06-17 |
US20120085923A1 (en) | 2012-04-12 |
US8653489B2 (en) | 2014-02-18 |
EP2558836B1 (en) | 2022-05-25 |
WO2011130097A3 (en) | 2012-01-19 |
EP2558836A2 (en) | 2013-02-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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