JP5757633B2 - Memsデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 93
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 93
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 93
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/00182—Arrangements of deformable or non-deformable structures, e.g. membrane and cavity for use in a transducer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0271—Resonators; ultrasonic resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02488—Vibration modes
- H03H2009/02496—Horizontal, i.e. parallel to the substrate plane
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02488—Vibration modes
- H03H2009/02519—Torsional
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2452—Free-free beam resonators
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
(構成)
図1〜図14を参照して、本発明に基づく実施の形態1におけるMEMSデバイスの製造方法について説明する。このMEMSデバイスの製造方法のフローチャートを図1に示す。本実施の形態におけるMEMSデバイスの製造方法は、平坦な主表面を有する基材と、前記主表面から離隔するようにして前記基材に相対的に固定され、側方に延在する浮き構造体と、前記主表面に固定され、前記浮き構造体から離隔しつつ、前記浮き構造体の一部の領域に対して前記主表面に近い側から対向しているかさ上げ対向部とを備える、MEMSデバイスを製造する方法であって、第1シリコン層と第2シリコン層とで中間絶縁層を挟み込むように積層されたSOI基板を用意する工程S1と、前記第1シリコン層をパターニングして、外枠部と、前記かさ上げ対向部と、前記かさ上げ対向部と前記外枠部の3以上の箇所とをそれぞれ接続する支持梁部とを形成する工程S2と、前記中間絶縁層のうち前記かさ上げ対向部と前記第2シリコン層との間に位置する部分をエッチング除去することによって前記かさ上げ対向部と前記第2シリコン層とが互いに離隔した状態を作り出す工程S3と、前記第1シリコン層の前記外枠部および前記かさ上げ対向部に対して一括して被覆するように基材を貼り付ける工程S4と、前記第2シリコン層をパターニングすることによって前記浮き構造体を形成し、さらに前記支持梁部のうち前記浮き構造体に覆われていない領域を除去することによって、前記支持梁部を分断して前記かさ上げ対向部を孤立させる工程S5とを含む。以下に詳しく説明する。
本実施の形態では、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、容易に製造可能なMEMSデバイスとすることができる。また、工程S2においてパターニングする際にかさ上げ対向部5を形成するだけでなく外枠部の3以上の箇所とそれぞれ接続する支持梁部16をも形成するので、工程S3によってかさ上げ対向部5が第2シリコン層103から離隔して浮いた状態となったとき、かさ上げ対向部5は外枠部の3以上の箇所とつながった支持梁部16によって支持されており、第2シリコン層103から浮いた姿勢を十分な強度で維持することができる。
本実施の形態におけるMEMSデバイスの製造方法としては、上述したように、かさ上げ対向部を孤立させる工程S5の前に、第2シリコン層を研磨する工程を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、第2シリコン層の初期厚みを十分厚くしておくことができる。第2シリコン層が十分に厚ければ、工程S1〜S4を行なう際のSOI基板の強度を十分に確保することができる。必要な加工を行なって、SOI基板を基材に接合した後で、研磨によって第2シリコン層を所望の厚みにすることができる。
本実施の形態におけるMEMSデバイスの製造方法としては、図10に示したように、基材の表面には電極パターンが配置されており、基材を貼り付ける工程S4は、かさ上げ対向部と基材とによって電極パターンの一部を挟み込むようにして行なわれることが好ましい。この構成を採用することにより、電極パターンとかさ上げ対向部とを電気的に接続することができ、電極パターンを通じてかさ上げ対向部を所望の電位とすることが可能となる。
かさ上げ対向部には、厚み方向に貫通するように複数の貫通孔を設けておくことが好ましい。一例として図18ではかさ上げ対向部5cに複数の貫通孔18が設けられている。かさ上げ対向部5cを拡大した斜視図を図19に示す。複数の貫通孔18はかさ上げ対向部5cを厚み方向にそれぞれ完全に貫通している。複数の貫通孔18はマトリックス状に配列されている。貫通孔18はここでは4×3の合計12個配列されている例を示しているが、実際には数十個、数百個単位で配列されていてよい。
(構成)
図20を参照して、本発明に基づく実施の形態2におけるMEMSデバイスについて説明する。本実施の形態におけるMEMSデバイスは、実施の形態1で説明したMEMSデバイスの製造方法によって得ることができる。本実施の形態におけるMEMSデバイスの一例として、図12〜図14に示した共振器202を挙げることができる。本実施の形態におけるMEMSデバイスの構造を説明するために共振器202の断面図を図20に示す。図20は図13と同じ断面図であるが、本実施の形態の説明のためにいくつかの符号を書き加えたものである。
本実施の形態におけるMEMSデバイスは、実施の形態1で説明したMEMSデバイスの製造方法によって容易に作製することができる。したがって、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、容易に製造可能なMEMSデバイスとすることができる。また、MEMSデバイスにおいて浮き構造体とかさ上げ対向部との間で本来確保されるべき間隙が閉じた状態となってしまう不良の発生率を低減することができ、信頼性の高いMEMSデバイスとすることができる。
Claims (5)
- 平坦な主表面を有する基材と、
前記主表面から離隔するようにして前記基材に相対的に固定され、側方に延在する浮き構造体と、
前記主表面に固定され、前記浮き構造体から離隔しつつ、前記浮き構造体の一部の領域に対して前記主表面に近い側から対向しているかさ上げ対向部とを備える、MEMSデバイスを製造する方法であって、
第1シリコン層と第2シリコン層とで中間絶縁層を挟み込むように積層されたSOI基板を用意する工程と、
前記第1シリコン層をパターニングして、外枠部と、前記かさ上げ対向部と、前記かさ上げ対向部と前記外枠部の3以上の箇所とをそれぞれ接続する支持梁部とを形成する工程と、
前記中間絶縁層のうち前記かさ上げ対向部と前記第2シリコン層との間に位置する部分をエッチング除去することによって前記かさ上げ対向部と前記第2シリコン層とが互いに離隔した状態を作り出す工程と、
前記第1シリコン層の前記外枠部および前記かさ上げ対向部に対して一括して被覆するように基材を貼り付ける工程と、
前記第2シリコン層をパターニングすることによって前記浮き構造体を形成し、さらに前記支持梁部のうち前記浮き構造体に覆われていない領域を除去することによって、前記支持梁部を分断して前記かさ上げ対向部を孤立させる工程とを含む、MEMSデバイスの製造方法。 - 前記かさ上げ対向部を孤立させる工程の前に、前記第2シリコン層を研磨する工程を含む、請求項1に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 前記基材の表面には電極パターンが配置されており、前記基材を貼り付ける工程は、前記かさ上げ対向部と前記基材とによって前記電極パターンの一部を挟み込むようにして行なわれる、請求項1または2に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 平坦な主表面を有する基材と、
前記主表面から離隔するようにして前記基材に相対的に固定され、側方に延在する浮き構造体と、
前記主表面に固定され、前記浮き構造体から離隔しつつ、前記浮き構造体の一部の領域に対して前記主表面に近い側から対向しているかさ上げ対向部とを備え、
前記浮き構造体の投影領域内に、前記かさ上げ対向部以外に、前記かさ上げ対向部と同じ層で形成され、前記かさ上げ対向部からは分離した状態の部材が、前記かさ上げ対向部から見てそれぞれ異なる3以上の方向に配置されている、MEMSデバイス。 - 前記かさ上げ対向部と、前記基材との間に電極パターンの一部が挟み込まれている、請求項4に記載のMEMSデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012510664A JP5757633B2 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-13 | Memsデバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010095162 | 2010-04-16 | ||
JP2010095162 | 2010-04-16 | ||
JP2012510664A JP5757633B2 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-13 | Memsデバイスおよびその製造方法 |
PCT/JP2011/059137 WO2011129351A1 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-13 | Memsデバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011129351A1 JPWO2011129351A1 (ja) | 2013-07-18 |
JP5757633B2 true JP5757633B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=44798722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012510664A Expired - Fee Related JP5757633B2 (ja) | 2010-04-16 | 2011-04-13 | Memsデバイスおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5757633B2 (ja) |
WO (1) | WO2011129351A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006231489A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 振動子構造体及びその製造方法 |
WO2009110442A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | 三洋電機株式会社 | 共振器および共振器アレイ |
JP2009212888A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 静電振動子及びその使用方法 |
-
2011
- 2011-04-13 JP JP2012510664A patent/JP5757633B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-13 WO PCT/JP2011/059137 patent/WO2011129351A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006231489A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 振動子構造体及びその製造方法 |
WO2009110442A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | 三洋電機株式会社 | 共振器および共振器アレイ |
JP2009212888A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 静電振動子及びその使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011129351A1 (ja) | 2011-10-20 |
JPWO2011129351A1 (ja) | 2013-07-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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