JP5756860B2

JP5756860B2 - 液晶ディスプレイ

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Publication number: JP5756860B2
Application number: JP2013527999A
Authority: JP
Inventors: 古川　智朗; 智朗古川; 祐子久田; 勝滋浅田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2011-08-10
Filing date: 2012-08-03
Publication date: 2015-07-29
Anticipated expiration: 2032-08-03
Also published as: WO2013021929A1; CN103733130B; JPWO2013021929A1; CN103733130A

Description

本発明は、液晶ディスプレイに関する。より詳しくは、横電界方式の液晶ディスプレイに好適な液晶ディスプレイに関するものである。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表されるアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶ディスプレイは薄い、軽量という特徴とブラウン管に匹敵する高画質という点から、表示装置として広く普及している。このような液晶ディスプレイの表示方式には、大別して、次の２通りの表示方式が知られている。

１つは、縦電界方式である。この方式では、基板面にほぼ垂直な方向の電界により液晶層を駆動し、液晶層に入射した光を変調して表示する。縦電界方式の液晶モードとしては、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等が知られている。

もう１つは、横電界方式である。この方式では、基板面にほぼ平行な方向の電界により液晶層を駆動する。横電界方式の液晶モードとしては、ＩＰＳ（Ｉｎ−ｐｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等が知られている。

ＩＰＳモードの具体例としては、例えば、第１基板上に、互いに直交して第１、第２、第３領域に区分される単位画素を定義する複数本のゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成される薄膜トランジスタと、ゲート配線に平行する共通配線と、共通配線から分岐し、第１領域で第１角度に、第２領域で第２角度に、第３領域で第３角度に折り曲げられた共通電極と、薄膜トランジスタのドレイン電極と連結され、共通電極に平行に形成された画素電極と、第１基板とこれに対向する第２基板との間に形成された液晶層と、を備える液晶ディスプレイが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

ＦＦＳモードの具体例としては、スリット状開口を「く」字状にして、異なる方向のスリット状開口を連結する横電界方式の液晶表示パネルが開示されている（例えば、特許文献２参照。）。また、第１方向に延びた直線部を挟んで第１方向とは異なる第２方向に延びた第１スリットと、第１方向及び第２方向とは異なる第３方向に延びた第２スリットとが形成された電極を備えた液晶ディスプレイが開示されている（例えば、特許文献３参照。）。

特開２００７−１１２５９号公報特開２０１０−１０２２８４号公報特開２０１０−２５６５４７号公報

横電界方式の液晶ディスプレイは、互いに平行な複数のスリットが形成された電極（例えば、画素電極）を備え、この電極を用いて横電界を発生させる。また、そのパネル透過率は、スリットの幅（Ｓ）と、スリット間の電極（線状部分）の幅（Ｌ）と、それらの和（Ｓ＋Ｌ）とに依存して変化する。一般的に、ＬとＳの和が小さくなるとパネル透過率は高くなる。しかしながら、製造プロセスにおいて制約があるため、Ｌ及びＳを所定値よりも小さくすることができず、実際に得られるパネル透過率には限界があった。これは以下の理由による。スリットを形成する際のフォトリソグラフィー工程で使われるフォトマスクに形成できるパターンの最小幅と、実際にフォトリソグラフィー工程で使用される装置によって形成可能なパターンの最小幅とに制限があるためである。

以下、本発明者らが検討した比較形態１に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイを参照して、従来のＦＦＳモードの課題について説明する。図１０は、比較形態１に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。なお、特許文献２の図９及び特許文献３の図６には、比較形態１に類似する形態が図示されている。

比較形態１に係る液晶ディスプレイは、アクティブマトリクス基板（アレイ基板）５１０と、アレイ基板に対向する対向基板（図示せず）と、両基板の間に設けられた水平配向型の液晶層（図示せず）とを備える。アレイ基板５１０は、図１０に示すように、データバスライン５１３と、ゲートバスライン５５１と、ＴＦＴ５５３と、共通電極５１５と、共通電極５１５上に形成された絶縁膜（図示せず）と、この絶縁膜上に形成された画素電極５１７とを含む。液晶分子の初期配向方向、すなわち電圧無印可時の配向方向は、図１０の上下方向に設定されている。

各画素電極５１７には互いに平行な複数のスリット５３０が形成されて、共通電極５１５は、スリット５３０に対向している。画素電極５１７及び共通電極５１５の間に印可される電圧を制御することによって、液晶分子の配向、より詳細には回転を制御する。画素電極５１７は、互いに平行な複数の線状部分５１８と、線状部分を互いに接続する接続部分５１９、５２０とを含む。

スリット５３０は、上下対称な形状を有し、スリット５３０は各々、直線部分（主部）５３１、５３２と、主部５３１、５３２を互いに接続し、２つの直線部分をＶ字状に連結して形成された部分（Ｖ字部）５３３と、主部５３１、５３２及び接続部分５１９、５２０の間にそれぞれ設けられた線状部分（副部）５３４、５３５とを含む。このように、スリット５３０は各々、副部５３４及び主部５３１の間と、主部５３１及びＶ字部５３３の間と、主部５３２及びＶ字部５３３の間と、主部５３２及び副部５３５の間とで屈曲しており、更に、Ｖ字部５３３は１つの屈曲部を含むことから、スリット５３０は各々、５つの屈曲部を有する。また、Ｖ字部５３３及び副部５３４、５３５の上下方向に対するなす角は、主部５３１、５３２のそれよりも大きく設定されている。

Ｖ字部５３３及び副部５３４、５３５は、補助的な部分であり、主部５３１、５３２を含む領域において液晶層に含まれる大部分の液晶分子の配向が制御される。主部５３１を含む領域と、主部５３２を含む領域とでは、液晶分子の回転方向が逆になるため、両領域の間では液晶分子の配向がぶつかってしまう。そこで、両領域の間に上下方向に対するなす角が相対的に大きいＶ字部５３３を設けることによって、両領域の間で液晶分子が配向しやすくなる。また、接続部分５１９の近傍では、接続部分５１９から発生する電界に起因して液晶分子の配向が乱れる可能性がある。そこで、接続部分５１９と主部５３１の間に上下方向に対するなす角が相対的に大きい副部５３４を設けることによって、接続部分５１９の近傍で液晶分子の配向が乱れるのを抑制することができる。同じ理由で副部５３５も設けられている。以上の結果、液晶ディスプレイの画面に外部から局所的に圧力が加わり（例えば、画面が指で押され）、該圧力に起因する液晶分子の配向の局所的な乱れ、すなわち、表示の局所的な乱れが発生したとしても、これらの乱れを早く回復することができる。

しかしながら、比較形態１では以下に示すような課題があった。
スリット５３０は、互いに平行に設けられ、互いに同じ平面形状であるため、Ｖ字部５３３及び副部５３４、５３５の幅Ｓは、主部５３１、５３２の幅Ｓよりも小さくなる。また、画素電極５１７の線状部分５１８の幅Ｌは、主部５３１、５３２を形成する部分よりもＶ字部５３３、副部５３４、５３５を形成する部分において細くなってしまう。そのため、パネル透過率を向上する観点から、主部５３１、５３２を含む領域においてＬ及びＳをプロセス上、許容される限界まで小さくすると、Ｖ字部５３３を含む領域と、副部５３４、５３５を含む領域とにおいてＬ及びＳが許容さる限界を超えてしまう。この場合、プロセスのばらつきに起因する種々の不具合が発生する可能性がある。具体的には、例えば、パネル毎に輝度がばらついたり、同じパネルであったとしても表示ムラが発生したりすることがある。このような不具合が発生する原因としては、マスクのアライメントのずれ、パターンの幅の変化等が考えられる。

他方、このような不具合の発生を抑制する観点から、Ｖ字部５３３を含む領域と、副部５３４、５３５を含む領域とにおいてＬ及びＳを許容される限界を超えない範囲内に設定すると、主部５３１、５３２を含む領域においてＬ及びＳが大きくなってしまい、表示性能の低下、例えば、パネル透過率の減少を生じてしまう。

上述したように、従来のＦＦＳモードでは、プロセスのばらつきに起因する不具合の抑制と、表示性能の向上とを両立することが困難であった。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、プロセスのばらつきに起因する不具合の抑制と、表示性能の向上とが可能な液晶ディスプレイを提供することを目的とするものである。

本発明者らは、プロセスのばらつきに起因する不具合の抑制と、表示性能の向上とが可能な液晶ディスプレイについて種々検討したところ、互いに平行な複数のスリットの各々に、第一の方向に延びる第一の直線部分と、第一の直線部分の一端に繋がり、第二の方向に延びる第二の直線部分と、第一の直線部分及び第二の直線部分が互いに繋がる領域において屈曲した屈曲部とを設け、複数の第一直線部分の他端を同じ直線上に配置し、複数のスリットの中で画素内において一方の端にあるスリットを第一のスリットとし（ただし、第一のスリットの隣のスリットは、第一の直線部分及び第二の直線部分が第一のスリットに近づくように、屈曲している）、第一のスリットからより遠いスリットほど第一の直線部分の長さをより短くすることにより、第一の直線部分を含む領域におけるＬ及びＳと、第二の直線部分を含む領域におけるＬ及びＳとの差を小さくでき、例えば、第二の直線部分を含む領域のＬ及びＳが許容される限界に近い大きさであっても、第一の直線部分を含む領域のＬ及びＳが許容される限界を超えてしまうことを防ぐことができることを見いだした。その結果、プロセスのばらつきに起因してスリットのパターンが変化するのを抑制でき、また、透過率の向上が可能であることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明の一側面は、第一の基板と、前記第一の基板に対向する第二の基板と、前記第一の基板及び前記第二の基板の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層とを備え、前記第一の基板は、第一の電極と、前記第一の電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第二の電極とを含み、前記第二の電極には、画素内に設けられた複数のスリットが形成され、前記第一の電極は、前記複数のスリットに対向し、前記複数のスリットは、互いに平行であり、前記複数のスリットは各々、第一の方向に延びる第一の直線部分と、前記第一の直線部分の一端に繋がり、第二の方向に延びる第二の直線部分と、前記第一の直線部分及び前記第二の直線部分が互いに繋がる領域において屈曲した屈曲部とを含み、前記複数の第一直線部分の他端は、同じ直線上にあり、前記複数のスリットの中で前記画素内において一方の端にあるスリットを第一のスリットとすると、前記第一のスリットの隣のスリットは、第一の直線部分及び第二の直線部分が前記第一のスリットに近づくように、屈曲し、前記第一のスリットからより遠いスリットほど、前記第一の直線部分の長さは、より短い液晶ディスプレイ（以下、本発明に係る液晶ディスプレイとも言う。）である。

本発明に係る液晶ディスプレイの構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。なお、前記直線は、具体的な部材ではなく、仮想の線である。

以下に、本発明に係る液晶ディスプレイにおける好ましい実施形態を示す。以下に示す実施形態は、適宜組み合わされてもよい。

電圧無印可時の前記液晶分子の配向方向を初期配向方向とすると、前記第一の方向及び前記第二の方向は各々、前記初期配向方向と異なることが好ましい。これにより、液晶分子の配向をより効果的に制御することができる。

前記第一の方向と前記初期配向方向とのなす角は、前記第二の方向と前記初期配向方向とのなす角よりも大きく、前記第一の直線部分は、前記第二の直線部分よりも短いことが好ましい。これにより、第一の直線部分を補助的な部分（副部）として、第二の直線部分を主部として効果的に機能させることができる。

前記第一の方向と前記初期配向方向とのなす角は、２０〜４０°であり、前記第二の方向と前記初期配向方向とのなす角は、３〜１０°であり、前記直線は、第一の直線であり、前記複数のスリットの前記屈曲部は、同じ第二の直線上にあり、前記第一の直線と前記第二の直線とのなす角は、５〜１５°であることが好ましい。これにより、押圧に起因する配向乱れの回復と、透過率の向上とを効果的に両立することができる。なお、前記第二の直線は、具体的な部材ではなく、仮想の線である。

前記複数のスリットは各々、前記第一の直線部分の前記他端に繋がり、第三の方向に延びる第三の直線部分を更に含み、前記第一の直線部分及び前記第三の直線部分は、Ｖ字状に設けられてもよい。この形態は、画素の中央にＶ字部を設ける形態に好適である。

電圧無印可時の前記液晶分子の配向方向を初期配向方向とすると、前記第三の方向と前記初期配向方向とのなす角は、２０〜４０°であり、前記複数のスリットは各々、前記第三の直線部分の前記第一の直線部分に繋がらない方の端に繋がり、第四の方向に延びる第四の直線部分と、前記第三の直線部分及び前記第四の直線部分が互いに繋がる領域において屈曲した第二の屈曲部とを更に含み、前記直線は、第一の直線であり、前記複数のスリットの前記第二の屈曲部は、同じ第三の直線上にあり、前記第一の直線と前記第三の直線とのなす角は、５〜１５°であり、前記第四の方向と前記初期配向方向とのなす角は、３〜１０°であることが好ましい。これにより、押圧に起因する配向乱れの回復と、透過率の向上とを効果的に両立することができる。なお、前記第三の直線は、具体的な部材ではなく、仮想の線である。

前記第二の電極は、前記複数のスリットに隣接する３以上の線状部分と、前記３以上の線状部分を互いに接続する接続部とを含み、前記第一の直線部分は、前記接続部に隣接してもよい。この形態は、電極の接続部分に隣接して副部を設ける形態に好適である。

本発明によれば、プロセスのばらつきに起因する不具合の抑制と、表示性能の向上とが可能な液晶ディスプレイを実現することができる。

実施形態１に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。実施形態１のアクティブマトリクス基板に設けられた共通電極を示す平面模式図である。図１に示す線分Ａ−Ａ’におけるアクティブマトリクス基板の断面模式図である。実施形態１の画素電極のＶ字部付近を拡大して示す平面模式図である。実施形態２に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。実施形態２の画素電極の副部付近を拡大して示す平面模式図である。実施形態３に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。実施形態３の変形例に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。実施形態３の変形例のアクティブマトリクス基板に設けられた共通電極を示す平面模式図である。比較形態１に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

本明細書において「画素」とは、隣接する２本のゲートバスライン、及び、隣接する２本のデータバスラインで囲まれる領域を意味する。

また、特に言及がない場合、幅とは、長手方向に対して直交する方向における幅を意味する。

以下の実施形態は、具体的には、テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話、カーナビ、インフォメーションディスプレイ等の表示装置に適用することができる。

実施形態１
実施形態１は、マルチドメイン（２ドメイン）のＦＦＳモードの液晶ディスプレイである。
図１は、実施形態１に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。実施形態１に係る液晶ディスプレイ１１０は、アクティブマトリクス基板（アレイ基板）１０と、基板１０に対向する対向基板７０と、両基板の間に設けられた水平配向型の液晶層８０とを備える。アレイ基板１０は、図１及び図３に示すように、絶縁基板１１と、データバスライン１３と、ゲートバスライン５１と、ゲート絶縁膜１２と、ＴＦＴ５３と、第一絶縁膜１４と、第二絶縁膜１６ａと、共通電極１５と、共通電極１５上に形成された第三絶縁膜１６ｂと、第三絶縁膜１６ｂ上に形成された画素電極１７とを含む。アレイ基板１０の液晶層８０側の表面上には、水平配向膜（図示せず）が設けられている。共通電極１５は、図２に示すように、表示領域を実質的に覆うように形成される。画素電極１７には互いに平行な複数のスリット（長手状の開口）３０が形成されて、共通電極１５は、スリット３０に対向している。画素電極１７及び共通電極１５の間に印可される電圧を制御することによって、液晶分子の配向、より詳細には回転を制御する。液晶分子の初期配向方向、すなわち電圧無印可時の配向方向は、図１の上下方向（図１中の矢印方向）に設定されている。対向基板７０は、絶縁基板２１と、カラーフィルタ２３と、ブラックマトリクス２２とを含む。対向基板７０の液晶層８０側の表面上には、水平配向膜（図示せず）が設けられている。なお、カラーフィルタ２３及びブラックマトリクス２２は、対向基板７０側ではなく、アクティブマトリクス基板１０側に設けられていてもよい。

実施形態１における画素電極１７の構造について更に詳述する。
画素電極１７は、互いに平行な３以上の線状部分１８と、線状部分１８を互いに接続する接続部分１９、２０とを含む。

スリット３０は、上下対称な形状を有し、スリット３０は各々、直線部分（主部）３１、３２と、主部３１、３２を互いに接続し、２つの直線部分３６、３７をＶ字状に連結して形成された部分（Ｖ字部）３３とを含む。主部３１、３２は、上記第二の直線部分に対応し、直線部分３６、３７は、上記第一又は第三の直線部分に対応する。このように、スリット３０は各々、主部３１及びＶ字部３３の間と、主部３２及びＶ字部３３の間とで屈曲しており、更に、Ｖ字部３３は１つの屈曲部を含むことから、スリット３０は各々、３つの屈曲部を有する。また、図４に示すように、Ｖ字部３３の上下方向（液晶分子の初期配向方向）に対するなす角（ａ°）は、主部３１、３２の上下方向（液晶分子の初期配向方向）に対するなす角（ｂ°）よりも大きく設定されている。Ｖ字部３３（直線部分３６、３７）は、補助的な部分であり、主部３１、３２を含む領域において液晶層８０に含まれる大部分の液晶分子の配向が制御される。Ｖ字部３３を設けることによって、液晶分子の配向をより効果的に制御することができ、例えば、液晶ディスプレイ１１０の画面に外部から局所的に圧力が加わり（例えば、画面が指で押され）、該圧力に起因する液晶分子の配向の局所的な乱れ、すなわち、表示の局所的な乱れが発生したとしても、これらの乱れを早く回復することができる。また、データバスライン１３のスリット３０に対向する部分は、スリット３０に沿って形成されている。

更に、スリット３０のうち、図１において向かって左端にあるスリットを第一のスリットとすると、第一のスリットからより遠いスリットほど、Ｖ字部３３を形成する直線部分３６、３７の長さがより短くなる。第一のスリットは、画素内において一方の端にあるスリットであり、第一のスリットの隣のスリットは、主部３１及び直線部分３６が第一のスリットに近づくように、屈曲している。また、第一のスリットの隣のスリットは、主部３２及び直線部分３７が第一のスリットに近づくように、屈曲している。例えば、直線部分３６又は直線部分３７に隣接する画素電極部分の長さは、図１において向かって右から順にそれぞれ、３μｍ、４μｍ、５μｍ及び６μｍとなる。すなわち、図４に示すように、画素電極１７の中央部において、Ｖ字部３３は、左から右に向かって小さくなるように形成される。スリット３０における各々の主部３１及びＶ字部３３の間の屈曲部、すなわち直線部分３６の一端は同じ第二の仮想の直線（上記第二又は第三の直線に対応する直線）上にあり、スリット３０における各々の主部３２及びＶ字部３３の間の屈曲部、すなわち直線部分３７の一端は同じ第三の仮想の直線（上記第二又は第三の直線に対応する直線）上にあり、スリット３０における各々のＶ字部３３の頂点、すなわち直線部分３６、３７の他端は同じ第一の仮想の直線（上記第一の直線に対応する直線）上にある。第一の仮想の直線と第二の仮想の直線とは、所定の角度（ｃ°）をなす。同様に、第一の仮想の直線と第三の仮想の直線とは、所定の角度（ｃ°）をなす。第一のスリットからより遠いスリットほど、主部３１及びＶ字部３３の間の屈曲部と、主部３２及びＶ字部３３の間の屈曲部とは、第一の仮想の直線に近づく。

このように画素電極１７を形成することで、主部３１、３２を含む領域におけるＬ及びＳと、Ｖ字部３３（直線部分３６、３７）を含む領域におけるＬ及びＳとの差を小さくでき、両領域におけるＬ及びＳを互いに実質的に同じにすることもできる。

一方、従来のＦＦＳモードに係る比較形態１の液晶ディスプレイ５１０においては、図１０に示すように、スリット間電極は、全て略同一の形状に形成され、図１及び図４に示す角度ｃ°は存在しない。

このとき、上述のように、Ｖ字部５３３及び副部５３４、５３５の幅Ｓは、主部５３１、５３２の幅Ｓよりも小さくなる。また、画素電極５１７の線状部分５１８の幅Ｌは、主部５３１、５３２を形成する部分よりもＶ字部５３３、副部５３４、５３５を形成する部分において細くなってしまう。

したがって、比較形態１の液晶ディスプレイ５１０においては、幅Ｌと幅Ｓとの合計を極力小さくしようとする場合、Ｖ字部５３３を含む領域における幅Ｌと幅Ｓとの合計が許容される限界となるように設計する必要がある。例えば、幅Ｌ及び幅Ｓの許容される限界が、それぞれ、２．５μｍ、及び、４．０μｍ（幅Ｌと幅Ｓとの合計が６．５μｍ）であるとき、主部５３１、５３２を形成する電極部分の幅Ｌ、及び、主部５３１、５３２の幅Ｓをそれぞれ最小値の２．５μｍ、及び、４．０μｍとなるように設計すると、Ｖ字部５３３を形成する電極の幅が２．２μｍ、Ｖ字部５３３の幅Ｓが３．４μｍ程度となってしまい、許容される限界よりも小さくなってしまう。その結果、フォトマスクのアライメントずれ等のプロセスのばらつきが生じた場合、液晶表示パネル間における透過率のばらつきや、１つの液晶表示パネル（表示領域）内における透過率のばらつき（表示ムラ）が発生してしまう。そのため、比較形態１の液晶ディスプレイ５１０においては、Ｖ字部５３３を含む領域において幅Ｌ及び幅Ｓを許容される限界を超えない範囲内に設定する必要があるが、そうすると、主部５３１、５３２を含む領域において幅Ｌ及び幅Ｓが大きくなってしまい、表示性能の低下、例えば、パネル透過率の減少を生じてしまう。

一方、実施形態１の液晶ディスプレイ１１０においては、主部３１、３２を含む領域の幅Ｌ及び幅ＳとＶ字部３３（直線部分３６、３７）を含む領域の幅Ｌ及び幅Ｓとの差を小さくできるため、例えば、主部を含む領域のＬ及びＳが許容限界近くの大きさになっていても、Ｖ字部を含む領域のＬ及びＳが許容限界を超えてしまうことを防ぐことができる。その結果、プロセスのばらつきに起因してスリットのパターンが変化するのを抑制でき、また、透過率の向上が可能となる。具体的には、主部３１、３２を含む領域におけるＬ及びＳと、Ｖ字部３３（直線部分３６、３７）を含む領域におけるＬ及びＳとをプロセス上、許容される限界まで小さくし、互いに実質的に同じ値に設定した場合、実施形態１の液晶ディスプレイ１１０は、図１０に示す比較形態１の液晶ディスプレイ５１０よりも透過率が４％向上する。

角度ａ°及び角度ｂ°の大きさは特に限定されず、マルチドメインの液晶ディスプレイとして適切な視野角が得られ、ディスクリネーションの発生の抑制と、押圧耐性とが得られる角度に設定すればよい。具体的には、角度ａ°は、２０〜４０°に設定されることが好ましく、角度ｂ°は、３〜１０°に設定されることが好ましい。

また、角度ｃ°の大きさも特に限定されないが、スリット全体において、ＬとＳとの合計が製造可能な最小値となるように設定されることが好ましく、具体的には、５〜１５°に設定されることが好ましい。

以上、実施形態１における画素電極１７の構造について説明した。以下、その他の構造、各部材の材料及び製造方法について説明する。

ＴＦＴ５３は、半導体層５４、ゲート電極５５ａ、ソース電極５５ｂ及びドレイン電極５５ｃを備えるスイッチング素子である。ＴＦＴ５３のゲート電極５５ａはゲートバスライン５１の一部が引き出されて形成されている。ＴＦＴ５３のソース電極５５ｂ及びドレイン電極５５ｃは、それぞれ、半導体層５４と接続されている。ＴＦＴ５３のドレイン電極５５ｃは、コンタクトホール７１を介して画素電極１７と接続されている。ゲート電極５５ａと半導体層５４とは、ゲート絶縁膜１２を介して互いに重なっている。ソース電極５５ｂは半導体層５４を介してドレイン電極５５ｃと接続されており、ゲートバスライン５１を通じてゲート電極５５ａに入力される走査信号によって半導体層５４を流れる電流量の調整が行われ、データバスライン１３を通じてソース電極５５ｂ、半導体層５４、ドレイン電極５５ｃ、及び、画素電極１７の順に入力されるデータ信号の伝達が制御される。

共通電極１５に対しては、一定値に保たれた共通信号が供給される。図２に示すように、共通電極１５は、画素の境界に関わらず、一面に形成されている。共通電極１５には、ドレイン電極５５ｃと画素電極１７とが接続される領域と重なる領域において、開口が設けられている。

絶縁基板１１、２１の材料としては、ガラス、プラスチック等の透明な材料が好適に用いられる。ゲート絶縁膜１２、第一絶縁膜１４、第二絶縁膜１６ａ及び第三絶縁膜１６ｂの材料としては、窒化シリコン、酸化シリコン、感光性アクリル樹脂等の透明な材料が好適に用いられる。第一絶縁膜１４、第二絶縁膜１６ａ及び第三絶縁膜１６ｂは、例えば、窒化シリコン膜をプラズマ誘起化学気相成長（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：ＰＥＣＶＤ）法により成膜し、窒化シリコン膜の上に、感光性アクリル樹脂膜をダイコート（塗布）法により成膜して形成される。コンタクト部を形成するために絶縁膜１４、１６及び１６ｂ中に設けられる穴は、ドライエッチング（チャネルエッチング）を行うことにより形成することができる。

ゲートバスライン５１、データバスライン１３、又は、ＴＦＴ５３を構成する各種配線及び電極は、スパッタリング法等により、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン等の金属、又は、それらの合金を、単層又は複数層で成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法等でパターニングを行うことで形成することができる。これら各種配線及び電極は、同じ層に形成されるものについては、それぞれ同じ材料を用いることで製造が効率化される。

ＴＦＴ５３の半導体層５４は、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン等からなる高抵抗半導体層と、アモルファスシリコンにリン等の不純物をドープしたｎ＋アモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層とによって構成される。また、半導体層５４として、酸化亜鉛等の酸化物半導体層を用いてもよい。半導体層５４の形状はＰＥＣＶＤ法等により成膜後、フォトリソグラフィ法等によりパターニングを行い、決定することができる。

画素電極１７及び共通電極１５は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透明導電材料、又は、それらの合金を、スパッタリング法等により単層又は複数層で成膜して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行うことで形成することができる。画素電極１７に設けられるスリット３０、共通電極１５に設けられる開口もまた、パターニングの際に同時に形成することができる。

カラーフィルタ２３の材料としては、各色に対応する光を透過する感光性樹脂（カラーレジスト）が好適に用いられる。ブラックマトリクス２２の材料は、遮光性を有するものである限り特に限定されないが、黒色顔料を含有した樹脂材料、又は、遮光性を有する金属材料が好適に用いられる。

このようにして作製されたアクティブマトリクス基板１０及び対向基板７０は、絶縁材料からなる柱状のスペーサが一方の基板に複数設けられた後、シール材を用いて貼り合わされる。アクティブマトリクス基板１０と対向基板７０との間には液晶層８０が形成されるが、滴下法を用いる場合には、基板の貼り合せ前に液晶材料の滴下が行われ、真空注入法を用いる場合には、基板の貼り合せ後に液晶材料が注入される。液晶層８０は、正の誘電率異方性を有する液晶分子（好適にはネマチック液晶分子）を含む。そして、各基板の液晶層８０側と反対側の面上に、偏光板、位相差フィルム等を貼り付けることにより、液晶表示パネルが完成する。更に、液晶表示パネルに、ゲートドライバ、ソースドライバ、表示制御回路等を実装するとともに、バックライト等を組み合わせることによって、用途に応じた液晶ディスプレイが完成する。

実施形態１の液晶表示パネルの構造は、例えば、光学顕微鏡（オリンパス社製、半導体／ＦＰＤ検査顕微鏡ＭＸ６１Ｌ）及びエネルギー分散型Ｘ線分光分析器併置型走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ−ＥＤＸ：Scanning Transmission Electron Microscope Energy Dispersive X-ray Spectroscope、日立ハイテクノロジーズ社製ＨＤ−２７００）、を用いて確認及び測定することができる。

実施形態２
実施形態２は、マルチドメイン（２ドメイン）のＦＦＳモードの液晶ディスプレイである。
図５は、実施形態２に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。実施形態１においては、図１に示すように、主部３１及びＶ字部３３の間と、主部３２及びＶ字部３３の間と、Ｖ字部３３の合計３つの屈曲部が形成されていたが、実施形態２においては、主部１３１、１３２、及び、Ｖ字部１３３に加え、更に、線状部分（副部）１３４、１３５が形成されるとともに、主部１３１及び副部１３４の間と、主部１３２及び副部１３５の間とに屈曲部が形成され、合計５つの屈曲部が形成される。その他の構成は、実施形態１と同様であるため、ここでの説明は省略する。以下、実施形態２の液晶ディスプレイ２１０の画素電極１１７の構造について説明する。

画素電極１１７には、互いに平行な複数のスリット１３０が形成されており、画素電極１１７は、互いに平行な３以上の線状部分１１８と、線状部分１１８を互いに接続する接続部分１１９、１２０とを含む。

スリット１３０は、上下対称な形状を有し、スリット１３０は各々、直線部分（主部）１３１、１３２と、主部１３１、１３２を互いに接続し、２つの直線部分１３６、１３７をＶ字状に連結して形成された部分（Ｖ字部）１３３とを含む。主部１３１、１３２は、上記第二の直線部分に対応し、直線部分１３６、１３７は、上記第一又は第三の直線部分に対応する。実施形態１と同様の観点から、Ｖ字部１３３の上下方向に対するなす角（ａ°）は、主部１３１、１３２の上下方向に対するなす角（ｂ°）よりも大きく設定されている。

更に、スリット１３０は、主部１３１、１３２及び接続部分１１９、１２０の間にそれぞれ設けられた線状部分（副部）１３４、１３５を含む。副部１３４、１３５は、上記第一の直線部分に対応する。図６に示すように、副部１３４、１３５と液晶分子の初期配向方向（図５中の両矢印）とがなす角度（ｄ°）は、主部１３１、１３２の上下方向に対するなす角（ｂ°）よりも大きく設定されている。副部１３４、１３５は、Ｖ字部１３３（直線部分１３６、１３７）と同様に補助的な部分であり、主部１３１、１３２を含む領域において液晶層８０に含まれる大部分の液晶分子の配向が制御される。接続部分１１９の近傍では、接続部分１１９から発生する電界に起因して液晶分子の配向が乱れる可能性がある。そこで、接続部分１１９と主部１３１の間に上下方向に対するなす角が相対的に大きい副部１３４を設けることによって、接続部分１１９の近傍で液晶分子の配向が乱れるのを抑制することができる。同じ理由で副部１３５も設けられている。

実施形態１においては、主部３１、３２及びＶ字部３３（直線部分３６、３７）に着目し、図１において向かって左端にあるスリットを第一のスリットとして説明したが、本実施形態において、副部１３４、１３５に着目すると、図５において向かって右端にあるスリットが第一のスリットに対応する。第一のスリットは、画素内において一方の端にあるスリットであり、第一のスリットの隣のスリットは、主部１３１及び副部１３４が第一のスリットに近づくように、屈曲している。また、第一のスリットの隣のスリットは、主部１３２及び副部１３５が第一のスリットに近づくように、屈曲している。この第一のスリットから遠いスリットほど、副部１３４、１３５の長さがより短くなる。例えば、副部１３４又は副部１３５に隣接する画素電極部分の長さは、図５において向かって右から順にそれぞれ、５．５μｍ、４μｍ、２．５μｍ及び１μｍとなる。スリット１３０における各々の副部１３４、１３５の一端は、同じ第二の仮想の直線（上記第二の直線に対応する直線）上にあり、副部１３４、１３５の他端は同じ第一の仮想の直線（上記第一の直線に対応する直線）上にある。図６に示すように、第一の仮想の直線と第二の仮想の直線とは、所定の角度（ｅ°）をなす。第一のスリットからより遠いスリットほど、副部１３４及び主部１３１の間の屈曲部と、副部１３５及び主部１３２の間の屈曲部とは、第一の仮想の直線に近づく。

このように画素電極１１７を形成することで、主部１３１、１３２を含む領域におけるＬ及びＳと、副部１３４、１３５を含む領域におけるＬ及びＳとの差を小さくでき、両領域におけるＬ及びＳを互いに実質的に同じにすることもできる。

一方、従来のＦＦＳモードに係る比較形態１の液晶ディスプレイ５１０においては、図１０に示すように、スリット間電極は、全て略同一の形状に形成され、図６に示す角度ｅ°は存在しない。

このとき、上述のように、副部５３４、５３５の幅Ｓは、主部５３１、５３２の幅Ｓよりも小さくなる。

したがって、比較形態１の液晶ディスプレイ５１０においては、幅Ｌと幅Ｓとの合計を極力小さくしようとする場合、副部５３４、５３５を含む領域における幅Ｌと幅Ｓとの合計が許容される限界となるように設計する必要がある。例えば、幅Ｌ及び幅Ｓの許容される限界が、それぞれ、２．５μｍ、及び、４．０μｍ（幅Ｌと幅Ｓとの合計が６．５μｍ）であるとき、主部５３１、５３２を形成する電極部分の幅Ｌ、及び、主部５３１、５３２の幅Ｓをそれぞれ最小値の２．５μｍ、及び、４．０μｍとなるように設計すると、副部５３４、５３５を形成する電極の幅が２．０μｍ、副部５３４、５３５の幅Ｓが４．１μｍ程度となってしまい、許容される限界よりも小さくなってしまう。その結果、フォトマスクのアライメントずれ等のプロセスのばらつきが生じた場合、液晶表示パネル間における透過率のばらつきや、１つの液晶表示パネル（表示領域）内における透過率のばらつき（表示ムラ）が発生してしまう。そのため、比較形態１の液晶ディスプレイ５１０においては、副部５３４、５３５を含む領域において幅Ｌ及び幅Ｓを許容される限界を超えない範囲内に設定する必要があるが、そうすると、主部５３１、５３２を含む領域において幅Ｌ及び幅Ｓが大きくなってしまい、表示性能の低下、例えば、パネル透過率の減少を生じてしまう。

一方、実施形態２の液晶ディスプレイ２１０においては、主部１３１、１３２を含む領域の幅Ｌ及び幅Ｓと副部１３４、１３５を含む領域の幅Ｌ及び幅Ｓとの差を小さくできるため、例えば、主部を含む領域のＬ及びＳが許容限界近くの大きさになっていても、副部を含む領域のＬ及びＳが許容限界を超えてしまうことを防ぐことができる。その結果、プロセスのばらつきに起因してスリットのパターンが変化するのを抑制でき、また、透過率の向上が可能となる。具体的には、主部１３１、１３２を含む領域におけるＬ及びＳと、副部１３４、１３５を含む領域におけるＬ及びＳとをプロセス上、許容される限界まで小さくし、互いに実質的に同じ値に設定した場合、実施形態２の液晶ディスプレイ２１０は、図１０に示す比較形態１の液晶ディスプレイ５１０よりも透過率が８％向上する。

角度ｄ°の大きさは特に限定されず、マルチドメインの液晶ディスプレイとして適切な視野角が得られ、ディスクリネーションの発生の抑制と、押圧耐性とが得られる角度に設定すればよい。具体的には、角度ｄ°は、２０〜４０°に設定されることが好ましい。

また、角度ｅ°の大きさも特に限定されないが、スリット全体において、ＬとＳとの合計が作製可能な最小値となるように設定されることが好ましく、具体的には、５〜１５°に設定されることが好ましい。

実施形態３
実施形態３は、モノドメインのＦＦＳモードの液晶ディスプレイである。
図７は、実施形態３に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。実施形態１及び２においては、ぞれぞれ、図１及び図５に示すようＶ字部３３、１３３が形成されていたが、実施形態３においては、Ｖ字部は形成されない。主部２３１、及び、線状部分（副部）２３４、２３５が形成されるとともに、主部２３１及び副部２３４の間と、主部２３１及び副部２３５の間とに屈曲部が形成され、合計２つの屈曲部が形成される。その他の構成は、実施形態１と同様であるため、ここでの説明は省略する。以下、実施形態３の液晶ディスプレイ３１０の画素電極２１７の構造について説明する。

画素電極２１７には、互いに平行な複数のスリット２３０が形成されており、画素電極２１７は、互いに平行な３以上の線状部分２１８と、線状部分２１８を互いに接続する接続部分２１９、２２０とを含む。本実施形態において、液晶分子の初期配向方向は、図７の上下方向から少し傾いた方向（図７中の矢印方向）に設定されている。

スリット２３０は、点対称な形状を有し、主部２３１及び接続部分２１９、２２０の間にそれぞれ設けられた線状部分（副部）２３４、２３５を含む。主部２３１は、上記第二の直線部分に対応し、副部２３４、２３５は、上記第一の直線部分に対応する。実施形態１と同様の観点から、副部２３４、２３５と液晶分子の初期配向方向とがなす角度は、主部２３１と液晶分子の初期配向方向とがなす角よりも大きく設定されている。更に、副部２３４と液晶分子の初期配向方向とがなす角度と、副部２３５と液晶分子の初期配向方向とがなす角度とは実質的に同じである。すなわち、副部２３４は、副部２３５と正反対の方向に伸長する。副部２３４、２３５は、補助的な部分であり、主部２３１を含む領域において液晶層８０に含まれる大部分の液晶分子の配向が制御される。接続部分２１９の近傍では、接続部分２１９から発生する電界に起因して液晶分子の配向が乱れる可能性がある。そこで、接続部分２１９と主部２３１の間に上下方向に対するなす角が相対的に大きい副部２３４を設けることによって、接続部分２１９の近傍で液晶分子の配向が乱れるのを抑制することができる。同じ理由で副部２３５も設けられている。

本実施形態において、副部２３４に着目すると、図７において向かって右端にあるスリットが第一のスリットに対応する。第一のスリットは、画素内において一方の端にあるスリットであり、第一のスリットの隣のスリットは、主部２３１及び副部２３４が第一のスリットに近づくように、屈曲している。この第一のスリットから遠いスリットほど、副部２３４の長さがより短くなる。スリット２３０における各々の副部２３４の一端は、同じ第二の仮想の直線（上記第二の直線に対応する直線）上にあり、副部２３４の他端は同じ第一の仮想の直線（上記第一の直線に対応する直線）上にある。第一の仮想の直線と第二の仮想の直線とは、所定の角度をなす。第一のスリットからより遠いスリットほど、副部２３４と主部２３１との間の屈曲部は、第一の仮想の直線に近づく。一方、副部２３５に着目すると、図７において向かって左端にあるスリットが第一のスリットに対応する。スリット２３０における各々の副部２３５の一端は、同じ第二の仮想の直線（上記第二の直線に対応する直線）上にあり、副部２３５の他端は同じ第一の仮想の直線（上記第一の直線に対応する直線）上にある。第一の仮想の直線と第二の仮想の直線とは、所定の角度をなす。第一のスリットからより遠いスリットほど、副部２３５と主部２３１との間の屈曲部は、第一の仮想の直線に近づく。

このように画素電極２１７を形成することで、主部２３１を含む領域におけるＬ及びＳと、副部２３４、２３５を含む領域におけるＬ及びＳとの差を小さくでき、両領域におけるＬ及びＳを互いに実質的に同じにすることもできる。

一方、従来のＦＦＳモードに係る比較形態１の液晶ディスプレイ５１０においては、図１０に示すように、スリット間電極は、全て略同一の形状に形成され、第一の仮想の直線と第二の仮想の直線とがなす角度は存在しない。

一方、実施形態３の液晶ディスプレイ３１０においては、主部２３１を含む領域の幅Ｌ及び幅Ｓと副部２３４、２３５を含む領域の幅Ｌ及び幅Ｓとの差を小さくできるため、例えば、主部を含む領域のＬ及びＳが許容限界近くの大きさになっていても、副部を含む領域のＬ及びＳが許容限界を超えてしまうことを防ぐことができる。その結果、プロセスのばらつきに起因してスリットのパターンが変化するのを抑制でき、また、透過率の向上が可能となる。具体的には、主部２３１を含む領域におけるＬ及びＳと、副部２３４、２３５を含む領域におけるＬ及びＳとをプロセス上、許容される限界まで小さくし、互いに実質的に同じ値に設定した場合、実施形態３の液晶ディスプレイ３１０は、図１０に示す比較形態１の液晶ディスプレイ５１０よりも透過率が８％向上する。

副部２３４と液晶分子の初期配向方向とがなす角度と、副部２３４と液晶分子の初期配向方向とがなす角度との大きさはそれぞれ特に限定されず、マルチドメインの液晶ディスプレイとして適切な視野角が得られ、ディスクリネーションの発生の抑制と、押圧耐性とが得られる角度に設定すればよい。具体的には、これらの角度は、２０〜４０°に設定されることが好ましい。

主部２３１と液晶分子の初期配向方向とがなす角の大きさは特に限定されず、マルチドメインの液晶ディスプレイとして適切な視野角が得られ、ディスクリネーションの発生の抑制と、押圧耐性とが得られる角度に設定すればよい。具体的には、この角度は、３〜１０°に設定されることが好ましい。

第一の仮想の直線と第二の仮想の直線とがなす角度の大きさも特に限定されないが、スリット全体において、ＬとＳとの合計が作製可能な最小値となるように設定されることが好ましく、具体的には、５〜１５°に設定されることが好ましい。

以下に、実施形態１〜３の変形例を示す。
実施形態１〜３では、スリットは、画素の長辺方向に伸長していたが、画素の短辺方向に伸長する形態であってもよい。

実施形態１〜３では、共通電極の上に画素電極が形成されるとともに、画素電極にスリットが形成されていたが、画素電極の上に共通電極が形成されるとともに、共通電極にスリットが形成される形態であってもよい。このような形態について、実施形態３の変形例を用いて以下に説明する。

図８は、実施形態３の変形例に係るＦＦＳモードの液晶ディスプレイのアクティブマトリクス基板の平面模式図である。図９は、実施形態３の変形例のアクティブマトリクス基板に設けられた共通電極を示す平面模式図である。

実施形態３の変形例に係る液晶ディスプレイ４１０においては、図９に示すように、共通電極３１５が表示領域の大部分に覆うように形成される。共通電極３１５は、画素電極３１７上に形成されるとともに、共通電極３１５には、互いに平行な複数のスリット３３０が形成されており、共通電極３１５は、１以上の線状部分を含む。他方、図８に示すように、画素電極３１７には、スリットが形成されず、画素電極３１７は、切れ目なく板状に形成され、スリット３３０に対向している。

スリット３３０は、主部３３１、及び、副部３３４、３３５を含み、実施形態３の液晶ディスプレイの画素電極２１７に形成されたスリット２３０と同じ形状である。したがって、実施形態３の変形例においても、実施形態３と同様の効果を奏することができる。すなわち、主部３３１を含む領域の幅Ｌ及び幅Ｓと副部３３４、３３５を含む領域の幅Ｌ及び幅Ｓとの差を小さくできる。その結果、プロセスのばらつきに起因してスリットのパターンが変化するのを抑制でき、また、透過率の向上が可能となる。また、主部３３１を含む領域と副部３３４、３３５を含む領域とにおけるＬ及びＳを互いに実質的に同じにすることもできる。

本願は、２０１１年８月１０日に出願された日本国特許出願２０１１−１７５４６５号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。

１０：アクティブマトリクス基板
１１、２１：絶縁基板
１２：ゲート絶縁膜
１３、５１３：データバスライン
１４：第一絶縁膜
１５、３１５、５１５：共通電極
１６ａ：第二絶縁膜
１６ｂ：第三絶縁膜
１７、１１７、２１７、３１７、５１７：画素電極
１８、１１８、２１８、５１８：線状部分
１９、２０、１１９、１２０、２１９、２２０、５１９、５２０：接続部分
２２：ブラックマトリクス
２３：カラーフィルタ
３０、１３０、２３０、３３０、５３０：スリット
３１、３２、１３１、１３２、２３１、３３１、５３１、５３２：主部
３３、１３３、５３３：Ｖ字部
３６、３７、１３６、１３７：直線部分
５１、５５１：ゲートバスライン
５３、５５３：ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
５４：半導体層
５５ａ：ゲート電極
５５ｂ：ソース電極
５５ｃ：ドレイン電極
７０：対向基板
７１：コンタクトホール
８０：液晶層
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０：液晶ディスプレイ
１３４、１３５、２３４、２３５、３３４、３３５、５３４、５３５：副部

Claims

第一の基板と、前記第一の基板に対向する第二の基板と、前記第一の基板及び前記第二の基板の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層とを備え、
前記第一の基板は、第一の電極と、前記第一の電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第二の電極とを含み、
前記第二の電極には、画素内に設けられた複数のスリットが形成され、
前記第一の電極は、前記複数のスリットに対向し、
前記複数のスリットは、互いに平行であり、
前記複数のスリットは各々、第一の方向に延びる第一の直線部分と、前記第一の直線部分の一端に繋がり、第二の方向に延びる第二の直線部分と、前記第一の直線部分及び前記第二の直線部分が互いに繋がる領域において屈曲した屈曲部とを含み、
前記複数の第一直線部分の他端は、同じ直線上にあり、
前記複数のスリットの中で前記画素内において一方の端にあるスリットを第一のスリットとすると、
前記第一のスリットの隣のスリットは、第一の直線部分及び第二の直線部分が前記第一のスリット側に屈曲し、
前記第一のスリットからより遠いスリットほど、前記第一の直線部分の長さは、より短く、
電圧無印加時の前記液晶分子の配向方向を初期配向方向とすると、
前記第一の方向及び前記第二の方向は各々、前記初期配向方向と異なり、
前記第一の方向と前記初期配向方向とのなす角は、前記第二の方向と前記初期配向方向とのなす角よりも大きく、
前記第一の直線部分は、前記第二の直線部分よりも短い液晶ディスプレイ。
第一の基板と、前記第一の基板に対向する第二の基板と、前記第一の基板及び前記第二の基板の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層とを備え、
前記第一の基板は、第一の電極と、前記第一の電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第二の電極とを含み、
前記第二の電極には、画素内に設けられた複数のスリットが形成され、
前記第一の電極は、前記複数のスリットに対向し、
前記複数のスリットは、互いに平行であり、
前記複数のスリットは各々、第一の方向に延びる第一の直線部分と、前記第一の直線部分の一端に繋がり、第二の方向に延びる第二の直線部分と、前記第一の直線部分及び前記第二の直線部分が互いに繋がる領域において屈曲した屈曲部とを含み、
前記複数の第一直線部分の他端は、同じ直線上にあり、
前記複数のスリットの中で前記画素内において一方の端にあるスリットを第一のスリットとすると、
前記第一のスリットの隣のスリットは、第一の直線部分及び第二の直線部分が前記第一のスリット側に屈曲し、
前記第一のスリットからより遠いスリットほど、前記第一の直線部分の長さは、より短く、
電圧無印加時の前記液晶分子の配向方向を初期配向方向とすると、
前記第一の方向及び前記第二の方向は各々、前記初期配向方向と異なり、
前記第一の方向と前記初期配向方向とのなす角は、２０〜４０°であり、
前記第二の方向と前記初期配向方向とのなす角は、３〜１０°であり、
前記直線は、第一の直線であり、
前記複数のスリットの前記屈曲部は、同じ第二の直線上にあり、
前記第一の直線と前記第二の直線とのなす角は、５〜１５°である液晶ディスプレイ。
第一の基板と、前記第一の基板に対向する第二の基板と、前記第一の基板及び前記第二の基板の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層とを備え、
前記第一の基板は、第一の電極と、前記第一の電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第二の電極とを含み、
前記第二の電極には、画素内に設けられた複数のスリットが形成され、
前記第一の電極は、前記複数のスリットに対向し、
前記複数のスリットは、互いに平行であり、
前記複数のスリットは各々、第一の方向に延びる第一の直線部分と、前記第一の直線部分の一端に繋がり、第二の方向に延びる第二の直線部分と、前記第一の直線部分及び前記第二の直線部分が互いに繋がる領域において屈曲した屈曲部とを含み、
前記複数の第一直線部分の他端は、同じ直線上にあり、
前記複数のスリットの中で前記画素内において一方の端にあるスリットを第一のスリットとすると、
前記第一のスリットの隣のスリットは、第一の直線部分及び第二の直線部分が前記第一のスリット側に屈曲し、
前記第一のスリットからより遠いスリットほど、前記第一の直線部分の長さは、より短く、
前記複数のスリットは各々、前記第一の直線部分の前記他端に繋がり、第三の方向に延びる第三の直線部分を更に含み、
前記第一の直線部分及び前記第三の直線部分は、Ｖ字状に設けられる液晶ディスプレイ。
電圧無印加時の前記液晶分子の配向方向を初期配向方向とすると、
前記第三の方向と前記初期配向方向とのなす角は、２０〜４０°であり、
前記複数のスリットは各々、前記第三の直線部分の前記第一の直線部分に繋がらない方の端に繋がり、第四の方向に延びる第四の直線部分と、前記第三の直線部分及び前記第四の直線部分が互いに繋がる領域において屈曲した第二の屈曲部とを更に含み、
前記直線は、第一の直線であり、
前記複数のスリットの前記第二の屈曲部は、同じ第三の直線上にあり、
前記第一の直線と前記第三の直線とのなす角は、５〜１５°であり、
前記第四の方向と前記初期配向方向とのなす角は、３〜１０°である請求項３記載の液晶ディスプレイ。
前記第二の電極は、前記複数のスリットに隣接する３以上の線状部分と、前記３以上の線状部分を互いに接続する接続部とを含み、
前記第一の直線部分は、前記接続部に隣接する請求項１又は２記載の液晶ディスプレイ。