JP5755909B2 - 半導体不揮発性メモリ及びデータ書き込み方法 - Google Patents
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Description
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なるプログラムデータDT0〜DT2を生成する。
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なるプログラムデータDT0〜DT2を生成する。
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なるプログラムデータDT0〜DT2を生成する。
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なるプログラムデータDT0〜DT2を生成する。
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である場合には、論理レベル1の判定結果信号S0に応じてレベルシフタ243が、書込電圧としてのドレイン電圧PDV0をビット線BLに印加する。
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である場合には、論理レベル1の判定結果信号S1に応じてレベルシフタ242が、書込電圧としてのドレイン電圧PDV1をビット線BLに印加する。
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である場合には、論理レベル1の判定結果信号S2に応じてレベルシフタ241が、書込電圧としてのドレイン電圧PDV2をビット線BLに印加する。
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である場合には、論理レベル1の判定結果信号NS0に応じてレベルシフタ246が、書込電圧としてのドレイン電圧NPDV0をビット線BLに印加する。
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である場合には、論理レベル1の判定結果信号NS1に応じてレベルシフタ245が、書込電圧としてのドレイン電圧NPDV1をビット線BLに印加する。
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である場合には、論理レベル1の判定結果信号NS2に応じてレベルシフタ244が、書込電圧としてのドレイン電圧NPDV2をビット線BLに印加する。
22 状態判定回路
23 書込電圧発生回路
241〜246 レベルシフタ
30、32 電荷蓄積部
106 カラムデコーダ
108 コントローラ
Claims (5)
- 各々が電荷蓄積部を有するMOSFET構造からなる複数のメモリセルを有する不揮発性半導体メモリであって、
書込データに対応した書込電圧を段階的に増加させつつ前記メモリセルのいずれかのドレイン領域又はソース領域に印加することにより前記電荷蓄積部に電荷を注入する書込電圧印加部と、
前記電荷蓄積部に蓄積された電荷量が所定の電荷量を超えた場合には、前記書込電圧を低下させた後に、段階的に増加させる制御部と、を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 前記制御部は、
前記書込電圧として第1電圧及び当該第1電圧よりも低い第2電圧を夫々生成する書込電圧発生部と、
前記メモリセルから読み出された読出電流値に基づき、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷量が前記書込データの値に対応した第1電荷量よりも低い第2電荷量を超えたか否かを判定する第1判定部と、
前記第1判定部が前記電荷蓄積部に蓄積された電荷量が前記第2電荷量を超えたと判定するまでは前記書込電圧として前記第1電圧を設定する一方、前記第1判定部が前記第2電荷量を超えたと判定した場合には前記書込電圧を前記第1電圧から前記第2電圧に切り替える電圧切換部と、を有することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体メモリ。 - 前記第2電圧を有する前記書込電圧が前記メモリセルのドレイン領域又はソース領域に印加された際に前記メモリセルから読み出された読出電流値に基づき、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷量が前記第1電荷量に到達したか否かを判定する第2判定部を更に備え、
前記電圧切換部は、前記第2判定部が前記電荷蓄積部に蓄積された電荷量が前記第1電荷量に到達したと判定した場合に前記メモリセルのドレイン領域又はソース領域をハイインピーダンス状態に設定することを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体メモリ。 - 各々が電荷蓄積部を有するMOSFET構造からなる複数のメモリセルを有する不揮発性半導体メモリにデータを書き込むデータ書き込み方法であって、
書込データの値に対応した第1書込電圧を段階的に増加させつつ前記メモリセルのドレイン又はソース領域に印加することにより、前記電荷蓄積部に対して前記書込データの値に対応した第1電荷量よりも低い第2電荷量を超えるまで電荷を注入する第1ステップと、
前記電荷蓄積部に蓄積された電荷量が前記第2電荷量を超えた場合には前記第1書込電圧に代えて前記第1書込電圧よりも低い第2書込電圧を前記メモリセルのドレイン又はソース領域に印加した後に前記第2書込電圧を増加して行くことにより前記電荷蓄積部に電荷を注入してその電荷蓄積量を前記第1電荷量に到らせる第2ステップと、を順次実行することを特徴とするデータ書き込み方法。 - 夫々が異なる値を示す前記書込データの書き込み対象となる複数のメモリセル各々に対して同時に前記第1ステップ及び前記第2ステップを実行することを特徴とする請求項4記載のデータ書き込み方法。
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