JP5748928B1 - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 132
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 31
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 27
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
実施例1にかかる分割スパッタリングターゲットでは、主としてTiからなるバッキングチューブ4の分割部の底部に付着している接合材3をポリイミド樹脂からなる治具で一部除去した。図3A及びBは、実施例1にかかる分割スパッタリングターゲットの基材の分割部に対応する領域のEPMA分析結果であって、図3AはInの分析結果であり、図3BはTiの分析結果である。図3Bでは、Tiが存在する領域がわずかではあるが確認できる。したがって、In合金は基材の表面の凹凸部の主として凹部に存在しており、In合金は、基材の表面とほぼ同じ高さ(基材に凹凸部を形成する前の基材の表面とほぼ同じ高さ、または基材の凹凸部の凸部とほぼ同じ高さ)の範囲内に存在しているといえる。InのEPMA分析によれば、接合材3であるIn合金が存在する領域は、観察面積に対して95.35%であった。
実施例2にかかる分割スパッタリングターゲットでは、主としてTiからなるバッキングチューブ4の分割部の底部に付着している接合材3をポリイミド樹脂からなる治具で一部除去した。図4A及びBは、実施例2にかかる分割スパッタリングターゲットの基材の分割部に対応する領域のEPMA分析結果である。図4AはInの分析結果であり、図4BはTiの分析結果である。InのEPMA分析によれば、接合材3であるIn合金が存在する領域は、観察面積に対して74.75%であった。
実施例3にかかる分割スパッタリングターゲットでは、主としてTiからなるバッキングチューブ4の分割部の底部に付着している接合材3をポリイミドアミド樹脂からなる治具で一部除去した。図5A及びBは、実施例3にかかる分割スパッタリングターゲットの基材の分割部に対応する領域のEPMA分析結果である。図5AはInの分析結果であり、図5BはTiの分析結果である。InのEPMA分析によれば、接合材3であるIn合金が存在する領域は、観察面積に対して44.65%であった。
比較例1にかかる円筒形スパッタリングターゲットでは、主としてTiからなるバッキングチューブ4の分割部の底部に付着している接合材3をステンレスからなる治具で一部除去した。図6A及びBは、比較例1にかかる分割スパッタリングターゲットの基材の分割部に対応する領域のEPMA分析結果である。図6AはInの分析結果であり、図6BはTiの分析結果である。InのEPMA分析によれば、接合材3であるIn合金が存在する領域は、観察面積に対して8.11%であった。
比較例2にかかる円筒形スパッタリングターゲットでは、主としてTiからなるバッキングチューブ4の分割部の底部に付着している接合材3をステンレスからなる治具で一部除去した。図7A及びBは、比較例2にかかる分割スッタリングターゲットの基材の分割部に対応する領域のEPMA分析結果である。図7AはInの分析結果であり、図7BはTiの分析結果である。InのEPMA分析によれば、接合材3であるIn合金が存在する領域は、観察面積に対して0.76%であった。
下記表1は、実施例1〜3及び比較例1〜2の分割スパッタリングターゲットについて、評価試験を行った結果をまとめたものである。
2 スペーサー
3 接合材
4 バッキングチューブ
Claims (5)
- 複数のターゲット部材を基材に接合して得られる分割スパッタリングターゲットにおいて、
前記複数のターゲット部材同士はバッキングプレートの表面に互いに所定の間隔をおいて配置され、
前記ターゲット部材を前記所定の間隔をおいて配置することにより形成される分割部における基材の表面は凹凸部を有し、
前記凹凸部の表面にはIn合金が存在し、
前記In合金が存在する領域は、基材の分割部に対応する領域の表面をEPMAで分析した場合に、観察面積に対して面積比率が40%以上80%以下であることを特徴とする分割スパッタリングターゲット。 - 前記所定の間隔は、0.2mm以上0.4mm以下であることを特徴する請求項1に記載の分割スパッタリングターゲット。
- 前記In合金は、Inを90%以上含有していることを特徴する請求項1又は2に記載の分割スパッタリングターゲット。
- 前記凹凸部の表面粗さは、算術平均粗さ(Ra)で1.8μm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の分割スパッタリングターゲット。
- 前記バッキングプレートは、TiまたはCuを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに1項に記載の分割スパッタリングターゲット。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015034299A JP5748928B1 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN201610087850.9A CN105908137B (zh) | 2015-02-24 | 2016-02-16 | 溅射靶 |
KR1020160021737A KR20160103538A (ko) | 2015-02-24 | 2016-02-24 | 스퍼터링 타겟 |
TW105105444A TWI554628B (zh) | 2015-02-24 | 2016-02-24 | 分割的濺射靶件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015034299A JP5748928B1 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015088561A Division JP5781714B1 (ja) | 2015-02-24 | 2015-04-23 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2015088562A Division JP2016156086A (ja) | 2015-04-23 | 2015-04-23 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5748928B1 true JP5748928B1 (ja) | 2015-07-15 |
JP2016156053A JP2016156053A (ja) | 2016-09-01 |
Family
ID=53718508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015034299A Active JP5748928B1 (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5748928B1 (ja) |
-
2015
- 2015-02-24 JP JP2015034299A patent/JP5748928B1/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016156053A (ja) | 2016-09-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150414 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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