JP5742127B2 - 光モジュールおよび固体レーザ装置 - Google Patents
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Description
しかし、レーザ結晶に対するヒートシンクの位置がa軸方向にずれると、放熱性が変動してしまう。このため、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じ、得られる楕円率にバラツキが生じる問題点があった。
そこで、本発明の目的は、レーザ結晶に対するヒートシンクの位置ずれが生じることを防止し、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようにした光モジュールおよび固体レーザ装置を提供することにある。
上記第1の観点による光モジュールでは、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のNFPが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸面にヒートシンクが密着し、短軸面には実質的にヒートシンクが密着しない。このため、楕円率が「1」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの嵌合部にレーザ結晶の長軸面端部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、所望の値(一般的には「1」)に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。
上記第2の観点による光モジュールでは、c軸面にヒートシンクが密着し、a軸面にはヒートシンクが実質的に密着しない。一方、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のNFPが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸方向がレーザ結晶のc軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶のa軸方向である場合が多い。このため、多くの場合、楕円率が「1」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの嵌合部にレーザ結晶のc軸面端部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、多くの場合、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。
上記第3の観点による光モジュールでは、レーザ結晶と波長変換結晶とが一体となった構造の光学素子を用いるため、全体を小型化できる。また、レーザ結晶と波長変換結晶の両方にヒートシンクを共用するため、部品点数を減らすことが出来る。
上記第4の観点による光モジュールでは、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のNFPが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸面にヒートシンクが密着し、短軸面には実質的にヒートシンクが密着しない。このため、楕円率が「1」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの貫通孔に光学素子の波長変換結晶部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。
上記第5の観点による光モジュールでは、c軸面にヒートシンクが密着し、a軸面にはヒートシンクが実質的に密着しない。一方、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のNFPが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸方向がレーザ結晶のc軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶のa軸方向である場合が多い。このため、多くの場合、楕円率が「1」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの貫通孔に光学素子の波長変換結晶部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、多くの場合、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。
上記第6の観点による光モジュールでは、ヒートシンクがレーザ結晶のc軸面に密着し且つa軸面に密着しない状態でも、ヒートシンクがレーザ結晶のa軸面に密着し且つc軸面に密着しない状態でも、いずれの状態でも取り得るので、ヒートシンクを取り付けない状態でのNFPの楕円形状の長軸方向がc軸方向であり且つ短軸方向がa軸方向である場合にも、長軸方向がa軸方向であり且つ短軸方向がc軸方向である場合にも、両方に対応できる。
上記第7の観点による光モジュールでは、必ずレーザ結晶のc軸面がヒートシンクに密着しa軸面がヒートシンクに密着しなくなるようにヒートシンクをレーザ結晶に取り付けできるので、作業が容易になる。そして、多くの場合、レーザ結晶のc軸方向がNFPの楕円形状の長軸方向になり且つa軸方向がNFPの楕円形状の短軸方向になるため、多くの場合に対応できる。
上記第8の観点による固体レーザ装置では、前記第1から第7のいずれかの観点による光モジュールを使用するため、所望の値に近い楕円率のモードが安定に得られるようになる。
図1は、実施例1に係る光モジュール101を示す斜視図である。
この光モジュール101は、光学素子10と、ヒートシンク30と、両者を固着する接着剤50とからなる。
光学素子10の左面と右面は、ヒートシンク30に密着しておらず、両者の間隙に接着剤50が充填されている。
光学素子10の前面は、励起レーザ光入射面になっている。
光学素子10の後面は、基本波レーザ光出射面になっている。
光学素子10は、図示せぬ半導体レーザからの励起レーザ光により励起されて基本波レーザ光を出すレーザ結晶1である。レーザ結晶1は、例えばNdを3at%ドープしたYVO4結晶のa−cut基板(c軸吸収、c軸発振)である。
レーザ結晶1の励起レーザ光入射面には、HR膜2がコーティングされている。また、基本波レーザ光出射面には、AR膜3がコーティングされている。
楕円形状の長軸方向がレーザ結晶1のc軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶1のa軸方向の場合が多いが、この場合、長さHはレーザ結晶1のc軸方向の長さとなり、長さWはa軸方向の長さとなる。なお、楕円形状の長軸方向がレーザ結晶1のa軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶1のc軸方向の場合は少ないが、この場合、長さHはレーザ結晶1のa軸方向の長さとなり、長さWはc軸方向の長さとなる。
ヒートシンク30は、レーザ結晶1と同等以上の熱伝導率を有する材料が好ましく、例えばシリコン(熱伝導率:148W/mK)や、銅(熱伝導率:501W/mK)である。
ヒートシンク30には、光学素子10が入る孔が貫通している。その孔の上部に嵌合部30aが形成されている。孔の左右長Pは例えば1.4mmであり、上下長Qは例えば0.8mmである。嵌合部30aの左右長Rは例えば1.1mmであり、上下長Sは例えば0.3mmである。
ヒートシンク30の厚さTは、例えば0.5mmである。
(1)ヒートシンク30を取り付けない状態でのレーザ結晶1のNFPが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸に直交する面にヒートシンク30が密着し、短軸に直交する面にはヒートシンク30が密着しない。このため、楕円率を「1」に近づける傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。
(2)ヒートシンク30の嵌合部30aに光学素子10の上端部分が嵌合することで、光学素子10に対してヒートシンク30が短軸方向に位置ずれしなくなり、バラツキを生じなくなる。
(3)以上により、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られる。
図4に示す光モジュール102のように、光学素子10の左面および右面とヒートシンク30の間隙に接着剤を充填せず、空隙51にしてもよい。
図5に示す光モジュール103のように、ヒートシンク30に代えて、天板に嵌合部31aを設けるだけでなく底板にも嵌合部31aを設けたヒートシンク31を用いてもよい。また、光学素子10の左面および右面とヒートシンク31の間隙に接着剤を充填せず、空隙51にしてもよい。
多くの場合、レーザ結晶1のc軸方向がNFPの楕円形状の長軸方向になり且つa軸方向がNFPの楕円形状の短軸方向になる傾向がある。そこで、レーザ結晶1のa軸方向の長さをc軸方向の長さより短くしておき(例えばa軸方向の長さ:c軸方向の長さ=1:1.2)、嵌合部30a,31aの左右長Rをレーザ結晶1のa軸方向の長さより大きく且つc軸方向の長さより小さくしておけば、必ずc軸面にヒートシンク30,31が密着し、a軸面にはヒートシンク30,31が密着しないようにヒートシンク30,31を光学素子10に取り付けでき、作業が容易になる。
図6は、実施例2に係る光モジュール104を示す斜視図である。
この光モジュール104は、光学素子20と、ヒートシンク32と、両者を固着する接着剤50とからなる。
光学素子20の左面と右面は、ヒートシンク32に密着しておらず、両者の間隙に接着剤50が充填されている。
光学素子20の前面は、励起レーザ光入射面になっている。
光学素子20の後面は、波長変換レーザ光出射面になっている。
光学素子20は、半導体レーザ(図18の51)からの励起レーザ光により励起されて基本波レーザ光を出すレーザ結晶1と、基本波レーザ光の高調波である波長変換レーザ光を出す波長変換結晶4と、波長変換結晶4をサンドイッチ状に挟むダミー材5,6とを、接合一体化した構造である。
レーザ結晶1の励起レーザ光入射面には、HR膜2がコーティングされている。また、波長変換結晶4およびダミー材5,6の波長変換レーザ光出射面には、HR膜7がコーティングされている。
波長変換結晶4は、例えば分極反転構造が形成された強誘電体基板(例えばLNやLT基板、あるいは、MgOをドープしたLNやLT基板)である。
楕円形状の長軸方向がレーザ結晶1のc軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶1のa軸方向の場合が多いが、この場合、長さHはレーザ結晶1のc軸方向の長さとなり、長さWはa軸方向の長さとなる。なお、楕円形状の長軸方向がレーザ結晶1のa軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶1のc軸方向の場合は少ないが、この場合、長さHはレーザ結晶1のa軸方向の長さとなり、長さWはc軸方向の長さとなる。
ヒートシンク32は、レーザ結晶1と同等以上の熱伝導率を有する材料が好ましく、例えばシリコン(熱伝導率:148W/mK)や、銅(熱伝導率:501W/mK)である。
ヒートシンク32には、光学素子20が入る孔が貫通している。その孔の上部に嵌合部32aが形成されている。孔の左右長Pは例えば1.4mmであり、上下長Qは例えば0.8mmである。嵌合部33aの左右長Rは例えば1.1mmであり、上下長Sは例えば0.3mmである。
ヒートシンク32の厚さUは、例えば1.5mmである。
(1)ヒートシンク32を取り付けない状態でのレーザ結晶1のNFPが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸に直交する面にヒートシンク32が密着し、短軸に直交する面にはヒートシンク32が密着しない。このため、楕円率を「1」に近づける傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。
(2)ヒートシンク32の嵌合部32aに光学素子20の上端部分が嵌合することで、光学素子20に対してヒートシンク32が短軸方向に位置ずれしなくなり、バラツキを生じなくなる。
(3)以上により、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られる。
図9に示す光モジュール105のように、光学素子20の左面および右面とヒートシンク32の間隙に接着剤を充填せず、空隙51にしてもよい。
図10に示す光モジュール106のように、ヒートシンク32に代えて、天板に嵌合部33aを設けるだけでなく底板にも嵌合部33aを設けたヒートシンク33を用いてもよい。また、光学素子20の左面および右面とヒートシンク33の間隙に接着剤を充填せず、空隙51にしてもよい。
多くの場合、レーザ結晶1のc軸方向がNFPの楕円形状の長軸方向になり且つレーザ結晶1のa軸方向がNFPの楕円形状の短軸方向になる傾向がある。そこで、レーザ結晶1のa軸方向の長さをc軸方向の長さより短くしておき(例えばa軸方向の長さ:c軸方向の長さ=1:1.2)、波長変換結晶4も同様にし、嵌合部32aの左右長Rをレーザ結晶1のa軸方向の長さより大きく且つc軸方向の長さより小さくしておけば、必ずc軸面にヒートシンク32が密着し、a軸面にはヒートシンク32が密着しないようにヒートシンク32を光学素子20に取り付けでき、作業が容易になる。
図11に示す光モジュール107のように、実施例2のヒートシンク32の、レーザ結晶1の左右に相当する部分を切欠部34bとしたヒートシンク34を用いてもよい。
図12に、ヒートシンク34の斜視図を示す。
実施例3を、実施例2の変形例2,3と同様に変形してもよい。
図13に示す光モジュール108のように、実施例3のヒートシンク34の底板の代わりに光モジュール108を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Fを利用することで、実施例3のヒートシンク34の底板を省略したヒートシンク35を用いてもよい。
実施例4を、実施例2の変形例3と同様に変形してもよい。
図14に示す光モジュール109のように、実施例2のヒートシンク32の底板の代わりに光モジュール109を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Fを利用することで、実施例2のヒートシンク32の底板を省略したヒートシンク36を用いてもよい。
実施例5を、実施例2の変形例1,3と同様に変形してもよい。
図15に示す光モジュール110のように、実施例5のヒートシンク36の側板を省略したヒートシンク37を用いて、光モジュール110を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Fとヒートシンク37とで光学素子20を挟むようにしてもよい。
実施例6を、実施例2の変形例3と同様に変形してもよい。
図16に示す光モジュール111のように、実施例1のヒートシンク30の底板の代わりに光モジュール111を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Fを利用することで、実施例1のヒートシンク30の底板を省略したヒートシンク38を用いてもよい。
実施例5を、実施例2の変形例1,3と同様に変形してもよい。
図17に示す光モジュール112のように、実施例7のヒートシンク38の側板を省略したヒートシンク39を用いて、光モジュール112を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Fとヒートシンク39とで光学素子10を挟むようにしてもよい。
実施例8を、実施例1の変形例3と同様に変形してもよい。
図18は、実施例9に係る光モジュール113を示す斜視図である。
この光モジュール113は、光学素子20と、ヒートシンク40と、両者を固着する接着剤50とからなる。
光学素子20におけるレーザ結晶1の左面と右面は、ヒートシンク40の切欠部40bに対応し、ヒートシンク40に密着していない。波長変換結晶4の左面と右面は、ヒートシンク40に密着している。
光学素子20の前面は、励起レーザ光入射面になっている。
光学素子20の後面は、波長変換レーザ光出射面になっている。
ヒートシンク40には、光学素子20が入る貫通孔40cが貫通している。貫通孔40cの左右長Xは例えば1.1mmであり、上下長Yは例えば1.1mmである。
(1)ヒートシンク40を取り付けない状態でのレーザ結晶1のNFPが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸に直交する面にヒートシンク40が密着し、短軸に直交する面にはヒートシンク40が密着しない。このため、楕円率を「1」に近づける傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。
(2)ヒートシンク40の貫通孔40cに光学素子20の波長変換結晶部分が嵌合することで、光学素子20に対してヒートシンク40が短軸方向に位置ずれしなくなり、バラツキを生じなくなる。
(3)以上により、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られる。
多くの場合、レーザ結晶1のc軸方向がNFPの楕円形状の長軸方向になり且つレーザ結晶1のa軸方向がNFPの楕円形状の短軸方向になる傾向がある。そこで、レーザ結晶1のa軸方向の長さをc軸方向の長さより短くしておき(例えばa軸方向の長さ:c軸方向の長さ=1:1.2)、波長変換結晶4も同様にし、貫通孔40cの左右長Xをレーザ結晶1のa軸方向の長さより大きく且つc軸方向の長さより小さくしておけば、必ずレーザ結晶1のc軸面にヒートシンク40が密着し、a軸面にはヒートシンク40が密着しないようにヒートシンク40を光学素子20に取り付けでき、作業が容易になる。
図20に示す光モジュール114のように、実施例9のヒートシンク40の切欠部40bの部分に側板を設けたヒートシンク41を用いてもよい。
このヒートシンク41の切欠部41bを空隙のままにしてもよいし、接着剤を充填してもよい。
図21に示す光モジュール115のように、実施例9のヒートシンク40の底板の代わりに光モジュール115を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Fを利用することで、実施例9のヒートシンク40の底板を省略したヒートシンク42を用いてもよい。
図22は、ヒートシンク42の斜視図である。
実施例11を、実施例9の変形例と同様に変形してもよい。
図23に示す光モジュール116のように、実施例11のヒートシンク42の切欠部42bの部分に側板を設けたヒートシンク43を用いてもよい。
このヒートシンク43の切欠部43bを空隙のままにしてもよいし、接着剤を充填してもよい。
図24は、実施例13に係る固体レーザ装置201を示す構成説明図である。
この固体レーザ装置201は、半導体レーザ51と、集光レンズ52と、先述した実施例の光モジュール101〜103,111,112のいずれかと、波長変換素子54と、光モジュール取付台59とを具備している。
図25は、実施例14に係る固体レーザ装置202を示す構成説明図である。
この固体レーザ装置202は、半導体レーザ51と、集光レンズ52と、先述した実施例の光モジュール104〜110,113〜116のいずれかと、光モジュール取付台59とを具備している。
4 波長変換結晶
9 ヒートシンク有りのレーザ結晶のNFP
9’ ヒートシンク無しのレーザ結晶のNFP
10,20 光学素子
30〜41 ヒートシンク
30a〜39a 嵌合部
40b,41b 切欠部
40c,41c 貫通孔
101〜116 光モジュール
Claims (8)
- レーザ光入射面を前面とし且つレーザ光出射面を後面とする六面体のNd:YVO4結晶(1)にヒートシンク(30〜39)を取り付けてなる光モジュール(101〜112)であって、前記Nd:YVO4結晶(1)のc軸に直交する前記六面体の側面をc軸面とし且つa軸に直交する前記六面体の側面をa軸面とするとき、前記ヒートシンク(30〜39)は、前記Nd:YVO4結晶(1)の少なくとも一つのc軸面端部分が嵌合しうる嵌合部(30a〜39a)を有し、且つ、前記Nd:YVO4結晶(1)の少なくとも一つのc軸面には密着しa軸面には前記嵌合部(30a〜39a)に嵌合してる部分以外は密着しないことを特徴とする光モジュール(101〜112)。
- 請求項1に記載の光モジュール(104〜110)において、前記光モジュール(104〜110)は、Nd:YVO4結晶(1)と波長変換結晶(4)とが一体となった構造の光学素子(20)にヒートシンク(32〜37)を取り付けてなる光モジュール(104〜110)であることを特徴とする光モジュール(104〜110)。
- レーザ光入射面を前面とし且つレーザ光出射面を後面とする六面体のNd:YVO4結晶(1)と波長変換結晶(4)とが一体となった構造の光学素子(20)にヒートシンク(40〜43)を取り付けてなる光モジュール(113〜116)であって、前記ヒートシンク(40〜43)を取り付けない状態での前記Nd:YVO4結晶(1)のNFPは楕円形状であり、前記楕円形状の長軸に直交する前記六面体の側面を長軸面とし且つ前記楕円形状の短軸に直交する前記六面体の側面を短軸面とするとき、前記ヒートシンク(40〜43)は、前記光学素子(20)の波長変換結晶(4)部分が嵌合する形状の貫通孔(40c,42c)を有し、且つ、Nd:YVO4結晶(1)の少なくとも一つの長軸面には密着し、短軸面には密着しないように切欠部(40b〜43b)が設けられていることを特徴とする光モジュール(113〜116)。
- レーザ光入射面を前面とし且つレーザ光出射面を後面とする六面体のNd:YVO4結晶(1)と波長変換結晶(4)とが一体となった構造の光学素子(20)にヒートシンク(40〜43)を取り付けてなる光モジュール(113〜116)であって、前記Nd:YVO4結晶(1)のc軸に直交する前記六面体の側面をc軸面とし且つa軸に直交する前記六面体の側面をa軸面とするとき、前記ヒートシンク(40〜43)は、前記光学素子(20)の波長変換結晶(4)部分が嵌合する形状の貫通孔(40c,42c)を有し、且つ、Nd:YVO4結晶(1)の少なくとも一つのc軸面には密着し、a軸面には密着しないように切欠部(40b〜43b)が設けられていることを特徴とする光モジュール(113〜116)。
- 請求項1または請求項4のいずれかに記載の光モジュールにおいて、Nd:YVO4結晶(1)のc軸方向の長さとa軸方向の長さとが等しいことを特徴とする光モジュール。
- 請求項1に記載の光モジュールにおいて、Nd:YVO4結晶(1)のc軸方向の長さをa軸方向の長さより大きくし、嵌合部(30a〜39a)の左右長RをNd:YVO4結晶(1)のa軸方向の長さより大きく且つc軸方向の長さより小さくしておくことを特徴とする光モジュール。
- 請求項4に記載の光モジュールにおいて、Nd:YVO4結晶(1)のc軸方向の長さをa軸方向の長さより大きくし、波長変換結晶(4)も同様にし、貫通孔(40c,42c)の左右長Xを異方性レーザ結晶(1)のa軸方向の長さより大きく且つc軸方向の長さより小さくしておくことを特徴とする光モジュール。
- 請求項1から請求項7のいずれかに記載の光モジュール(101〜116)を使用したことを特徴とする固体レーザ装置(201,202)。
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