JP5737892B2 - 有機発光表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、有機発光表示装置に係り、さらに詳細には、透明な有機発光表示装置に関する。
有機発光表示装置は、視野角、コントラスト、応答速度、消費電力の側面において優れているため、ＭＰ３プレイヤや携帯電話のような個人用携帯機器からテレビ(ＴＶ)に至るまで応用範囲が拡大されている。
このような有機発光表示装置は、自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なり、別途の光源を必要としないので、厚さ及び重さを減らすことができる。
また、有機発光表示装置は、装置内部の薄膜トランジスタや有機発光素子を透明な形態にすることによって、透明表示装置として形成できる。
しかし、このような透明表示装置では、スイッチオフ状態である時、反対側に位置した物体またはイメージが有機発光素子だけでなく、薄膜トランジスタ及び複数の配線のパターン及びこれらの間の空間を透過してユーザに伝えられる。そのため、たとえ透明表示装置であっても、前述した有機発光素子、薄膜トランジスタ及び配線自体の透過率が十分に高くなく、これらの間の空間も非常に狭いので、全体ディスプレイの透過率は、高くない。
また、前述したパターン、すなわち、有機発光素子、薄膜トランジスタ及び配線のパターンによって、ユーザに対して、歪曲されたイメージを伝達される恐れがある。これは、前記パターン間の間隔が数百ｎｍ程度であるため、可視光波長と同一程度となって、透過された光の散乱をもたらすためである。
それに加えて、外来光に対する透過率を高めるために、画面全体に対して共通に蒸着される対向電極を薄く形成する場合には、この対向電極で電圧の降下(すなわち、ＩＲ ｄｒｏｐ)現象が現れる恐れがあり、特に、有機発光表示装置のサイズが増大するにつれて、前記現象が著しくなる恐れがある。
本発明が解決しようとする課題は、透過率を向上させて透明にすると共に、対向電極での電圧降下が抑制可能な有機発光表示装置を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、透過する光の散乱を抑制して、透過イメージの歪曲現象が抑制可能な透明な有機発光表示装置を提供することである。
前記課題を達成するために、本発明は、透過領域と前記透過領域とを介して相互離隔された複数の画素領域が区画された第１面を有する第１基板と、前記第１基板の第１面の前記画素領域上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に前記薄膜トランジスタを覆うように形成されていると共に前記薄膜トランジスタと電気的に連結された画素電極と、前記画素電極と対向していると共に、透光可能であり、且つ前記透過領域及び前記画素領域上にわたって位置する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、前記対向電極と対向するように前記基板と接合される第２基板と、前記第２基板と前記対向電極との間に介在されていると共に、両端がそれぞれ前記第２基板及び前記対向電極に接しており、且つ導電性物質を含む導電部と、を備える有機発光表示装置を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記画素電極の面積は、前記画素領域の面積と同一でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された導電ラインをさらに備え、前記導電ラインは、前記画素電極と重畳されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記透過領域の面積は、前記画素領域と前記透過領域との面積の和に対して、５％ないし９０％の範囲内でありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記パッシベーション膜は、前記透過領域及び画素領域のいずれの上にも形成され、透明な物質を含みうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記導電部は、前記透過領域上に配置されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１基板と前記第２基板との外縁に沿って前記第１基板と前記第２基板とを接合する密封材、及び前記密封材によって密封された前記第１基板と前記第２基板との間に介在された充填材をさらに備えうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記導電部は、引込部を備え、前記引込部の底面と前記対向電極との間に前記充填材が介在されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記導電部は、前記第２基板における前記対向電極との対向面上に形成されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、反射性を有する電極でありうる。
また、本発明は、前記課題を達成するために、透過領域と前記透過領域とを介して相互離隔された複数の画素領域が区画された第１面を有する第１基板と、前記基板の第１面の画素領域上に形成された薄膜トランジスタと、を備え、前記画素領域上に位置する画素回路部と、前記画素回路部を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に前記画素回路部を覆うように形成されていると共に前記画素回路部と電気的に連結された画素電極と、前記画素電極と対向していると共に、透光可能であり、且つ前記透過領域及び前記画素領域上にわたって位置する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、前記対向電極と対向するように前記基板と接合される第２基板と、前記第２基板と前記対向電極との間に介在されていると共に、両端がそれぞれ前記第２基板及び対向電極に接しており、且つ導電性物質を含む導電部と、を備える有機発光表示装置を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記画素電極は、前記画素領域上に形成されうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素回路部と電気的に連結された導電ラインをさらに備え、前記導電ラインは、前記画素領域を通過する。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記透過領域の面積は、前記画素領域と前記透過領域との面積の和に対して、５％ないし９０％の範囲内でありうる。
前記透過領域及び画素領域には、前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜が配置され、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、透明な物質を含みうる。
前記導電部は、前記透過領域上に配置されうる。
前記第１基板と第２基板との外縁に沿って前記第１基板と前記第２基板とを接合する密封材と、前記密封材によって密封された前記第１基板と前記第２基板との間に介在された充填材と、をさらに備えうる。
前記導電部は、引込部を備え、前記引込部の底面と前記対向電極との間に前記充填材が介在されうる。
前記導電部は、前記第２基板における前記対向電極との対向面上に形成されうる。
前記画素電極は、反射性を有する電極でありうる。
本発明によれば、外来光に対する透過率を高めて透明な有機発光表示装置を具現すると共に、対向電極の面抵抗を減少させて対向電極の電圧降下を減らすことができる。
また、透過する光の散乱を抑制されて透過イメージの歪曲現象が防止された透明な有機発光表示装置が得られる。
本発明の一実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置を示す拡大断面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の有機発光部を概略的に示す概略図である。 図３の有機発光部の一例をさらに詳細に示す回路図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の有機発光部を概略的に示す平面図である。 図５をさらに詳細に示す平面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の拡大断面図である。 図７の導電部の他の実施形態を示す平面図である。 図７の導電部の他の実施形態を示す平面図である。 図７の導電部の他の実施形態を示す平面図である。 図７の導電部のさらに他の実施形態を示す断面図である。 図７の導電部のさらに他の実施形態を示す断面図である。 図７の導電部のさらに他の実施形態を示す断面図である。
以下、添付した図面を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。
図１は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置を示した断面図である。
図１を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態による有機発光表示装置は、第１基板１の第１面１１にディスプレイ部２を備える。
このような有機発光表示装置で、外来光は、第１基板１及びディスプレイ部２を透過して入射される。
そして、ディスプレイ部２は、後述するように、外来光が透過可能に備えられたものであって、図１に示したように、画像が表示される側に位置したユーザが第１基板１の下部外側のイメージを観察できるように備えられる。
図２は、図１の有機発光表示装置をさらに具体的に示した一実施形態であって、前記ディスプレイ部２は、第１基板１の第１面１１に形成された有機発光部２１と、この有機発光部２１を密封する第２基板２３とを備える。
前記第２基板２３は、透明な部材で形成されて有機発光部２１からの画像が表示可能であり、有機発光部２１への外気及び水分の浸透を防止する。
前記第１基板１と前記第２基板２３とは、その外縁が密封材２４によって結合されて前記第１基板１と第２基板２３との間の空間２５が密封される。後述するように、前記空間２５には、充填材が充填され、導電部２２４が位置する。
図３は、図２の有機発光部２１の概略的な構成を示す概略図であり、図４は、前記画素回路部ＰＣの更なる具体的な一例を示した概略図である。図２ないし図４に示したように、本発明の望ましい一実施形態によれば、前記有機発光部２１は、外来光が透過される透過領域ＴＡと、この透過領域ＴＡを介して相互離隔された複数の画素領域ＰＡとに区画された第１面を有する第１基板１上に形成されたものである。
各画素領域ＰＡ上には、画素回路部ＰＣが備えられており、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶのような複数の導電ラインがこの画素回路部ＰＣに電気的に連結される。図面に示していないが、前記画素回路部ＰＣの構成によって、前記スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶ以外にも、更なる導電ラインが備えられうる。
図４に示したように、前記画素回路部ＰＣは、スキャンラインＳとデータラインＤとに連結された第１薄膜トランジスタＴＲ１と、第１薄膜トランジスタＴＲ１と駆動電源ラインＶとに連結された第２薄膜トランジスタＴＲ２と、第１薄膜トランジスタＴＲ１と第２薄膜トランジスタＴＲ２とに連結されたキャパシタＣｓｔと、を備える。この時、第１薄膜トランジスタＴＲ１は、スイッチングトランジスタとなり、第２薄膜トランジスタＴＲ２は、駆動トランジスタとなる。前記第２薄膜トランジスタＴＲ２は、画素電極２２１と電気的に連結されている。図４で、第１薄膜トランジスタＴＲ１と第２薄膜トランジスタＴＲ２とは、Ｐ型に示されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、少なくとも一つがＮ型に形成されることもある。前記のような薄膜トランジスタ及びキャパシタの数は、必ずしも図示された実施形態に限定されず、画素回路部ＰＣによって、２以上の薄膜トランジスタ、１以上のキャパシタが組合わせられうる。
本発明の望ましい一実施形態によれば、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶは、いずれも前記画素領域ＰＡを横切るように配置されることが望ましい。
前記各画素領域ＰＡは、発光がなされる領域となるが、このように発光がなされる領域内に画素回路部ＰＣが位置し、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶを含む導電ラインが横切るため、ユーザは、透過領域ＴＡを通じて外部を見ることになる。この透過領域ＴＡには、後述するように、スキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶのそれぞれの一部が通るため、透過率を阻害する最も大きい要素のうち一つである導電パターンの面積が最小化される。したがって、透過領域ＴＡの透過率は、さらに高まる。このように、本発明は、画像が表示される領域を画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとに分け、ディスプレイ全体透過率を落とす要素のうち一つである導電パターンのほとんどを画素領域ＰＡ上に配置することによって、透過領域ＴＡの透過率を高め、画像が表示される領域全体の透過率を従来の透明表示装置に比べて向上させうる。
また、本発明は、前述した画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの分離によって、透過領域ＴＡを通じて外部を観察する時に、外来光が画素回路部ＰＣ内の素子のパターンによる散乱によって発生する外部イメージ歪曲現象を防止できる。
たとえ画素領域ＰＡと画素領域ＰＡとの間の透過領域ＴＡにもスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶを含む導電ラインが横切るように配置されているとしても、この導電ラインは、非常に薄く形成されるため、これは、ユーザの精密な観察によってのみ視認され、有機発光部２１の全体透過度には影響を及ぼさず、特に、透明ディスプレイの具現には、全く問題がない。また、ユーザが前記画素領域ＰＡで覆われた領域と同程度に外部イメージを見ることができないとしても、ディスプレイ領域全体から見た時、前記画素領域ＰＡは、あたかも透明ガラスの表面に複数の点が規則的に配列されているようなものであるので、ユーザの外部イメージ観察には、特に問題はない。
このような画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比透過領域ＴＡの面積の比率が５％ないし９０％の範囲に属するように、画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとが形成される。
画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比透過領域ＴＡの面積の比率が５％より小さければ、図１でディスプレイ部２がスイッチオフ状態である時、ディスプレイ部２を透過できる光が少なくなり、ユーザは、反対側に位置した物体またはイメージが観察し難い。すなわち、ディスプレイ部２が透明であると言えなくなる。透過領域ＴＡの面積が画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比５％ほどであるとしても、画素領域ＰＡが全体透過領域ＴＡに対してアイランド状に存在し、画素領域ＰＡ上に可能な限りすべての導電パターンが配置されていることによって、太陽光熱の散乱度を最低化させるので、ユーザは、透明ディスプレイとして認識可能である。そして、後述するように、画素回路部ＰＣに備えられる薄膜トランジスタを酸化物半導体のように透明薄膜トランジスタとして形成し、有機発光素子も透明素子で形成する場合には、さらに透明ディスプレイとして認識されやすい。
画素領域ＰＡと透明領域ＴＡとの全体面積対比透明領域ＴＡの面積の比率が９０％より大きければ、ディスプレイ部２の画素集積度が非常に低くなり、画素領域ＰＡでの発光を通じて安定した画像を表示し難い。すなわち、画素領域ＰＡの面積が小さくなるほど、画像を表示するためには、後述する有機発光層２２３から発光する光の輝度が高まらねばならない。この場合には、有機発光素子を高輝度状態で作動させなければならないので、寿命が急に低下する問題点が生じる。また、一つの画素領域ＰＡのサイズを適正なサイズに維持しつつ、透明領域ＴＡの面積比率を９０％より大きくすれば、画素領域ＰＡの数が減って、解像度が低下する問題点が生じる。
前記画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの全体面積対比透過領域ＴＡの面積の比率は、２０％ないし７０％の範囲に属するようにすることが望ましい。
２０％未満では、透過領域ＴＡに比べて、前記画素領域ＰＡの面積が非常に大きいので、ユーザが透過領域ＴＡを通じて外部イメージを観察するのに限界がある。７０％を超える場合、画素領域ＰＡ上に配置する画素回路部ＰＣの設計に多くの制約がある。
前記画素領域ＰＡ上には、この画素領域ＰＡに対応する面積に画素回路部ＰＣと電気的に連結された画素電極２２１が備えられ、前記画素回路部ＰＣは、前記画素電極２２１に覆われるように、前記画素電極２２１と重畳される。そして、前述したスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶを含む導電ラインも、いずれもこの画素電極２２１を通過するように配置される。本発明の望ましい一実施形態によれば、前記画素電極２２１は、画素領域ＰＡの面積と同一か、またはこれより若干小さいことが望ましい。したがって、図５に示したように、ユーザが見る時、画素電極２２１によって前述した画素回路部ＰＣが覆われた状態となり、導電ラインの相当部分も覆われた状態となる。これにより、ユーザは、透過領域ＴＡを通じては導電ラインの一部のみを見ることになり、前述したように、ディスプレイ全体透過率が向上し、透過領域ＴＡを通じて外部イメージがよく見られる。
図６及び図７は、前記有機発光部２１をさらに詳細に説明するための一実施形態を示した平面図及び断面図であって、図５に示した画素回路部ＰＣを具体化したものである。
図６及び図７による本発明の望ましい一実施形態によれば、前記基板１の第１面１１上にバッファ膜２１１が形成され、このバッファ膜２１１上に第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２が形成される。
まず、前記バッファ膜２１１上には、第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂが形成される。
前記バッファ膜２１１は、不純物の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を果たすものであって、このような役割を果たせる様々な物質で形成されうる。一例として、前記バッファ膜２１１は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンまたは窒化チタンのような無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルのような有機物またはこれらの積層物で形成されうる。前記バッファ膜２１１は、必須構成要素ではなく、必要に応じては、含まれないこともある。
前記第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂは、多結晶シリコンで形成されうるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、酸化物半導体で形成されうる。例えば、Ｇ−Ｉ−Ｚ−Ｏ層[(Iｎ２Ｏ３)ａ(Ｇａ２Ｏ３)ｂ(ＺｎＯ)ｃ層](ａ、ｂ、ｃは、それぞれａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０の条件を満足させる実数)でありうる。このように、第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂを酸化物半導体で形成する場合には、透光度がさらに高まりうる。
前記第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂを覆うように、ゲート絶縁膜２１３がバッファ膜２１１上に形成され、ゲート絶縁膜２１３上に第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂが形成される。
第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂを覆うように、ゲート絶縁膜２１３上に層間絶縁膜２１５が形成され、この層間絶縁膜２１５上に第１ソース電極２１６ａと第１ドレイン電極２１７ａ及び第２ソース電極２１６ｂと第２ドレイン電極２１７ｂが形成され、それぞれ第１半導体活性層２１２ａ及び第２半導体活性層２１２ｂとコンタクトホールを通じて接触される。
図７に示したように、前記スキャンラインＳは、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂの形成と同時に形成されうる。そして、データラインＤは、第１ソース電極２１６ａと同時に、第１ソース電極２１６ａと連結されるように形成され、駆動電源ラインＶは、第２ソース電極２１６ｂと同時に、第２ソース電極２１６ｂと連結されるように形成される。
キャパシタＣｓｔは、第１ゲート電極２１４ａ及び第２ゲート電極２１４ｂの形成と同時に、下部電極２２０ａが、第１ドレイン電極２１７ａと同時に、上部電極２２０ｂが形成される。
上述のような第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２の構造は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な形態の薄膜トランジスタ及びキャパシタの構造が適用可能である。
このような第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２を覆うように、パッシベーション膜２１８が形成される。前記パッシベーション膜２１８は、上面が平坦化された単一または複数層の絶縁膜となりうる。このパッシベーション膜２１８は、無機物及び/または有機物で形成されうる。
前記パッシベーション膜２１８上には、図６及び図７に示したように、第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２を覆うように画素電極２２１が形成され、この画素電極２２１は、パッシベーション膜２１８に形成されたビアホールによって第２薄膜トランジスタＴＲ２のドレイン電極２１７ｂに連結される。前記各画素電極２２１は、図６に示したように、各画素ごとに相互独立したアイランド状に形成される。
前記パッシベーション膜２１８上には、前記画素電極２２１の外縁を覆うように画素定義膜２１９が形成され、画素電極２２１上には、有機発光層２２３と対向電極２２２とが順次に積層される。前記対向電極２２２は、全体画素領域ＰＡと透過領域ＴＡとの上にわたって形成される。
前記有機発光層２２３は、低分子または高分子有機膜が用いられうる。低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層(ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、ホール輸送層(ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、発光層(ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、電子輸送層(ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、電子注入層(ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)が単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ)、Ｎ,Ｎ−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン(ＮＰＢ)、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)をはじめとして多数が適用可能である。これらの低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成されうる。この時、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層は、共通層であって、赤、緑、青色のピクセルに共通に適用されうる。したがって、図７とは異なり、これらの共通層は、対向電極２２２のように、全体画素領域ＰＡ及び透過領域ＴＡを覆うように形成されうる。
前記画素電極２２１は、アノード電極の機能を行い、前記対向電極２２２は、カソード電極の機能を果たすが、もちろん、これらの画素電極２２１と対向電極２２２との極性は、相互逆になっていてもよい。
前記画素電極２２１は、各画素ごとに画素領域ＰＡに対応するサイズで形成される。実際に、画素定義膜２１９によって覆われる領域を除外すれば、画素領域ＰＡと一致する。そして、前記対向電極２２２は、有機発光部全体のすべての画素を覆うように共通電極として形成される。
本発明の一実施形態によれば、前記画素電極２２１は、反射性を有する電極であってもよく、前記対向電極２２２は、透明な電極であってもよい。したがって、前記有機発光部２１は、対向電極２２２の方向に画像を表示する前面発光型となる。
このために、前記画素電極２２１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物で形成された反射膜と、仕事関数が高いＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、またはIｎ２Ｏ３を含みうる。そして、前記対向電極２２２は、仕事関数が小さい金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金で形成されうる。前記対向電極２２２は、透過率が高くなるように薄膜で形成することが望ましい。
このように、画素電極２２１が反射型電極として設けられる場合、その下部に配置された画素回路部は、画素電極２２１によって覆われた状態となり、これにより、図７に示したように、対向電極２２２の上部外側で、ユーザは、画素電極２２１の下部の第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２の各パターンとスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶの一部が観察できなくなる。
このように、画素電極２２１が反射型電極として設けられることによって、発光した光が観察者側のみに発散されるので、観察者の反対方向に消失される光量を減らせる。また、前述したように、画素電極２２１がその下部の画素回路の様々なパターンを覆う役割を果たすので、観察者がさらに鮮明な透過イメージが見られる。
しかし、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、前記画素電極２２１も、透明電極として備えられうる。この場合、前述した反射膜なしに、仕事関数が高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはIｎ２Ｏ３を含めば十分である。このように、画素電極２２１が透明な場合、ユーザが対向電極２２２の上部の外側で画素電極２２１の下部の第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣｓｔ及び第２薄膜トランジスタＴＲ２の各パターンとスキャンラインＳ、データラインＤ及び駆動電源ラインＶの一部とが見られる。しかし、前記画素電極２２１が透明であるとしても、光の透過率が１００％とならないので、透過される光に損失が発生し、前記導電パターンも、画素電極２２１の領域内に配置されるものであるので、画素電極２２１によって外来光の透過率がさらに低下するので、これらの導電パターンに直接外来光が入射する時に比べて、外来光との干渉効果が低下する恐れがある。したがって、これらの導電パターンに直接外来光が入射される時に比べて、外部イメージの歪曲現象が抑制される。
前記パッシベーション膜２１８、ゲート絶縁膜２１３、層間絶縁膜２１５及び画素定義膜２１９は、透明な絶縁膜で形成することが望ましい。この時、前記基板１は、前記絶縁膜の有する全体的な透過率より低いか、または同じ透過率を有する。
前記パッシベーション膜２１８は、特許請求の範囲の第１絶縁膜に対応する。そして、前述したゲート絶縁膜２１３、層間絶縁膜２１５及び画素定義膜２１９は、特許請求の範囲の第２絶縁膜となる。
一方、前述したように、対向電極２２２は、その透過率を高めるために、薄膜の金属で形成され、有機発光部全体のすべての画素を覆うように、共通電極として形成されるため、面抵抗が大きくて電圧降下が発生されやすい。
本発明は、このような問題を解決するために、前記第２基板２３と対向電極２２２との間に介在され、一端は、前記第２基板２３に、他端は、前記対向電極２２２にそれぞれ接する導電部２２４をさらに備える。
前記導電部２２４は、第２基板２３と対向電極２２２との間に介在されるように形成されるが、第２基板２３における対向電極２２２と対向面上に形成されて、第２基板２３が第１基板１と結合されることによって対向電極２２２に接触されることが望ましい。
前記導電部２２４は、電気伝導度の高い金属で形成されうるが、図７に示したように、透過領域ＴＡに対応するように配置されうる。
この導電部２２４は、図８Ａに示したように、データラインＤと平行な直線状に形成されるか、または図８Ｂに示したように、スキャンラインＳと平行な直線状に形成されうる。また、図８Ｃに示したように、データラインＤ及びスキャンラインＳと平行な直線の組合わせで形成されうる。
一方、前記第２基板２３と対向電極２２２との間の空間２５には、充填材３が充填されうる。
前記充填材３は、第２基板２３と対向電極２２２との間の空間２５に対する緩衝効果と共に、吸湿剤をさらに含めて、吸湿機能を兼ねるようにすることができる。
この充填材３は、粘性のある流動性液状の物質を第２基板２３または対向電極２２２の上面にドロップした後、第１基板１と第２基板２３とを結合された後に、この液状の物質を前記空間２５内に流動させて広げて充填させる方式で、前記空間２５内に充填する。充填が完了した後には、紫外線によって硬化させて充填材３を形成する。
しかし、前述したように、第２基板２３と対向電極２２２との間に導電部２２４を介在させて、第２基板２３と対向電極２２２とに両端をコンタクトさせる場合、前記充填材３を形成する物質が空間２５内を流動する時に、導電部２２４によって十分に流動できなくなる問題が生じうる。
これを解決するために、本発明のさらに他の一実施形態によれば、前記導電部２２４に、図９Ａないし図９Ｃに示したように、引込部２２５を形成できる。
前記引込部２２５は、前記対向電極２２２と接しないように設けられ、前記引込部２２５と前記対向電極２２２との間には、前記充填材３が介在される。すなわち、この引込部２２５は、充填材３を形成する物質の流動経路となる。
これにより、前記導電部２２４があるにも拘らず、充填材３が前記空間２５内に十分に充填されうる。
本発明は、図面に示された一実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されねばならない。
本発明は、表示装置関連の技術分野に好適に適用可能である。
１ 第１基板
２ ディスプレイ部
１１ 第１面
２１ 有機発光部
２３ 第２基板
２４ 密封材
２５ 空間
２２４ 導電部

Claims (16)

  1. 透過領域と前記透過領域とを介して相互離隔された複数の画素領域が区画された第１面を有する第１基板と、
    前記第１基板の前記第１面の前記画素領域上に位置する薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタを覆うパッシベーション膜と、
    前記パッシベーション膜上に前記薄膜トランジスタを完全に覆うように形成されていると共に前記薄膜トランジスタと電気的に連結された、前記薄膜トランジスタと同じ面積を有する画素電極と、
    前記画素電極と対向していると共に、透光可能であり、且つ前記透過領域及び前記画素領域上にわたって位置する対向電極と、
    前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、
    前記対向電極と対向するように前記基板と接合される第２基板と、
    前記第１基板及び前記第２基板の外縁に沿って前記第１基板と前記第２基板とを接合する密封材と、
    前記密封材によって密封された前記第１基板と前記第２基板との間に介在された充填材と、
    前記第２基板と前記対向電極との間に介在されていると共に、両端がそれぞれ前記第２基板及び前記対向電極に接しており、且つ導電性物質を含み、前記充填材の流動経路となる引込部が形成された導電部と、を備え、
    前記引込部の底面と前記対向電極との間に前記充填材が介在されたことを特徴とする有機発光表示装置。
  2. 前記画素電極の面積は、前記画素領域の面積と同じであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記薄膜トランジスタと電気的に連結された導電ラインをさらに備え、前記導電ラインは、前記画素電極と重畳されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記透過領域の面積は、前記画素領域と前記透過領域との面積の和に対して５％ないし９０％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記パッシベーション膜は、前記透過領域及び前記画素領域のいずれの上にも形成され、透明な物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記導電部は、前記透過領域上に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記導電部は、前記第２基板における前記対向電極との対向面上に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記画素電極は、反射性を有する電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  9. 透過領域と前記透過領域とを介して相互離隔された複数の画素領域が区画された第１面を有する第１基板と、
    前記第１基板の前記第１面の前記画素領域上に形成された薄膜トランジスタを備え、
    前記画素領域上に位置する画素回路部と、
    前記画素回路部を覆う第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に前記画素回路部を完全に覆うように形成されていると共に前記画素回路部と電気的に連結され、且つ前記画素回路部と同じ面積を有する画素電極と、
    前記画素電極と対向していると共に透光可能であり、且つ前記透過領域及び前記画素領域上にわたって位置する対向電極と、
    前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて発光する有機発光層と、
    前記対向電極と対向するように前記基板と接合される第２基板と、
    前記第１基板及び前記第２基板の外縁に沿って前記第１基板と前記第２基板とを接合する密封材と、
    前記密封材によって密封された前記第１基板と前記第２基板との間に介在された充填材と、
    前記第２基板と前記対向電極との間に介在されていると共に、両端がそれぞれ前記第２基板及び前記対向電極に接しており、且つ導電性物質を含み、前記充填材の流動経路となる引込部が形成された導電部と、を備え、
    前記引込部の底面と前記対向電極との間に前記充填材が介在されたことを特徴とする有機発光表示装置。
  10. 前記画素電極は、前記画素領域上に形成されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記画素回路部と電気的に連結された導電ラインをさらに含み、前記導電ラインは、前記画素領域を通過することを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記透過領域の面積は、前記画素領域と前記透過領域との面積の和に対して５％ないし９０％の範囲内であることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
  13. 前記透過領域及び前記画素領域には、前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜が配置され、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、透明な物質を含むことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
  14. 前記導電部は、前記透過領域上に配置されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
  15. 前記導電部は、前記第２基板における前記対向電極との対向面上に形成されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
  16. 前記画素電極は、反射性を有する電極であることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9012927B2 (en) * 2011-11-30 2015-04-21 Canon Kabushiki Kaisha Display device
KR101931176B1 (ko) * 2012-06-11 2018-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101188747B1 (ko) * 2012-07-18 2012-10-10 지스마트 주식회사 투명전광판 및 그 제조방법
US20150076472A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and display device
USRE48695E1 (en) 2013-12-31 2021-08-17 Beijing Visionox Technology Co., Ltd. Transparent OLED device and display device employing same
CN103715230B (zh) * 2013-12-31 2018-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种透明oled器件及其显示装置
JP2017532722A (ja) * 2014-08-22 2017-11-02 オーエルイーディーワークス ゲーエムベーハーＯＬＥＤＷｏｒｋｓ ＧｍｂＨ 発光デバイス
KR102254582B1 (ko) * 2014-10-02 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102291485B1 (ko) * 2014-10-21 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102357269B1 (ko) 2014-12-12 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102392708B1 (ko) 2017-09-25 2022-04-29 엘지디스플레이 주식회사 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
JP3902938B2 (ja) * 2000-10-31 2007-04-11 キヤノン株式会社 有機発光素子の製造方法及び有機発光表示体の製造方法、有機発光素子及び有機発光表示体
KR100630475B1 (ko) * 2001-09-06 2006-10-02 샤프 가부시키가이샤 표시장치, 그의 제조방법 및 그의 구동방법
US7248235B2 (en) * 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
EP1505666B1 (en) * 2003-08-05 2018-04-04 LG Display Co., Ltd. Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same
KR100546663B1 (ko) * 2003-08-05 2006-01-26 엘지전자 주식회사 탑-이미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
KR100553745B1 (ko) 2003-08-06 2006-02-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
US7893438B2 (en) * 2003-10-16 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100686341B1 (ko) * 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR100656497B1 (ko) * 2004-02-09 2006-12-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20050113045A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
TWI227094B (en) * 2004-06-03 2005-01-21 Au Optronics Corp Organic light-emitting display device and fabricating thereof
KR100611652B1 (ko) * 2004-06-28 2006-08-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100579198B1 (ko) * 2004-09-08 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100656496B1 (ko) * 2004-09-21 2006-12-11 삼성에스디아이 주식회사 풀 칼라 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100685404B1 (ko) * 2004-10-11 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP4701675B2 (ja) * 2004-10-27 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 表示装置、及び電子機器
JP4752240B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 表示装置、及び電子機器
KR100741968B1 (ko) * 2004-11-23 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100731745B1 (ko) * 2005-06-22 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100721948B1 (ko) * 2005-08-30 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100666648B1 (ko) * 2005-09-30 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR100768191B1 (ko) * 2005-11-12 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조방법 및 유기 발광 표시장치
KR101186292B1 (ko) * 2006-01-10 2012-09-27 삼성전자주식회사 트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 적용하는유기발광 디스플레이 및 그 제조방법
KR100745759B1 (ko) * 2006-01-27 2007-08-02 삼성전자주식회사 투명 캐소드를 가진 유기발광 디스플레이
TWI421607B (zh) * 2006-08-24 2014-01-01 Creator Technology Bv 可撓性裝置上的滲透阻障
US20080049176A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor-array substrate, transflective liquid crystal display device with the same, and method for manufacturing the same
KR100807560B1 (ko) * 2006-11-30 2008-03-03 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2008204890A (ja) 2007-02-22 2008-09-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法、これを用いる照明又は表示装置
KR101443188B1 (ko) * 2007-03-21 2014-09-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광장치의 제조방법 및 유기발광장치
JP2008293680A (ja) 2007-05-22 2008-12-04 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR20090016238A (ko) 2007-08-10 2009-02-13 황장환 유기발광다이오드 및 이를 갖는 액정표시장치용 백라이트유닛
KR100875102B1 (ko) * 2007-09-03 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR100875103B1 (ko) * 2007-11-16 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP2009128671A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Canon Inc 有機ｅｌ表示素子及び有機ｅｌ表示素子の製造方法
US8134652B2 (en) * 2008-01-16 2012-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having sensor and spacer arrangement and and method of manufacturing the same
JP5002502B2 (ja) 2008-03-21 2012-08-15 東海ゴム工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5072674B2 (ja) 2008-03-21 2012-11-14 東海ゴム工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100908236B1 (ko) * 2008-04-24 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP5368013B2 (ja) * 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR101002663B1 (ko) * 2008-12-11 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084189B1 (ko) * 2010-01-21 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

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