JP5736795B2 - 磁場測定装置 - Google Patents
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共鳴画像法)装置などに用いられている。この磁気センサーにおいては、円偏光成分を有
するポンプ光と直線偏光成分を有するプローブ光とが交差するように(望ましくは、直交
するように)セルに照射され、さらに、これらの光の照射方向に対して直交する方向の磁
場が印加される(例えば、特許文献1参照)。
封入されている。この原子は、ポンプ光により励起されると外部から印加された磁場に応
じてプローブ光に含まれる直線偏光の偏光面を回転させる。磁気センサーは、このセルを
透過したプローブ光の偏光面の回転角を計測することで、磁場を測定する。
されるが、測定の最中や、測定が終了した後に、セルの温度制御がなされない期間がある
ために、セル内の原子が露点以下に冷やされて壁面等に析出(結露)することがある。こ
のとき、セルの壁面のうち、磁場測定のための光(ポンプ光やプローブ光)が照射される
領域に原子が析出すると、析出したその原子が光を吸収して測定の妨げとなる。このよう
な領域への原子の析出を低減させるために、例えば、特許文献2は、容器の窓部以外の部
分(特に窓部近傍)に、容器内部に向かって凹部を有する複数の突起部を設けるとともに
、容器を加熱するヒーターを設けることを開示する。特許文献2に記載の技術は、突起部
を冷却するとともにヒーターによって容器の窓部を加熱することで、突起部よりも窓部が
高温となる温度勾配を発生させ、その突起部にアルカリ金属を集める。
れにより発生する磁気ノイズが、上記の回転角の計測に影響する可能性があるため、計測
中に突起部を冷却することは望ましくない。そのため、計測中において、ペルティエ素子
等にセルを冷却させ続けるべきではない。
ングでセル内部に温度勾配を発生させることを目的とする。
じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照射される前記直線
偏光を透過させるセルと、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する
計測部と、前記セルを外部から加熱する加熱部と、前記取得手段が前記計測部による計測
を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を停止させ、前記加
熱部に加熱を停止させるとともに、前記セルのうち前記光が照射される部分よりも温度が
低い前記光の照射されない部分が存在するように前記セルの内部に温度勾配を発生させる
温度勾配発生部とを備えることを特徴とする磁場測定装置を提供する。この構成によれば
、光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミングでセル
内部に温度勾配を発生させることができる。
計測を開始する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を開始させ、前
記加熱部に加熱を開始させるとともに、前記温度勾配を発生させるとよい。この構成によ
れば、磁場の測定を開始する際において、光の照射される領域に原子が析出することを抑
制するために、適切なタイミングでセル内部に温度勾配を発生させることができる。
加熱する補助加熱部を有してもよい。
また、上記磁場測定装置において、前記温度勾配発生部は、前記光が照射されない部分
を冷却する冷却部を有してもよい。
1−1.構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る磁場測定装置100の構成を示す図である。磁場
測定装置100は、例えば心磁(心臓からの磁気)や脳磁(脳からの磁気)などの生体か
ら発生する微弱な磁場の測定に用いられる。磁場測定装置100は、セル1と、被覆層2
と、ポンプ光照射部3と、プローブ光照射部4と、プローブ光計測部5と、冷却部6と、
加熱部7とを備える。
右手系座標空間として表す。図1に示す座標記号のうち、内側が白い円の中に黒い円を描
いた記号は、紙面奥側から手前側に向かう矢印を表している。また、後述する図4に示す
座標記号のうち、内側が白い円の中に交差する2本の線分を描いた記号は、紙面手前側か
ら奥側に向かう矢印を表している。空間においてx成分が増加する方向を+x方向といい
、x成分が減少する方向を−x方向という。同様に、y、z成分についても、+y方向、
−y方向、+z方向、−z方向を定義する。
光照射部3が設置される。ポンプ光照射部3は円偏光成分を有するポンプ光を、+x方向
に平行な矢印D1方向に沿ってセル1に照射する。
ローブ光を、+y方向に平行な矢印D2方向に沿ってセル1に照射する。プローブ光計測
部5は、セル1の+y方向に設置される。プローブ光計測部5は、プローブ光照射部4か
ら矢印D2方向に沿って照射され、セル1を透過したプローブ光を受ける。磁場測定装置
100は、測定対象の磁場の中にセル1が位置するように配置される。具体的には、磁場
測定装置100は、セル1から見て−z方向に測定対象が位置するように配置される。
体の一面から末端が閉ざされた管が延びた形状をしており、ガラス等の光を透過する材料
で形成される。セル1の上述した中空の立方体は、外部と内部とを仕切り、光を透過する
少なくとも4枚の部材を有している。この光を透過する4枚の部材とは、セル1の+x方
向、−x方向、+y方向、および−y方向に面した各部材であり、−x方向の部材を壁面
11a(図2において図示せず)と、+x方向の部材を壁面11bという。また、セル1
の部材のうち、−y方向の部材を壁面12aと、+y方向の部材を壁面12b(図2にお
いて図示せず)という。また、セル1を構成する部材のうちポンプ光およびプローブ光が
照射されない+z方向の部材を壁面13bといい、−z方向の部材を壁面13aという(
図2において図示せず)。そして、壁面13bから+z方向に延びてさらに−x方向に曲
がる、末端の閉塞された筒状の部材を筒状部14という。なお、セル1の形状は、他の立
体形状であってもよい。
気体の状態(すなわちガス状態)で封入される。この偏光面回転物質は、例えばリチウム
(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs
)、フランシウム(Fr)である。セル1内の原子は、円偏光により励起されて原子の外
殻電子のスピンが偏極される。なお、セル1の内部には、典型的には単一種類の偏光面回
転物質が封入されるが、複数種類の偏光面回転物質が含まれていてもよい。また、セル1
内の原子は、常時気体の状態である必要はなく、磁場の測定を行うときに気体の状態であ
ればよい。さらに、セル1の内部には、セル1の壁との衝突等による偏光面回転物質の緩
和を穏やかにするために、ヘリウム(He)、窒素(N)などが緩衝ガスとして含まれて
いてもよい。
ら吸熱することでセル1の内部に封入された気体を冷却する。加熱部7は、例えば電熱ヒ
ーターであり、セル1と壁面13aで接触し、その接触面を介してセル1の内部に封入さ
れた気体を加熱する。
材であり、セル1を−z方向に移動させてその開口部に嵌め込むことで、壁面11a、壁
面11b、壁面12a、および壁面12bに接し、これらをそれぞれ外側から覆う。
る矢視IV−IVからセル1、被覆層2、冷却部6、および加熱部7を見た断面図である。そ
して、図5は、図3における矢視V−Vからセル1、被覆層2、冷却部6、および加熱部7
を見た断面図である。被覆層2には、ポンプ光を透過させるための孔21a(図2におい
て図示せず)および孔21bと、プローブ光を透過させるための孔22aおよび孔22b
(図2において図示せず)が設けられている。
子をガス状態にするために加熱部7がセル1を加熱するときに、セル1とともに加熱され
る。
板とを備える。光源は、無偏光のレーザー光を図1に示す矢印D1方向に照射する。半波
長板は、光源から照射された光の偏光面を回転させる。偏向ビームスプリッターは、半波
長板を透過した光のp偏光成分(入射面に対して平行な成分)を透過させ、s偏光成分(
入射面に対して垂直な成分)を反射させる。このs偏光成分は、例えばレーザー光の出力
のモニタリングに用いられてもよいし、光を吸収する部材により吸収されてもよい。四分
の一波長板は、偏向ビームスプリッターを透過した光を円偏光に変化させる。これにより
、四分の一波長板を透過した光は、円偏光成分を有するポンプ光となる。
備える。光源は、無偏光のレーザー光を図1に示す矢印D2方向に照射する。半波長板は
、光源から照射された光の偏光面を回転させる。偏向ビームスプリッターは、半波長板を
透過した光のp偏光成分を透過させ、s偏光成分を反射させる。偏光板は、偏向ビームス
プリッターを透過した光のうち特定方向に偏光した光だけを透過させる。これにより、偏
光板を透過した光は、直線偏光成分を有するプローブ光となる。なお、ポンプ光とプロー
ブ光とは、互いに直交する関係であることが好ましいが、交差する関係であれば完全に直
交しなくてもよい。
を検出し、検出したプローブ光に含まれる直線偏光の偏光面の回転角を計測する。プロー
ブ光計測部5は、半波長板と、液晶パネルと、光センサーと、A/D変換器と、メモリー
と、演算部とを備える。半波長板は、セル1を透過したプローブ光の偏光面を回転させる
。液晶パネルは、ネマティック液晶と呼ばれる液晶を用いて、半波長板を通過したプロー
ブ光のp偏光成分又はs偏光成分を透過させる。ここで液晶パネルは時分割制御されるた
め、上述したp偏光成分とs偏光成分とは時分割された期間ごとに透過されて分離される
。
気信号に変換して出力する。A/D変換器は、光センサーから出力された電気信号をデジ
タルデータに変換して出力する。メモリーは、A/D変換器から出力されたデータを記憶
する。演算部は、メモリーに記憶されたデータを用いて、光センサーにより検出されたプ
ローブ光のp偏光成分とs偏光成分との差分を算出する。なお、プローブ光計測部5は、
偏光ビームスプリッターを用いて、セル1を透過したプローブ光をp偏光成分とs偏光成
分に分離し、これらの差分を算出してもよい。
、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random
Access Memory)や、ハードディスクドライブなどの記憶部を有し、記憶部やROMに記
憶されているコンピュータープログラムを読み出して実行することにより、ポンプ光照射
部3、プローブ光照射部4、プローブ光計測部5、冷却部6、および加熱部7を制御する
。なお、制御部9は、利用者からの操作を受け付ける操作部や、操作部を備えた外部機器
と通信を行う通信インターフェイスなどを備えており、これらを介して利用者の指示を示
す指示信号を取得する。なお、これら操作部や通信インターフェイスなどは、利用者から
の指示を受け付けているが、例えば、異常が検知された際における緊急停止指示のように
、利用者以外からの指示を受け付けてもよい。要するに、これら操作部や通信インターフ
ェイスなどは、指示を示す指示信号を取得する取得手段の一例である。
るための磁気シールドや、外部からの磁場に対する補正用の磁場を印加するコイルなどを
備えていてもよい。また、被覆層2が磁気シールドを兼ねていてもよい。
次に、磁場測定装置100の動作を説明する。図7は、制御部9による磁場測定装置1
00の制御のタイミングを示す図である。同図における横軸は時間経過を表しており、縦
軸には、制御される構成が行ごとに配列されている。Cinは制御部9が利用者から操作
を受け取るタイミングを示す行である。C7は加熱部7がセル1を加熱するタイミングを
示す行である。C6は冷却部6がセル1を冷却するタイミングを示す行である。C3はポ
ンプ光照射部3がポンプ光を照射するタイミングを示す行である。C4はプローブ光照射
部4がプローブ光を照射するタイミングを示す行である。C5はプローブ光計測部5が直
線偏光の偏光面の回転角を計測するタイミングを示す行である。
号Sonを取得すると、制御部9は、加熱部7に加熱を開始させるとともに、冷却部6に
冷却を開始させる。加熱部7による加熱が開始されると例えば壁面13aの内壁に付着し
た固体ないし液体の偏光面回転物質が急激にガス化し、壁面11a,11b,12a,1
2b(以下、光透過壁面という)の内壁の温度が偏光面回転物質の露点以下となるような
ガス分圧となり、その結果これらの内壁に偏光面回転物質が結露する場合がある。冷却部
6により筒状部14の末端を冷却することで、光透過壁面においてこのような急激なガス
化に伴う結露が防止される。
系における熱の出入りがほぼ均衡して、セル1の内部の温度が安定し、セル1に封入され
た偏光面回転物質のガス濃度が予め決められた濃度に到達するまでの時間を示している。
時刻t0からΔt1が経過した時刻t1において、制御部9はポンプ光照射部3にポンプ
光の照射を開始させる。セル1の内部において偏光面回転物質が上述したような安定状態
になることで、磁場の測定が可能となるからである。
物質は励起状態となる。このとき、セル1内の偏光面回転物質は、セル1に印加された測
定対象の磁場に応じたトルクを受けて歳差運動を行う。
光透過壁面が加熱部7により温められることによって、その温度が光透過壁面の近傍にお
ける偏光面回転物質の露点を充分に上回るまでの時間を示している。時刻t0からΔt2
が経過した時刻t2において、制御部9は冷却部6に冷却を停止させる。光透過壁面の温
度がその近傍における偏光面回転物質の露点を充分に上回ることで、光透過壁面へ偏光面
回転物質が結露する可能性が低下するからである。なお、図7において、Δt2>Δt1
であるが、Δt1>Δt2であってもよい。
の照射の開始から、セル1に封入されガス状態となった偏光面回転物質の励起状態が安定
するまでの時間を示している。時刻t1からΔt3が経過した時刻t3において、制御部
9は、プローブ光照射部4にプローブ光の照射を開始させる。偏光面回転物質の励起状態
が安定することで、正確な磁場の測定が可能となるからである。
するときに、セル1内の偏光面回転物質の歳差運動により、その偏光面が回転される。こ
の偏光面の回転角は、セル1に印加された測定対象の磁場に応じた大きさを有する。つま
り、この偏光面回転物質は、光により励起されるとセル1の外部から印加される磁場に応
じて直線偏光の偏光面を回転させる原子の一例である。
ブ光の照射の開始から、照射されたそのプローブ光の偏光面の回転角が安定するまでの時
間を示している。時刻t3からΔt4が経過した時刻t4において、制御部9は、プロー
ブ光計測部5に、プローブ光に含まれる直線偏光における偏光面の回転角の計測を開始さ
せる。安定した回転角を計測するためである。なお、上述した時刻t2において、冷却部
6が停止されているが、冷却部6はプローブ光計測部5による回転角の計測が開始される
時刻t4までに停止されていることが望ましい。冷却部6が、ペルティエ素子である場合
に、発生する磁気ノイズがプローブ光計測部5による計測に影響する可能性があるからで
ある。
面が回転され、液晶パネルに到達する。プローブ光計測部5は、到達したプローブ光をs
偏光成分とp偏光成分とに分離し、p偏光成分とs偏光成分との差分を算出する。これに
より、セル1の内部を通過するときに回転されたプローブ光の偏光面の回転角が得られる
。この偏光面の回転角は、セル1に印加された測定対象の磁場に応じた大きさを有する。
従って、磁場測定装置100は、プローブ光の偏光面の回転角を求めることにより、測定
対象の磁場を測定する。
を備えている場合、この温度測定部が測定する温度が予め決められた温度を下回らないよ
うに、制御部9は加熱部7を制御してもよい。これにより、セル1が過剰に加熱されるこ
とと、その加熱が不足することもなくなるので、エネルギーの節約に資するとともに、プ
ローブ光計測部5による計測中にセル1内部において偏光面回転物質が結露する可能性が
低減する。
指示信号Soffを取得すると、制御部9は、加熱部7によるセル1の加熱、ポンプ光照
射部3によるポンプ光の照射、プローブ光照射部4によるプローブ光の照射、およびプロ
ーブ光計測部5による回転角の計測を停止させるとともに、冷却部6に冷却を開始(再開
)させる。冷却部6により筒状部14の末端が冷却されると、セル1の内壁のうち、筒状
部14の末端に対応する部分(以下、末端部という)の温度が最低温度になる。すなわち
、セル1の内壁に温度勾配が生じる。これにより、セル1に封入されガス状態となってい
る偏光面回転物質は光透過壁面よりも末端部に結露しやすくなる。その結果、セル1内部
の偏光面回転物質の濃度が低下し、光透過壁面にこれが結露する可能性が低減する。
セル1内部の偏光面回転物質の濃度が予め決められた濃度を下回るまでの時間を示してい
る。時刻t5からΔt6が経過した時刻t6において、制御部9は冷却部6に筒状部14
の冷却を停止させる。セル1に封入された偏光面回転物質のガス濃度が予め決められた濃
度に到達することにより、想定している外気温によって冷却され熱的に定常状態となった
セル1内部に新たに偏光面回転物質が結露する可能性、すなわち光透過壁面に偏光面回転
物質が結露する可能性が低減するからである。
図中破線で示すように、時刻t5から一定時間にわたって加熱部7に加熱を続けさせても
よい。加熱部7が接している壁面13aから光透過壁面までの距離は壁面13aから末端
部までよりも近いため、加熱部7による加熱を継続させることで、光透過壁面の温度を上
昇させ、偏光面回転物質の結露が防止される可能性が高まるからである。
や、測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得したことを契機として、磁場
測定装置100の制御部9は冷却部6による筒状部14の冷却を開始させる。磁場の測定
を開始する時や終了する時には、セル1の温度変化が激しくなる。したがって、そのよう
な時に、冷却部6による冷却を開始させることで、磁場測定装置100は、セル1の内壁
に温度勾配を生じさせる。そして、その温度勾配によりセル1の内部でガス状態となって
いる偏光面回転物質のうち結露する可能性があるものは冷却している筒状部14の末端部
に集まるため、光透過壁面における結露が防止される。
2−1.構成
図8は、本発明の第2実施形態に係る磁場測定装置100aの構成を示す図である。磁
場測定装置100aは、冷却部6に代えて補助加熱部8が備えられている点が上述した第
1実施形態に係る磁場測定装置100と相違している。以下、磁場測定装置100aにつ
いて、磁場測定装置100と相違する点について主に説明する。
、セル1は第1実施形態と同じように、被覆層2によって+x方向、−x方向、+y方向
、および−y方向が覆われているが、被覆層2はさらに、補助加熱部8によってこれらの
方向が覆われている。補助加熱部8は、例えば電熱ヒーターであり、被覆層2を介してセ
ル1およびその内部を加熱する加熱手段である。なお、図9に示すように、補助加熱部8
は、+z方向に配置される補助加熱部8aと−z方向に配置される補助加熱部8bに分離
されていてもよい。
。図11は、図10における矢視XI−XIからセル1、被覆層2、加熱部7、および補助加
熱部8を見た断面図である。被覆層2には、ポンプ光を透過させるための孔21a(図2
において図示せず)および孔21bと、プローブ光を透過させるための孔22aおよび孔
22b(図2において図示せず)が設けられている。補助加熱部8aと補助加熱部8bは
上下に重ねられる。これら補助加熱部8には、その重なった部分において上述した被覆層
2に設けられた孔に対応する部分に孔が設けられている。これにより、セル1に照射され
るポンプ光およびプローブ光は被覆層2および補助加熱部8によって妨げられることなく
透過する。
9aは、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(R
andom Access Memory)や、ハードディスクドライブなどの記憶部を有し、記憶部やRO
Mに記憶されているコンピュータープログラムを読み出して実行することにより、ポンプ
光照射部3,プローブ光照射部4、プローブ光計測部5、加熱部7、および補助加熱部8
を制御する。その他の点において、制御部9aは制御部9と共通するため、説明を省略す
る。
次に、磁場測定装置100aの動作を説明する。図13は、制御部9aによる磁場測定
装置100aの制御のタイミングを示す図である。同図における横軸は時間経過を表して
おり、縦軸には、制御される構成が行ごとに配列されている。図13には、図7に記載さ
れたC6に代えてC8が記載されている。このC8は補助加熱部8が被覆層2を介してセ
ル1を加熱するタイミングを示す行である。その他の行は、図13は図7と共通するため
説明を省略する。
号Sonを取得すると、制御部9は、加熱部7にセル1の加熱を開始させるとともに、補
助加熱部8に加熱を開始させる。
また、時刻t0からΔt2が経過した時刻t2において、制御部9は補助加熱部8に被
覆層2を介したセル1の加熱を停止させる。
また、時刻t5において、制御部9が利用者から磁場の測定を終了する旨の指示を示す
指示信号Soffを取得すると、制御部9は、加熱部7によるセル1の加熱、ポンプ光照
射部3によるポンプ光の照射、プローブ光照射部4によるプローブ光の照射、およびプロ
ーブ光計測部5による回転角の計測を停止させるとともに、補助加熱部8に被覆層2を介
したセル1の加熱を開始(再開)させる。
そして、時刻t5からΔt6が経過した時刻t6において、制御部9は補助加熱部8に
被覆層2を介したセル1の加熱を停止させる。
や、測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得したことを契機として、磁場
測定装置100の制御部9は補助加熱部8に被覆層2を介したセル1の加熱を開始させる
。これは上述した第1実施形態と同じように、セル1の温度変化が激しくなる時に、補助
加熱部8による加熱を開始させることで、磁場測定装置100は、セル1の内壁に温度勾
配を生じさせるためである。そして、その温度勾配によりセル1の内部でガス状態となっ
ている偏光面回転物質のうち結露する可能性があるものは補助加熱部8により加熱されて
いない筒状部14の末端部や壁面13a、13bに集まるため、光透過壁面における結露
が防止される。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、以下のように変形させて実施
してもよい。また、以下の変形例を組み合わせてもよい。
るまでの進行方向が一定である必要はない。つまり、ポンプ光及びプローブ光は、セル1
に入射するときに所定の方向になっていればよく、途中でミラー等によって反射され、進
行方向が変更されてもよい。したがって、例えば、光の照射位置や検出位置を1箇所に集
中させることも可能である。
射された光により、セル1に封入された偏光面回転物質が励起し、その励起された偏光面
回転物質によって、その光に含まれた直線偏光成分が回転すればよい。なお、この変形例
において、ポンプ光照射部3はなくてもよい。
場測定装置100には、セル1を透過したポンプ光を吸収する部材を設けてもよい。この
部材は、シート状であるとより好ましい。
し、これを表示する手段を備えてもよい。また、磁場測定装置100は、プローブ光計測
部5で検出した光に応じた信号を生成し、これを外部装置(表示装置、コンピュータ装置
など)に出力する構成を備えていてもよい。
を吸収する材質である場合には、被覆層2に孔21aなどを設けなくてもよい。また、被
覆層2はなくてもよい。第2実施形態において、被覆層2がない場合には、セル1の光透
過壁面を覆うように補助加熱部8が配置されていてもよい。
14はなくてもよい。第1実施形態において、筒状部14がない場合には、壁面13bに
接するように冷却部6が配置されていてもよい。これにより、セル1内部の偏光面回転物
質は、光透過壁面よりも壁面13bに結露しやすくなるため、偏光面回転物質の光透過壁
面への結露が防止される。
によって加熱されていた壁面13aを、加熱部7の加熱を停止させた後に、冷却部6によ
って冷却することで、セル1内部の偏光面回転物質は、光透過壁面よりも壁面13aに結
露しやすくなる。
を開始する旨の指示を示す指示信号Sonを取得すると、制御部9は、加熱部7に加熱を
開始させるとともに、冷却部6に冷却を開始させたり、補助加熱部8に加熱を開始させた
りしていたが、制御部9は、このタイミングにおいて、冷却部6または補助加熱部8を制
御しなくてもよい。制御部9は、少なくとも、時刻t5において、制御部9が利用者から
磁場の測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得するタイミングで、冷却部
6または補助加熱部8を制御すればよい。したがって、制御部9および冷却部6、または
制御部9および補助加熱部8は、制御部9(取得手段)がプローブ光計測部5(計測部)
による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得したときに、プローブ光計測部5(
計測部)に計測を停止させ、加熱部7に加熱を停止させるとともに、セル1のうち光が照
射される部分の温度が光の照射されない部分の温度よりも高くなる温度勾配を発生させる
温度勾配発生部の一例である。
が急激にガス化することについての弊害は、加熱部7によって加えられる熱量を小さくす
る、すなわち加熱速度を緩慢にすることによって、解決してもよい。
場測定装置100は冷却部6と補助加熱部8とをともに備えていてもよい。この場合でも
、上述したタイミングで、冷却部6と補助加熱部8とを制御することにより、セル1の内
壁に温度勾配が生じるので光透過壁面における結露が防止される。
部、2…被覆層、21a,21b,22a,22b…孔、3…ポンプ光照射部、4…プロ
ーブ光照射部、5…プローブ光計測部、6…冷却部、7…加熱部、8,8a,8b…補助
加熱部、9,9a…制御部、100,100a…磁場測定装置。
Claims (4)
- 指示信号を取得する取得手段と、
光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子が内部に封入されており、当該原子に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、
前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部と、
前記セルを外部から加熱する加熱部と、
前記取得手段が前記計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を停止させる制御部と、
前記取得手段が前記計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記加熱部に加熱を停止させるとともに、前記セルのうち前記光が照射されない部分に、前記セルのうち前記光が照射される部分よりも温度が低い部分が存在するように、前記セルの内部に第一の温度勾配を発生させる温度勾配発生部と
を備えることを特徴とする磁場測定装置。 - 前記温度勾配発生部は、前記取得手段が前記計測部による計測を開始する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記加熱部に加熱を開始させるとともに、第二の温度勾配を発生させ、
前記加熱部が加熱を開始された後に、前記制御部は、前記計測部に計測を開始させる
ことを特徴とする請求項1に記載の磁場測定装置。 - 前記温度勾配発生部は、前記光が照射される部分を加熱する補助加熱部を有する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の磁場測定装置。 - 前記温度勾配発生部は、前記光が照射されない部分を冷却する冷却部を有する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の磁場測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011011689A JP5736795B2 (ja) | 2011-01-24 | 2011-01-24 | 磁場測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011011689A JP5736795B2 (ja) | 2011-01-24 | 2011-01-24 | 磁場測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012154663A JP2012154663A (ja) | 2012-08-16 |
JP5736795B2 true JP5736795B2 (ja) | 2015-06-17 |
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ID=46836556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011011689A Active JP5736795B2 (ja) | 2011-01-24 | 2011-01-24 | 磁場測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5736795B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016029362A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-03-03 | セイコーエプソン株式会社 | ガスセルおよび磁気測定装置 |
JP2017215226A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | セイコーエプソン株式会社 | ガスセル、磁場計測装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4771934B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2011-09-14 | メディ−フィジックス・インコーポレイテッド | 光ポンピングされた超偏極ガスを生成する方法 |
JP5264242B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 原子磁力計及び磁力計測方法 |
JP2009236599A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Canon Inc | 光ポンピング磁力計 |
JP2010205875A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Seiko Epson Corp | ガスセル |
-
2011
- 2011-01-24 JP JP2011011689A patent/JP5736795B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012154663A (ja) | 2012-08-16 |
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