JP5735202B2 - 記録可能型光ディスク、記録装置、記録方法 - Google Patents

Description

本発明は、ライトワンス型やリライタブル型などの記録可能型光ディスクと、記録可能型光ディスクに対応する記録装置、記録方法に関する。

国際公開第０５／０３４１１０号パンフレット 特開２００４−２９５９４０号公報

例えばブルーレイディスク（Blu-ray Disc（登録商標））等の光記録媒体が知られている。光記録媒体においては半導体レーザを用いた情報の記録再生が行われる。
半導体レーザを用いた光ディスクへの記録は、温度や経時変化によるレーザパワーの変動や、製造時の調整誤差による各種スキューやオフセット、ドライブ制御における記録条件ずれに、大きく影響を受ける。このため特にライトワンスディスクやリライタブルディスク等の記録可能型光ディスクでは、レーザ駆動回路や光学素子のバラツキを抑え、緻密な発光波形制御を行なっている。

実際の情報記録装置では、データ記録を行なう直前に、記録層ごとに配置されたテストライトエリア（ＯＰＣ領域（Optimum Power Control area））を用いて最適レーザパワーを探索し、記録レーザパワーやストラテジを調整し、記録条件を最適化するのが一般的である。
この記録レーザパワー調整のための試し書きプロセス（テストライト）では、最適記録条件が不明な状態で、先に述べた摂動などの除去や、記録パワーの最適化、レーザ駆動パルスの最適化を行なう必要がある。
そして、その最適条件を探すためには、場合によっては、必要以上の高エネルギーのレーザ光が照射されたり、レーザ駆動パルスの幅（レーザ発光時間）が適切でない状態でレーザ照射を行うことがある。このため記録層における試し書き領域に深刻なダメージを与えることもあり得る。

また、ディスク基板上に複数の記録層が形成されている、いわゆる多層光ディスクにおいては、或る記録層の記録再生に他の記録層の影響を受ける。
例えば記録を行うことでの記録層の透過率変化が生じ、目的の記録層に対する適切な光量照射ができなくなることもある。
さらに透過率変化が記録パワー依存性を持つため、ＯＰＣ領域のように記録パワーを変化させながら記録を行う箇所では、透過率変化、つまり他の記録層への影響の度合いを制御できない。
これらのことから他の記録層の記録状況によっては、所望のＯＰＣ制御を実現することができず、正確な最適化条件を導出することが困難になるという問題がある。
つまり、或る記録層のＯＰＣ領域において試し書きを行い、レーザパワー調整を行う場合、平面方向（ディスク半径方向）に同一の位置（つまり厚み方向（＝層方向）に見て重なり合うような位置）に配置されている他の記録層のテストライトエリアの影響を受ける。

これに対して従来は、例えば上記特許文献１に見られるように、異なる記録層における試し書き領域を、記録層の半径方向に相互にシフトさせる方法や、異なる記録層の試し書き領域の間で同一半径位置を試し書きに使用しない方法が考えられた。
既存のブルーレイディスクの２層規格においても、ディスク内周側リードインゾーンに配置された記録層ごとの試し書き領域を、記録層の半径方向にシフトさせて配置するよう規定されている。

ところで、情報記録媒体は、その記録容量の増大が常に求められている。例えばブルーレイディスクの例で言えば、記録層を３層構造、４層構造と更なる多層化を進め、飛躍的な容量増大を実現することが想定されている。
４層光ディスクを開発する場合、各記録層でのＯＰＣ領域の設定や、各種の管理情報の記録再生を行う領域の設定が困難となる。
その１つの理由は、上記のように記録層への記録動作によって透過率変化が生じることで、ＯＰＣ動作や記録再生動作に他の層の影響を受けるため、これを考慮して領域設定をしなければならないためである。
さらに、透過率変化の記録パワー依存性によって他の層への影響の度合いが不定となり透過率変化は予測し得ないものであることも理由となる。
また、ＯＰＣ領域や管理情報領域の設定は、現行の１層ディスク、２層ディスクとの互換性も考慮しなければならない。このため有限な所定半径範囲内（例えばリードイン領域内）に、適切に必要な領域をすべて配置しなければならない。

本発明はこれらの点を検討し、記録可能型の４層光ディスクに好適なエリア配置を提案するものである。

本発明の記録可能型光ディスクは、ディスク基板上に記録層が４層設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層が形成されて成る直径１２ｃｍの光ディスクであって、各記録層にそれぞれ、レーザパワー制御のためのテストエリアが、半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲に位置する内周側領域に約２５０μｍ半径幅で設けられることで、４つのテストエリアを有するとともに、上記内周側領域に管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられ、最もディスク基板側の記録層においてはプリレコーデッド情報領域が上記内周側領域に配置され、４つのテストエリアは、記録装置により順次所定セクター分毎にアドレスの大きい方から若い方に向けて消費されるエリアと規定され、
４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとしたときに、上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一とされ、上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一であって、かつ上記第１ペアのテストエリアの消費方向とは逆方向とされ、上記各記録層は、その相対的半径位置誤差が約１５０μｍ公差内で形成されており、上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置され、また上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、また上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成されているものである。
また上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向がともに第１の消費方向として同一とされるとともに、該２つのテストエリアにおいては、ディスク基板側の記録層のテストエリアが、レーザ入射面側の記録層のテストエリアよりも、上記第１の消費方向からみて進んだ位置に配置されている。
また上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が、上記第１の消費方向とは逆である第２の消費方向として同一とされるとともに、該２つのテストエリアにおいては、ディスク基板側の記録層のテストエリアが、レーザ入射面側の記録層のテストエリアよりも、上記第２の消費方向からみて進んだ位置に配置されている。

また、各記録層のテストエリアのそれぞれに対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる上記管理情報記録再生領域が１つ以下となるように、上記管理情報記録再生領域が配置されている。
さらに上記管理情報記録再生領域は、各記録層のテストエリアに対して、上記ディスク基板側において層方向に重ならないように配置されている。
また上記管理情報記録再生領域は、最新の管理情報を格納する確定的管理情報領域を含み、上記確定的管理情報領域は、全ての記録層において、許容欠陥サイズ以上離されて配置されている。
またディスク基板側の記録層を除く上記管理情報記録再生領域は、管理情報を逐次追加格納する一時的管理情報領域を含み、上記一時的管理情報領域は、ディスク基板側の記録層を除く複数の記録層にほぼ均等に配置されている。

本発明の記録装置は、上記記録可能型光ディスクの各記録層における上記内周側領域に上記テストエリアを配置するときに、各記録層に形成された４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとした場合に、上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、各記録層の相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置し、配置したテストエリアを用いてレーザパワー調整を行って情報記録を行うように制御する制御部を備える。
上記制御部は、上記第１ペア、上記第２ペアのそれぞれのペア内の２つのテストエリアについて、各テストエリアの次に使用する部分が互いに層方向に重ならないように、レーザパワー調整のためのテストライトに関する制御を行う。
例えば上記制御部は、上記第１ペア又は上記第２ペアとなるペア内の２つのテストエリアについて、一方のテストエリアにおける次に使用する部分と、他方のテストエリアにおける次に使用する部分との離間距離が、各記録層の重なり許容公差に対応する必要な離間距離として１５０μｍ以上を保つか否かを判別し、上記必要な離間距離が保てない場合は、少なくともいずれかのテストエリアにおける次に使用する部分の開始位置を変更する処理を行うことで、ペア内の２つのテストエリアについて、レーザ入射面側の記録層のテストエリアにおける使用された部分とディスク基板側の記録層のテストエリアにおける未使用部分が互いに層方向に重ならないようにする。
また、本発明の記録方法は、上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、各記録層の相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置し、配置したテストエリアを用いてレーザパワー調整を行って情報記録を行うものである。

また、本発明の記録装置は、ディスク基板上に記録層が４層設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層が形成されて成り、約２５０μｍ半径幅のレーザパワー制御のためのテストエリアが半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲に位置する内周側領域において配置されるとともに、プリレコーデッド情報領域が最もディスク基板側の記録層の上記内周側領域に配置され、上記内周側領域に管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられた直径１２ｃｍの記録可能型光ディスクであり、各記録層における上記内周側領域に上記テストエリアが設けられることで、４つのテストエリアを有するとともに、４つのテストエリアは、記録装置により順次所定セクター分毎にアドレスの大きい方から若い方に向けて消費されるエリアと規定され、４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとしたときに、上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一とされ上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一であって、かつ上記第１ペアのテストエリアの消費方向とは逆方向とされ上記各記録層は、その相対的半径位置誤差が約１５０μｍ公差内で形成されており、上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置され、また上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、また上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、更には、各記録層の上記内周側領域には、管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられると共に、各記録層のテストエリアのそれぞれに対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる上記管理情報記録再生領域が１つ以下となるように配置されている記録可能型光ディスクに対する記録装置であって、上記管理情報記録再生領域のうち、最もディスク基板側の記録層を除く各記録層において容量がほぼ均等になるように配置されている一時的管理情報領域を管理し、該一時的管理情報領域を用いて代替記録の管理情報の記録を行うように制御する制御部を備える。
また、本発明の記録方法は、最もディスク基板側の記録層を除く各記録層において容量がほぼ均等になるように配置されている一時的管理情報領域を管理し、該一時的管理情報領域を用いて代替記録の管理情報の記録を行う。

このような本発明では、まず４層の各記録層において、内周側領域にテストエリア（ＯＰＣ領域）を形成する。
ここで各記録層のテストエリアは、互いに層方向に重ならないように考慮する。各記録層のテストエリアが、他の記録層のテストエリアの記録による透過率変化や、そのレーザパワー依存性の影響を受けないようにするためである。
このときに、４つのＯＰＣエリアを第１ペアと第２ペアに分け、まず第１ペアを形成するテストエリアと、上記第２ペアを形成するテストエリアが、互いに層方向に重ならないように配置する。各ペア内のテストエリアについては、未使用領域が重ならないようにすることで、見かけ上の離間距離を保つようにする。
また、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる管理情報記録再生領域が１つ以下となるようにすることで、管理情報記録再生領域での記録による透過率変化の影響が、テストエリアでのＯＰＣ動作に表れることを最小限としつつ、現行２層ディスクとの適合を図る。
管理情報記録再生領域は、各記録層のテストエリアに対して、ディスク基板側において層方向に重ならないように配置することで、管理情報記録再生領域の記録再生に、テストエリアの透過率変化や、そのレーザパワー依存性の影響を受けないようにする。

本発明によれば、４層ディスク等の記録可能型の多層光ディスクにおいて、適切な内周側領域配置を実現でき、適切なＯＰＣ動作、管理情報の記録再生が可能となるという効果がある。

本発明の実施の形態のディスクのエリア構造の説明図である。 実施の形態のディスクのＤＭＡの説明図である。 実施の形態のディスクのＤＤＳの内容の説明図である。 実施の形態のディスクのＤＦＬの内容の説明図である。 実施の形態のディスクのＤＦＬ及びＴＤＦＬのディフェクトリスト管理情報の説明図である。 実施の形態のディスクのＤＦＬ及びＴＤＦＬの交替アドレス情報の説明図である。 実施の形態のディスクのＴＤＭＡの説明図である。 実施の形態のディスクのスペースビットマップの説明図である。 実施の形態のディスクのＴＤＦＬの説明図である。 実施の形態のディスクのＴＤＤＳの説明図である。 実施の形態のディスクの層構造の説明図である。 現行の２層ＢＤ−Ｒのインナーゾーン構成の説明図である。 新規な３層ＢＤ−Ｒのインナーゾーン構成の説明図である。 新規な３層ＢＤ−Ｒのインナーゾーンの各エリア位置の説明図である。 新規な３層ディスクの各記録層の公差の説明図である。 新規な３層ＢＤ−ＲＥのインナーゾーン構成の説明図である。 実施の形態の４層ＢＤ−Ｒのインナーゾーン構成の説明図である。 実施の形態の４層ＢＤ−Ｒのインナーゾーンの各エリア位置の説明図である。 実施の形態の４層ディスクのＯＰＣペアの説明図である。 実施の形態の４層ディスクのペア内ＯＰＣ配置の説明図である。 実施の形態の４層ディスクの各記録層の公差の説明図である。 実施の形態の４層ＢＤ−ＲＥのインナーゾーン構成の説明図である。 実施の形態のディスクドライブ装置のブロック図である。 実施の形態のディスクドライブ装置の処理のフローチャートである。 実施の形態のディスクドライブ装置のＯＰＣ処理のフローチャートである。 実施の形態のディスクドライブ装置のＯＰＣ処理のフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態の次の順序で説明する。
［１．ディスク構造］
［２．ＤＭＡ］
［３．ＴＤＭＡ］
［４．複数層ディスク／現行２層ディスクのインナーゾーン］
［５．新規開発の３層ディスクのインナーゾーン］
［６．実施の形態の４層ディスクのインナーゾーン］
［７．ディスクドライブ装置］

［１．ディスク構造］

まず実施の形態の光ディスクの概要について説明する。この光ディスクは、いわゆるブルーレイディスクと呼ばれる高密度光ディスク方式の範疇におけるライトワンス型ディスク（ＢＤ−Ｒ）又はリライタブル型ディスク（ＢＤ−ＲＥ）として実施可能である。

本実施の形態の高密度光ディスクの物理パラメータの一例について説明する。
本例の光ディスクは、ディスクサイズとしては、直径が１２０ｍｍ、ディスク厚は１．２ｍｍとなる。即ちこれらの点では外形的に見ればＣＤ（Compact Disc）方式のディスクや、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）方式のディスクと同様となる。
そして記録／再生のためのレーザとして、いわゆる青色レーザが用いられ、また光学系が高ＮＡ（例えばＮＡ＝０．８５）とされる。さらには狭トラックピッチ（例えばトラックピッチ＝０．３２μｍ）、高線密度（例えば記録線密度０．１２μｍ／bit）を実現する。これらにより、直径１２ｃｍのディスクにおいて、ユーザーデータ容量として２３Ｇ〜２５ＧＢ（Giga Byte）程度を実現している。また更なる高密度記録により、３０ＧＢ程度の容量も可能とされる。
また、記録層が複数層とされたいわゆるマルチレイヤーディスクも開発されており、マルチレイヤーディスクの場合、ユーザーデータ容量は、ほぼ層数倍となる。

図１に、ディスク全体のレイアウト（領域構成）を示す。
ディスク上の領域としては、内周側からインナーゾーン、データゾーン、アウターゾーンが配される。
なお、この図１では記録層が１つの構造（シングルレイヤ）で示しており、その場合、インナーゾーンはリードインエリア、アウターゾーンはリードアウトエリアとなる。
実施の形態のディスクは後述するように４層ディスクとなるが、第１層（レイヤＬ０）のインナーゾーンがリードインエリアとなる。そして最終的に、記録されたユーザデータ容量に応じて、第１層（レイヤＬ０）のアウターゾーン以降（レイヤＬ１、Ｌ２，Ｌ３のインナーゾーン又はアウターゾーン）のいずれかがリードアウトエリアとされることになる。
なお、説明の便宜上、第１層（レイヤＬ０）のリードインエリアを含む各記録層の内周側領域を、インナーゾーンと総称する。また各記録層の外周側領域をアウターゾーンと総称する。

また、記録・再生に関する領域構成としてみれば、インナーゾーン（リードインエリア）のうちの最内周側の領域が再生専用領域とされ、インナーゾーンの途中からアウターゾーンまでが、記録可能領域とされる。
再生専用領域にはＢＣＡ（Burst Cutting Area）やＰＩＣ（プリレコーデッド情報領域）が設けられる。但し２層以上のマルチレイヤディスクのインナーゾーン構造については後に詳述するが、ＰＩＣは第１層（レイヤＬ０）のみとなり、第２層（レイヤＬ１）以降の記録層では、ＰＩＣと同一半径部分は記録可能領域となる。
またインナーゾーンにおいて、記録可能領域には、管理／制御情報の記録等のため、後述するＯＰＣ、ＴＤＭＡ、ＩＮＦＯ（ＤＭＡ等を含む）、リザーブエリアＲＳＶ等が形成される。

再生専用領域及び記録可能領域には、ウォブリンググルーブ（蛇行された溝）による記録トラックがスパイラル状に形成されている。グルーブはレーザスポットによるトレースの際のトラッキングのガイドとされ、かつこのグルーブが記録トラックとされてデータの記録再生が行われる。
なお本例では、グルーブにデータ記録が行われる光ディスクを想定しているが、本発明はこのようなグルーブ記録の光ディスクに限らず、グルーブとグルーブの間のランドにデータを記録するランド記録方式の光ディスクに適用してもよいし、また、グルーブ及びランドにデータを記録するランドグルーブ記録方式の光ディスクにも適用することも可能である。

また記録トラックとされるグルーブは、ウォブル信号に応じた蛇行形状となっている。そのため、光ディスクに対するディスクドライブ装置では、グルーブに照射したレーザスポットの反射光からそのグルーブの両エッジ位置を検出し、レーザスポットを記録トラックに沿って移動させていった際におけるその両エッジ位置のディスク半径方向に対する変動成分を抽出することにより、ウォブル信号を再生することができる。

このウォブル信号には、その記録位置における記録トラックのアドレス情報（物理アドレスやその他の付加情報等）が変調されている。そのため、ディスクドライブ装置では、このウォブル信号からアドレス情報等を復調することによって、データの記録や再生の際のアドレス制御等を行うことができる。

図１に示すインナーゾーンは、例えば半径２４ｍｍより内側の領域となる。
そしてインナーゾーン内におけるＰＩＣ（プリレコーデッド情報領域）には、あらかじめ、記録再生パワー条件等のディスク情報や、ディスク上の領域情報、コピープロテクションにつかう情報等を、グルーブのウォブリングによって再生専用情報として記録してある。なお、エンボスピット等によりこれらの情報を記録してもよい。

また、ＰＩＣよりさらに内周側にＢＣＡが設けられる。ＢＣＡはディスク記録媒体固有のユニークＩＤを、例えば記録層を焼き切る記録方式で記録したものである。つまり記録マークを同心円状に並べるように形成していくことで、バーコード状の記録データを形成する。

またインナーゾーンにおいては、ＴＤＭＡ（Temporary Defect Management Area）、ＯＰＣ（Optimum Power Control area：テストライトエリア)、ＩＮＦＯ（Information area：管理情報領域）、リザーブエリアＲＳＶ、バッファエリアＢＵＦなどを有する所定の領域フォーマットが設定される。

ＯＰＣは、記録／再生時のレーザパワー等、データ記録再生条件を設定する際の試し書きなどに使われる。即ち記録再生条件調整のための領域である。

ＩＮＦＯには、ＤＭＡ（Defect Management Area ）やコントロールデータエリアが含まれる。
コントロールデータエリアには、例えばディスクタイプ、ディスクサイズ、ディスクバージョン、層構造、チャンネルビット長、ＢＣＡ情報、転送レート、データゾーン位置情報、記録線速度、記録／再生レーザパワー情報などが記録される。

ＩＮＦＯ内にはＤＭＡが設けられるが、通常、光ディスクの分野ではＤＭＡは欠陥管理のための交替管理情報が記録される。しかしながら本例のディスクでは、ＤＭＡは、欠陥箇所の交替管理のみではなく、このライトワンス型ディスクにおけるデータ書換を実現するための管理／制御情報が記録される。特にこの場合、ＤＭＡでは、後述するＩＳＡ、ＯＳＡの管理情報が記録される。
また、交替処理を利用してデータ書換を可能にするためには、データ書換に応じてＤＭＡの内容も更新されていかなければならない。このためＴＤＭＡが設けられる。
交替管理情報はＴＤＭＡに追加記録されて更新されていく。ＤＭＡには、最終的にＴＤＭＡに記録された最後（最新）の交替管理情報が記録される。
ＤＭＡ及びＴＤＭＡについては後に詳述する。
なお、ＤＭＡ等を含むＩＮＦＯは、最終的に最新の管理情報を格納する確定的管理情報領域である。このＩＮＦＯ（確定的管理情報領域）は、全ての記録層において、許容欠陥サイズ以上離されて配置されている。
一方、ＴＤＭＡは、管理情報を逐次追加格納する一時的管理情報領域である。ＴＤＭＡ（一時的管理情報領域）は、例えば各記録層にほぼ均等に配置される。４層ディスクの例で後述するが、最もディスク基板側の記録層を除く複数の記録層にほぼ均等に配置される場合もある。

インナーゾーンより外周側の例えば半径２４．０〜５８．０ｍｍがデータゾーンとされる。データゾーンは、実際にユーザーデータが記録再生される領域である。データゾーンの開始アドレスＡＤdts、終了アドレスＡＤdteは、上述したコントロールデータエリアのデータゾーン位置情報において示される。

データゾーンにおいては、その最内周側にＩＳＡ（Inner Spare Area）が、また最外周側にＯＳＡ（Outer Spare Area）が設けられる。ＩＳＡ、ＯＳＡは欠陥やデータ書換（上書）のための交替領域とされる。
ＩＳＡはデータゾーンの開始位置から所定数のクラスタサイズ（１クラスタ＝６５５３６バイト）で形成される。
ＯＳＡはデータゾーンの終了位置から内周側へ所定数のクラスタサイズで形成される。ＩＳＡ、ＯＳＡのサイズは上記ＤＭＡに記述される。

データゾーンにおいてＩＳＡとＯＳＡにはさまれた区間がユーザーデータ領域とされる。このユーザーデータ領域が通常にユーザーデータの記録再生に用いられる通常記録再生領域である。
ユーザーデータ領域の位置、即ち開始アドレスＡＤus、終了アドレスＡＤueは、ＤＭＡに記述される。

データゾーンより外周側、例えば半径５８．０〜５８．５ｍｍはアウターゾーン（例えばリードアウトゾーン）とされる。アウターゾーンも管理／制御情報が記録される。即ちＩＮＦＯ（コントロールデータエリア、ＤＭＡ、バッファエリア）が、所定のフォーマットで形成される。
コントロールデータエリアには、例えばインナーゾーンにおけるコントロールデータエリアと同様に各種の管理／制御情報が記録される。ＤＭＡは、インナーゾーンにおけるＤＭＡと同様にＩＳＡ、ＯＳＡの管理情報が記録される領域として用意される。

本実施の形態は、４層ディスクのインナーゾーンの構造に特徴を有するが、現行の２層ディスクや、新規開発の３層ディスクを含め、インナーゾーンにおける各エリアのレイアウトは後述する。

［２．ＤＭＡ］

インナーゾーン、アウターゾーンに記録されるＤＭＡの構造を説明する。図２にＤＭＡの構造を示す。
ここではＤＭＡのサイズは３２クラスタ（３２×６５５３６バイト）とする例を示す。なお、クラスタとはデータ記録の最小単位である。
もちろんＤＭＡサイズが３２クラスタに限定されるものではない。図２では、３２クラスタの各クラスタを、クラスタ番号１〜３２としてＤＭＡにおける各内容のデータ位置を示している。また各内容のサイズをクラスタ数として示している。

ＤＭＡにおいて、クラスタ番号１〜４の４クラスタの区間にはＤＤＳ(disc definition structure)としてディスクの詳細情報が記録される。
このＤＤＳの内容は図３で述べるが、ＤＤＳは１クラスタのサイズとされ、当該４クラスタの区間において４回繰り返し記録される。

クラスタナンバ５〜８の４クラスタの区間は、ディフェクトリストＤＦＬの１番目の記録領域（ＤＦＬ＃１）となる。ディフェクトリストＤＦＬの構造は図４で述べるが、ディフェクトリストＤＦＬは４クラスタサイズのデータとなり、その中に、個々の交替アドレス情報をリストアップした構成となる。
クラスタナンバ９〜１２の４クラスタの区間は、ディフェクトリストＤＦＬの２番目の記録領域（ＤＦＬ＃２）となる。
さらに、４クラスタづつ３番目以降のディフェクトリストＤＦＬ＃３〜ＤＦＬ＃６の記録領域が用意され、クラスタナンバ２９〜３２の４クラスタの区間は、ディフェクトリストＤＦＬの７番目の記録領域（ＤＦＬ＃７）となる。
つまり、３２クラスタのＤＭＡには、ディフェクトリストＤＦＬ＃１〜ＤＦＬ＃７の７個の記録領域が用意される。

ＢＤ−Ｒ（ライトワンス型光ディスク）の場合、このＤＭＡの内容を記録するためには、クロージングという処理を行う必要がある。その場合、ＤＭＡに書き込む７つのディフェクトリストＤＦＬ＃１〜ＤＦＬ＃７は全て同じ内容とされる。書込内容は最新のＴＤＭＡの内容となる。
なお、ＢＤ−ＲＥ（リライタブル型光ディスク）では、ＴＤＭＡは設けられない。記録が行われる毎にＤＭＡを書き換えればよいためである。

上記図２のＤＭＡの先頭に記録されるＤＤＳの内容を図３に示す。
上記のようにＤＤＳは１クラスタ（＝６５５３６バイト）のサイズとされる。
図３においてバイト位置は、６５５３６バイトであるＤＤＳの先頭バイトをバイト０として示している。バイト数は各データ内容のバイト数を示す。

バイト位置０〜１の２バイトには、ＤＤＳのクラスタであることを認識するための、ＤＤＳ識別子（DDS Identifier）＝「ＤＳ」が記録される。
バイト位置２の１バイトに、ＤＤＳ型式番号（フォーマットのバージョン）が示される。

バイト位置４〜７の４バイトには、ＤＤＳの更新回数が記録される。なお、本例ではＤＭＡ自体はクロージング時に交替管理情報が書き込まれるものであって更新されるものではなく、交替管理情報はＴＤＭＡにおいて行われる。従って、最終的にクロージングされる際に、ＴＤＭＡにおいて行われたＤＤＳ（ＴＤＤＳ：テンポラリＤＤＳ）の更新回数が、当該バイト位置に記録されるものとなる。

バイト位置１６〜１９の４バイトには、ＤＭＡ内のドライブエリアの先頭物理セクタアドレス（AD DRV）が記録される。
バイト位置２４〜２７の４バイトには、ＤＭＡ内のディフェクトリストＤＦＬの先頭物理セクタアドレス（AD DFL）が記録される。
バイト位置３２〜３５の４バイトは、データゾーンにおけるユーザーデータ領域の先頭位置、つまりＬＳＮ（logical sector number：論理セクタアドレス）”０”の位置を、ＰＳＮ（physical sector number：物理セクタアドレス）によって示している。
バイト位置３６〜３９の４バイトは、データゾーンにおけるユーザーデータエリアの終了位置をＬＳＮ（論理セクターアドレス）によって示している。
バイト位置４０〜４３の４バイトには、データゾーンにおけるＩＳＡ（１層ディスクのＩＳＡ又は２層ディスクのレイヤＬ０のＩＳＡ）のサイズが示される。
バイト位置４４〜４７の４バイトには、データゾーンにおけるＯＳＡのサイズが示される。
バイト位置４８〜５１の４バイトには、データゾーンにおけるＩＳＡ（２層ディスクのレイヤＬ１のＩＳＡ）のサイズが示される。
バイト位置５２の１バイトには、ＩＳＡ、ＯＳＡを使用してデータ書換が可能であるか否かを示す交替領域使用可能フラグが示される。交替領域使用可能フラグは、ＩＳＡ又はＯＳＡが全て使用された際に、それを示すものとされる。
これら以外のバイト位置はリザーブ（未定義）とされ、全て００ｈとされる。

このように、ＤＤＳはユーザーデータ領域のアドレスとＩＳＡ、ＯＳＡのサイズ、及び交替領域使用可能フラグを含む。つまりデータゾーンにおけるＩＳＡ、ＯＳＡの領域管理を行う管理／制御情報とされる。

次に図４にディフェクトリストＤＦＬの構造を示す。
図２で説明したように、ディフェクトリストＤＦＬは４クラスタの記録領域に記録される。
図４においては、バイト位置として、４クラスタのディフェクトリストＤＦＬにおける各データ内容のデータ位置を示している。なお１クラスタ＝３２セクタ＝６５５３６バイトであり、１セクター＝２０４８バイトである。
バイト数は各データ内容のサイズとしてのバイト数を示す。

ディフェクトリストＤＦＬの先頭の６４バイトはディフェクトリスト管理情報とされる。
このディフェクトリスト管理情報には、ディフェクトリストのクラスタであることを認識する情報、バージョン、ディフェクトリスト更新回数、ディフェクトリストのエントリー数などの情報が記録される。
またバイト位置６４以降は、ディフェクトリストのエントリー内容として、各８バイトの交替アドレス情報ａｔｉが記録される。
そして有効な最後の交替アドレス情報ａｔｉ＃Ｎの直後には、交替アドレス情報終端としてのターミネータ情報が８バイト記録される。
このＤＦＬでは、交替アドレス情報終端以降、そのクラスタの最後までが００ｈで埋められる。

６４バイトのディフェクトリスト管理情報は図５のようになる。
バイト位置０から２バイトには、ディフェクトリストＤＦＬの識別子として文字列「ＤＬ」が記録される。
バイト位置２の１バイトはディフェクトリストＤＦＬの形式番号を示す。
バイト位置４からの４バイトは ディフェクトリストＤＦＬを更新した回数を示す。なお、これは後述するテンポラリディフェクトリストＴＤＦＬの更新回数を引き継いだ値とされる。
バイト位置１２からの４バイトは、ディフェクトリストＤＦＬにおけるエントリー数、即ち交替アドレス情報ａｔｉの数を示す。
バイト位置２４からの４バイトは、交替領域ＩＳＡ０、ＩＳＡ１、ＯＳＡ０、ＯＳＡ１のそれぞれの空き領域の大きさをクラスタ数で示す。
これら以外のバイト位置はリザーブとされ、すべて００ｈとされる。

図６に、交替アドレス情報ａｔｉの構造を示す。即ち交替処理された各エントリー内容を示す情報である。
交替アドレス情報ａｔｉの総数は１層ディスクの場合、最大３２７５９個である。
１つの交替アドレス情報ａｔｉは、８バイト（６４ビット）で構成される。各ビットをビットｂ６３〜ｂ０として示す。
ビットｂ６３〜ｂ６０には、エントリーのステータス情報（status 1）が記録される。
ＤＦＬにおいては、ステータス情報は「００００」とされ、通常の交替処理エントリーを示すものとなる。
他のステータス情報値については、後にＴＤＭＡにおけるＴＤＦＬの交替アドレス情報ａｔｉの説明の際に述べる。

ビットｂ５９〜ｂ３２には、交替元クラスタの最初の物理セクターアドレスＰＳＮが示される。即ち欠陥又は書換により交替されるクラスタを、その先頭セクターの物理セクターアドレスＰＳＮによって示すものである。
ビットｂ３１〜ｂ２８は、リザーブとされる。なおエントリーにおけるもう一つのステータス情報（status 2）が記録されるようにしてもよい。

ビットｂ２７〜ｂ０には、交替先クラスタの先頭の物理セクターアドレスＰＳＮが示される。
即ち、欠陥或いは書換によりクラスタが交替される場合に、その交替先のクラスタを、その先頭セクターの物理セクターアドレスＰＳＮによって示すものである。

以上のような交替アドレス情報ａｔｉが１つのエントリーとされて１つの交替処理に係る交替元クラスタと交替先クラスタが示される。
そして、このようなエントリーが、図４の構造のディフェクトリストＤＦＬに登録されていく。

ＤＭＡにおいては、以上のようなデータ構造で、交替管理情報が記録される。但し、上述したように、ＤＭＡにこれらの情報が記録されるのはディスクをクロージングした際であり、そのときは、ＴＤＭＡにおける最新の交替管理情報が反映されるものとなる。
欠陥管理やデータ書換のための交替処理及びそれに応じた交替管理情報の更新は、次に説明するＴＤＭＡにおいて行われることになる。

［３．ＴＤＭＡ］

続いて、インナーゾーンに設けられるＴＤＭＡについて説明する。ＴＤＭＡ（テンポラリＤＭＡ）は、ＤＭＡと同じく交替管理情報を記録する領域とされるが、データ書換や欠陥の検出に応じた交替処理が発生することに応じて交替管理情報が追加記録されることで更新されていく。

図７にＴＤＭＡの構造を示す。
ＴＤＭＡのサイズは、例えば２０４８クラスタとされる。
図示するようにクラスタ番号１の最初のクラスタには、レイヤＬ０のためのスペースビットマップが記録される。
スペースビットマップとは、主データ領域であるデータゾーン、及び管理／制御情報を記録する領域であるインナーゾーン、アウターゾーンの各クラスタについて、それぞれ１ビットが割り当てられる。そして１ビットの値により各クラスタが書込済か否かを示すようにされた書込有無提示情報とされている。
スペースビットマップでは、インナーゾーンからアウターゾーンまでの全てのクラスタが１ビットに割り当てられるが、このスペースビットマップは１クラスタのサイズで構成できる。
クラスタ番号１のクラスタは、レイヤＬ０（第１層）のためのスペースビットマップとされる。クラスタ番号２のクラスタは、レイヤＬ１（第２層）のためのスペースビットマップとされる。図示していないが、３層ディスク、４層ディスクの場合は、所定クラスタ番号に、レイヤＬ２（第３層）、レイヤＬ３（第４層）のためのスペースビットマップが用意される。例えばクラスタ番号３，４等が割り当てられる。

ＴＤＭＡにおいては、データ内容の変更等で交替処理があった場合、ＴＤＭＡ内の未記録エリアの先頭のクラスタにＴＤＦＬ（テンポラリディフェクトリスト）が追加記録される。従って、２層ディスクの場合は、図示するようにクラスタ番号３の位置から最初のＴＤＦＬが記録される。１層ディスクの場合は、レイヤ１のためのスペースビットマップは不要であるので、クラスタ番号２の位置から最初のＴＤＦＬが記録されることになる。そして、交替処理の発生に応じて、以降、間を空けないクラスタ位置にＴＤＦＬが追加記録されていく。
ＴＤＦＬのサイズは、１クラスタから最大４クラスタまでとされる。

またスペースビットマップは各クラスタの書込状況を示すものであるため、データ書込が発生することに応じて更新される。この場合、新たなスペースビットマップは、ＴＤＦＬと同様に、ＴＤＭＡ内の空き領域の先頭から行われる。
つまり、ＴＤＭＡ内では、スペースビットマップもしくはＴＤＦＬが、随時追記されていくことになる。

なお、スペースビットマップ及びＴＤＦＬの構成は次に述べるが、スペースビットマップとされる１クラスタの最後尾のセクタ（２０４８バイト）及びＴＤＦＬとされる１〜４クラスタの最後尾のセクタ（２０４８バイト）には、光ディスクの詳細情報であるＴＤＤＳ（テンポラリＤＤＳ（temporary disc definition structure））が記録される。

図８にスペースビットマップの構成を示す。
上述のようにスペースビットマップは、ディスク上の１クラスタの記録／未記録状態を１ビットで表し、クラスタが未記録状態の場合に対応したビットに例えば「１」をセットするビットマップである。なお、図８は各層ごとに独立した情報を保持するビットマップの例として、２層ディスクの場合で示している。３層ディスク、４層ディスクの場合は、これを拡張的に考えればよい。

図８では、セクタ０〜３１として、１クラスタ内の３２セクタを示している。またバイト位置は、セクタ内のバイト位置として示している。
先頭のセクタ０には、スペースビットマップの管理情報が記録される。
セクタ０のバイト位置０からの２バイトには、スペースビットマップＩＤ（Un-allocated Space Bitmap Identifier）として“ＵＢ” が記録される。
バイト位置２の１バイトには、フォーマットバージョン（形式番号）が記録され、例えば「００ｈ」とされる。
バイト位置４からの４バイトには、レイヤナンバが記録される。即ちこのスペースビットマップがレイヤＬ０に対応するのか、レイヤＬ１に対応するのかが示される。

バイト位置１６からの４８バイトには、ビットマップインフォメーション（Bitmap Information）が記録される。
ビットマップインフォメーションは、インナーゾーン、データゾーン、アウターゾーンの３つの各ゾーンに対応するゾーンインフォメーションから構成される（Zone Information for Inner Zone）（Zone Information for Data Zone）（Zone Information for Outer Zone）。
各ゾーンインフォメーションは、ゾーンの開始位置（Start Cluster First PSN）、ビットマップデータの開始位置（Start Byte Position of Bitmap data）、ビットマップデータの大きさ（Validate Bit Length in Bitmap data）、及びリザーブが、それぞれ４バイトとされた１６バイトで構成される。

ゾーンの開始位置（Start Cluster First PSN）では、ディスク上のゾーンの開始位置、即ち各ゾーンをビットマップ化する際のスタートアドレスが、ＰＳＮ（物理セクタアドレス）により示される。
ビットマップデータの開始位置（Start Byte Position of Bitmap data）は、そのゾーンに関するビットマップデータの開始位置を、スペースビットマップの先頭のUn-allocated Space Bitmap Identifier からの相対位置としてのバイト数で示したものである。
ビットマップデータの大きさ（Validate Bit Length in Bitmap data）は、そのゾーンのビットマップデータの大きさをビット数で表したものである。

そしてスペースビットマップの第２セクタ（＝セクタ１）のバイト位置０から実際のビットマップデータ（Bitmap data）が記録される。ビットマップデータの大きさは１ＧＢあたり１セクタである。
最後のビットマップデータ以降の領域は最終セクタ（セクタ３１）の手前までがリザーブとされ「００ｈ」とされる。
そしてスペースビットマップの最終セクタ（セクタ３１）には、ＴＤＤＳが記録される。

上記ビットマップインフォメーションによる管理は次のようになる。
まず、バイト位置４のレイヤナンバとしてレイヤＬ０が示されたスペースビットマップ、つまり１層ディスク、又は多層ディスクのレイヤＬ０に対するスペースビットマップの場合を述べる。

この場合、Zone Information for Inner ZoneによってレイヤＬ０のインナーゾーン、つまりリードインゾーンの情報が示される。
ゾーンの開始位置（Start Cluster First PSN）では、実線矢印で示すようにインナーゾーン（この場合リードインゾーン）の開始位置のＰＳＮが示される。
ビットマップデータの開始位置（Start Byte Position of Bitmap data）では、破線で示すように、当該スペースビットマップ内でのインナーゾーンに対応するビットマップデータの位置（セクタ１のバイト位置０を示す情報）が示される。
ビットマップデータの大きさ（Validate Bit Length in Bitmap data）は、インナーゾーン用のビットマップデータのサイズが示される。

Zone Information for Data Zoneでは、レイヤＬ０のデータゾーンの情報が示される。
ゾーンの開始位置（Start Cluster First PSN）では、実線矢印で示すようにデータゾーンの開始位置のＰＳＮが示される。
ビットマップデータの開始位置（Start Byte Position of Bitmap data）では、破線で示すように、当該スペースビットマップ内でのデータゾーンに対応するビットマップデータの位置（セクタ２のバイト位置０を示す情報）が示される。
ビットマップデータの大きさ（Validate Bit Length in Bitmap data）は、データゾーン用のビットマップデータのサイズが示される。

Zone Information for Outer ZoneによってレイヤＬ０のアウターゾーン（例えば１層ディスクのリードアウトゾーン等）の情報が示される。
ゾーンの開始位置（Start Cluster First PSN）では、実線矢印で示すようにアウターゾーンの開始位置のＰＳＮが示される。
ビットマップデータの開始位置（Start Byte Position of Bitmap data）では、破線で示すように、当該スペースビットマップ内でのアウターゾーンに対応するビットマップデータの位置（セクタＮのバイト位置０を示す情報）が示される。
ビットマップデータの大きさ（Validate Bit Length in Bitmap data）は、アウターゾーン用のビットマップデータのサイズが示される。

レイヤＬ１等の第２層以降の記録層についてのスペースビットマップも、同様の管理が行われる。例えばレイヤＬ１についてのスペースビットマップでは、一点鎖線の矢印で示すように、レイヤＬ１についてのインナーゾーン、データゾーン、アウターゾーンの管理が行われる。

次にＴＤＦＬ（テンポラリＤＦＬ）の構成を述べる。上記のようにＴＤＦＬは、ＴＤＭＡにおいてスペースビットマップに続く空きエリアに記録され、更新される毎に空きエリアの先頭に追記されていく。
図９にＴＤＦＬの構成を示す。
ＴＤＦＬは１〜４クラスタで構成される。その内容は図４のＤＦＬと比べてわかるように、先頭の６４バイトがディフェクトリスト管理情報とされ、バイト位置６４以降に各８バイトの交替アドレス情報ａｔｉが記録されていく点、及び最後の交替アドレス情報ａｔｉ＃Ｎの次の８バイトが交替アドレス情報終端とされることは同様である。
但し、１〜４クラスタのＴＤＦＬにおいては、その最後のセクターとなる２０４８バイトにテンポラリＤＤＳ（ＴＤＤＳ）が記録される点がＤＦＬと異なる。

なお、ＴＤＦＬの場合、交替アドレス情報終端が属するクラスタの最終セクタの手前まで００ｈで埋める。そして最終セクタにＴＤＤＳが記録される。もし交替アドレス情報終端が、クラスタの最終セクタに属する場合には、次のクラスタの最終セクタ手前まで０で埋め、最終セクタにＴＤＤＳを記録することになる。

６４バイトのディフェクトリスト管理情報は、図５で説明したＤＦＬのディフェクトリスト管理情報と同様である。
ただしバイト位置４からの４バイトのディフェクトリスト更新回数としては、ディフェクトリストの通し番号が記録される。これによって最新のＴＤＦＬにおけるディフェクトリスト管理情報の通し番号が、ディフェクトリスト更新回数を示すものとなる。
また、バイト位置１２からの４バイトの、ディフェクトリストＤＦＬにおけるエントリー数、即ち交替アドレス情報ａｔｉの数や、バイト位置２４からの４バイトの交替領域ＩＳＡ０、ＩＳＡ１、ＯＳＡ０、ＯＳＡ１のそれぞれの空き領域の大きさ（クラスタ数）は、そのＴＤＦＬ更新時点の値が記録されることになる。

ＴＤＦＬにおける交替アドレス情報ａｔｉの構造も、図６で示したＤＦＬにおける交替アドレス情報ａｔｉの構造と同様であり、交替アドレス情報ａｔｉが１つのエントリーとされて１つの交替処理に係る交替元クラスタと交替先クラスタが示される。そして、このようなエントリーが、図９の構造のテンポラリディフェクトリストＴＤＦＬに登録されていく。

但しＴＤＦＬの交替アドレス情報ａｔｉのステータス１としては、「００００」以外に、「０１０１」「１０１０」となる場合がある。
ステータス１が「０１０１」「１０１０」となるのは、物理的に連続する複数クラスタをまとめて交替処理した際に、その複数クラスタをまとめて交替管理（バースト転送管理）する場合である。
即ちステータス１が「０１０１」の場合、その交替アドレス情報ａｔｉの交替元クラスタの先頭物理セクタアドレスと交替先クラスタの先頭物理セクタアドレスは、物理的に連続する複数のクラスタの先頭のクラスタについての交替元、交替先を示すものとなる。
またステータス１が「１０１０」の場合、その交替アドレス情報ａｔｉの交替元クラスタの先頭物理セクタアドレスと交替先クラスタの先頭物理セクタアドレスは、物理的に連続する複数のクラスタの最後のクラスタについての交替元、交替先を示すものとなる。
従って、物理的に連続する複数のクラスタをまとめて交替管理する場合は、その複数個の全てのクラスタ１つづつ交替アドレス情報ａｔｉをエントリする必要はなく、先頭クラスタと終端クラスタとについての２つの交替アドレス情報ａｔｉをエントリすればよいものとなる。

ＴＤＦＬでは、以上のように、基本的にＤＦＬと同様の構造とされるが、サイズが４クラスタまで拡張可能なこと、最後のセクターにＴＤＤＳが記録されること、交替アドレス情報ａｔｉとしてバースト転送管理が可能とされていることなどの特徴をもつ。

ＴＤＭＡでは図７に示したようにスペースビットマップとＴＤＦＬが記録されるが、上記のようにスペースビットマップ及びＴＤＦＬの最後のセクターとしての２０４８バイトにはＴＤＤＳ（temporary disc definition structure）が記録される。
このＴＤＤＳの構造を図１０に示す。
ＴＤＤＳは１セクタ（２０４８バイト）で構成される。そして上述したＤＭＡにおけるＤＤＳと同様の内容を含む。なお、ＤＤＳは１クラスタ（６５５３６バイト）であるが、図３で説明したようにＤＤＳにおける実質的内容定義が行われているのはバイト位置５２までである。つまり１クラスタの先頭セクタ内に実質的内容が記録されている。このためＴＤＤＳが１セクタであっても、ＤＤＳ内容を包含できる。
図１０と図３を比較してわかるように、ＴＤＤＳは、バイト位置０〜５３まではＤＤＳと同様の内容となる。ただし、バイト位置４からはＴＤＤＳ通し番号、バイト位置１６からはＴＤＭＡ内のドライブエリア開始物理アドレス、バイト位置２４からはＴＤＭＡ内のＴＤＦＬの開始物理アドレス（AD DFL）となる。

ＴＤＤＳのバイト位置１０２４以降には、ＤＤＳには無い情報が記録される。
バイト位置１０２４からの４バイトには、ユーザーデータ領域でのデータ記録されている最外周の物理セクタアドレスＰＳＮが記録される。
バイト位置１０２８からの４バイトには、ＴＤＭＡ内の最新のレイヤＬ０用のスペースビットマップの開始物理セクタアドレス（AD BP0）が記録される。
バイト位置１０３２からの４バイトには、ＴＤＭＡ内の最新のレイヤＬ１用のスペースビットマップの開始物理セクタアドレス（AD BP1）が記録される。
バイト位置１０３６の１バイトは、上書き機能の使用を制御する為のフラグが記録される。
これらのバイト位置以外のバイトはリザーブとされ、その内容は全て００ｈである。
但し、例えば３層ディスクの場合、リザーブ内の所定のバイト位置が決められて、ＴＤＭＡ内の最新のレイヤＬ２用のスペースビットマップの開始物理セクタアドレス（AD BP2）が記録される。
また４層ディスクの場合、それぞれリザーブ内の所定のバイト位置が決められて、ＴＤＭＡ内の最新のレイヤＬ２用のスペースビットマップの開始物理セクタアドレス（AD BP2）、及び最新のレイヤＬ３用のスペースビットマップの開始物理セクタアドレス（AD BP3）が記録される。
さらに、この図１０においてリザーブとされたいずれかの位置に、各４バイトで、各レイヤにおけるＯＰＣエリアについての、次のＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）が記録される。即ちＯＰＣ動作として次に使用する部分のアドレスである。
例えば３層ディスクの場合、後述するようにレイヤＬ０，Ｌ１，Ｌ２に設けられる各ＯＰＣエリアにおける未使用部分（まだＯＰＣ動作を実行していない部分）の先頭アドレスが、通常、次に使用する部分のアドレスとして、各４バイトで記述される。
また４層ディスクの場合、後述するようにレイヤＬ０，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に設けられる各ＯＰＣエリアにおける未使用部分の先頭アドレスが、通常、次に使用する部分のアドレスとして、各４バイトで記述される。
但し後に図２６の例で述べるが、次に使用する部分のアドレスとしての「Next available Ln OPC Address」は、未使用部分の先頭でない位置に変更されることもある。

このように、ＴＤＤＳはユーザーデータ領域のアドレスとＩＳＡ、ＯＳＡのサイズ、及び交替領域使用可能フラグを含む。つまりデータゾーンにおけるＩＳＡ、ＯＳＡの領域管理を行う管理／制御情報とされる。この点でＤＤＳと同様となる。
そしてさらに、有効な最新のスペースビットマップの位置を示す情報（AD BP0、AD BP1、（さらにはAD BP2、AD BP3））を有し、さらに有効な最新のテンポラリＤＦＬ（ＴＤＦＬ）の位置を示す情報（AD DFL）を有するものとされる。
さらに、各レイヤのＯＰＣエリアの未使用部分を示す、次のＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）を有するものとされる。
このＴＤＤＳは、スペースビットマップ及びＴＤＦＬの最終セクタに記録されるため、スペースビットマップ又はＴＤＦＬが追加されるたびに、新たなＴＤＤＳが記録されることになる。従って図７のＴＤＭＡ内では、最後に追加されたスペースビットマップ又はＴＤＦＬ内のＴＤＤＳが最新のＴＤＤＳとなり、その中で最新のスペースビットマップ及びＴＤＦＬが示されることになる。

ＴＤＭＡの更新について簡単に述べる。
図１に示した交替領域であるＩＳＡ、ＯＳＡを用いた交替処理は、次のように行われる。データ書換の場合を例に挙げる。例えばユーザーデータ領域における既にデータ記録が行われたクラスタに対してデータ書込、つまり書換の要求が発生したとする。この場合、ライトワンスディスクであることからそのクラスタには書き込みできないため、その書換データはＩＳＡ又はＯＳＡ内の或るクラスタに書き込まれるようにする。これが交替処理である。
この交替処理が上記の交替アドレス情報ａｔｉのエントリとして管理される。つまり元々データ記録が行われれていたクラスタアドレスが交替元、ＩＳＡ又ＯＳＡ内に書換データを書き込んだクラスタアドレスが交替先として、１つの交替アドレス情報ａｔｉがエントリされる。
つまり、データ書換の場合は、書換データをＩＳＡ又はＯＳＡに記録し、かつ当該書換によるデータ位置の交替をＴＤＭＡ内のＴＤＦＬにおける交替アドレス情報ａｔｉで管理するようにすることで、ライトワンス型のディスクであっても、実質的に（例えばホストシステムのＯＳ、ファイルシステム等から見て）データ書換を実現できるものである。
欠陥管理の場合も同様で、或るクラスタが欠陥領域とされた場合、そこに書き込むべきデータは、交替処理によりＩＳＡ又ＯＳＡ内の或るクラスタに書き込まれる。そしてこの交替処理の管理のために１つの交替アドレス情報ａｔｉがエントリされる。
また、記録動作（クラスタの消費）に応じて、スペースビットマップの更新も行われる。
このようにＴＤＭＡは、データ書込や交替処理に応じて、スペースビットマップやＴＤＦＬが随時更新されていく。そして、クロージングの際に最新のＴＤＭＡの内容がＩＮＦＯ内のＤＭＡに記録され、管理情報が固定されることになる。

なお、３層ディスク、４層ディスク等の多層ディスクでは、後述のように各記録層の全部又は一部にＴＤＭＡが配置されるが、それらは順番に消尽されていきながらＴＤＦＬ／スペースビットマップの更新に使用される。これにより、各記録層のＴＤＭＡを合わせて１つの大きなＴＤＭＡとして使用することになり、複数のＴＤＭＡを効率的に活用できる。
また各レイヤのＴＤＭＡに関わらず、単に記録された最後のＴＤＤＳを探すことで、有効なＴＤＦＬ／スペースビットマップが把握できる。

また、図７には示していないが、最新のＴＤＭＡを判別するために、先頭のＴＤＭＡ（例えば後述するＴＤＭＡ＃１）のみは、ＴＤＭＡ内の最初の所定クラスタ数が、ＴＤＭＡアクセスインジケータとして用いられる。
今、仮にディスク全体でＴＤＭＡ０〜ＴＤＭＡ１１という１２個のＴＤＭＡが設けられるとすると、先頭のＴＤＭＡ０の最初の１２クラスタがＴＤＭＡアクセスインジケータとされ、それぞれがＴＤＭＡ１〜１１、及びＤＭＡの記録中の情報を表すものとされる。
先頭のＴＤＭＡ０の使用中は、ＴＤＭＡアクセスインジケータには何も記録しない。ＴＤＭＡ０がすべて使用され、ＴＤＭＡ１の使用を開始するときは、ＴＤＭＡアクセスインジケータの最初のクラスタ（ＴＤＭＡ１に対応）に、すべて例えば「００ｈ」データを記録する。また、ＴＤＭＡ１がすべて使用され、ＴＤＭＡ２の使用を開始するときは、ＴＤＭＡアクセスインジケータの２番目のクラスタ（ＴＤＭＡ２に対応）に、すべて「００ｈ」データを記録する。このようにＴＤＭＡアクセスインジケータが用いられることで、ディスク装填時等に、最初のＴＤＭＡ０にアクセスして、ＴＤＭＡアクセスインジケータを読むことで、ディスクドライブ装置は、その時点で最新のＴＤＭＡデータが記録されているＴＤＭＡを知ることができる。或いはＴＤＭＡアクセスインジケータの１２クラスタすべてが「００ｈ」記録済であれば、ＤＭＡが記録されていることを知ることができる。

［４．複数層ディスク／現行２層ディスクのインナーゾーン］

次に図１１で、複数層ディスクの層構造を説明する。
図１１（ａ）は現行の２層ディスクについて、また図１１（ｂ）は新規開発の３層ディスクについて、図１１（ｃ）は実施の形態の４層ディスクについて、それぞれ層構造を模式的に示している

図１１（ａ）（ｂ）（ｃ）の各ディスクでは、約１．１ｍｍ厚のディスク基板２０１を備える。ディスク基板２０１は、例えばポリカーボネート樹脂の射出成形により成形される。射出成形用の金型内にスタンパがセットされることで、グルーブ形状が転写された状態で形成される。
２層ディスクの場合、図１１（ａ）のように、基板２０１上に第１層（レイヤＬ０）が形成され、さらに中間層２０４を介して第２層（レイヤＬ１）が形成される。そして第２層（レイヤＬ１）上に光透過層２０３が形成される。
光透過層２０３の表面側がレーザ入射面となる。
光透過層２０３は光ディスクの保護を目的として形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光が光透過層２０３を通じてレイヤＬ０又はＬ１に集光されることによって行われる。
光透過層２０３は、例えば紫外腺硬化樹脂のスピンコート及び紫外線照射による硬化によって形成する。又は紫外線硬化樹脂とポリカーボネートシートや、接着層とポリカーボネートシート用いて光透過層２０３を形成することもできる。
光透過層２０３は、１００μｍ程度の厚みとされ、約１．１ｍｍの基板２０１と合わせて光ディスク全体の厚みが約１．２ｍｍとなる。

図１１（ｂ）の３層ディスクは記録層としてレイヤＬ０、Ｌ１、Ｌ２の３つを備える。
この場合も、基板２０１上に、レイヤＬ０、Ｌ１、Ｌ２がそれぞれ中間層２０４を介して形成される。
図１１（ｃ）の４層ディスクは記録層としてレイヤＬ０、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の４つを備える。この場合も、基板２０１上に、レイヤＬ０、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３がそれぞれ中間層２０４を介して形成される。

図１１（ａ）（ｂ）（ｃ）において各中間層２０４は、例えば紫外線感光性を有する光透過性の材料をスピンコート法で回転塗布され紫外線の照射で硬化して形成される。
多層の光ディスク記録媒体から情報信号の記録再生をする場合、この中間層２０４の配置と膜厚は、層間クロストークを抑制する目的で設定される。
３層ディスクの場合、レイヤＬ２はレーザ入射面から５０μｍ前後の位置とされる。また４層ディスクの場合、中間層２０４の厚み調整され、レイヤＬ３がレーザ入射面から５０μｍ前後の位置とされている。

図１１（ｂ）の３層ディスクは例えば次の手順（ＳＴ１〜ＳＴ７）で製造されることになる。
（ＳＴ１）レイヤＬ０用のスタンパを用いた射出成形によりレイヤＬ０のグルーブパターンが転写されたディスク基板２０１を作成する。
（ＳＴ２）Ｌ０用グルーブパターン上にスパッタ等で記録膜を成膜し、レイヤＬ０を形成する。
（ＳＴ３）レイヤＬ０上にスピンコートで樹脂を展延し、レイヤＬ１用のスタンパを押し当てながら樹脂を硬化する。これによりレイヤＬ１のグルーブパターンが転写された中間層２０４を形成する。
（ＳＴ４）Ｌ１用グルーブパターン上にスパッタ等で記録膜を成膜し、レイヤＬ１を形成する。
（ＳＴ５）レイヤＬ１上にスピンコートで樹脂を展延し、レイヤＬ２用のスタンパを押し当てながら樹脂を硬化する。これによりレイヤＬ２のグルーブパターンが転写された中間層２０４を形成する。
（ＳＴ６）Ｌ２用グルーブパターン上にスパッタ等で記録膜を成膜し、レイヤＬ２を形成する。
（ＳＴ７）スピンコート及び硬化、又はシート接着等の手法で光透過層２０３を形成する。
以上の工程で３層ディスクが製造される。

４層ディスクの場合は、レイヤＬ３のための工程が加わり、例えば次の手順（ＳＴ１１〜ＳＴ１９）で製造される。
（ＳＴ１１）レイヤＬ０用のスタンパを用いた射出成形によりレイヤＬ０のグルーブパターンが転写されたディスク基板２０１を作成する。
（ＳＴ１２）Ｌ０用グルーブパターン上にスパッタ等で記録膜を成膜し、レイヤＬ０を形成する。
（ＳＴ１３）レイヤＬ０上にスピンコートで樹脂を展延し、レイヤＬ１用のスタンパを押し当てながら樹脂を硬化する。これによりレイヤＬ１のグルーブパターンが転写された中間層２０４を形成する。
（ＳＴ１４）Ｌ１用グルーブパターン上にスパッタ等で記録膜を成膜し、レイヤＬ１を形成する。
（ＳＴ１５）レイヤＬ１上にスピンコートで樹脂を展延し、レイヤＬ２用のスタンパを押し当てながら樹脂を硬化する。これによりレイヤＬ２のグルーブパターンが転写された中間層２０４を形成する。
（ＳＴ１６）Ｌ２用グルーブパターン上にスパッタ等で記録膜を成膜し、レイヤＬ３を形成する。
（ＳＴ１７）レイヤＬ２上にスピンコートで樹脂を展延し、レイヤＬ３用のスタンパを押し当てながら樹脂を硬化する。これによりレイヤＬ３のグルーブパターンが転写された中間層２０４を形成する。
（ＳＴ１８）Ｌ３用グルーブパターン上にスパッタ等で記録膜を成膜し、レイヤＬ２を形成する。
（ＳＴ１９）スピンコート及び硬化、又はシート接着等の手法で光透過層２０３を形成する。
以上の工程で４層ディスクが製造される。

ここで、後述する３層ディスク、及び実施の形態の４層ディスクとの比較のため、現行の２層ディスクのインナーゾーンのレイアウトについて図１２で説明する。
インナーゾーンは半径位置２１．０ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲とされる。
ＢＣＡは半径位置２１．０ｍｍから形成される。
各レイヤＬ０，Ｌ１においては、ＢＣＡと、管理情報の記録再生を行う領域との間を離す目的で、プロテクションゾーンＰＺ１が半径位置２２．２ｍｍから設けられる。

レイヤＬ０においては、上述したようにウォブリンググルーブで再生専用の管理情報が記録されるＰＩＣが半径位置２２．５ｍｍ〜約２３．１ｍｍの範囲に形成される。
レイヤＬ０では、このＰＩＣまでが再生専用領域となる。
そしてＰＩＣより外周側に向かって半径２４．０ｍｍまでの範囲に、プロテクションゾーンＰＺ２、バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃２、ＯＰＣ（Ｌ０）、ＴＤＭＡ＃１、ＩＮＦＯ＃１が順次配置されている。
レイヤＬ１においては、半径位置２２．５ｍｍ〜約２４．０ｍｍの範囲に、バッファエリアＢＵＦ、ＯＰＣ（Ｌ１）、リザーブエリアＲＳＶ、ＩＮＦＯ＃４、ＴＤＭＡ＃２、リザーブエリアＲＳＶ、ＩＮＦＯ＃３が順次配置されている。

なおバッファエリアＢＵＦは、管理情報の記録再生に用いないエリアである。またリザーブエリアＲＳＶは、現状では使用されていないが、将来的に管理情報の記録再生に用いる可能性があるエリアである。
また、テストライトエリアとしてのＯＰＣエリアが各層に設けられるが、インナーゾーン内のエリアの説明で、「ＯＰＣ（Ｌｘ）」という表記は、「レイヤＬｘにあるＯＰＣエリア」という意味で用いる。
ＴＤＭＡ、ＩＮＦＯについては、＃１〜＃ｎを付して示しているが、配置されるレイヤに関わらず、これらが全体として１つのＴＤＭＡ、１つのＩＮＦＯの領域として用いられる。

［５．新規開発の３層ディスクのインナーゾーン］

新規開発の３層ディスクのインナーゾーンについて説明する。
この３層ディスクは、記録密度の高密度化により１層あたり約３３ＧＢを実現する。この場合に適切なインナーゾーンレイアウトが必要になる。
まず３層ディスクの開発にあたって留意したポイントＰ１〜Ｐ６を述べる。

（Ｐ１）アンカー位置は固定する。
現行の２層ディスクを鑑み、ディスクドライブ装置のインナーゾーンの使用性や互換性を配慮する。このため、図１２の矢印Ｆを付した位置、即ちＢＣＡ終端（半径２２．２ｍｍ位置）、プロテクションゾーンＰＺ１終端（半径２２．５ｍｍ位置）、インナーゾーン終端（半径２４．０ｍｍ位置）は固定とする。
つまり、ＰＩＣ、ＯＰＣ、ＴＤＭＡ等の配置は、半径２２．５ｍｍ〜半径２４．０ｍｍの範囲内で行う。但し２層ディスクと、３層ディスク、４層ディスクのデータ線密度の違いによる半径位置の若干の変動は生ずる。

（Ｐ２）各レイヤのＯＰＣエリアが層方向に重ならないようにする。
これは、ＯＰＣ動作を適切に行うためである。記録層に記録を行うと、記録層の透過率変化が生じるとともに、その透過率変化は記録パワー依存性を持つ。するとＯＰＣエリアのように記録パワーを変化させながら記録を行う箇所では、透過率変化は多様に生ずる。そして、或るＯＰＣエリアと層方向に重なって他のＯＰＣエリアが存在すると、レーザ入射面より奥側（ディスク基板２０１側）のＯＰＣエリアで適切なＯＰＣ動作ができない場合が生ずる。
例えばＯＰＣ（Ｌ１）と重なってＯＰＣ（Ｌ０）が存在する場合、ＯＰＣ（Ｌ１）でのレーザパワーを変えながらのＯＰＣ動作により、ＯＰＣ（Ｌ１）の透過率は部分毎に変動する。すると、その後に奥のＯＰＣ（Ｌ０）に対しては、ＯＰＣ（Ｌ１）での透過率変化の影響で目的パワーでのレーザ照射ができなくなってしまう。またＯＰＣエリアには、過大なパワーでレーザ照射される場合もあり、記録層がダメージを受けている場合もある。
これらのことから、ＯＰＣが層方向に重なると、ディスク基板２０１側のＯＰＣでの動作に支障が生ずる。そのため、各レイヤのＯＰＣエリアが層方向に重ならないようにする必要がある。

（Ｐ３）現行の２層ディスクの管理情報容量を踏襲する。
ＰＩＣは現行の１層ディスク、２層ディスクと同じく５重書きとし、少なくとも１つの記録層にあればよい。
例えば図１２に示した２層ディスクのＰＩＣは、情報の安全性、読出の確実化のため、同一の情報を５回繰り返して記録している。３層ディスクでもこれを踏襲する。従って、ＰＩＣの半径範囲は、５回記録分のデータ量に応じて決まる。
また、ＴＤＭＡは１層当たり２０４８クラスタ、ＯＰＣエリアも各層に２０４８クラスタとされており、これも踏襲する。ＴＤＭＡやＯＰＣの使用性を変えないためである。
このため３層ディスクの場合、ＴＤＭＡは総計で２０４８×３＝６１４４クラスタを確保する。ＯＰＣエリアは、各レイヤにそれぞれ２０４８クラスタ確保する。
なお、ＴＤＭＡの更新は記録動作を伴うため、例えば記録動作の直前にＯＰＣエリアで記録レーザパワー調整を行う装置の場合、ディスクのイジェクト動作などに伴ってＴＤＭＡ更新を頻繁に実行することで、同様にＯＰＣエリアを消費していくことになる。このためＴＤＭＡの容量は配置可能な各層にできるだけ均等に配置する。

（Ｐ４）ＯＰＣエリアよりディスク基板２０１側には、管理情報記録再生領域が重なるようには配置しない。
ここで「管理情報記録再生領域」とは、インナーゾーン内で管理／制御情報の記録再生を行う領域の総称である。即ち、ＩＮＦＯ、ＴＤＭＡ、リザーブエリアＲＳＶが管理情報記録再生領域となる。なおリザーブエリアＲＳＶは将来的に管理情報の記録再生を行う可能性があるため、管理情報記録再生領域に含めている。
ＰＩＣは再生領域であるため、管理情報記録再生領域に含まれない。またバッファエリアＢＵＦ、プロテクションゾーンＰＺ２は、記録及び再生を行わないため管理情報記録再生領域に含まれない。
ＯＰＣエリアよりディスク基板２０１側に管理情報記録再生領域が重ならないようにすることは、管理情報記録再生領域での適切な記録再生のためである。
上述のようにＯＰＣエリアは不定に透過率変動が生ずる。この影響により、ＯＰＣエリアよりディスク基板２０１側に重なって管理情報記録再生領域が存在すると、その管理情報記録再生領域に適切な光量によるレーザ照射ができなくなり、その記録再生動作が不安定になる。そこで、ＯＰＣエリアのディスク基板２０１側にはＴＤＭＡ等の管理情報記録再生領域は配置しないようにする。

（Ｐ５）ＯＰＣエリアよりレーザ入射面側には、管理情報記録再生領域は１つのみ許容する。
上述のように記録層への記録再生により透過率変動が生ずる。従って的確なＯＰＣ動作のためには、ＯＰＣエリアよりレーザ入射面側には、記録が行われる領域はない方がよい。しかし、現行の２層ディスクでは許容されている。例えば図１２のＯＰＣ（Ｌ０）よりレーザ入射面側には、ＴＤＭＡ＃２が配置されている。
これは、管理情報記録再生領域は、適切なレーザパワーで記録再生が行われるから、その透過率変動は予測範囲のものであり、奥側のＯＰＣエリアでのテストライトにさほどの影響を与えないことによる。
ところが３層ディスク、４層ディスク等の多層ディスクを考えると、２以上の管理情報記録再生領域がＯＰＣエリアよりレーザ入射面側に配置される可能性が生ずる。複数の管理情報記録再生領域が重なって、それぞれが記録が行われたり、未記録の状態であったりすると、その奥のＯＰＣエリアから見た透過率は予測できないものとなってしまう。
そこで、ＯＰＣエリアよりレーザ入射面側に、２以上の管理情報記録再生領域が重なって配置されないようにする。

（Ｐ６）１つのレイヤにおける２つのＩＮＦＯは１５０μｍ以上離す。
１つのレイヤにおける２つのＩＮＦＯは、許容ディフェクトサイズである１５０μｍ以上離すことが規定されているため、それに従う。

以上のポイントＰ１〜Ｐ６に留意したうえで３層ディスク（ＢＤ−Ｒ）について開発したインナーゾーンレイアウトは、図１３のようになる。なお、図１４に各エリアの開始半径位置とクラスタ数を示している。

レイヤＬ０において、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１に続いて外周側にＰＩＣが配置される。ＰＩＣは上記ポイントＰ３に従って、５重書きのデータ容量に応じたサイズとなる。ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１、ＰＩＣが再生専用領域となる。
そしてＰＩＣに続いて、外周側に向かってプロテクションゾーンＰＺ２，バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃２、ＯＰＣ（Ｌ０）、ＴＤＭＡ＃１、ＩＮＦＯ＃１が配置される。

レイヤＬ１では、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１のみが再生専用領域となる。そしてプロテクションゾーンＰＺ１に続いて外周側に向かって、バッファエリアＢＵＦ、ＯＰＣ（Ｌ１）、リザーブエリアＲＳＶ、ＩＮＦＯ＃４、ＴＤＭＡ＃２、リザーブエリアＲＳＶ、ＩＮＦＯ＃３が配置される。
レイヤＬ２でも、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１のみが再生専用領域となる。そしてプロテクションゾーンＰＺ１に続いて外周側に向かって、バッファエリアＢＵＦ、ＯＰＣ（Ｌ２）、リザーブエリアＲＳＶ、ＩＮＦＯ＃６、ＴＤＭＡ＃３、バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃５が配置される。
各エリアの半径位置及びクラスタ数は図１４を参照されたい。

この図１３のインナーゾーンレイアウトは、上記ポイントＰ１〜Ｐ６が考慮されている。
ポイントＰ１については、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１、インナーゾーン終端が固定されたうえで、ＰＩＣ、ＯＰＣ、ＴＤＭＡ、ＩＮＦＯ等が、半径２２．５ｍｍ〜半径２４．０ｍｍの範囲内で行われている。
ポイントＰ３として、ＰＩＣ容量、ＴＤＭＡ容量、ＯＰＣサイズは、踏襲されている。
ポイントＰ６として、レイヤＬ０のＩＮＦＯ＃１とＩＮＦＯ＃２の間、レイヤＬ１のＩＮＦＯ＃３とＩＮＦＯ＃４の間、レイヤＬ２のＩＮＦＯ＃５とＩＮＦＯ＃６の間は、それぞれ１５０μｍ以上離されている。

ポイントＰ２として、ＯＰＣエリアが層方向に重ならないようにしている。
図１３に示すように、ＯＰＣ（Ｌ２）とＯＰＣ（Ｌ１）は、半径方向に離間距離Ｇ１を持って重ならない状態とされる。
またＯＰＣ（Ｌ１）とレイヤＬ０のＩＮＦＯ＃２の間に離間距離Ｇ２があり、従ってＯＰＣ（Ｌ１）とＯＰＣ（Ｌ０）も、半径方向に離間距離Ｇ２以上を持って重ならない状態とされる。
この離間距離Ｇ１，Ｇ２は、図１４の半径位置設定の例の場合、２２２μｍとなる。
離間距離Ｇ１，Ｇ２を持って配置設定することで、ＯＰＣエリアが層方向に重ならないようにできることについて説明する。

上述のように、レイヤＬ０，Ｌ１，Ｌ２のトラックを形成するグルーブパターンは、それぞれディスク基板２０１の作成時、中間層２０４形成時にそれぞれ対応するスタンパによって成形する。従って、トラックとなるグルーブパターンの中心点が完全に一致させることは困難で、所定の公差が許容されている。
図１５（ａ）に示すように、各記録層の偏芯量としては最大７５μｍが許容されている。また半径位置精度として、各記録層の半径２４ｍｍ位置の誤差として、絶対値で最大１００μｍが許容されている。例えばレイヤＬ０の半径２４ｍｍ位置を基準として、他のレイヤの半径２４ｍｍ位置が、１００μｍ内の誤差にあればよい。
すると、各記録層の相互の位置ずれとしては、最悪時で１７５μｍとなる。

しかし、さらにデフォーカスも考慮しなければならない。図１５（ｂ）に示すように、３層ディスクの最もレーザ入射面側の記録層であるレイヤＬ２は、レイヤＬ０から５０μｍ弱だけ離れている。例えば４６．５μｍであるとする。すると、レイヤＬ０に合焦状態でレイヤＬ０に記録が行われる場合、レイヤＬ２では、半径２９μｍの範囲がレーザ照射範囲となる。
以上のことを考慮にいれると、約２００μｍ以上の離間距離がないと、ＯＰＣエリアの重なりが発生する可能性が生ずることになる。

ここで、本例では図１３，図１４に示したように各エリアを配置することで、離間距離Ｇ１，Ｇ２としてそれぞれ２２２μｍを確保している。
すると、ＯＰＣ（Ｌ２）とＯＰＣ（Ｌ１）は、許容される範囲でレイヤＬ１，Ｌ２が最大限ずれて形成されたとしても、層方向に重ならないことになる。ＯＰＣ（Ｌ１）とＯＰＣ（Ｌ０）も同様に、最悪の場合でも重ならない。
従って、ポイントＰ２を完全に満たすことができ、各ＯＰＣエリアでの適切なＯＰＣ動作を保証できるものとなる。

ポイントＰ４、即ちＯＰＣエリアよりディスク基板２０１側には、管理情報記録再生領域が重なるようには配置しないという点も、満たされている。
図１３のように、ＯＰＣ（Ｌ２）のディスク基板２０１側には、レイヤＬ１のバッファエリアＢＵＦと、レイヤＬ０のＰＩＣが配置され、管理情報記録再生領域は存在しない。
また、ＯＰＣ（Ｌ１）のディスク基板２０１側には、レイヤＬ０のＰＩＣ、プロテクションゾーンＰＺ２、バッファエリアＢＵＦが配置され、管理情報記録再生領域は存在しない。さらに、仮にレイヤＬ１、Ｌ０間に上記の公差内で最大のズレが生じたとしても、離間距離Ｇ２が２２２μｍであることで、ＯＰＣ（Ｌ１）のディスク基板２０１側にＩＮＦＯ＃２が位置することはない。
従って、ＯＰＣエリアの奥（ディスク基板２０１側）に管理情報記録再生領域は配置されないことになり、ＯＰＣエリアでの記録状況によって管理情報記録再生領域の記録再生動作が不安定になるということは発生しない。

ポイントＰ５、即ちＯＰＣエリアよりレーザ入射面側には、管理情報記録再生領域は１つのみ許容する点も、満たされている。
この点が問題になるのはレイヤＬ０のＯＰＣ（Ｌ０）から見てのレイヤＬ１、Ｌ２の配置となる。ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）よりレーザ入射面側には、２以上の管理情報記録再生領域が配置されることはあり得ないためである。
ＯＰＣ（Ｌ０）よりレーザ入射面側には、レイヤＬ１のＴＤＭＡ＃２、及びレイヤＬ２のバッファエリアＢＵＦが配置される。従って、ＯＰＣ（Ｌ０）よりレーザ入射面側の管理情報記録再生領域はＴＤＭＡ＃２のみである。
仮に公差許容の最大のズレがあった場合、レイヤＬ１のＩＮＦＯ＃４、リザーブエリアＲＳＶがＯＰＣ（Ｌ０）と層方向に重なることもある。しかし、離間距離Ｇ２が２２２μｍであることで、レイヤＬ２のＴＤＭＡ＃３がＯＰＣ（Ｌ０）と層方向に重なることはない。さらに、図１３の離間距離Ｇ３は、図１４の設定の場合に２３５μｍとなる。するとレイヤＬ２のＩＮＦＯ＃５がＯＰＣ（Ｌ０）と層方向に重なることもない。
従って、許容公差内の最悪の状態となっても、ＯＰＣエリアよりレーザ入射面側には、管理情報記録再生領域が２以上存在することはないことになる。

以上のように本例の３層ディスクは、例えば図１３，図１４のようなインナーゾーンレイアウトとすることで、ポイントＰ１〜Ｐ６の条件を満たした適切なレイアウトとなる。

本例の３層ディスクの要点をまとめると次のようになる。
・ディスク基板２０１上に記録層が３層（レイヤＬ０〜Ｌ２）設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層２０３が形成されて成る複数層ディスクとしての記録可能型ディスクである。
・各記録層（レイヤＬ０〜Ｌ２）にそれぞれ、レーザパワー制御のためのテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２））が、ユーザデータを記録するデータゾーンより内周側のインナーゾーンに設けられる。
・各記録層（レイヤＬ０〜Ｌ２）のテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２））は、互いに層方向に重ならないように配置されている。
・各記録層（レイヤＬ０〜Ｌ２）のインナーゾーンには、管理情報の記録及び再生を行う管理情報記録再生領域が設けられる。
・各記録層のテストエリアのそれぞれ（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２））に対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる管理情報記録再生領域が１つ以下となるように、管理情報記録再生領域が配置されている。
・管理情報記録再生領域は、各記録層のテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２））に対して、ディスク基板２０１側において層方向に重ならないように配置されている。

ところで図１３の例は、ライトワンス型のディスクであるＢＤ−Ｒについて示した。リライタブル型ディスクとしてのＢＤ−ＲＥの場合は、図１６のようにインナーゾーンレイアウトを設定すればよい。
この図１６は、図１３のＴＤＭＡをリザーブエリアＲＳＶにしたレイアウトである。各エリアのサイズは図１４と同様である。図１４におけるＴＤＭＡの位置はリザーブエリアＲＳＶとして考えればよい。
上述のようにＴＤＭＡは、最終的なクローズ処理までのデータ書換、交替処理のために順次ＴＤＦＬやスペースビットマップの更新等に使用されるものである。データ書換可能なリライタブルディスクの場合、直接ＩＮＦＯ内のＤＭＡを書き換えればよいため、ＴＤＭＡは必要ない。
そこで、図１６のように図１３のＴＤＭＡをリザーブエリアＲＳＶにしたレイアウトとすればよい。もちろん、ポイントＰ１〜Ｐ６の条件は満たされる。
このようなインナーゾーンレイアウトにより、ＢＤ−ＲＥでもインナーゾーンにおけるテストライトや管理情報の記録再生を適切に行うことができる。

［６．実施の形態の４層ディスクのインナーゾーン］

次に実施の形態の４層ディスクのインナーゾーンについて説明する。
この４層ディスクは、記録密度の高密度化により１層あたり約３２ＧＢを実現する。この場合に適切なインナーゾーンレイアウトが必要になる。
実施の形態の４層ディスクの開発にあたって留意した点は、上記ポイントＰ１〜Ｐ６と同様である。しかし、４層ディスクの場合、次の理由により、単純にポイントＰ１〜Ｐ６を満たすようにすることはできない。

まず、４層の場合にもポイントＰ１に従うため、ＰＩＣ、ＯＰＣ、ＴＤＭＡ等の配置は、半径２２．５ｍｍ〜半径２４．０ｍｍの範囲内で行う。また、ポイントＰ３のとおり、ＯＰＣエリアやＴＤＭＡ等の容量は同様に確保する。
即ちＯＰＣエリアは各レイヤ毎に２０４８クラスタとする。
ＴＤＭＡは、１層当たり２０４８クラスタであるため、配置位置はどの記録層でもよいが、全体として２０４８×４＝８１９２クラスタ確保する。また、ＴＤＭＡは配置可能な記録層においてできるだけ容量が均等になるように配置する。

ところが、この前提のままだと、ＯＰＣエリア同士間の離間距離Ｇ１、Ｇ２が２００μｍ以上とすることが保てなくなる。
すると、ポイントＰ２のＯＰＣエリアが層方向に重ならないという条件が、各レイヤのズレが公差内であっても、保てなくなる場合が生ずる。つまりポイントＰ２が満たされなくなる場合が生ずる。
そこで４層ディスクの場合は、ＯＰＣペアの考え方、及び公差縮小という考え方で対応する。

まず、図１７で本例の４層ディスク（ＢＤ−Ｒ）として開発したインナーゾーンレイアウトを先に説明する。なお、図１８に各エリアの開始半径位置とクラスタ数を示している。

レイヤＬ０において、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１に続いて外周側にＰＩＣが配置される。ＰＩＣは上記ポイントＰ３に従って、５重書きのデータ容量に応じたサイズとなる。ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１、ＰＩＣが再生専用領域となる。
そしてＰＩＣに続いて、外周側に向かってプロテクションゾーンＰＺ２，バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃２、ＯＰＣ（Ｌ０）、バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃１が配置される。

レイヤＬ１では、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１のみが再生専用領域となる。そしてプロテクションゾーンＰＺ１に続いて外周側に向かって、バッファエリアＢＵＦ、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＩＮＦＯ＃４、ＴＤＭＡ＃１、バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃３が配置される。
レイヤＬ２でも、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１のみが再生専用領域となる。そしてプロテクションゾーンＰＺ１に続いて外周側に向かって、バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃６、ＴＤＭＡ＃２、バッファエリアＢＵＦ、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＴＤＭＡ＃３、ＩＮＦＯ＃５が配置される。
レイヤＬ３でも、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１のみが再生専用領域となる。そしてプロテクションゾーンＰＺ１に続いて外周側に向かって、ＯＰＣ（Ｌ３）、バッファエリアＢＵＦ、ＩＮＦＯ＃８、ＴＤＭＡ＃４、ＩＮＦＯ＃７が配置される。
各エリアの半径位置及びクラスタ数は図１８を参照されたい。

この場合、まずポイントＰ１、Ｐ３、Ｐ６にはそのまま従っている。
ポイントＰ１については、ＢＣＡ、プロテクションゾーンＰＺ１、インナーゾーン終端が固定されたうえで、ＰＩＣ、ＯＰＣ、ＴＤＭＡ、ＩＮＦＯ等が、半径２２．５ｍｍ〜半径２４．０ｍｍの範囲内で行われている。
ポイントＰ３として、ＰＩＣ容量、ＴＤＭＡ容量、ＯＰＣサイズは踏襲されている。
なお、ＴＤＭＡは配置可能なレイヤＬ１，Ｌ２，Ｌ３において容量が均等になるように配置されているが、この点は追加的なポイントＰ７，Ｐ８として後述する。
ポイントＰ６として、レイヤＬ０のＩＮＦＯ＃１とＩＮＦＯ＃２の間、レイヤＬ１のＩＮＦＯ＃３とＩＮＦＯ＃４の間、レイヤＬ２のＩＮＦＯ＃５とＩＮＦＯ＃６の間、レイヤＬ３のＩＮＦＯ＃７とＩＮＦＯ＃８の間は、それぞれ１５０μｍ以上離されている。

以下、ポイントＰ２（ＯＰＣエリアが重ならない）、Ｐ４（ＯＰＣエリアよりディスク基板２０１側に管理情報記録再生領域を配置しない）、Ｐ５（ＯＰＣエリアよりレーザ入射面側には２以上の管理情報記録再生領域を配置しない）への対応について述べる。

まず図１７に示すファーストＯＰＣペア、セカンドＯＰＣペアというＯＰＣペアの考え方を説明する。
図１９に各レイヤのＯＰＣエリアを示している。
なお、本例の４層ディスクでは、いわゆるオポジットトラックパスの採用を想定している。これは記録再生の進行方向（アドレスの進行方向）が、レイヤＬ０では内周→外周、レイヤＬ１では外周→内周、レイヤＬ２では内周→外周、レイヤＬ３では外周→内周というように、交互に逆転するトラックパスである。図１９には矢印ＯＴＰとしてトラックパス方向を示している。
なお、すべてのレイヤで、記録再生方向が内周→外周となるのをパラレルトラックパスと呼ぶが、以下に述べる本実施の形態の考え方はパラレルトラックパスでも採用できる。

図１９に示すように、インナーゾーンにおいて外周側に配置される２つのＯＰＣエリアであるＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ２）をファーストＯＰＣペアとする。
また内周側に配置される２つのＯＰＣエリアとであるＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ３）をセカンドＯＰＣペアとする。

ＯＰＣエリアは、記録再生方向（トラックパス）とは逆方向から消費されるものと規定されている。これは、ＯＰＣエリアでは、非常に高いレーザパワーでテストライトが行われ、部分的に損傷することもあり、アドレスの若い方から使用すると、ＯＰＣ時にＯＰＣ実行位置までアクセスできない恐れがあるためである。
このため、テストライトに使用する所定セクター分毎に、アドレスの大きい方から使用する。図中の矢印ＯＵは、ＯＰＣエリアの消費方向を示している。
従ってオポジットトラックパスの場合、ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ２）は外周側から順次所定セクターづつ消費されていき、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ３）は内周側から順次所定セクターづつ消費されていく。
ペア内の２つのＯＰＣエリアは、消費方向ＯＵが同一である。

ここで、各ペア内の２つのＯＰＣエリアについては、見かけ上の離間距離を考える。ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ２）についての離間距離ＡＢ１、及びＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ３）についての離間距離ＡＢ２である。
見かけ上の離間距離ＡＢ１、ＡＢ２とは、ＯＰＣエリア内で次に使用する部分（次のＯＰＣ動作で消費する位置）の先頭の離間距離となる。通常は、ＯＰＣエリア内で未だ消費してない未使用部分の先頭の離間距離となる。なお「次に使用する部分」の先頭とは、上述したＴＤＤＳにおいて、ＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）として示されるアドレスとなる。
例えば各ＯＰＣエリアにおいて、矢印ＯＵの長さで示す部分が、既にＯＰＣ動作で消費されているとした場合、見かけ上の離間距離ＡＢ１、ＡＢ２は図のようになる。

見かけ上の離間距離ＡＢ１，ＡＢ２が保たれれば、ＯＰＣエリアの使い方によって、上記ポイントＰ２（ＯＰＣエリアが重ならない）の目的が得られる事実上の離間距離がとれる。
例えば図１９のファーストＯＰＣペアにおいて、ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ２）が矢印ＯＵのように消費されていく場合、次に使用するＯＰＣ位置は重ならない。しかし、最大公差を考え、かつ、例えばＯＰＣ（Ｌ２）の消費量がＯＰＣ（Ｌ０）に対して著しく多くなっている場合、ＯＰＣエリアが実質的に重なることが生じる可能性がある。

この点を図２０でファーストＯＰＣペアを例にとって説明する。
図２０（ａ）は、ＯＰＣ（Ｌ０）とＯＰＣ（Ｌ２）の間で、半径方向に離間距離を持たないレイアウトを想定した場合である。
２０４８クラスタとされるＯＰＣエリアの半径サイズは、約２５０μｍとなる。
この図２０（ａ）のように離間距離を持たなくても、理想状態では、ＯＰＣ（Ｌ０）とＯＰＣ（Ｌ２）は層方向には重ならない。
しかし、上述のように約２００μｍの公差が許容されており、レイヤＬ０，Ｌ２のズレが最大であると、図２０（ｂ）のような約２００μｍの範囲で重なりが生ずる。
但し、上記の見かけ上の離間距離ＡＢ１を考えれば、この図２０（ｂ）のように層方向の重なりが生じたとしても、ＯＰＣ記録で使用しようとする位置は重なっていない状態となり得る。例えばＯＰＣ（Ｌ０）とＯＰＣ（Ｌ２）が、図中の破線矢印のように常時ほぼ均等に消費されていくのであれば、常に見かけ上の離間距離ＡＢ１は保たれる。（見かけ上の離間距離ＡＢ１は、各破線矢印の先端同士の離間距離に相当する）

しかしながら、各ＯＰＣエリアの消費量は必ずしも均等ではない。ＯＰＣ（Ｌ０）の方が消費が早く進むことが多いが、場合によってはＯＰＣ（Ｌ２）の消費の方が早く進むこともある。そして図２０（ｂ）の場合、ＯＰＣ（Ｌ０）の消費量に対してＯＰＣ（Ｌ２）の消費量が２倍となると、見かけ上の離間距離ＡＢ１がゼロとなってしまう。
これは、レイヤＬ０，Ｌ２のズレが公差内で最大であり、かつＯＰＣ（Ｌ０）とＯＰＣ（Ｌ２）の消費バランスがかなり悪くなったときに発生するレアケースではあるが、このような事態が生ずる可能性は、より小さくあるべきである。

そこで、公差について再検討する。
図２１（ａ）は、上記の３層ディスクで公差最大約２００μｍとした条件を示している。
これを再検討するに、まず偏芯量はディスク製造上の問題であり、７５μｍ以下とすることは難しい。またデフォーカスの２９μｍも変えられない。
そこで図２１（ｂ）に示すように、半径位置精度を、半径２４ｍｍ位置で、最大で相対値が５０μｍの誤差となるようにする。３層の場合は基準レイヤからの絶対値誤差としたが、実際上、レイヤのズレは、各レイヤ間で相対的に影響するものである。そこで４層のうちで、最もズレの大きい２つのレイヤの半径２４ｍｍ位置のズレが５０μｍの範囲であればよいと、許容公差を変更する。
すると、最大公差は約１５０μｍと見積もることができる。そこで各レイヤは、最悪の状況でも、１５０μｍ以上はズレないという前提とする。

この場合、レイヤＬ０，Ｌ２のズレが最大であると、図２０（ｃ）のように約１５０μｍの範囲で重なりが生ずる。これは図２０（ｂ）の状態より改善されている。即ち、ＯＰＣ（Ｌ２）の消費がＯＰＣ（Ｌ０）より多くなった場合でも、見かけ上の離間距離ＡＢ１がゼロになる可能性を低くできる。
ここで、さらに見かけ上の離間距離ＡＢ１がゼロになる可能性を低くする検討を行う。

まず、ファーストＯＰＣペアとセカンドＯＰＣペアのペア間の離間距離を考える。
最大公差１５０μｍとすることで、ペア間の離間距離、即ち図１７のＯＰＣ（Ｌ０）の最内周側とＯＰＣ（Ｌ１）の最外周側の離間距離Ｇｐは、１５０μｍ以上あればよいことになる。
離間距離Ｇｐが１５０μｍ以上あれば、レイヤＬ０，Ｌ１が最もずれたとしても、ＯＰＣ（Ｌ０）とＯＰＣ（Ｌ１）が層方向に重ならないためである。
図１７、図１８に示した配置の場合、この離間距離Ｇｐ＝１５３μｍとなる。

次にポイントＰ４（ＯＰＣエリアよりディスク基板２０１側に管理情報記録再生領域を配置しない）の観点で、ＯＰＣ（Ｌ３）について考える。
図１７において、ＯＰＣ（Ｌ３）よりもディスク基板２０１側には、レイヤＬ２のバッファエリアＢＵＦ、レイヤＬ１のバッファエリアＢＵＦ、及びレイヤＬ０のＰＩＣが位置し、管理情報記録再生領域はない。
但し、レイヤのズレを考慮すると、レイヤＬ２のＩＮＦＯ＃６を十分に半径方向に離す必要がある。図１７の離間距離Ｇｆ２である。
この場合、最大公差を２００μｍとすると、離間距離Ｇｆ２は２００μｍ以上必要となるが、上記のように最大公差を１５０μｍとすれば、離間距離Ｇｆ２は１５０μｍ以上あればよいことになる。図１７、図１８に示した配置の場合、この離間距離Ｇｆ２＝１５３μｍとなっている。

さらにポイントＰ５（ＯＰＣエリアよりレーザ入射面側には２以上の管理情報記録再生領域を配置しない）の観点でＯＰＣ（Ｌ０）に注目する。
ＯＰＣ（Ｌ０）よりレーザ入射面側にはレイヤＬ１のＴＤＭＡ＃１が位置するのみである。しかし、レイヤのズレを考慮すると、レイヤＬ１のＴＤＭＡ＃１と、レイヤＬ３のＩＮＦＯ＃８との位置関係が問題となる。即ち図１７の離間距離Ｇｔｆである。
この場合も、デフォーカス分を除く最大公差を１７５μｍとすると、離間距離Ｇｔｆは１７５μｍ以上必要となるが、デフォーカス分を除く最大公差を１２５μｍとすれば、離間距離Ｇｔｆは１２５μｍ程度あればよいことになる。図１７、図１８に示した配置の場合、この離間距離Ｇｔｆ＝１４５μｍとなっている。
ここで、離間距離Ｇｔｆに関してデフォーカス分を除ける理由は、図１５（ｂ）を参照すると、図中の一点破線まで左右からレイヤＬ１とレイヤＬ２が記録済みであったとして、レイヤＬ０への影響は、レイヤＬ１とレイヤＬ２のそれぞれから半分ずつで合計１層分となるからである。

離間距離Ｇｆ２、Ｇｔｆがそれぞれ２００μｍ、１７５μｍ以上ではなく、１５０μｍ、１２５μｍ以上であればよいということは、公差を１５０μｍとすることで、離間距離Ｇｆ２、Ｇｔｆをそれぞれ５０μｍだけ小さく設定できることを意味する。
すると、その各５０μｍの余裕を、各ＯＰＣペアのペア内の離間距離Ｇｉ１、Ｇｉ２として配分できることになる。

以上のことから、図２０（ｄ）に示すようにペア内のＯＰＣ（Ｌ０）とＯＰＣ（Ｌ２）の配置として、５０μｍの離間距離を設定できる（図１７の離間距離Ｇｉ１に相当）。
この場合、レイヤＬ０，Ｌ２のズレが最大であると、図２０（ｅ）のように約１００μｍの範囲で重なりが生ずる。これは図２０（ｃ）の状態よりさらに改善されている。
即ち、ＯＰＣ（Ｌ２）の消費がＯＰＣ（Ｌ０）よりかなり多くなった場合でも、見かけ上の離間距離ＡＢ１がゼロになる可能性を低くできる。
実際上、最悪のケースであったとしても、ほとんど見かけ上の離間距離ＡＢ１が無くなることは避けることができる。
また、見かけ上の離間距離ＡＢ１が無くならないように、記録装置側でＯＰＣ（Ｌ２）とＯＰＣ（Ｌ０）の処理で、ＯＰＣエリアの使用を調整することは可能である。これについては、図２５，図２６で後述する。

以上のことから、ファーストＯＰＣペアのＯＰＣ（Ｌ２）とＯＰＣ（Ｌ０）の間に離間距離Ｇｉ１を設定し、またセカンドＯＰＣペアのＯＰＣ（Ｌ３）とＯＰＣ（Ｌ１）の間に離間距離Ｇｉ２を設定する。図１７、図１８に示した配置の場合、離間距離Ｇｉ１＝Ｇｉ２＝５７μｍとなっている。
このようにすることで、図１９に示す見かけ上の離間距離ＡＢ１、ＡＢ２は確保され、事実上、ＯＰＣ（Ｌ２）とＯＰＣ（Ｌ０）、及びＯＰＣ（Ｌ３）とＯＰＣ（Ｌ１）が層方向に重なることは回避される。
また、上述したようにＯＰＣ（Ｌ０）の最内周側とＯＰＣ（Ｌ１）の最外周側には離間距離Ｇｐ＝１５３μｍが設定される。このため、レイヤのズレが公差内で最悪の状態でもＯＰＣ（Ｌ０）とＯＰＣ（Ｌ１）が層方向に重なることもない。
従って、図１７、図１８のレイアウトは、事実上、ポイントＰ２（ＯＰＣエリアが重ならない）という条件を満たすことになる。

ポイントＰ４（ＯＰＣエリアよりディスク基板２０１側に管理情報記録再生領域を配置しない）については、次のとおりである。
ＯＰＣ（Ｌ３）に関しては上述の通り、そのディスク基板２０１側に管理情報記録再生領域が位置することはない。
ＯＰＣ（Ｌ２）についてみれば、ディスク基板２０１側には、レイヤＬ１のバッファエリアＢＵＦ、レイヤＬ０のバッファエリアＢＵＦが位置し、管理情報記録再生領域はない。レイヤのズレから考慮すべきは、レイヤＬ０のＩＮＦＯ＃１、レイヤＬ１のＩＮＦＯ＃３となるが、ここまでの説明からわかるように、図１７に示す離間距離Ｇｉ３が１５０μｍ以上あればよい。図１７、図１８に示した配置の場合、離間距離Ｇｉ３＝１５３μｍとなっている。従って、ＯＰＣ（Ｌ２）のディスク基板２０１側に管理情報記録再生領域が位置することはない。
またＯＰＣ（Ｌ１）についてみれば、ディスク基板２０１側には、レイヤＬ０のＰＩＣが位置し、管理情報記録再生領域はない。レイヤのズレから考慮すべきは、レイヤＬ０のＩＮＦＯ＃２となるが、上記同様に離間距離Ｇｆ１は１５０μｍ以上あればよい。図１７、図１８に示した配置の場合、離間距離Ｇｆ１＝１５３μｍとなっている。従って、ＯＰＣ（Ｌ１）のディスク基板２０１側に管理情報記録再生領域が位置することはない。
以上のことからポイントＰ４の条件も満たす。

ポイントＰ５（ＯＰＣエリアよりレーザ入射面側には２以上の管理情報記録再生領域を配置しない）については次のとおりである。
対象となるのはＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）の層方向位置である。ＯＰＣ（Ｌ０）に関しては、上述の通り問題無い。
ＯＰＣ（Ｌ１）に関しては、そのレーザ入射面側にはレイヤＬ２のＩＮＦＯ＃６及びＴＤＭＡ＃２が存在し、レイヤＬ３はバッファエリアＢＵＦであることから問題ない。
つまりポイントＰ５の条件を満たす。

ここで、ポイントＰ４とポイントＰ５の条件を満たして、且つ、離間距離Ｇｉ１とＧｉ２を最大限確保する為の工夫として、ＴＤＭＡがレイヤＬ０に配置していないことが、図１７と図１８を見ると分かる。前述したように、各記録層のＴＤＭＡを合わせて１つの大きなＴＤＭＡとして使用することになるので、全ての記録層にＴＤＭＡがなくても構わない。
４層ディスクのレイアウトを考える上で、ＯＰＣエリアの層方向の重なりを重要視して、ＴＤＭＡをディスク基板側の記録層から取り去ったのである。
これを４層ディスクにおける追加ポイントＰ７として以下参照する。

さらにＴＤＭＡについて図１７と図１８を見てみると、レイヤＬ１〜Ｌ３のＴＤＭＡのサイズがほぼ等しいことが分かる。もし、ＴＤＭＡが１つの記録層、例えばレイヤＬ３、に集中的に配置したとすると、ＴＤＭＡを更新する為にレイヤＬ３の記録調整でＯＰＣ（Ｌ３）を消費することになる。
従って、ＯＰＣの消費が偏らないように、ＴＤＭＡを各記録層に可能な限り均等に割り当てるのが望ましい。
ここで、ＴＤＭＡの割り当てサイズにおいて、最も大きい記録層のものと最も小さい記録層のものとを比べて、２倍以下であれば、ほぼ均等に割り当てたとみなす。
これを４層での追加ポイントＰ８として以下参照する。

以上のように本例の４層ディスクは、例えば図１７，図１８のようなインナーゾーンレイアウトとすることで、ポイントＰ１〜Ｐ８の条件を満たした適切なレイアウトとなる。

本例の４層ディスクの要点をまとめると次のようになる。
・ディスク基板２０１上に記録層が４層（レイヤＬ０〜Ｌ３）設けられ、レーザ入射面側に光透過層２０３が形成されて成る記録可能型の光ディスクである。
・各記録層（レイヤＬ０〜Ｌ３）にそれぞれ、レーザパワー制御のためのテストエリアとして、ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３）が、ユーザデータを記録するデータゾーンより内周側の内周側領域（インナーゾーン）に設けられることで、４つのテストエリアを有する。
・４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ２））をファーストＯＰＣペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ３））をセカンドＯＰＣペアとする。このときに、ファーストＯＰＣペアを形成するテストエリアと、セカンドＯＰＣペアを形成するテストエリアは、互いに層方向に重ならないように配置されている。
・ファーストＯＰＣペアを構成する２つのテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ２））は、それぞれテストエリアの消費方向が同一とされるとともに、各テストエリアは、見かけ上の離間距離ＡＢ１によって、次に使用する部分が互いに層方向に重ならないように配置されている。
・セカンドＯＰＣペアを構成する２つのテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ３））は、それぞれテストエリアの消費方向が同一であって、かつファーストＯＰＣペアのテストエリアの消費方向とは逆方向とされる。（但し、上述したパラレルトラックパスが採用される場合は、ファーストＯＰＣペアのテストエリアの消費方向と同方向となる）。そして、各テストエリア（ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ３））は、見かけ上の離間距離ＡＢ２によって、次に使用する部分が互いに層方向に重ならないように配置されている。
・各記録層の上記内周側領域には、管理情報の記録及び再生を行う管理情報記録再生領域が設けられる。その合計サイズは、現行の単層ディスクの管理情報サイズに層数を乗じたサイズを確保する。
・各記録層（レイヤＬ０〜Ｌ３）のテストエリアのそれぞれ（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３））に対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる管理情報記録再生領域が１つ以下となるように、管理情報記録再生領域が配置されている。
・管理情報記録再生領域は、各記録層のテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３））に対して、ディスク基板２０１側において層方向に重ならないように配置されている。
・ＯＰＣエリアの層方向の重なりを重要視して、ＴＤＭＡをディスク基板側の記録層（レイヤＬ０）から取り去る。
・ＴＤＭＡを配置する記録層には、可能な限り均等なサイズでＴＤＭＡを割り当てる。

より実際の配置に即して言えば次のようになる。
・本例の４層ディスクは、直径１２ｃｍの光ディスクである。そして、各テストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３））は、光ディスクの半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍ内の範囲において、約２５０μｍ半径幅で形成されている。
・各記録層（レイヤＬ０〜Ｌ３）は、その相対的半径位置誤差が約１５０μｍ公差内で形成されている。
・ファーストＯＰＣペアを形成するテストエリアの最内周半径位置（ＯＰＣ（Ｌ０）の最内周側）と、セカンドＯＰＣペアを形成するテストエリアの最外周半径位置（ＯＰＣ（Ｌ１）の最外周側）は、上記相対的半径位置誤差をゼロと考えたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離Ｇｐを持って層方向に重ならない位置に配置されている。
・ファーストＯＰＣペアを構成する２つのテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ２））は、上記相対的半径位置誤差をゼロと考えたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離Ｇｉ１を持って層方向に重ならない位置に形成されている。
・セカンドＯＰＣペアを構成する２つのテストエリア（ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ３））は、上記相対的半径位置誤差をゼロと考えたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離Ｇｉ２を持って層方向に重ならない位置に形成されている。
・ＴＤＭＡは、レイヤＬ０には配置せずに、レイヤＬ１〜Ｌ３に均等なサイズで配置する。

ところで、図１７の例は、ライトワンス型のディスクであるＢＤ−Ｒについて示した。リライタブル型ディスクとしてのＢＤ−ＲＥの場合は、図２２のようにインナーゾーンレイアウトを設定すればよい。
この図２２は、図１７のＴＤＭＡをリザーブエリアＲＳＶにしたレイアウトである。各エリアのサイズは図１８と同様である。図１８におけるＴＤＭＡの位置はリザーブエリアＲＳＶとして考えればよい。
上述のようにＴＤＭＡは、最終的なクローズ処理までのデータ書換、交替処理のために順次ＴＤＦＬやスペースビットマップの更新等に使用されるものである。データ書換可能なリライタブルディスクの場合、直接ＩＮＦＯ内のＤＭＡを書き換えればよいため、ＴＤＭＡは必要ない。
そこで、図２２のように図１７のＴＤＭＡをリザーブエリアＲＳＶにしたレイアウトとすればよい。もちろん、ポイントＰ１〜Ｐ８の条件は満たされる。
このようなインナーゾーンレイアウトにより、ＢＤ−ＲＥでもインナーゾーンにおけるテストライトや管理情報の記録再生を適切に行うことができる。

［７．ディスクドライブ装置］

次に、本例の例えばＢＤ−Ｒ、ＢＤ−ＲＥとしての３層ディスク、４層ディスクに対応するディスクドライブ装置（記録再生装置）を説明していく。
本例のディスクドライブ装置は、例えば上述したＢＣＡ、ＰＩＣのみが形成されている状態であって、記録可能領域には何も記録されていない状態のディスクに対してフォーマット処理を行う。これにより、図１３又は図１７で説明した状態のディスクレイアウトを形成することができるものである。また、そのようなフォーマット済のディスクに対してユーザーデータ領域にデータの記録再生を行なう。必要時において、ＴＤＭＡ、ＩＳＡ、ＯＳＡへの記録／更新も行うものである。

図２３はディスクドライブ装置の構成を示す。
ディスク１は上述した３層ディスク又は実施の形態の４層ディスクとする。ディスク１は、図示しないターンテーブルに積載され、記録／再生動作時においてスピンドルモータ５２によって一定線速度（ＣＬＶ）で回転駆動される。
そして光学ピックアップ（光学ヘッド）５１によってディスク１上のグルーブトラックのウォブリングとして埋め込まれたＡＤＩＰアドレスやプリレコーデッド情報としての管理／制御情報の読み出しがおこなわれる。
また初期化フォーマット時や、ユーザーデータ記録時には光学ピックアップ５１によって記録可能領域におけるトラックに、管理／制御情報やユーザーデータが記録され、再生時には光学ピックアップ５１によって記録されたデータの読出が行われる。

光学ピックアップ５１内には、レーザ光源となるレーザダイオードや、反射光を検出するためのフォトディテクタ、レーザ光の出力端となる対物レンズ、レーザ光を対物レンズを介してディスク記録面に照射し、またその反射光をフォトディテクタに導く光学系（図示せず）が形成される。

光学ピックアップ５１内において対物レンズは二軸機構によってトラッキング方向及びフォーカス方向に移動可能に保持されている。
また光学ピックアップ５１全体はスレッド機構５３によりディスク半径方向に移動可能とされている。
また光学ピックアップ５１におけるレーザダイオードはレーザドライバ６３からのドライブ信号（ドライブ電流）によってレーザ発光駆動される。

ディスク１からの反射光情報は光学ピックアップ５１内のフォトディテクタによって検出され、受光光量に応じた電気信号とされてマトリクス回路５４に供給される。
マトリクス回路５４には、フォトディテクタとしての複数の受光素子からの出力電流に対応して電流電圧変換回路、マトリクス演算／増幅回路等を備え、マトリクス演算処理により必要な信号を生成する。
例えば再生データに相当する高周波信号（再生データ信号）、サーボ制御のためのフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号などを生成する。
さらに、グルーブのウォブリングに係る信号、即ちウォブリングを検出する信号としてプッシュプル信号を生成する。
なお、マトリクス回路５４は、光学ピックアップ５１内に一体的に構成される場合もある。

マトリクス回路５４から出力される再生データ信号はリーダ／ライタ回路５５へ、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号はサーボ回路６１へ、プッシュプル信号はウォブル回路５８へ、それぞれ供給される。

リーダ／ライタ回路５５は、再生データ信号に対して２値化処理、ＰＬＬによる再生クロック生成処理等を行い、光学ピックアップ５１により読み出されたデータを再生して、変復調回路５６に供給する。
変復調回路５６は、再生時のデコーダとしての機能部位と、記録時のエンコーダとしての機能部位を備える。
再生時にはデコード処理として、再生クロックに基づいてランレングスリミテッドコードの復調処理を行う。
またＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７は、記録時にエラー訂正コードを付加するＥＣＣエンコード処理と、再生時にエラー訂正を行うＥＣＣデコード処理を行う。
再生時には、変復調回路５６で復調されたデータを内部メモリに取り込んで、エラー検出／訂正処理及びデインターリーブ等の処理を行い、再生データを得る。
ＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７で再生データにまでデコードされたデータは、システムコントローラ６０の指示に基づいて、読み出され、接続された機器、例えばＡＶ（Audio-Visual）システム１２０に転送される。

グルーブのウォブリングに係る信号としてマトリクス回路５４から出力されるプッシュプル信号は、ウォブル回路５８において処理される。ＡＤＩＰ情報としてのプッシュプル信号は、ウォブル回路５８においてＡＤＩＰアドレスを構成するデータストリームに復調されてアドレスデコーダ５９に供給される。
アドレスデコーダ５９は、供給されるデータについてのデコードを行い、アドレス値を得て、システムコントローラ６０に供給する。
またアドレスデコーダ５９はウォブル回路５８から供給されるウォブル信号を用いたＰＬＬ処理でクロックを生成し、例えば記録時のエンコードクロックとして各部に供給する。

また、グルーブのウォブリングに係る信号としてマトリクス回路５４から出力されるプッシュプル信号として、プリレコーデッド情報（ＰＩＣ）としてのプッシュプル信号は、ウォブル回路５８においてバンドパスフィルタ処理が行われてリーダ／ライタ回路５５に供給される。そして２値化され、データビットストリームとされた後、ＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７でＥＣＣデコード、デインターリーブされて、プリレコーデッド情報としてのデータが抽出される。抽出されたプリレコーデッド情報はシステムコントローラ６０に供給される。
システムコントローラ６０は、読み出されたプリレコーデッド情報に基づいて、各種動作設定処理やコピープロテクト処理等を行うことができる。

記録時には、ＡＶシステム１２０から記録データが転送されてくるが、その記録データはＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７におけるメモリに送られてバッファリングされる。
この場合ＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７は、バファリングされた記録データのエンコード処理として、エラー訂正コード付加やインターリーブ、サブコード等の付加を行う。
またＥＣＣエンコードされたデータは、変復調回路５６において例えばＲＬＬ（１−７）ＰＰ方式の変調が施され、リーダ／ライタ回路５５に供給される。
記録時においてこれらのエンコード処理のための基準クロックとなるエンコードクロックは上述したようにウォブル信号から生成したクロックを用いる。

エンコード処理により生成された記録データは、リーダ／ライタ回路５５で記録補償処理として、記録層の特性、レーザー光のスポット形状、記録線速度等に対する最適記録パワーの微調整やレーザドライブパルス波形の調整などが行われた後、レーザドライブパルスとしてレーザードライバ６３に送られる。
レーザドライバ６３では供給されたレーザドライブパルスを光学ピックアップ５１内のレーザダイオードに与え、レーザ発光駆動を行う。これによりディスク１に記録データに応じたピットが形成されることになる。

なお、レーザドライバ６３は、いわゆるＡＰＣ回路（Auto Power Control）を備え、光学ピックアップ５１内に設けられたレーザパワーのモニタ用ディテクタの出力によりレーザ出力パワーをモニターしながらレーザーの出力が温度などによらず一定になるように制御する。記録時及び再生時のレーザー出力の目標値はシステムコントローラ６０から与えられ、記録時及び再生時にはそれぞれレーザ出力レベルが、その目標値になるように制御する。

サーボ回路６１は、マトリクス回路５４からのフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号から、フォーカス、トラッキング、スレッドの各種サーボドライブ信号を生成しサーボ動作を実行させる。
即ちフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号に応じてフォーカスドライブ信号、トラッキングドライブ信号を生成し、光学ピックアップ５１内の二軸機構のフォーカスコイル、トラッキングコイルを駆動することになる。これによって光学ピックアップ５１、マトリクス回路５４、サーボ回路６１、二軸機構によるトラッキングサーボループ及びフォーカスサーボループが形成される。

またサーボ回路６１は、システムコントローラ６０からのトラックジャンプ指令に応じて、トラッキングサーボループをオフとし、ジャンプドライブ信号を出力することで、トラックジャンプ動作を実行させる。

またサーボ回路６１は、トラッキングエラー信号の低域成分として得られるスレッドエラー信号や、システムコントローラ６０からのアクセス実行制御などに基づいてスレッドドライブ信号を生成し、スレッド機構５３を駆動する。スレッド機構５３には、図示しないが、光学ピックアップ５１を保持するメインシャフト、スレッドモータ、伝達ギア等による機構を有し、スレッドドライブ信号に応じてスレッドモータを駆動することで、光学ピックアップ５１の所要のスライド移動が行なわれる。

スピンドルサーボ回路６２はスピンドルモータ５２をＣＬＶ回転させる制御を行う。
スピンドルサーボ回路６２は、ウォブル信号に対するＰＬＬ処理で生成されるクロックを、現在のスピンドルモータ５２の回転速度情報として得、これを所定のＣＬＶ基準速度情報と比較することで、スピンドルエラー信号を生成する。
またデータ再生時においては、リーダ／ライタ回路５５内のＰＬＬによって生成される再生クロック（デコード処理の基準となるクロック）が、現在のスピンドルモータ５２の回転速度情報となるため、これを所定のＣＬＶ基準速度情報と比較することでスピンドルエラー信号を生成することもできる。
そしてスピンドルサーボ回路６２は、スピンドルエラー信号に応じて生成したスピンドルドライブ信号を出力し、スピンドルモータ５２のＣＬＶ回転を実行させる。
またスピンドルサーボ回路６２は、システムコントローラ６０からのスピンドルキック／ブレーキ制御信号に応じてスピンドルドライブ信号を発生させ、スピンドルモータ５２の起動、停止、加速、減速などの動作も実行させる。

以上のようなサーボ系及び記録再生系の各種動作はマイクロコンピュータによって形成されたシステムコントローラ６０により制御される。
システムコントローラ６０は、ＡＶシステム１２０からのコマンドに応じて各種処理を実行する。

例えばＡＶシステム１２０から書込命令（ライトコマンド）が出されると、システムコントローラ６０は、まず書き込むべきアドレスに光学ピックアップ５１を移動させる。そしてＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７、変復調回路５６により、ＡＶシステム１２０から転送されてきたデータ（例えばＭＰＥＧ２などの各種方式のビデオデータや、オーディオデータ等）について上述したようにエンコード処理を実行させる。そして上記のようにリーダ／ライタ回路５５からのレーザドライブパルスがレーザドライバ６３に供給されることで、記録が実行される。

また例えばＡＶシステム１２０から、ディスク１に記録されている或るデータ（ＭＰＥＧ２ビデオデータ等）の転送を求めるリードコマンドが供給された場合は、まず指示されたアドレスを目的としてシーク動作制御を行う。即ちサーボ回路６１に指令を出し、シークコマンドにより指定されたアドレスをターゲットとする光学ピックアップ５１のアクセス動作を実行させる。
その後、その指示されたデータ区間のデータをＡＶシステム１２０に転送するために必要な動作制御を行う。即ちディスク１からのデータ読出を行い、リーダ／ライタ回路５５、変復調回路５６、ＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７におけるデコード／バファリング等を実行させ、要求されたデータを転送する。

なお、これらのデータの記録再生時には、システムコントローラ６０は、ウォブル回路５８及びアドレスデコーダ５９によって検出されるＡＤＩＰアドレスを用いてアクセスや記録再生動作の制御を行うことができる。

また、ディスク１が装填された際など所定の時点で、システムコントローラ６０は、ディスク１のＢＣＡにおいて記録されたユニークＩＤや、再生専用領域にウォブリンググルーブとして記録されているプリレコーデッド情報（ＰＩＣ）の読出を実行させる。
その場合、まずＢＣＡ、ＰＩＣを目的としてシーク動作制御を行う。即ちサーボ回路６１に指令を出し、ディスク最内周側への光学ピックアップ５１のアクセス動作を実行させる。
その後、光学ピックアップ５１による再生トレースを実行させ、反射光情報としてのプッシュプル信号を得、ウォブル回路５８、リーダ／ライタ回路５５、ＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７によるデコード処理を実行させる。これによりＢＣＡ情報やプリレコーデッド情報としての再生データを得る。
システムコントローラ６０はこのようにして読み出されたＢＣＡ情報やプリレコーデッド情報に基づいて、レーザパワー設定やコピープロテクト処理等を行う。

図２３ではシステムコントローラ６０内にキャッシュメモリ６０ａを示している。このキャッシュメモリ６０ａは、例えばディスク１のＴＤＭＡから読み出したＴＤＦＬ／スペースビットマップの保持や、その更新に利用される。
システムコントローラ６０は、例えばディスク１が装填された際に各部を制御してＴＤＭＡに記録されたＴＤＦＬ／スペースビットマップの読出を実行させ、読み出された情報をキャッシュメモリ６０ａに保持する。
その後、データ書換や欠陥による交替処理が行われた際には、キャッシュメモリ６０ａ内のＴＤＦＬ／スペースビットマップを更新していく。
例えばデータの書込や、データ書換等で交替処理が行われ、スペースビットマップ又はＴＤＦＬの更新を行う際に、その都度ディスク１のＴＤＭＡにおいて、ＴＤＦＬ又はスペースビットマップを追加記録しても良い。しかし、そのようにすると、ディスク１のＴＤＭＡの消費が早まってしまう。
そこで、例えばディスク１がディスクドライブ装置からイジェクト（排出）されるまでの間は、キャッシュメモリ６０ａ内でＴＤＦＬ／スペースビットマップの更新を行っておく。そしてイジェクト時などにおいて、キャッシュメモリ６０ａ内の最終的な（最新の）ＴＤＦＬ／スペースビットマップを、ディスク１のＴＤＭＡに書き込むようにする。すると、多数回のＴＤＦＬ／スペースビットマップの更新がまとめられてディスク１上で更新されることになり、ディスク１のＴＤＭＡの消費を低減できることになる。

ところで、この図２３のディスクドライブ装置の構成例は、ＡＶシステム１２０に接続されるディスクドライブ装置の例としたが、本発明のディスクドライブ装置としては例えばパーソナルコンピュータ等と接続されるものとしてもよい。
さらには他の機器に接続されない形態もあり得る。その場合は、操作部や表示部が設けられたり、データ入出力のインターフェース部位の構成が、図２３とは異なるものとなる。つまり、ユーザーの操作に応じて記録や再生が行われるとともに、各種データの入出力のための端子部が形成されればよい。
もちろん構成例としては他にも多様に考えられ、例えば記録専用装置、再生専用装置としての例も考えられる。

図２４に、ディスクドライブ装置の動作のためのシステムコントローラ６０の制御処理例を示す。
図２４（ａ）はフォーマット処理を示している。
未フォーマットのディスク１が装填され、フォーマット処理を行う場合、システムコントローラ６０は、まずディスク判別を行ってインナーゾーンレイアウトを確認し、ＯＰＣエリアの位置を把握する。
ディスク判別の手法については多様な方法があり、ここでは詳述しないが、例えばブルーレイディスクとしてのディスク１が装填された場合は、記録層数を判別する。ここでは３層ディスク、或いは４層ディスクが装填された場合について述べる。

システムコントローラ６０は、３層ディスクについて図１３、図１４で説明したインナーゾーンのエリア構成の情報、及び４層ディスクについて図１７、図１８で説明したインナーゾーンのエリア構成の情報を内部メモリに保持している。
ステップＦ１０１では、このエリア構成の情報から、装填されたディスク１（３層ディスク或いは４層ディスク）のＯＰＣエリアの位置を確認する。

システムコントローラ６０はステップＦ１０２で、ＯＰＣ制御処理を行う。即ちサーボ回路６１、スピンドル回路６２に指示して、光学ピックアップ５１をＯＰＣエリアにアクセスさせる。またリーダ／ライタ回路５５からＯＰＣテストパターンとしての信号をレーザドライバ６３に供給させ、ＯＰＣエリアへのテスト記録を実行させる。さらに記録したＯＰＣエリアを再生させ、再生情報信号についての評価値、例えばジッター、アシンメトリ、エラーレート等を得、最適な記録レーザパワーを判定する。そしてレーザパワーを最適パワーに設定する。

その後システムコントローラ６０はステップＦ１０３でフォーマット処理としての記録動作の制御を行う。
例えば配置可能な記録層においてできるだけ容量が均等になるように配置されたＴＤＭＡにおけるスペースビットマップ、ＴＤＦＬ等のアドレスをＴＤＤＳへ記録させる等の記録動作の実行制御を行い、以降、ＴＤＤＳの情報から、ＴＤＭＡの構造が把握できるようにする。
このようなフォーマット処理により、図１３又は図１７のフォーマットのディスク１が以降使用できるようにする。

図２４（ｂ）は記録時の処理を示している。
システムコントローラ６０は、ユーザデータや管理情報の記録動作に際して、まずステップＦ２０１でＴＤＭＡの情報をチェックし、ＴＤＤＳ、ディフェクトリスト、スペースビットマップ、次に使えるＯＰＣエリア等の必要事項を把握する。
次にステップＦ２０２でシステムコントローラ６０は、ＯＰＣエリアを用いてＯＰＣ動作を実行させ、その結果から最適記録レーザパワーを設定する。
そしてステップＦ２０３で、ユーザデータ等の記録動作を実行させる。
記録後において、ステップＦ２０４でＴＤＭＡの更新を行う。つまりＴＤＤＳ、ディフェクトリスト、スペースビットマップ、次に使えるＯＰＣエリア等の情報のうちで必要な情報を更新したＴＤＭＡを新たに記録する。

図２４（ｃ）は再生時の処理を示している。
システムコントローラ６０はステップＦ３０１でＴＤＭＡやファイルシステム等の読込データから各種管理情報を把握する。
そしてステップＦ３０２でＡＶシステム１２０からのリードコマンドに応じて目的のアドレスに光学ピックアップ５１をアクセスさせ、ステップＦ３０３として再生動作を実行させる。即ちディスク１からのデータ読出を行い、リーダ／ライタ回路５５、変復調回路５６、ＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７におけるデコード／バファリング等を実行させ、要求されたデータをＡＶシステム１２０に転送する。

以上は、３層ディスク、４層ディスクに対してディスクドライブ装置が実行するフォーマット処理、記録処理、再生処理である。
ここで、ディスク１が４層ディスクの場合のＯＰＣ動作に関する処理を説明する。

先に述べたように４層ディスクでは、４つのＯＰＣエリアについて、ファーストＯＰＣペア、セカンドＯＰＣペアの考え方を導入している。そして、ペア内の２つのＯＰＣエリアについては、見かけ上の離間距離（次に使用する部分の先頭どうしの離間距離）を確保することで、ＯＰＣ動作で使用する部分が層方向に重ならないようにしている。
例えば上述の図１７、図１８のレイアウトによれば、各レイヤのずれが許容公差内で最悪であったとしても、見かけ上の離間距離（図１９のＡＢ１，ＡＢ２）は、通常、保たれる。しかし、例えばファーストＯＰＣペアについて言えば、あまりにＯＰＣ（Ｌ２）の消費量がＯＰＣ（Ｌ０）の消費量より多くなってしまうと、見かけ上の離間距離（ＡＢ１）が無くなる可能性もゼロではない。そこで、ディスクドライブ装置側でも、見かけ上の離間距離を保つためのＯＰＣ動作処理上の工夫があると好ましい。

次に説明する図２５，図２６はそれぞれ、ファーストＯＰＣペア、セカンドＯＰＣペアのそれぞれについて、ペア内のＯＰＣエリアについて見かけ上の離間距離が無くなる事態を発生させないようにするためのディスクドライブ装置側の処理例である。

まず図２５の処理例を説明する。
図２５では、まずステップＦ４０１〜Ｆ４０８として、ディスク装填時の処理を示している。なお、このステップＦ４０１〜Ｆ４０８の処理は、装填されたディスク１が３層ディスクの場合であっても同様に行われる。例えば図２４（ａ）（ｂ）（ｃ）に先だって行われる処理である。

ステップＦ４０１でディスクロードが行われる。システムコントローラ６０は、ディスク挿入を検知することで、図２３に示していないディスクローディング機構を制御し、ディスク１を光学ピックアップ５１及びスピンドルモータ５２によって記録再生駆動できる状態（チャッキング状態）とさせる。
ステップＦ４０２でサーボ調整を行う。即ちシステムコントローラ６０はスピンドルモータ５２の起動、光学ピックアップ５１のサーボ立ち上げの制御を行う。システムコントローラ６０は、スピンドルサーボ回路６２を制御し、所定の回転速度に整定させると共に、サーボ回路６１を制御して、フォーカスサーチ、フォーカスサーボオン、トラッキングサーボオン等を実行させ、再生可能な状態とする。
ここまでの立ち上げ動作が完了したら、システムコントローラ６０は、ステップＦ４０３で、光学ピックアップ５１をディスク１のＰＩＣ領域にアクセスさせる。そしてステップＦ４０４でＰＩＣ領域の再生を実行させ、各記録層の記録条件などのＰＩＣ情報の読込を行う。

次にシステムコントローラ６０は、ステップＦ４０５で、先頭のＴＤＭＡに光学ピックアップ５１をアクセスさせる。上述したように先頭のＴＤＭＡ（例えば図１７のＴＤＭＡ＃１）には、ＴＤＭＡアクセスインジケータが設けられている。ステップＦ４０６でＴＤＭＡアクセスインジケータの再生を実行させることによって、システムコントローラ６０は最新のＴＤＤＳ等が記録された使用中のＴＤＭＡ（以下、ＴＤＭＡ＿Ｎ）を判別できる。
続いてステップＦ４０７でシステムコントローラ６０は光学ピックアップ５１を、ＴＤＭＡ＿Ｎにアクセスさせる。そしてステップＦ４０８で、そのＴＤＭＡ＿Ｎの再生を実行させ、最新のＴＤＭＡデータ（最新のＴＤＤＳ等）を読み込む。
以上で、ディスク装填時の管理情報読込を完了する。その後は、ホスト機器（ＡＶシステム１２０）からのコマンドを待機する。

ここでは、ＯＰＣ処理はライトコマンドが発生したときに実行する例として、ステップＦ５０１〜Ｆ５１１の処理を説明する。
なお、ディスク装填時の管理情報読込後に、ライトコマンドが無くとも、各記録層についてのＯＰＣ動作を実行するという動作例もあり得る。

この図２５のステップＦ５０１〜Ｆ５１１のＯＰＣ処理例は、ライトコマンドに応じて、各レイヤＬ０〜Ｌ３のそれぞれについてＯＰＣ動作を行う例である。
ライトコマンドが発生すると、システムコントローラ６０はステップＦ５０１からＦ５０２に処理を進め、各層のＯＰＣエリアについての、次のＯＰＣ実行可能なアドレスＡＤＤ［ｎ］を把握する。即ち、上述したＴＤＤＳにおいて、ＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）として示されるアドレスとなる。
各ＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３））についてそれぞれ、次のＯＰＣ実行可能なアドレスＡＤＤ［ｎ］を既に読み込んである最新のＴＤＤＳから把握する。

ステップＦ５０３で、システムコントローラ６０は、レイヤを示す変数ＸについてＸ＝０とする。そして、ステップＦ５０４〜Ｆ５０９で、各レイヤのＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３））についてそれぞれＯＰＣ動作を実行させる。

ステップＦ５０４では、システムコントローラ６０は、レイヤＬ（Ｘ）のＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ（Ｘ）））の、次に使用する部分のアドレスＡＤＤ［ｎ］に、光学ピックアップ５１をアクセスさせる。
ステップＦ５０５では、当該アドレスＡＤＤ［ｎ］が、確かに未記録であるか（つまりＯＰＣ動作に使用可能であるか）を確認する。例えばアドレスＡＤＤ［ｎ］からの再生を実行させ、記録有無を確認する。なお、当該アドレスＡＤＤ［ｎ］からの部分が使用済みであった場合は、未使用の部分を探索し、その未使用部分に移動することになる。

ステップＦ５０６では、システムコントローラ６０は記録系の所要各部（ＥＣＣエンコーダ／デコーダ５７、変復調回路５６、リーダ／ライタ回路５５、レーザドライバ６３等）に指示してアドレスＡＤＤ［ｎ］からの部分においてテストライトを実行させる。例えば段階的に記録レーザパワーを変化させながら、所定のテストパターンやランダムデータ等によるデータ記録動作を実行させる。
そしてテストライトを終えたら、ステップＦ５０７で、当該テストライトを行った部分を光学ピックアップ５１によって再生させる。このときに、各記録レーザパワーに応じた指標値（例えばジッター、アシンメトリ、エラーレート、ＳＡＭ値等）を観測し、最適な記録レーザパワーを決定する。

システムコントローラ６０は、ステップＦ５０８では変数Ｘをインクリメントし、ステップＦ５０９では、変数Ｘが３以下であれば、ステップＦ５０４に戻る。
従って、変数ＸがインクリメントされながらステップＦ５０４〜Ｆ５０７が実行されることになり、つまりＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３）において順次ＯＰＣ動作が実行される。

４つのＯＰＣエリアで以上のＯＰＣ動作を完了した時点で、各レイヤＬ０〜Ｌ３のそれぞれについて最適な記録レーザパワーが決定されたことになる。その時点でステップＦ５０９からＦ５１０に進む。
ステップＦ５１０では、システムコントローラ６０はＴＤＭＡ＿Ｎに光学ピックアップ５１をアクセスさせる。そしてステップＦ５１１で、各レイヤＬ０〜Ｌ３のそれぞれについて、ＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）を更新する。即ち今回のＯＰＣ動作によって、各レイヤについての次に使用する部分のアドレスが変動するため、ＴＤＭＡ＿Ｎに、各レイヤについての新たな「Next available Ln OPC Address」が記述された最新のＴＤＤＳを記録する。
以上でＯＰＣ動作が完了することになり、その後、最適な記録レーザパワーにより、ライトコマンドで指示された記録動作を実行する。

なお、ここでは説明上の一例として、ステップＦ５１０，Ｆ５１１のＴＤＤＳ記録処理後に、実データ記録を行うものとしているが、実際のディスク１上でのＴＤＤＳの更新は記録データが終了した後の時点や、或いはディスクイジェクト、電源オフなどの時点で行うとよい。むやみにＴＤＭＡ領域を消費しないためである。
つまりステップＦ５１０、Ｆ５１１として示したディスク１上でのＴＤＤＳ更新は、この時点でなくてもよい。従ってこのステップＦ５１０、Ｆ５１１の時点では、少なくとも後の時点でのＴＤＤＳ記録のために、新たなＴＤＤＳ情報（この場合「Next available Ln OPC Address」）をシステムコントローラ６０が内部メモリに保存する処理として考えればよい。

以上のＯＰＣ動作は一例であるが、この例の場合、ライトコマンド時に全レイヤについてのＯＰＣ動作を実行するため、ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３）の各消費量は、常時同等である。何らかのエラーによりＯＰＣのリトライ等が発生して、厳密に同等ではないとしても、ほぼ同等とみることができる。
すると、ペア内の２つのＯＰＣエリアで、見かけ上の離間距離が無くなるような消費量の「追い付き」は、発生しない。
例えば図２０で説明したペア内の２つのＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ０），ＯＰＣ（Ｌ２））について考える。消費方向として追いかけ側となるＯＰＣ（Ｌ２）の次に使用する部分のアドレス（Next available Ln OPC Address）と、追いかけられる側となるＯＰＣ（Ｌ０）の次に使用する部分のアドレス（Next available Ln OPC Address）は、ほぼ同等にディスク内周側に進行する。従って、「追い付き」の可能性、つまり見かけ上の離間距離ＡＢ１が記録層ズレの許容公差１５０μｍより小さく無くなることは、まず発生しないといえる。

なお、ライトコマンドのたびにＯＰＣ動作を全レイヤで実行することは、ＯＰＣエリアを無駄に消費するともいえる。そこで、例えばディスク装填後の最初のＯＰＣ動作時のみ、図２５のようなＯＰＣ処理を行い、その後のライトコマンド時には、ＯＰＣ動作を実行しないというような処理も考えられる。
この場合、経時変動、温度変化などに対応するためには、ライトコマンド時に毎回ではなくとも、必要に応じて、例えば所定時間以上経過した場合などに全レイヤでＯＰＣ処理を行うということも考えられる。

次に図２６では、ライトコマンドがあった際に、記録を行うレイヤについてのみＯＰＣを実行する場合の処理例を述べる。
図２６においてステップＦ４０１〜Ｆ４０８は、上記図２５と同様のディスク装填時の処理であるため、重複説明を避ける。
ここでは、ＯＰＣ処理はライトコマンドが発生したときに実行する例として、ステップＦ６０１〜Ｆ６１２の処理を説明する。

ライトコマンドが発生すると、システムコントローラ６０はステップＦ６０１からＦ６０２に処理を進め、各層のＯＰＣエリアについての、次のＯＰＣ実行可能なアドレスＡＤＤ［ｎ］を把握する。即ち、上述したＴＤＤＳにおいて、ＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）として示されるアドレスとなる。
各ＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１）、ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３））についてそれぞれ、次のＯＰＣ実行可能なアドレスＡＤＤ［ｎ］を既に読み込んである最新のＴＤＤＳから把握する。

ステップＦ６０３で、システムコントローラ６０は、今回のライトコマンドによるデータ記録を行う対象のレイヤを判別する。
ここで、対象レイヤがレイヤＬ０又はＬ１であるか、或いはレイヤＬ２又はＬ３である化により処理を分岐する。
なお、レイヤＬ０又はＬ１とは、ＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）、ＯＰＣ（Ｌ１））が、その消費方向がペア内で追いかけられる側となっているレイヤのことである。
またレイヤＬ２又はＬ３とは、ＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ２）、ＯＰＣ（Ｌ３）が、その消費方向がペア内で追いかける側となっているレイヤのことである。

まず、記録を行う対象レイヤがレイヤＬ０又はＬ１であった場合を述べる。
この場合はシステムコントローラ６０は処理をステップＦ６０７に進め、対象レイヤのＯＰＣエリアにおける、次に使用する部分のアドレスＡＤＤ［ｎ］に、光学ピックアップ５１をアクセスさせる。例えばレイヤＬ１が記録対象のレイヤであった場合、ＯＰＣ（Ｌ１）におけるアドレスＡＤＤ［ｎ］にアクセスさせる。
ステップＦ６０８では、当該アドレスＡＤＤ［ｎ］が、確かに未記録であるか（つまりＯＰＣ動作に使用可能であるか）を確認する。例えばアドレスＡＤＤ［ｎ］からの再生を実行させ、記録有無を確認する。なお、当該アドレスＡＤＤ［ｎ］からの部分が使用済みであった場合は、未使用の部分を探索し、その未使用部分に移動することになる。

ステップＦ６０９では、システムコントローラ６０は記録系の所要各部に指示してアドレスＡＤＤ［ｎ］からの部分においてテストライトを実行させる。例えば段階的に記録レーザパワーを変化させながら、所定のテストパターンやランダムデータ等によるデータ記録動作を実行させる。
そしてテストライトを終えたら、ステップＦ６１０で、当該テストライトを行った部分を光学ピックアップ５１によって再生させる。このときに、各記録レーザパワーに応じた指標値（例えばジッター、アシンメトリ、エラーレート、ＳＡＭ値等）を観測し、最適な記録レーザパワーを決定する。

ステップＦ６１１では、システムコントローラ６０はＴＤＭＡ＿Ｎに光学ピックアップ５１をアクセスさせる。そしてステップＦ６１２で、ＯＰＣ動作を行ったレイヤについて、ＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）を更新する。即ち今回のＯＰＣ動作によって、そのレイヤのＯＰＣエリアについての次に使用する部分のアドレスが変動するため、ＴＤＭＡ＿Ｎに、このレイヤについての新たな「Next available Ln OPC Address」が記述された最新のＴＤＤＳを記録する。

以上でＯＰＣ動作が完了することになり、その後、最適な記録レーザパワーにより、ライトコマンドで指示された記録動作を実行する。
なお、図２５の説明でも述べたが、ステップＦ６１１，Ｆ６１２の時点では、実際のディスク１上でのＴＤＤＳの更新は行わなくても良い。従って、このステップＦ６１１、Ｆ６１２の時点では、少なくとも後の時点でのＴＤＤＳ記録のために、新たなＴＤＤＳ情報（この場合、対象レイヤの「Next available Ln OPC Address」）をシステムコントローラ６０が内部メモリに保存する処理として考えればよい。

このように、記録対象のレイヤがレイヤＬ０又はＬ１であって、そのレイヤでのＯＰＣ動作として、ペア内の追いかけられる側のＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ０）又はＯＰＣ（Ｌ１））を用いる場合は、「Next available Ln OPC Address」に従って通常にＯＰＣ処理を行う。
一方、記録対象のレイヤがレイヤＬ２又はＬ３であって、そのレイヤでのＯＰＣ動作として、ペア内の追いかける側のＯＰＣエリア（ＯＰＣ（Ｌ２）又はＯＰＣ（Ｌ３））を用いる場合は、ＯＰＣエリアの消費の「追い付き」が発生しないようにする処理が加わる。
これがステップＦ６０４〜Ｆ６０６の処理である。

記録対象のレイヤがレイヤＬ２又はＬ３であった場合、システムコントローラ６０は処理をステップＦ６０３からＦ６０４に進める。
ここでシステムコントローラ６０は、ペア内の見かけ上の離間距離を確認する。
以下、記録対象のレイヤがレイヤＬ２であった場合で説明する。
システムコントローラ６０は、このステップＦ６０４の時点で、図１９に示したペア内の見かけ上の離間距離ＡＢ１を求める。これは、ステップＦ６０２で確認したＯＰＣ（Ｌ２）のアドレスＡＤＤ［ｎ］と、同一ペアであるＯＰＣ（Ｌ０）のアドレスＡＤＤ［ｎ］のアドレス差を求め、それを半径方向の離間距離に換算すればよい。
なお、ＯＰＣ（Ｌ２）のアドレスＡＤＤ［ｎ］は、そのまま用いず、今回のＯＰＣ動作で使用する所定セクター数だけアドレスＡＤＤ［ｎ］から進めたアドレスを用いることが、今回のＯＰＣ後の離間距離ＡＢ１を求めるという点で適切である。

システムコントローラ６０は、このペア内の見かけ上の離間距離ＡＢ１が、所定の離間距離を保つことができるか否かを判定する。即ち、上述したレイヤ重なり誤差の許容公差である１５０μｍ以上が確保されているか否かである。
許容公差以上の離間距離ＡＢ１が確保できているのであれば、システムコントローラ６０はステップＦ６０５からＦ６０７に進み、レイヤＬ２のＯＰＣ（Ｌ２）におけるアドレスＡＤＤ［ｎ］から、今回のＯＰＣ動作を実行する（Ｆ６０７〜Ｆ６１０）。そしてシステムコントローラ６０はＴＤＭＡ＿Ｎにおいて、今回ＯＰＣ動作を行ったレイヤＬ２についてのＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）を更新するためのＴＤＤＳ書込（又は後のＴＤＤＳ書込のための保存）を行う（Ｆ６１１，Ｆ６１２）。
その後、最適な記録レーザパワーにより、レイヤＬ２の所定ライトコマンドで指示された記録動作を実行する。

一方、ステップＦ６０５でペア内の見かけ上の離間距離ＡＢ１が、所定の離間距離を保つことができないと判断した場合、システムコントローラ６０はステップＦ６０６に進め、ペアの相手となっているレイヤＬ０のＯＰＣ（Ｌ０）についてのＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）の変更処理を行う。
これは、今回、追いかける側のＯＰＣエリア（Ｌ２）を使用すると、十分な離間距離ＡＢ１が無くなるため、追いかけられる側のＯＰＣ（Ｌ０）の次に使用する部分を、消費方向に進めてしまう処理である。ＯＰＣ（Ｌ０）の場合、ＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）を内周側に所定量進める処理となる。
システムコントローラ６０は、ＯＰＣ（Ｌ０）について、新たにＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）を設定し、内部メモリに保存して、ステップＦ６０７に進む。

ステップＦ６０７〜Ｆ６１０では、対象のレイヤＬ２についてのＯＰＣ動作を行う。
その後ステップＦ６１１、Ｆ６１２では、今回ＯＰＣ動作を行ったレイヤＬ２についてのＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）と、変更したレイヤＬ０にについてのＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）の更新のための処理を行う。つまりＴＤＤＳ書込、又は後のＴＤＤＳ書込のための保存を行う。
その後、最適な記録レーザパワーにより、レイヤＬ２の所定ライトコマンドで指示された記録動作を実行する。
ここまではレイヤＬ２が記録対象のレイヤとした例で述べたが、レイヤＬ３が記録対象の場合も、レイヤＬ１との関係において、同様の処理が行われればよい。

以上のように、図２６の例の場合、ライトコマンド時に対象レイヤについてのＯＰＣ動作を実行するが、そのときにペア内の見かけ上の離間距離が許容公差１５０μｍ以上保たれるような処理が行われる。
つまりペア内で追いかける側のＯＰＣエリアを使用する場合は、見かけ上の離間距離が、各記録層の重なり許容公差に対応する必要な離間距離（１５０μｍ以上）を保つか否かを判別する。そして必要な離間距離が保てない場合は、追いかけられる側のＯＰＣエリアにおける次に使用する部分の開始位置を変更する処理を行う。
これにより、仮に記録層のズレが許容公差内の最大となっていたとしても、ファーストＯＰＣペア内、及びセカンドＯＰＣペア内で、ＯＰＣエリアの次に使用する部分が層方向に重ならないようにされることになる。

なお、図２６の例では、追いかける側のＯＰＣエリアを用いるときに、見かけ上の離間距離を確認するようにしたが、ＯＰＣ動作の際に、使用するＯＰＣエリアに関わらず、見かけ上の離間距離を確認する処理を行っても良い。もちろんその場合も、必要に応じて、一方のＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）の変更を行うものである。
また、図２６の例では、追いかける側のＯＰＣエリアを用いるときに、ＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）の変更処理を実施したが、同様に追いかけられる側のＯＰＣエリアを用いるときにＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）の変更処理を実施してもよい。
さらに、図２６の例ではステップＦ６０２でＴＤＤＳからＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）を取得しているが、ＯＰＣ領域の未記録検索によるＯＰＣ動作実行可能アドレスの探索も考えられる。このため、ステップＦ６０６でＯＰＣ動作実行可能アドレス（Next available Ln OPC Address）の変更処理により生じた未記録部分を、既記録領域、もしくは未記録領域の長さを所定以下とする処理を追加してもよい。

以上、実施の形態のディスク及びそれに対応するディスクドライブ装置について説明してきたが、本発明はこれらの例に限定されるものではなく、要旨の範囲内で各種変形例が考えられる。

１ ディスク、５１ ピックアップ、５２ スピンドルモータ、５３ スレッド機構、５４ マトリクス回路、５５ リーダ／ライタ回路、５６ 変復調回路、５７ ＥＣＣエンコーダ／デコーダ、５８ ウォブル回路、５９ アドレスデコーダ、６０ システムコントローラ、６０ａ キャッシュメモリ、６１ サーボ回路、６２ スピンドルサーボ回路、６３ レーザドライバ、１２０ ＡＶシステム、２０１ ディスク基板、２０３ 光透過層、２０４ 中間層

Claims (9)

1. ディスク基板上に記録層が４層設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層が形成されて成る直径１２ｃｍの光ディスクであって、
   各記録層にそれぞれ、レーザパワー制御のためのテストエリアが、半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲に位置する内周側領域に約２５０μｍ半径幅で設けられることで、４つのテストエリアを有するとともに、上記内周側領域に管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられ、最もディスク基板側の記録層においてはプリレコーデッド情報領域が上記内周側領域に配置され、
   ４つのテストエリアは、記録装置により順次所定セクター分毎にアドレスの大きい方から若い方に向けて消費されるエリアと規定され、
   ４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとしたときに、
   上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一とされ、上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一であって、かつ上記第１ペアのテストエリアの消費方向とは逆方向とされ、
   上記各記録層は、その相対的半径位置誤差が約１５０μｍ公差内で形成されており、
   上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置され、
   また上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、
   また上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、
   各記録層のテストエリアのそれぞれに対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる上記管理情報記録再生領域が１つ以下となるように、上記管理情報記録再生領域が配置され、
   ディスク基板側の記録層を除く上記管理情報記録再生領域は、管理情報を逐次追加格納する一時的管理情報領域を含み、
   上記一時的管理情報領域は、複数の記録層にほぼ均等に配置されている記録可能型光ディスク。
2. 上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向がともに第１の消費方向として同一とされるとともに、該２つのテストエリアにおいては、ディスク基板側の記録層のテストエリアが、レーザ入射面側の記録層のテストエリアよりも、上記第１の消費方向からみて進んだ位置に配置されている請求項１に記載の記録可能型光ディスク。
3. 上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が、上記第１の消費方向とは逆である第２の消費方向として同一とされるとともに、該２つのテストエリアにおいては、ディスク基板側の記録層のテストエリアが、レーザ入射面側の記録層のテストエリアよりも、上記第２の消費方向からみて進んだ位置に配置されている請求項２に記載の記録可能型光ディスク。
4. さらに上記管理情報記録再生領域は、各記録層のテストエリアに対して、上記ディスク基板側において層方向に重ならないように配置されている請求項３に記載の記録可能型光ディスク。
5. 上記管理情報記録再生領域は、最終的に最新の管理情報を格納する確定的管理情報領域を含み、
   上記確定的管理情報領域は、全ての記録層において、許容欠陥サイズ以上離されて配置されている請求項１に記載の記録可能型光ディスク。
6. ディスク基板上に記録層が４層設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層が形成されて成り、約２５０μｍ半径幅のレーザパワー制御のためのテストエリアが半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲に位置する内周側領域において配置されるとともに、上記内周側領域に管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられ、プリレコーデッド情報領域が最もディスク基板側の記録層の上記内周側領域に配置され、各記録層のテストエリアのそれぞれに対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる上記管理情報記録再生領域が１つ以下となるように、上記管理情報記録再生領域が配置され、ディスク基板側の記録層を除く上記管理情報記録再生領域は、管理情報を逐次追加格納する一時的管理情報領域を含み、上記一時的管理情報領域は、複数の記録層にほぼ均等に配置された直径１２ｃｍの記録可能型光ディスクに対する記録装置であって、
   上記記録可能型光ディスクの各記録層における上記内周側領域に上記テストエリアを配置するときに、各記録層に形成された４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとした場合に、上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、各記録層の相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置し、配置したテストエリアを用いてレーザパワー調整を行って情報記録を行うように制御する制御部を備え、
   上記制御部は、
   上記第１ペア、上記第２ペアのそれぞれのペア内の２つのテストエリアについて、各テストエリアの次に使用する部分が互いに層方向に重ならないように、レーザパワー調整のためのテストライトに関する制御として、上記第１ペア又は上記第２ペアとなるペア内の２つのテストエリアについて、一方のテストエリアにおける次に使用する部分と、他方のテストエリアにおける次に使用する部分との離間距離が、各記録層の重なり許容公差に対応する必要な離間距離として１５０μｍ以上を保つか否かを判別し、上記必要な離間距離が保てない場合は、少なくともいずれかのテストエリアにおける次に使用する部分の開始位置を変更する処理を行うことで、ペア内の２つのテストエリアについて、レーザ入射面側の記録層のテストエリアにおける使用された部分とディスク基板側の記録層のテストエリアにおける未使用部分が互いに層方向に重ならないようにする記録装置。
7. ディスク基板上に記録層が４層設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層が形成されて成り、約２５０μｍ半径幅のレーザパワー制御のためのテストエリアが半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲に位置する内周側領域において配置されるとともに、プリレコーデッド情報領域が最もディスク基板側の記録層の上記内周側領域に配置され、上記内周側領域に管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられた直径１２ｃｍの記録可能型光ディスクであり、各記録層における上記内周側領域に上記テストエリアが設けられることで、４つのテストエリアを有するとともに、
   ４つのテストエリアは、記録装置により順次所定セクター分毎にアドレスの大きい方から若い方に向けて消費されるエリアと規定され、
   ４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとしたときに、
   上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一とされ上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一であって、かつ上記第１ペアのテストエリアの消費方向とは逆方向とされ、
   上記各記録層は、その相対的半径位置誤差が約１５０μｍ公差内で形成されており、
   上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置され、
   また上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、
   また上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、
   更には、各記録層の上記内周側領域には、管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられると共に、
   各記録層のテストエリアのそれぞれに対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる上記管理情報記録再生領域が１つ以下となるように配置されている記録可能型光ディスクに対する記録装置であって、
   上記管理情報記録再生領域のうち、最もディスク基板側の記録層を除く各記録層において容量がほぼ均等になるように配置されている一時的管理情報領域を管理し、該一時的管理情報領域を用いて代替記録の管理情報の記録を行うように制御する制御部を備えた記録装置。
8. ディスク基板上に記録層が４層設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層が形成されて成り、約２５０μｍ半径幅のレーザパワー制御のためのテストエリアが半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲に位置する内周側領域において配置されるとともに、上記内周側領域に管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられ、プリレコーデッド情報領域が最もディスク基板側の記録層の上記内周側領域に配置され、各記録層のテストエリアのそれぞれに対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる上記管理情報記録再生領域が１つ以下となるように、上記管理情報記録再生領域が配置され、ディスク基板側の記録層を除く上記管理情報記録再生領域は、管理情報を逐次追加格納する一時的管理情報領域を含み、上記一時的管理情報領域は、複数の記録層にほぼ均等に配置された直径１２ｃｍの記録可能型光ディスクに対する記録方法であって、
   上記記録可能型光ディスクの各記録層における上記内周側領域に上記テストエリアを配置するときに、各記録層に形成された４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとした場合に上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、各記録層の相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置し、配置したテストエリアを用いてレーザパワー調整を行って情報記録を行うに際し、
   上記第１ペア、上記第２ペアのそれぞれのペア内の２つのテストエリアについて、各テストエリアの次に使用する部分が互いに層方向に重ならないように、レーザパワー調整のためのテストライトに関する制御として上記第１ペア又は上記第２ペアとなるペア内の２つのテストエリアについて、一方のテストエリアにおける次に使用する部分と、他方のテストエリアにおける次に使用する部分との離間距離が、各記録層の重なり許容公差に対応する必要な離間距離として１５０μｍ以上を保つか否かを判別し、上記必要な離間距離が保てない場合は、少なくともいずれかのテストエリアにおける次に使用する部分の開始位置を変更する処理を行うことで、ペア内の２つのテストエリアについて、レーザ入射面側の記録層のテストエリアにおける使用された部分とディスク基板側の記録層のテストエリアにおける未使用部分が互いに層方向に重ならないようにする記録方法。
9. ディスク基板上に記録層が４層設けられ、さらにレーザ入射面側に光透過層が形成されて成り、約２５０μｍ半径幅のレーザパワー制御のためのテストエリアが半径位置２２．５ｍｍ〜２４．０ｍｍの範囲に位置する内周側領域において配置されるとともに、プリレコーデッド情報領域が最もディスク基板側の記録層の上記内周側領域に配置され、上記内周側領域に管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられた直径１２ｃｍの記録可能型光ディスクであり、各記録層における上記内周側領域に上記テストエリアが設けられることで、４つのテストエリアを有するとともに、
   ４つのテストエリアは、記録装置により順次所定セクター分毎にアドレスの大きい方から若い方に向けて消費されるエリアと規定され、
   ４つのテストエリアのうちディスク外周側に位置する２つのテストエリアを第１ペア、ディスク内周側に位置する２つのテストエリアを第２ペアとしたときに、
   上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一とされ上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、それぞれテストエリアの消費方向が同一であって、かつ上記第１ペアのテストエリアの消費方向とは逆方向とされ、
   上記各記録層は、その相対的半径位置誤差が約１５０μｍ公差内で形成されており、
   上記第１ペアを形成するテストエリアの最内周半径位置と、上記第２ペアを形成するテストエリアの最外周半径位置は、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約１５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に配置され、
   また上記第１ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、
   また上記第２ペアを構成する２つのテストエリアは、上記相対的半径位置誤差をゼロとしたときに半径方向に約５０μｍ以上の離間距離をもって層方向に重ならない位置に形成され、
   更には、各記録層の上記内周側領域には、管理情報の記録及び再生のための管理情報記録再生領域が設けられると共に、
   各記録層のテストエリアのそれぞれに対し、テストエリアよりレーザ入射面側において層方向に重なる上記管理情報記録再生領域が１つ以下となるように配置されている記録可能型光ディスクに対する記録方法であって、
   上記管理情報記録再生領域のうち、最もディスク基板側の記録層を除く各記録層において容量がほぼ均等になるように配置されている一時的管理情報領域を管理し、該一時的管理情報領域を用いて代替記録の管理情報の記録を行う記録方法。

Images