JP5729612B2 - 検査システム及びそれを用いた半導体装置並びに検査方法 - Google Patents
検査システム及びそれを用いた半導体装置並びに検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5729612B2 JP5729612B2 JP2012148981A JP2012148981A JP5729612B2 JP 5729612 B2 JP5729612 B2 JP 5729612B2 JP 2012148981 A JP2012148981 A JP 2012148981A JP 2012148981 A JP2012148981 A JP 2012148981A JP 5729612 B2 JP5729612 B2 JP 5729612B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- inspection
- output
- test
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 276
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 31
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 81
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 66
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 32
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- QNXAVFXEJCPCJO-UHFFFAOYSA-N Diclosulam Chemical compound N=1N2C(OCC)=NC(F)=CC2=NC=1S(=O)(=O)NC1=C(Cl)C=CC=C1Cl QNXAVFXEJCPCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 101710129178 Outer plastidial membrane protein porin Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100037820 Voltage-dependent anion-selective channel protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
第1の回路と、第2の回路と、前記第1および第2の回路間に介在する検査回路とを含む検査システムであって、
前記検査回路は複数のラッチ回路から構成され、
前記検査回路は、
前記複数のラッチ回路のそれぞれの入力を前記第1の回路に接続し、前記複数のラッチ回路のそれぞれの出力を前記第2の回路に接続することにより、前記第1及び第2の回路間の信号伝達を制御する信号伝達制御手段と、前記第1の回路の出力を前記複数のラッチ回路のそれぞれにラッチした後、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第1の回路の出力を前記シフトレジスタを介して検査用に外部に出力する検査出力手段と、外部から入力される検査信号を、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第2の回路に入力する検査入力手段とを有し、
前記信号伝達制御手段と前記検査出力手段と前記検査入力手段とを切り替えて使用するとともに、前記各々の手段は、各手段を実現する回路の少なくとも一部を互いに共有することを特徴とする。
また、本発明による半導体装置は、上記の検査システムを用いたことを特徴とする。
更に、本発明による検査方法は、
通常動作時には、第1の回路から第2の回路への信号伝達を、これら回路間に介在する複数のラッチ回路にラッチして実行するようにした半導体装置における検査方法であって、
検査出力時には、前記第1の回路の出力を前記複数のラッチ回路のそれぞれにラッチした後、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第1の回路の出力を前記シフトレジスタを介して検査用に外部に出力する第1のステップと、
検査入力時には、外部から入力される検査信号を、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第2の回路へ入力する第2のステップと、
を含むことを特徴とする。
2 第2の回路
3 検査回路
4 信号伝達制御機能
5 検査出力機能
6 検査入力機能
7 出力レジスタ
8 シフトレジスタ
9,10 メモリアレイ
11 表示回路の入力部
12 データ処理機能回路
14 撮像部
Claims (10)
- 第1の回路と、第2の回路と、前記第1および第2の回路間に介在する検査回路とを含む検査システムであって、
前記検査回路は複数のラッチ回路から構成され、
前記検査回路は、前記複数のラッチ回路のそれぞれの入力を前記第1の回路に接続し、
前記複数のラッチ回路のそれぞれの出力を前記第2の回路に接続することにより、前記第1及び第2の回路間の信号伝達を制御する信号伝達制御手段と、前記第1の回路の出力を前記複数のラッチ回路のそれぞれにラッチした後、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第1の回路の出力を前記シフトレジスタを介して検査用に外部に出力する検査出力手段と、外部から入力される検査信号を、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第2の回路に入力する検査入力手段とを有し、
前記信号伝達制御手段と前記検査出力手段と前記検査入力手段とを切り替えて使用するとともに、前記各々の手段は、各手段を実現する回路の少なくとも一部を互いに共有すると共に、
前記第1の回路は複数の記憶素子を配列状に並べた記憶素子アレイを含み、
前記第2の回路は複数の画素を配列状に並べた画素アレイを含み、
前記記憶素子アレイの出力を前記検査回路を通して前記画素アレイで表示することによって前記記憶素子アレイの出力を検査することを特徴とする検査システム。 - 前記外部から入力される検査信号と、前記検査出力手段から出力される検査信号とを比較して、前記検査回路自体の動作を検査することを特徴とする請求項1に記載の検査システム。
- 前記検査出力手段から出力されたデータを圧縮するパターン圧縮回路を、更に含むことを特徴とする請求項1又は2に何れか一項に記載の検査システム。
- 前記検査入力手段に入力される検査データを生成するパターン生成回路を、更に含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の検査システム。
- 前記第1および第2の回路ならびに前記検査回路は、同一の基板上に設けられていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の検査システム。
- 請求項1乃至5の何れか一項に記載の検査システムを用いたことを特徴とする半導体装置。
- 通常動作時には、第1の回路から第2の回路への信号伝達を、これら回路間に介在する複数のラッチ回路にラッチして実行するようにした半導体装置における検査方法であって、
検査出力時には、前記第1の回路の出力を前記複数のラッチ回路のそれぞれにラッチした後、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第1の回路の出力を前記シフトレジスタを介して検査用に外部に出力する第1のステップと、
検査入力時には、外部から入力される検査信号を、前記複数のラッチ回路がシフトレジスタを構成するように接続することで、前記第2の回路へ入力する第2のステップと、
を含み、
前記第1の回路は複数の記憶素子を配列状に並べた記憶素子アレイを含み、
前記第2の回路は複数の画素を配列状に並べた画素アレイを含み、
前記記憶素子アレイの出力を前記複数のラッチ回路を通して前記画素アレイで表示することによって前記記憶素子アレイの出力を検査することを特徴とする検査方法。 - 前記第2のステップにおいて、前記外部から入力される検査信号と、前記シフトレジスタから出力される検査信号とを比較して、前記シフトレジスタ自体の動作を検査することを特徴とする請求項7に記載の検査方法。
- 前記検査出力時に出力されたデータをパターン圧縮回路により圧縮することを特徴とする請求項7又は8の何れか一項に記載の検査方法。
- 前記検査入力時に入力される検査データをパターン生成回路により生成することを特徴とする請求項7乃至9の何れか一項に記載の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012148981A JP5729612B2 (ja) | 2012-07-03 | 2012-07-03 | 検査システム及びそれを用いた半導体装置並びに検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012148981A JP5729612B2 (ja) | 2012-07-03 | 2012-07-03 | 検査システム及びそれを用いた半導体装置並びに検査方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006164139A Division JP2007333495A (ja) | 2006-06-14 | 2006-06-14 | 検査システムおよびその検査回路、半導体装置、表示装置ならびに半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012233906A JP2012233906A (ja) | 2012-11-29 |
JP5729612B2 true JP5729612B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=47434311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012148981A Active JP5729612B2 (ja) | 2012-07-03 | 2012-07-03 | 検査システム及びそれを用いた半導体装置並びに検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5729612B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0690265B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1994-11-14 | 三菱電機株式会社 | テスト回路 |
JPH01295182A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Fujitsu Ltd | スキャンパス回路 |
JPH05232196A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | テスト回路 |
JP2002368114A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | スキャンパス内蔵の半導体集積回路 |
JP2004093351A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 組み込み自己検査回路 |
-
2012
- 2012-07-03 JP JP2012148981A patent/JP5729612B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012233906A (ja) | 2012-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007333495A (ja) | 検査システムおよびその検査回路、半導体装置、表示装置ならびに半導体装置の検査方法 | |
Rajsuman | Design and test of large embedded memories: An overview | |
US8681084B2 (en) | Semiconductor device, method for driving same, display device using same and personal digital assistant | |
US10254339B2 (en) | Addressable test chip test system | |
US10013931B2 (en) | Liquid crystal display device and pixel inspection method therefor | |
US9177516B2 (en) | Description liquid crystal display device and pixel inspection method therefor | |
US7554359B2 (en) | Circuit for inspecting semiconductor device and inspecting method | |
JP2587546B2 (ja) | 走査回路 | |
JPH07239676A (ja) | 走査回路 | |
US7426254B2 (en) | Shift register comprising electrical fuse and related method | |
KR100238256B1 (ko) | 직접 억세스 모드 테스트를 사용하는 메모리 장치 및 테스트방법 | |
JP5549094B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5729612B2 (ja) | 検査システム及びそれを用いた半導体装置並びに検査方法 | |
JP2017126075A (ja) | 液晶表示装置及び液晶表示装置の検査方法 | |
CN114038437B (zh) | 移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置 | |
CN109961729A (zh) | 显示面板及其测试方法 | |
JP2012233966A (ja) | 表示装置の駆動回路及びそのテスト制御方法 | |
KR0186189B1 (ko) | 마스크롬의 시험회로 | |
JP5311240B2 (ja) | 表示装置 | |
TWI335564B (en) | Shift register and liquid crystal display device | |
JP2024033179A (ja) | 半導体記憶装置。 | |
JP6319138B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
Li et al. | A generic and reconfigurable test paradigm using low-cost integrated poly-Si TFTs | |
JPH11326422A (ja) | 表示装置用駆動回路 | |
JP6143114B2 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120730 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120813 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131225 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20131225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5729612 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |