JP5724583B2 - 光送信器および光送信装置 - Google Patents
光送信器および光送信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5724583B2 JP5724583B2 JP2011096502A JP2011096502A JP5724583B2 JP 5724583 B2 JP5724583 B2 JP 5724583B2 JP 2011096502 A JP2011096502 A JP 2011096502A JP 2011096502 A JP2011096502 A JP 2011096502A JP 5724583 B2 JP5724583 B2 JP 5724583B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- light
- semiconductor laser
- temperature
- optical transmitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/564—Power control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
(光送信器の構成)
図1は、実施の形態1にかかる光送信器の構成例を示す断面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる光送信器100は、半導体レーザチップ110と、サブマウント121と、柱122と、ステム123と、端子124a〜124dと、キャップ125と、レンズ130と、レセプタクル140と、光ファイバスタブ150と、光アイソレータ160と、モニタPD170(Photo Diode:フォトダイオード)と、を備えている。光送信器100は、たとえばTOSA(Transmitter Optical SubAssembly:送信光サブアセンブリ)である。
図2−1は、APCを行う送信器における光出力パワーおよびパルスマスクマージンの温度特性の一例を示す参考図である。図2−1において、横軸は、光送信器100(半導体レーザチップ110)の温度[℃]を示している。また、左側の縦軸は、光送信器100の出力光のパルスマスクマージン[%]を示している。また、右側の縦軸は、光送信器100の光出力パワー[dBm]を示している。
図3−1は、光アイソレータの構成例を示す図である。図3−1に示すように、光アイソレータ160は、筒状磁石310と、偏光子320と、ファラデー回転子330と、偏光子340と、を備えている。筒状磁石310は、筒状の磁石である。筒状磁石310の内部には、偏光子320、ファラデー回転子330および偏光子340が直列に配置されている。筒状磁石310はファラデー回転子330を磁化する。
図5は、実施の形態1にかかる光通信装置の構成例を示す図である。図5に示す光通信装置500は、ROSA510(Receiver Optical SubAssembly:受信光サブアセンブリ)と、TOSA520と、プリント基板530と、を備えている。光通信装置500は、TOSA520によって光を送信する光送信装置である。
図6は、図1に示した送信器の変形例を示す図である。図6において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図6に示すように、光送信器100は、図1に示した構成に加えて光アイソレータ610を備えていてもよい。光アイソレータ610は、レセプタクル140の内部において光アイソレータ160と直列に配置されている。
(送信器の構成例)
図7−1は、実施の形態2にかかる送信器の構成例を示す断面図である。図7−1において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図7−1に示すように、実施の形態2にかかる光送信器100は、図1に示した構成に加えて、プレート701と、柱702と、を備えている。
図8は、実施の形態3にかかる送信器の構成例を示す断面図である。図8において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図8に示すように、実施の形態3にかかる光送信器100は、図1に示した構成に加えて光フィルタ801を備えている。半導体レーザチップ110は、低温になるほど出射する光の波長(発振波長)が短くなる特性を有する。たとえば、半導体レーザチップ110は、約0.1[nm/℃]の温度特性をもつ。
低温になるほど挿入損失が増加し、前記半導体レーザから出射された光を通過させる光アイソレータと、
前記光アイソレータを通過した光を出力する出力部と、
を備えることを特徴とする光送信器。
前記半導体レーザから出射された光のうちの所定方向の直線偏光のみを通過させる第一偏光子と、
前記第一偏光子を通過した光の偏光方向を温度に応じた角度だけ回転させて通過させるファラデー回転子と、
前記ファラデー回転子を通過した光のうちの、前記所定方向から所定角度だけ回転させた方向の直線偏光のみを通過させる第二偏光子と、
を備えることを特徴とする付記1に記載の光送信器。
前記半導体レーザと前記光ファイバとを前記光アイソレータを介して光学的に結合するように設けられたレンズを備えることを特徴とする付記1または2に記載の光送信器。
低温になるほど挿入損失が増加し、前記半導体レーザから出射された光を通過させる光アイソレータと、
前記光アイソレータを通過した光を出力する出力部と、
前記半導体レーザの温度を測定する測定部と、
前記測定部によって測定される温度と、前記出力部によって出力される光の波形の品質が所定の条件を満たす駆動電流の大きさと、を対応付ける対応情報を記憶するメモリと、
前記測定部によって測定された温度と、前記メモリによって記憶された対応情報と、に基づく大きさの駆動電流により前記半導体レーザを駆動する駆動部と、
を備えることを特徴とする光送信装置。
前記半導体レーザから出射された光を出力する出力部と、
温度に応じて反り量が変化し、前記半導体レーザから前記出力部へ出射される光の一部を前記反り量に応じて遮断するプレートであって、低温になるほど前記光を遮断する量が増加するプレートと、
を備えることを特徴とする光送信器。
前記半導体レーザから出射された光を出力する出力部と、
温度に応じて反り量が変化し、前記半導体レーザから前記出力部へ出射される光の一部を前記反り量に応じて遮断するプレートであって、低温になるほど前記光を遮断する量が増加するプレートと、
前記半導体レーザの温度を測定する測定部と、
前記測定部によって測定される温度と、前記出力部によって出力される光の波形の品質が所定の条件を満たす駆動電流の大きさと、を対応付ける対応情報を記憶するメモリと、
前記測定部によって測定された温度と、前記メモリによって記憶された対応情報と、に基づく大きさの駆動電流により前記半導体レーザを駆動する駆動部と、
を備えることを特徴とする光送信装置。
相対的に短い波長に対する透過率が、相対的に長い波長の透過率よりも低い透過特性を有し、前記半導体レーザから出射された光を透過させる光フィルタと、
前記光フィルタを透過した光を出力する出力部と、
を備えることを特徴とする光送信器。
相対的に短い波長に対する透過率が、相対的に長い波長の透過率よりも低い透過特性を有し、前記半導体レーザから出射された光を透過させる光フィルタと、
前記光フィルタを透過した光を出力する出力部と、
前記半導体レーザの温度を測定する測定部と、
前記測定部によって測定される温度と、前記出力部によって出力される光の波形の品質が所定の条件を満たす駆動電流の大きさと、を対応付ける対応情報を記憶するメモリと、
前記測定部によって測定された温度と、前記メモリによって記憶された対応情報と、に基づく大きさの駆動電流により前記半導体レーザを駆動する駆動部と、
を備えることを特徴とする光送信装置。
110 半導体レーザチップ
111 前方出力光
112 後方出力光
121 サブマウント
123 ステム
124a〜124d 端子
125 キャップ
130 レンズ
140 レセプタクル
150 光ファイバスタブ
151 フェルール
152 光ファイバ
160,610 光アイソレータ
170 モニタPD
211 光出力特性
212,222 閾値
221 パルスマスク特性
310 筒状磁石
320,340 偏光子
321,322,332,333,341,343 偏光方向
330 ファラデー回転子
401 挿入損失特性
701 プレート
801 光フィルタ
901 フィルタ特性
Claims (3)
- 低温になるほど光の出射パワーが増加する半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射された光のうちの所定方向の直線偏光のみを通過させる第一偏光子と、前記第一偏光子を通過した光の偏光方向を温度に応じた角度だけ回転させて通過させるファラデー回転子と、前記ファラデー回転子を通過した光のうちの前記所定方向から所定角度だけ回転させた方向の直線偏光のみを通過させる第二偏光子と、を有し、前記半導体レーザから出射された光を通過させる光アイソレータと、
前記光アイソレータを通過した光を出力する出力部と、
を備え、
前記ファラデー回転子による偏光方向の回転角度は、低温になるほど前記所定角度との差が大きくなり、低温になるほど前記光アイソレータの挿入損失が増加することを特徴とする光送信器。 - 前記出力部は光ファイバであり、
前記半導体レーザと前記光ファイバとを前記光アイソレータを介して光学的に結合するように設けられたレンズを備えることを特徴とする請求項1に記載の光送信器。 - 低温になるほど光の出射パワーが増加する半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射された光のうちの所定方向の直線偏光のみを通過させる第一偏光子と、前記第一偏光子を通過した光の偏光方向を温度に応じた角度だけ回転させて通過させるファラデー回転子と、前記ファラデー回転子を通過した光のうちの前記所定方向から所定角度だけ回転させた方向の直線偏光のみを通過させる第二偏光子と、を有し、前記半導体レーザから出射された光を通過させる光アイソレータと、
前記光アイソレータを通過した光を出力する出力部と、
前記半導体レーザの温度を測定する測定部と、
前記測定部によって測定される温度と、前記出力部によって出力される光の波形の品質が所定の条件を満たす駆動電流の大きさと、を対応付ける対応情報を記憶するメモリと、
前記測定部によって測定された温度と、前記メモリによって記憶された対応情報と、に基づく大きさの駆動電流により前記半導体レーザを駆動する駆動部と、
を備え、
前記ファラデー回転子による偏光方向の回転角度は、低温になるほど前記所定角度との差が大きくなり、低温になるほど前記光アイソレータの挿入損失が増加することを特徴とする光送信装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011096502A JP5724583B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 光送信器および光送信装置 |
US13/406,708 US8693510B2 (en) | 2011-04-22 | 2012-02-28 | Optical transmitter and optical transmission apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011096502A JP5724583B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 光送信器および光送信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012226281A JP2012226281A (ja) | 2012-11-15 |
JP5724583B2 true JP5724583B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=47021422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011096502A Expired - Fee Related JP5724583B2 (ja) | 2011-04-22 | 2011-04-22 | 光送信器および光送信装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8693510B2 (ja) |
JP (1) | JP5724583B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013206974A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信機 |
JP2015200728A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 富士通株式会社 | 光分岐器、光増幅装置及び光増幅方法 |
CN111712975B (zh) * | 2018-02-09 | 2022-10-04 | 三菱电机株式会社 | 光模块 |
WO2019202632A1 (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5580021A (en) | 1978-12-13 | 1980-06-16 | Nec Corp | Thermosensor |
JPS56133758A (en) | 1980-03-25 | 1981-10-20 | Toshiba Corp | Exposure control device of electrophotographic copier |
JPS6263915A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
US4686485A (en) * | 1985-11-07 | 1987-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical injection locking of laser diode arrays |
JPH0719967A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光ファイバ温度センサ |
JP2001094200A (ja) | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 半導体レーザモジュール |
JP4024462B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2007-12-19 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードの選別方法 |
JP2003202521A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光アイソレータ |
JP2005072197A (ja) | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高温動作レーザダイオード装置 |
JP4767026B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 京セラ株式会社 | 光アイソレータ及び光モジュール |
US7492798B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-02-17 | Finisar Corporation | Modular transistor outline can with internal components |
JP2008170636A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザモジュール |
-
2011
- 2011-04-22 JP JP2011096502A patent/JP5724583B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-28 US US13/406,708 patent/US8693510B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012226281A (ja) | 2012-11-15 |
US8693510B2 (en) | 2014-04-08 |
US20120269508A1 (en) | 2012-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7962044B2 (en) | Temperature stabilizing packaging for optoelectronic components in a transmitter module | |
US9411098B2 (en) | Polarization reducing apparatus, light source apparatus, optical amplifying apparatus, and excitation light source apparatus for raman amplification | |
US7576908B2 (en) | Fiber device, wavelength converter and image forming apparatus | |
US20080187268A1 (en) | Optical module | |
KR102237784B1 (ko) | 파장 안정화 장치가 구비된 레이저 장치 | |
JP5724583B2 (ja) | 光送信器および光送信装置 | |
JP4924144B2 (ja) | 光通信モジュール及び半導体レーザ出力制御方法 | |
US20010024462A1 (en) | Semiconductor laser module | |
US20100290105A1 (en) | Wavelength converter and image display device | |
US9995890B2 (en) | Thermal management of a locker etalon in a transmitter optical subassembly | |
TWI379478B (en) | Electroabsorption-modulated fabry-perot laser and methods of making the same | |
US10948671B2 (en) | Transmitter optical subassembly (TOSA) with laser diode driver (LDD) circuitry mounted to feedthrough of TOSA housing | |
KR101378297B1 (ko) | 냉각기를 구비하는 광 송신 장치 | |
JP4712658B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
KR102458485B1 (ko) | 광 아이솔레이터 기능을 가진 레이저 장치 | |
US20030039277A1 (en) | Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser module | |
KR101985016B1 (ko) | 정밀한 광출력 세기 조절이 가능한 광소자 및 광소자 제작방법 | |
JP2011249447A (ja) | 光モジュール | |
JP2016038558A (ja) | 4波長多重光送信器の構成方法 | |
JP2002131590A (ja) | 半導体レーザモジュール、その製造方法及びラマン増幅器 | |
EP1285480A1 (en) | External cavity laser | |
JP2002314187A (ja) | レーザダイオードモジュール及び光送信機 | |
US20210036489A1 (en) | Narrow linewidth external cavity laser and optical module | |
JP2010232337A (ja) | 光源装置 | |
JP2008016492A (ja) | 発光モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140729 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140929 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141021 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150119 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150316 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5724583 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |