JP5715356B2 - 固形インク組成物、プリントマスク、及びパターン形成方法 - Google Patents
固形インク組成物、プリントマスク、及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5715356B2 JP5715356B2 JP2010181256A JP2010181256A JP5715356B2 JP 5715356 B2 JP5715356 B2 JP 5715356B2 JP 2010181256 A JP2010181256 A JP 2010181256A JP 2010181256 A JP2010181256 A JP 2010181256A JP 5715356 B2 JP5715356 B2 JP 5715356B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- mask
- solvent
- acid
- aldrich
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/30—Inkjet printing inks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/30—Inkjet printing inks
- C09D11/34—Hot-melt inks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F5/00—Screening processes; Screens therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
- G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
- G03F7/2018—Masking pattern obtained by selective application of an ink or a toner, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
Description
UVマスク組成物を下記のように調製した。63.75重量部のヘキサデカン酸(パルミチン酸)、63.75重量部のオクタデカン酸(ステアリン酸)、および63.75重量部のドコサン酸(ベヘン酸)を含む混合物を形成した。前記ドコサン酸はステンレス鋼製ビーカー中で110℃で一晩予め溶融された後、混合物に添加された。混合後、撹拌羽根の付いたインペラを445rpmで用いて、混合物を103〜122℃に維持した。次いで、50.00重量部のUNITHOX450(エトキシ化アルコール)を混合物に添加した。2時間後、8.75重量部のバリファスト3840L染料を、約30分かけてふるいにかけて混合物に添加した。次いで、混合物の温度を119℃で一定に保ち、90分間連続撹拌した。撹拌後、得られた混合物に、約5グラムの珪藻土を添加して、ワットマン社のNo.3の濾紙を用いて加圧濾過した。
UVマスク組成物を下記のように調製した。66.53重量部のUNICID350、66.53重量部のヘキサデカン酸(パルミチン酸)、およびステンレス鋼製ビーカー中で110℃で一晩予め溶融された66.53重量部のオクタデカン酸(ステアリン酸)を含む混合物を形成した。混合後、撹拌羽根の付いたインペラを445rpmで用いて、混合物を103〜122℃に維持した。次いで、41.67重量部のUNITHOX450(エトキシ化アルコール)を混合物に添加した。2時間後、8.75重量部のバリファスト3840L染料を、約30分かけてふるいにかけて混合物に添加した。次いで、混合物の温度を120℃で一定に保ち、70分間連続撹拌した。撹拌後、得られた混合物に、約5グラムの珪藻土を添加して、ワットマン社のNo.3の濾紙を用いて加圧濾過した。
硬化したソルダーマスクでコーティングされたシリコンウェーハを切断して断片化し、溶融したUVマスク組成物Aでディップコーティングして、硬化ソルダーマスク上に厚さが25μm以上のUVマスクAを形成させた。水に溶解した1.2重量パーセントの炭酸カリウムを含むアルカリ性塩基溶液(50℃)を、ロータスプレー(Rotaspray)装置を用いて塗布して、UVマスクAを剥離除去した。図1(A)〜(D)に示すように、30秒でUVマスクのかなりの部分が除去された。次いで、脱イオン水を滴下して支持体を10秒間リンスした(drip−rinse)。
硬化したソルダーマスクでコーティングされたシリコンウェーハを切断して断片化し、溶融したUVマスク組成物Bでディップコーティングして、硬化ソルダーマスク上に厚さが25μm以上のUVマスクBを形成させた。水に溶解した1.2重量パーセントの炭酸カリウムを含むアルカリ性塩基溶液(50℃)を、ロータスプレー(Rotaspray)装置を用いて塗布して、UVマスクBを剥離除去した。図1(A)〜(D)に示すように、30秒でUVマスクのかなりの部分が除去された。次いで、脱イオン水を滴下して支持体を10秒間リンスした(drip−rinse)。
UVマスク組成物を下記のように調製した。63.75重量部のヘキサデカン酸(パルミチン酸)、63.75重量部のオクタデカン酸(ステアリン酸)、およびステンレス鋼製ビーカー中で110℃で一晩予め溶融された63.75重量部のドコサン酸(ベヘン酸)を含む混合物を形成した。混合後、撹拌羽根の付いたインペラを445rpmで用いて、混合物を103〜122℃に維持した。次いで、50.00重量部のUNITHOX450(エトキシ化アルコール)を混合物に添加した。半時間後、8.77重量部のソルベントブラック3染料を、約10分かけてふるいにかけて混合物に添加した。次いで、混合物の温度を115℃で一定に保ち、約60分間連続撹拌した。撹拌後、得られた混合物に、約8グラムの珪藻土を添加して、ワットマン社のNo.3の濾紙を用いて加圧濾過した。
UVマスク組成物を下記のように調製した。66.53重量部のUNICID350、66.53重量部のヘキサデカン酸(パルミチン酸)、およびステンレス鋼製ビーカー中で110℃で一晩予め溶融された66.53重量部のオクタデカン酸(ステアリン酸)を含む混合物を形成した。41.67重量部のUNITHOX450(エトキシ化アルコール)を混合物に添加し、次いで、撹拌羽根の付いたインペラを445rpmで用いて、混合物を103〜122℃に維持した。2時間後、8.77重量部のソルベントブラック3染料を、約3分かけてふるいにかけて混合物に添加した。次いで、混合物の温度を103〜122℃で保ち、約2時間連続撹拌した。撹拌後、得られた混合物に、約8グラムの珪藻土を添加して、ワットマン社のNo.3の濾紙を用いて加圧濾過した。
硬化したソルダーマスクでコーティングされたシリコンウェーハを切断して断片化し、溶融したUVマスク組成物Cでディップコーティングして、硬化ソルダーマスク上に厚さが25μm以上のUVマスクCを形成させた。水に溶解した1.2重量パーセントの炭酸カリウムを含むアルカリ性塩基溶液(50℃)を、ロータスプレー(Rotaspray)装置を用いて塗布して、UVマスクCを剥離除去した。図2(A)〜(D)に示すように、30秒でUVマスクのかなりの部分が除去された。次いで、脱イオン水を滴下して支持体を10秒間リンスした(drip−rinse)。
硬化したソルダーマスクでコーティングされたシリコンウェーハを切断して断片化し、溶融したUVマスク組成物Dでディップコーティングして、硬化ソルダーマスク上に厚さが25μm以上のUVマスクDを形成させた。水に溶解した1.2重量パーセントの炭酸カリウムを含むアルカリ性塩基溶液(50℃)を、ロータスプレー(Rotaspray)装置を用いて塗布して、UVマスクDを剥離除去した。図2(A)〜(D)に示すように、30秒でUVマスクのかなりの部分が除去された。次いで、脱イオン水を滴下して支持体を10秒間リンスした(drip−rinse)。
Claims (5)
- 炭素数10〜50の置換または未置換の脂肪族カルボン酸を少なくとも1つと、少なくとも1つのエチレンオキシド基を含む少なくとも1つの化合物と、少なくとも1つの紫外線照射阻止剤とを含む組成物に由来し、
アルカリ性溶液を用いて30秒以内に除去可能であるプリントマスク。 - 炭素数10〜50の置換または未置換の脂肪族カルボン酸を少なくとも1つと、少なくとも1つのエチレンオキシド基を含む少なくとも1つの化合物と、少なくとも1つの染料とを含む組成物に由来し、
アルカリ性溶液を用いて30秒以内に除去可能であるプリントマスク。 - 前記炭素数10〜50の置換または未置換の脂肪族カルボン酸は炭素数14〜22の置換または未置換の脂肪族カルボン酸である、請求項1または請求項2に記載のプリントマスク。
- 感光性材料を含有するソルダーマスクを支持体に塗布する工程、
炭素数10〜50の置換または未置換の脂肪族カルボン酸を少なくとも1つと、少なくとも1つのエチレンオキシド基を含む少なくとも1つの化合物と、少なくとも1つの紫外線照射阻止剤とを含む組成物を、前記感光性材料に選択的に塗布し、複合構造体を形成する工程、
前記組成物の選択的塗布後、前記組成物を紫外線照射で露光する工程、および
前記露光後、アルカリ性溶液を塗布して、前記組成物および前記感光性材料の前記アルカリ性溶液に可溶性を有する部分を30秒以内に除去して、支持体上にパターンを形成する工程、を含む、
支持体上にパターンを形成する方法。 - 前記炭素数10〜50の置換または未置換の脂肪族カルボン酸は炭素数14〜22の置換または未置換の脂肪族カルボン酸である、請求項4に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/542,172 | 2009-08-17 | ||
US12/542,172 US8303832B2 (en) | 2009-08-17 | 2009-08-17 | Solid inks for masks for printed circuit boards and other electronic devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011039515A JP2011039515A (ja) | 2011-02-24 |
JP5715356B2 true JP5715356B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=42752049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010181256A Expired - Fee Related JP5715356B2 (ja) | 2009-08-17 | 2010-08-13 | 固形インク組成物、プリントマスク、及びパターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8303832B2 (ja) |
EP (1) | EP2287665B1 (ja) |
JP (1) | JP5715356B2 (ja) |
KR (1) | KR101728915B1 (ja) |
TW (1) | TWI500368B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2432035B1 (en) * | 2010-09-21 | 2017-05-31 | Sun Chemical Corporation | Improved method of stripping hot melt etch resists from semiconductors |
US20130255517A1 (en) * | 2013-04-26 | 2013-10-03 | Chemence, Inc. | Solvent-Based Inkjet-Printed Negatives for Making Flexo Plates |
EP2950144B1 (en) | 2014-05-31 | 2016-12-14 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Imaging process on substrates with aqueous alkaline soluble uv blocking compositions and aqueous soluble uv transparent films |
US9622353B2 (en) | 2014-05-31 | 2017-04-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Imaging on substrates with alkaline strippable UV blocking compositions and aqueous soluble UV transparent films |
US9481803B2 (en) | 2014-12-13 | 2016-11-01 | Xerox Corporation | Water dispersible phase change ink suitable for use as a photo-mask |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US546879A (en) * | 1895-09-24 | Ley williamson | ||
US3668131A (en) * | 1968-08-09 | 1972-06-06 | Allied Chem | Dissolution of metal with acidified hydrogen peroxide solutions |
BE756224A (fr) * | 1969-09-23 | 1971-03-01 | Teletype Corp | Encre et appareil d'impression electrostatiques |
JPS5120972B1 (ja) * | 1971-05-13 | 1976-06-29 | ||
SE425007B (sv) * | 1976-01-05 | 1982-08-23 | Shipley Co | Stabil etslosning omfattande svavelsyra och veteperoxid samt anvendning av densamma |
US4144119A (en) * | 1977-09-30 | 1979-03-13 | Dutkewych Oleh B | Etchant and process |
US4437931A (en) * | 1983-08-22 | 1984-03-20 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals |
DE3623504A1 (de) * | 1986-07-09 | 1988-01-21 | Schering Ag | Kupferaetzloesungen |
US4859281A (en) * | 1987-06-04 | 1989-08-22 | Pennwalt Corporation | Etching of copper and copper bearing alloys |
US4908063A (en) | 1988-11-04 | 1990-03-13 | Petrolite Corporation | Additive composition for water-based inks |
DE4205713C2 (de) | 1992-02-25 | 1994-08-04 | Siegwerk Druckfarben Gmbh & Co | Druckfarbe, Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung |
US6312121B1 (en) | 1998-09-11 | 2001-11-06 | Xerox Corporation | Ink jet printing process |
US6872320B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-03-29 | Xerox Corporation | Method for printing etch masks using phase-change materials |
DE10257498A1 (de) * | 2002-12-10 | 2004-07-01 | Clariant Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Phthalocyaninpigmentzubereitungen |
JP2004325980A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 貯蔵安定性の良い感光性樹脂組成物及び感光性ドライフィルムレジスト、並びにその利用 |
JP4875834B2 (ja) | 2003-12-24 | 2012-02-15 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | マスク |
JP2005309097A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
EP1630600A3 (en) * | 2004-07-29 | 2006-03-22 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Hot melt composition and method involving forming a masking pattern |
US7559639B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Xerox Corporation | Radiation curable ink containing a curable wax |
US8968985B2 (en) * | 2007-03-30 | 2015-03-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method and system for patterning a mask layer |
JP4617337B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP5147348B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-02-20 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物 |
WO2009054514A1 (ja) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Fujifilm Corporation | 有機顔料微粒子およびその製造方法、それを含有する顔料分散組成物、光硬化性組成物、インクジェットインク、並びにそれらを用いたカラーフィルタ及びその製造方法 |
US7955783B2 (en) | 2007-11-09 | 2011-06-07 | Palo Alto Research Center Incorporated | Lamination for printed photomask |
US20100215865A1 (en) * | 2009-02-26 | 2010-08-26 | Xerox Corporation | Preparation of flexographic printing masters using an additive process |
US8915993B2 (en) * | 2009-06-10 | 2014-12-23 | Xerox Corporation | Solid or phase change inks with improved properties |
US8211617B2 (en) * | 2009-08-17 | 2012-07-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solid inks for printed masks |
-
2009
- 2009-08-17 US US12/542,172 patent/US8303832B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-11 EP EP10172471.4A patent/EP2287665B1/en not_active Not-in-force
- 2010-08-13 JP JP2010181256A patent/JP5715356B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-13 TW TW099127058A patent/TWI500368B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-08-17 KR KR1020100079195A patent/KR101728915B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201114342A (en) | 2011-04-16 |
KR101728915B1 (ko) | 2017-04-20 |
EP2287665B1 (en) | 2014-07-30 |
US8303832B2 (en) | 2012-11-06 |
KR20110018275A (ko) | 2011-02-23 |
JP2011039515A (ja) | 2011-02-24 |
EP2287665A1 (en) | 2011-02-23 |
TWI500368B (zh) | 2015-09-11 |
US20110039194A1 (en) | 2011-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5715356B2 (ja) | 固形インク組成物、プリントマスク、及びパターン形成方法 | |
US10253199B2 (en) | Inkjet ink | |
JP5862913B1 (ja) | インク組成物及びそれを用いたインクジェット記録方法 | |
TW300289B (ja) | ||
TWI326393B (ja) | ||
TW200907566A (en) | Black solder resist compound and cured product thereof | |
JP2011162786A (ja) | 放射線硬化性固体インク組成物 | |
JP5779630B2 (ja) | インクジェット記録用インク組成物、及びその製造方法、並びに、インクジェット記録方法 | |
JP6701617B2 (ja) | インクジェットインク組成物及びインクジェット記録方法 | |
US10821741B2 (en) | Ink jet composition and ink jet recording method | |
JP6604001B2 (ja) | インクジェットインク組成物及びインクジェット記録方法、インクセット | |
TWI484002B (zh) | 印刷光罩用固態印墨 | |
CN102922173A (zh) | 助焊剂组成物、电性连接结构的形成方法、电性连接结构以及半导体装置 | |
JP2017061637A (ja) | インクジェットインク | |
WO2016084860A1 (ja) | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 | |
JP2002210992A (ja) | インクジェットプリントヘッドから汚染物を除去する方法 | |
EP3308959A1 (en) | Removable support material comprising tackifier for additive manufacturing | |
JP2020076076A (ja) | インクジェットインク組成物及びインクジェット記録方法、インクセット | |
JPH1121492A (ja) | 油性マーキングペン用インキ組成物 | |
CA2981813A1 (en) | Removable support material for additive manufacturing | |
JPH1121493A (ja) | 油性マーキングペン用インキ組成物 | |
RU2690438C2 (ru) | Вододиспергируемые чернила с фазовым переходом, подходящие для применения в качестве фотошаблона |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150313 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5715356 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |