JP5711807B2 - 裏面入射型固体撮像素子 - Google Patents
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Description
Claims (4)
- 裏面入射型固体撮像素子において、
半導体基板と、
前記半導体基板上に隣接して設けられ、隣接するもの同士の間に形成される開口部が、電荷転送方向に沿って千鳥状に配置された電荷転送電極と、
を備え、
前記半導体基板は、
第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板上に形成された第2導電型の半導体領域と、
を備え、
前記第1導電型の半導体基板と前記第2導電型の半導体領域との間には、PN接合が形成され、
前記開口部の直下の領域には、前記第1導電型の半導体基板と同一導電型の半導体領域が形成されており、PN接合が形成されていない、
ことを特徴とする裏面入射型固体撮像素子。 - 裏面側に光入射面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記光入射面とは反対側の光検出面に設けられた複数の電荷転送電極と、
を備えた裏面入射型固体撮像素子において、
前記電荷転送電極の隣接するもの同士の間に、光透過用の複数の開口部が形成されており、
前記開口部は、電荷転送方向に沿って千鳥状に配置され、
前記半導体基板は、
第1導電型の半導体基板と、
前記第1導電型の半導体基板上に形成された第2導電型の半導体領域と、
を備え、
前記第1導電型の半導体基板と前記第2導電型の半導体領域との間にはPN接合が形成され、
前記開口部の直下の領域には、前記第1導電型の半導体基板と同一導電型の半導体領域が形成されており、PN接合が形成されていない、
ことを特徴とする裏面入射型固体撮像素子。 - 前記第2導電型の半導体領域上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された前記電荷転送電極と、
前記電荷転送電極上に形成された保護膜と、
を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の裏面入射型固体撮像素子。 - 隣接する前記電荷転送電極の一部分は、スペーサとなる前記絶縁層を介して、重複しており、
隣接する前記電荷転送電極は、それぞれが台形状に凹んだ切り欠き部を有しており、隣接する前記電荷転送電極の前記切り欠き部が対向することで、前記開口部が画成されている、ことを特徴とする請求項3に記載の裏面入射型固体撮像素子。
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