JP5708711B2 - プレート式反応器、それを用いる反応生成物の製造方法、及び触媒の充填方法 - Google Patents
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Description
6D>P−(h1+h2)>D (1)
6D≦P−(h1+h2) (2)
P−(h1+h2)≦D (3)
ルボニル化合物;クメンハイドロパーオキサイド;ブテン;又はエチルベンゼン;であり、得られる前記反応生成物が、酸化エチレン;炭素数3及び4の不飽和脂肪族アルデヒド及び炭素数3及び4の不飽和脂肪酸の少なくとも一方;マレイン酸;フタル酸;パラフィン;アルコール;アセトン及びフェノール;ブタジエン;又はスチレン;である方法において、前記プレート式反応器に、前述した本発明のプレート式反応器を用いる生成物の製造方法を提供する。
6D>P−(h1+h2)>D (1)
6D≦P−(h1+h2) (2)
P−(h1+h2)≦D (3)
ましくは常圧から300kPaの内圧に耐えられる耐圧性の容器であることが好ましい。このような反応容器としては、例えば円筒又は円筒の一部を組み合わせてなるシェル、複数の伝熱プレートが収容されるように板部材によって内部が区切られたシェル、及び、複数の伝熱プレートが収容されるように平面の内面を構成する部材によって囲まれてなる筐体状の内部を有する容器等が挙げられる。
形し、それぞれの鋼板を接合することによって形成されることが、高い精度で安価に伝熱プレートを得る観点から好ましい。また伝熱プレートは、単一の種類の伝熱管のみを含んでいてもよいし、断面形状が異なる複数種の伝熱管を含んでいてもよい。
断面において、鉛直方向における伝熱管の表面間の最長距離の半値である。
得なくなる、5)割れた触媒が後流に流れて行き、後ろのプロセスで閉塞を起こしたりするため、触媒の割れ及び粉化はできる限り少なくする必要がある。本発明者らの経験によれば、触媒充填時の割れ触媒率(実際に充填したときの触媒の割れ率)は5%以下、好ましくは3%以下に抑えると上記のような問題が発生しにくく、触媒充填時の粉化触媒率(実際に充填したときの粉化率)は5%以下、好ましくは3%以下、より好ましくは1%以下とすると上記のような問題が起こりにくい。
媒を目開きb[mm]がD/2>bである篩に掛けて粉化した触媒を分離したときに、目開きbの篩上に残ったものの重量割合を割れ触媒率という。
6D>P−(h1+h2)>D (1)
6D≦P−(h1+h2) (2)
P−(h1+h2)≧D (3)
落下割れ率(%)=(落下させた触媒重量−篩上に残った触媒重量)/落下させた触媒重量×100
粉化率(%)=(初めに容器内に入れた触媒重量(g)−篩上に残った触媒重量(g))/初めに容器内に入れた触媒重量(g)×100
及び炭素数3及び4の不飽和脂肪酸の少なくとも一方を生成する反応;炭素数4以上の脂肪族炭化水素と酸素からマレイン酸を生成する反応;o−キシレンと酸素からフタル酸を生成する反応;オレフィンの水素化によりパラフィンを生成する反応;カルボニル化合物の水素化によりアルコールを生成する反応;及び、ブテンの酸化脱水素によってブタジエンの生成する反応;が挙げられる。また吸熱を伴う気相接触反応としては、例えば、エチルベンゼンの脱水素によりスチレンを生成する反応、が挙げられる。さらに液相接触反応としては、例えばクメンハイドロパーオキサイドの酸分解によりアセトンとフェノールを生成する反応が挙げられる。本発明における接触反応では、前述した以外の原料をさらに用いてもよい。
ート1の上部に配置され、前記半径が二番目に大きな伝熱管5−2は伝熱プレート1の中部に配置され、前記半径が最も小さな伝熱管5−3は伝熱プレート1の下部に配置されている。
プレート式反応器には図1に示す構造を有する反応器を用いた。伝熱プレートについては、伝熱プレートが配置されたときに原料ガスの流れる方向に沿って、上流側から第一、第二、及び第三反応帯域を形成する三種の波形を有するように厚さ1mmのステンレスプレートを成形し、得られた波型形状のステンレスプレートを2枚接合して、反応温度調節用の熱媒体流路となる伝熱管が複数連なってなる伝熱プレートを形成した。伝熱プレートにおける波形の周期(L)、波高(H)及び波数を表1に示す。
プロピレンを分子状酸素により接触気相酸化し、アクロレイン及びアクリル酸に転換するのに用いられる触媒として、Mo12Bi5Co3Ni2Fe0.4Na0.4B0.2K0.08Si24Oxの組成の金属酸化物粉末を調製した。ここでOxのxは各金属酸化物の酸化状態により決まる数である。得られた粉末を成形して外径5mm、内径2mm、高さ4mmのリング形状の成形品を得た(このとき最短粒径D=4mmである。)得られた成形品を空気存在下で510℃、4時間焼成を行い、複合酸化物触媒Aを得た。また、前記粉末を成形して外径4mm、高さ3mmの円柱状の成形品を形成し、得られた成形品を同様に焼成して触媒Bを得た(このとき最短粒径D=3mmである。)得られた触媒A及びBの落下割れ率と粉化率とを以下に示す方法によって求めた。
垂直に立てた内径25mm、長さ5mのステンレス鋼製のパイプの上部から触媒50gを落下させ、厚さ2mmのステンレス製の板で受け止めた後、触媒Aは目開き3.35mmの篩で割れた触媒を篩い分けし、触媒Bは目開き2.36mmの篩上に残った触媒の重量を測定した。落下割れ率は次の式によって求めた。
落下割れ率(%)=(落下させた触媒重量−篩上に残った触媒重量)/落下させた触媒重量×100
底面の直径200mm、高さが150mmの円筒であり、内周面に高さ方向全体にわたる、突出高さ10mm、厚さ6mmの羽を1枚有する円筒状のステンレス製密閉容器に触媒を100g入れ、このステンレス製容器を、その中心軸を水平にし、この軸を中心として60rpmで5分間回転させた。その後ステンレス製密閉容器内の触媒を取り出し、目開き1mmの篩にかけたときの、篩上に残った触媒の重量(g)を測定した。そして、初めにステンレス製密閉容器に入れた触媒の重量(g)と、目開き1mm、の篩上に残った触媒の重量(g)とに基づいて、下記式から粉化率(%)を算出した。
粉化率(%)=(初めに容器内に入れた触媒重量(g)−篩上に残った触媒重量(g))/初めに容器内に入れた触媒重量(g)×100
下割れ率は8.2%であり、粉化率は7.3%であった。
3Lの触媒Aを反応器Aにおける伝熱プレート間の隙間に毎分250mLの速度で充填して触媒層を形成した。触媒層には、波形形状の仕様によって、原料ガスの流れ方向の上流から、P−(h1+h2)(=P−H)の値が異なる三つの反応帯域、すなわち第一反応帯域(S1)、第二反応帯域(S2)及び反応帯域(S3)が形成された。この時、S1、S2、S3(併せて全長の100%)は 式(1)を満たし、式(2)及び(3)を満たす部分はなかった。
割れ触媒率(%)=1mmの篩上の触媒重量/充填した触媒の重量×100
粉化触媒率(%)=1mmの篩下の触媒重量/充填した触媒の重量×100
2.7Lの触媒Aを反応器Bにおける伝熱プレート間の隙間に毎分250mLの速度で充填して触媒層を形成した。この時、すぐにブリッジングが起こり触媒の充填がうまくできなかった。この時、S1(全長の約35%)は 式(3)を満たし、S2、S3(併せて全長の約65%)は式(1)を満たし、式(2)に該当する部分はなかった。
4Lの触媒Aを反応器Cにおける伝熱プレート間の隙間に毎分250mLの速度で充填して触媒層を形成した。この時、S1、S2(全長の約60%)は 式(1)を満たし、残りの、全長の約40%であるS3は式(2)を満たしており、式(3)を満たす部分はなかった。充填した触媒を反応器Cの下部から抜き出して、実施例1と同様に篩に掛けて割れ触媒率と粉化触媒率を求めた。割れ触媒率は5.4%で、粉化触媒率は0.9%であった。
3Lの触媒Bを反応器Aにおける伝熱プレート間の隙間に毎分250mLの速度で充填して触媒層を形成した。この時、S1、S2、S3(全長の100%)は 式(1)を満たし、式(2)は該当せず、(3)を満たす部分はなかった。充填した触媒を反応器Aの下部から抜き出して、抜き出した触媒を目開き2.36mmの篩に掛けて割れた触媒を分離し、さらに目開き2.36mmの篩で通り抜けた触媒を目開き1mmの篩に掛けて粉化した触媒を分離した。割れ触媒率及び粉化触媒率を次の式によって求めた。割れ触媒率は2.2%で、粉化触媒率は0.9%であった。
割れ触媒率(%)=1mmの篩上の触媒重量/充填した触媒の重量×100
粉化触媒率(%)=1mmの篩下の触媒重量/充填した触媒の重量×100
4Lの触媒Bを反応器Cにおける伝熱プレート間の隙間に毎分250mLで充填して触媒層を形成した。この時、S1(全長の約35%)は 式(1)を満たし、全長の約65
%であるS2、S3は式(2)を満たし、式(3)を満たす部分はなかった。充填した触媒を反応器Cの下部から抜き出して、実施例2と同様に篩に掛けて割れ触媒率と粉化触媒率を求めた。割れ触媒率は5.2%で、粉化触媒率は1.3%であった。
2 触媒層
3 ガス入り口
4 ガス出口
5、5−1、5−2、5−3 伝熱管
6 ケーシング
7 仕切り
8 通気栓
9 穴あき板
10、10’ 通気口
11、11’ ケーシング端部
12 ジャケット
13 循環流路
14 ポンプ
15 熱交換器
16 ノズル
17 分配管
18 窓
19 通気板
20 第一のスカート部
21 第二のスカート部
22 係止窓
23 係止爪
P 一対の伝熱プレートの軸間の間隔
L 波の周期
H 水平方向における伝熱管の直径(波高)
h1、h2 伝熱管の水平方向における半径
Claims (8)
- 原料を反応させるための反応容器と、前記反応容器内に並んで設けられる複数の伝熱プレートとを有し、
前記伝熱プレートは、断面形状の周縁又は端縁で連結している複数の伝熱管を含み、前記伝熱管が鉛直方向に連結するように前記反応容器に設けられ、
隣り合う伝熱プレートは、一方の伝熱プレートにおける伝熱管の凸面部と、他方の伝熱プレートにおける伝熱管の凹面部とが対面し、
前記隣り合う伝熱プレート間の隙間に粒子状の触媒が落下、充填されることによって前記隙間に触媒層が形成されるプレート式反応器において、
前記隙間に充填される触媒の最短粒径をD(mm)、対向する前記伝熱プレートの軸間の距離をP(mm)、対向する一方の伝熱プレートにおける伝熱管の水平方向における半径をh1(mm)、対向する他方の伝熱プレートにおける伝熱管の水平方向における半径をh2(mm)とし、前記隙間の鉛直方向における長さを前記隙間の全長としたときに、
前記隙間の全長の30%以上の部分が下記式(1)を満たし、かつ、前記隙間が下記式(2)を満たす部分を全長の30%以上有さず、かつ、前記隙間が下記式(3)を満たす部分を全長の5%以上有さないことを特徴とするプレート式反応器。
6D>P−(h1+h2)>D (1)
6D≦P−(h1+h2) (2)
P−(h1+h2)≦D (3) - 前記触媒の割れ触媒率は5%以下である、請求項1に記載のプレート式反応器。
但し、前記割れ触媒率(%)は、前記触媒の最短粒径をDとしたとき、前記反応器に前記触媒を充填した後、前記反応器から抜き出した前記触媒を、目開きaがD>a>3D/4である篩に掛け、さらに前記目開きaの篩で通り抜けた触媒を、目開きbがD/2>bである篩に掛けたときに、以下の式で算出される。
割れ触媒率(%)=目開きbの篩上に残った触媒の重量/充填した触媒の重量×100 - 前記隙間は、前記式(1)を満たす部分を全長の50%以上有することを特徴とする請求項1または2に記載のプレート式反応器。
- JIS Z 8841−93に準拠して測定された、前記触媒の落下割れ率が10%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のプレート式反応器。
- JIS Z 8841−93に準拠して測定された、前記触媒の粉化率が10%以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のプレート式反応器。
- 原料を反応させるための反応容器に並んで設けられる複数の伝熱プレートを有し、前記伝熱プレートが断面形状の周縁又は端縁で鉛直方向に連結している複数の伝熱管を含むプレート式反応器を用いて、原料から接触反応によって反応生成物を製造する方法であって、隣り合う伝熱プレートは、一方の伝熱プレートにおける伝熱管の凸面部と、他方の伝熱プレートにおける伝熱管の凹面部とが対面し、前記隣り合う伝熱プレート間の隙間に触媒を落下させることによって形成される触媒層に前記原料を通す工程と、前記伝熱管に所望の温度の熱媒を供給する工程とを含み、
前記原料が、エチレン;炭素数3及び4の炭化水素、並びにターシャリーブタノールからなる群から選ばれる少なくとも1種、又は炭素数3及び4の不飽和脂肪族アルデヒドからなる群から選ばれる少なくとも1種;炭素数4以上の脂肪族炭化水素;o−キシレン;オレフィン;カルボニル化合物;クメンハイドロパーオキサイド;ブテン;又はエチルベンゼン;であり、
得られる前記反応生成物が、酸化エチレン;炭素数3及び4の不飽和脂肪族アルデヒド及び炭素数3及び4の不飽和脂肪酸の少なくとも一方;マレイン酸;フタル酸;パラフィン;アルコール;アセトン及びフェノール;ブタジエン;又はスチレン;である方法において、
前記プレート式反応器に、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプレート式反応器を用いることを特徴とする生成物の製造方法。 - 前記原料がプロピレン又はイソブチレンであり、分子状酸素含有ガスを用いてプロピレン又はイソブチレンを酸化し、(メタ)アクロレイン及び(メタ)アクリル酸の一方又は両方を製造することを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
- プレート式反応器における伝熱プレート間の隙間に粒子状の触媒を充填する方法であって、
前記プレート式反応器には、原料を反応させるための反応容器と、前記反応容器内に並んで設けられる複数の伝熱プレートとを有し、前記伝熱プレートは、断面形状の周縁又は端縁で鉛直方向に連結している複数の伝熱管を含み、前記伝熱管が鉛直方向に連結するように前記反応容器に設けられ、隣り合う伝熱プレートは、一方の伝熱プレートにおける伝熱管の凸面部と、他方の伝熱プレートにおける伝熱管の凹面部とが対面し、前記隣り合う伝熱プレート間の隙間に粒子状の触媒が落下、充填されることによって前記隙間に触媒層が形成されるプレート式反応器を用い、
前記触媒には、前記触媒の最短粒径をD(mm)、対向する前記伝熱プレートの軸間の距離をP(mm)、対向する一方の伝熱プレートにおける伝熱管の水平方向における半径をh1(mm)、対向する他方の伝熱プレートにおける伝熱管の水平方向における半径をh2(mm)とし、前記隙間の鉛直方向における長さを前記隙間の全長としたときに、
前記隙間の上端から全長の30%以上の部分が下記式(1)を満たし、かつ、前記隙間が下記式(2)を満たす部分を全長の30%以上有さず、かつ、前記隙間が下記式(3)を満たす部分を全長の5%以上有さないDを有する触媒を用いることを特徴とする、触媒の充填方法。
6D>P−(h1+h2)>D (1)
6D≦P−(h1+h2) (2)
P−(h1+h2)≦D (3)
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