JP5707962B2 - 障害物検知装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施形態に係る障害物検知装置の全体構成の説明図である。
(θp2−θp1)/(θs1−θs2)=1/10 …式1
となるように角度設定する。
dV=(Vp2−Vp1)/10 …式2
である。この電圧を印加したとき、偏向角はθp1からθp1+dθに変化する。
表面の観測後、電圧をVsからVs+dVsに変化させることで、今度は障害物検知をさせるレーザ光を出力する。障害物検知のために照射されたレーザ光は擬似障害物22に当たると散乱され、その散乱光が受光面10、光学レンズ14を介して検出器7で検出される。この検出器7での出力変化から擬似障害物22の障害物検知が可能となる。
V0=(Vs1−Vs2)/10 …式3
である。
図4から図6は本発明に係る障害物検知装置の実施例2を示す。第1の実施形態では、出射面9の表面状態(擬似障害物22)を計測するためにビーム偏向素子4の最大振れ角の一部を利用していたが、ビーム偏向素子4の最大振れ角は左右対称に存在するので、それらを利用することも可能である。即ち、この実施例2では、2つの表面検出光路を配置することによって、擬似障害物22の検出精度を向上し、信頼性をさらに向上することが可能となる。
2 レーザ光源
3 レーザ駆動部
4 ビーム偏向素子
5 電圧制御部
6 コントロール部(制御部)
7 検出器
8 検出器
9 出射面
10 受光面
11 反射ミラー
12 反射ミラー
13 反射ミラー
Claims (7)
- レーザ光を照射するレーザ光源と、
前記レーザ光源を制御するレーザ駆動部と、
供給される電圧に応じた偏向角にレーザ光を偏向するビーム偏向素子と、
前記ビーム偏向素子に電圧を供給する電圧制御部と、
前記ビーム偏向素子により偏向されたレーザ光を透過して出射する出射面と、
前記出射面から出射されたレーザ光の反射光を受光する第1の検出器と、
前記ビーム偏向素子により偏向されたレーザ光の一部を前記出射面に照射する反射光学系と、
前記反射光学系により照射されたレーザ光が前記出射面で反射した反射光を受光する第2の検出器と、
前記第1の検出器が受光する反射光および、当該反射光のレーザ光が前記ビーム偏向素子で偏向された際の偏向角に基づいて、当該偏向角によって分割される前記出射面上の領域の先に障害物があるか否かを判断する障害物検知手段と、
前記第2の検出器が受光する反射光および、当該反射光のレーザ光が前記ビーム偏向素子で偏向された際の偏向角に基づいて、当該偏向角によって分割される前記出射面上の領域の表面に疑似障害物があるか否かを判断する疑似障害物検知手段と、
を備え、
前記障害物検知手段は、前記疑似障害物検知手段により前記出射面上の所定の領域の表面に疑似障害物があるか否かを判断した後に続けて、前記所定の領域の先に障害物があるか否かを判断することを特徴とする障害物検知装置。 - 前記レーザ駆動部は、前記疑似障害物検知手段による疑似障害物の検知の際に照射するレーザ光の出力光強度を、前記障害物検知手段による障害物の検知の際に照射するレーザ光の出力光強度よりも弱くすることを特徴とする請求項1に記載の障害物検知装置。
- 前記ビーム偏向素子には、電気光学結晶にプリズムドメインを形成したものを用いていることを特徴とする請求項1又は2に記載の障害物検知装置。
- 前記電気光学結晶は、ニオブ酸リチウム、酸化マグネシウム添加ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタルの少なくとも一つを含む材料から形成されていることを特徴とする請求項3に記載の障害物検知装置。
- 前記ビーム偏向素子は、前記ビーム偏向素子の最大振れ角付近で偏向されるレーザ光を、前記反射光学系に向けて照射することを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の障害物検知装置。
- 前記ビーム偏向素子は、プラス側の最大振れ角付近とマイナス側の最大振れ角付近の両方の各一部の角度から照射されたレーザ光を、前記反射光学系に向けて照射することを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の障害物検知装置。
- 前記反射光学系は、前記ビーム偏向素子のプラス側の最大振れ角付近のレーザ光と、前記ビーム偏向素子のマイナス側の最大振れ角付近のレーザ光とで、前記出射面を二分割した一方と他方とで別々に検出するように配置されていることを特徴とする請求項6に記載の障害物検知装置。
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