JP5701975B2 - 電気的活性層を含みかつ垂直分離を有する有機バルクヘテロ接合太陽電池 - Google Patents
電気的活性層を含みかつ垂直分離を有する有機バルクヘテロ接合太陽電池 Download PDFInfo
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Description
・例えばガラス又はプラスチックで作製された基材1、
・例えば酸化インジウムスズ(ITO)で作製された薄層上の第1電極2、
・例えばPEDOTPSSという名称で知られるポリ(スチレン−スルホネート):ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)から作製されたホール注入層3、
・p型とn型の半導体有機材料、例えばP3HT(ポリ(3−ヘキシルチオフェン)とPCBM([6,6]−フェニル−C61−メチルブチレート)との混合により得られかつ面4a及び4bを含む電気的活性層4、及び
・薄いカルシウム/アルミニウム二重層などの導電性材料で作製された第2の電極5
を次々に含む多層の積み重ねで作製される。
・標準的構造のカソード(図1中の参照番号5)がPEDOT:PSS又は高い仕事関数を有する遷移金属酸化物層(例えばV2O5又はMoO3)により置き換えられて金又は銀などの安定な金属から作製された電極により覆われ、かつ
・標準的構造ではITO層(図1中の参照番号2)と活性層(図1中の参照番号4)との間に配置されたPEDOT:PSS層(図1中の参照番号3)が、例えば低い仕事関数を有する化合物により構成された他の機能的緩衝層で置き換えられていること
により特徴づけられる。そのような緩衝層は電子の捕集を可能にして、その結果逆変換構造中でカソードの役割を演ずる。
・フラーレン、例えばフラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC80又はフラーレンC84、
・カーボン半導体ナノチューブ、
・グラフェン及びナノグラフェン、並びに
・それらの可溶性誘導体、例えばPCBM又はPC61BMという名称でも知られる[6,6]−フェニル−C61−メチルブチレート、[6,6]−フェニル−C71−メチルブチレート即ちPC71BM、チオフェン「C61−メチルブチレート、フラーレンC60又はC70の多付加物又は官能化カーボンナノチューブなどの中から選択するのが有利である。
・例えば、ポリフッ化ビニリデン,ポリテトラフルオロエチレン,テトラフルオロエチレンのコポリマー及びペルフルオロビニルエーテルの中から選択されるフッ素化ポリマー、及び
・有利なのは、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン及びトリアジンから選択される少なくとも1種の窒素化芳香族基を含む側鎖を有するポリマー
の中から選択される。該化合物は、例えば、ポリビニルピリミジン、ポリビニルピラジン、ポリビニルピリダジン、ポリ(2−ビニルピリジン)及びP4VPと称されるポリ(4−ビニルピリジン)の中から選択されポリマーであり得る。
・電気的活性層中で、活性層の追加層と接触している面から前記活性層の反対側の面へと減少しながら変化するn型半導体炭素質材料についての濃度、及び、
・電気的活性層中で、活性層の追加層と接触している面から前記活性層の反対側の面へと増加しながら変化するp型半導体有機材料についての濃度
を得ることが可能になるであろう。
・例えばガラスで作製された基材1、
・酸化インジウムスズ(ITO)などの導電性材料で作製され、第1電極を形成する薄層2、
・例えば酸化亜鉛(ZnOx)又は酸化チタン(TiOx)で作製されたn型半導体材料で作製され、電子注入層を形成する中間の薄層6、
・PCBMによりドープされた例えばP4VP(即ちポリ(4−ビニルピリジン))(以下P4VP+PCBMと称する)で作製された追加層7、
・例えばP3HTとPCBMとの混合物(以下P3HT:PCBMと称する)で作製された電気的活性層4、
・PEDOT:PSという名称で知られるポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレン−スルホネート)又はNiOx又はCuOxなどのp型半導体材料で作製され、ホール注入層を形成する薄層3、及び
・銀などの導電性材料で作製され、導電性材料で作製された第2電極を形成する薄層5
により形成された多層積み重ねを含む。
・ステップ1:例えばZnOで作製される中間薄層6は、前駆物質溶液から、ガラス基材1を覆う薄いITO層2上にスピンコーティング堆積により形成される。堆積は、1000rpmの速度で60秒間、次に2000rpmの速度で30秒間実施する。さらに、堆積は空気の下で実施され、得られた中間薄層6の厚さは、約15nmである。堆積の次に、ホットプレートにより150℃の温度で1時間実施するアニーリング工程における乾燥期が続く。
・ステップ2:P4VP+PCBM(イソプロパノール中でP4VPの重量に対して10w%のPCBMの比の1g/LのP4VP)の混合物を含有する溶液をスピンコーティングにより、中間薄層6の上に堆積し、後者を1回5000rpmの速度で25秒間、次に4000rpmの速度で25秒間乾燥する。堆積の次に、ホットプレートにより、150℃の温度で15分間実施するアニーリング工程における乾燥期が続く。追加層7の厚さは5nm未満である。
・ステップ3:電気的活性層4の堆積は、追加層7の上に、P3HT:PCBMの組成物を、約1500rpmの速度で40秒間、次に2000rpmで35秒間のスピンコーティングにより実施される。得られた活性層4の厚さは200と250nmとの間に含まれ、P3HTとPCBMとの重量比は1:1である。
・ステップ4:ホール注入層3は、2000rpmの速度で25秒間、次に3000rpmの速度で25秒間のスピンコーティングにより活性層4の上に堆積される。ホール注入層3の厚さは約50nmである。このようにして得られた積み重ねは、次にグローブボックス中に置かれて、150℃で15分間アニーリング工程にかけられる。
・ステップ5:次に例えば銀で作製された厚さが100nmの薄層5が真空蒸発により堆積される。
a)中間ZnO層を含み追加層のない対照電池のカテゴリー(以下ZnO単独と称する)、
b)中間ZnO層と追加のP4VP層とを含む電池のカテゴリー(以下ZnO/P4VPと称する)、
c)セット1のために作製されたものなどの、即ち、中間ZnO層と電池A1及びB1と同様に10%のPCBMを含む追加のP4VP+PCBM層とを備える電池のカテゴリー(以下ZnO/P4VP+PCBMと称する)、
d)セット2のために作製されたものなどの、即ち中間ZnO層はないがZnOと5w%のP4VPとを含む追加層を備える電池のカテゴリー(以下ZnO+P4VPと称する)。
Claims (13)
- ・第1電極及び第2電極(2,5)、
・第1電極(2)と第2電極(5)との間に配置され、p型半導体有機材料とn型半導体炭素質材料とを含む電気的活性層(4)、
・第1電極と電気的活性層(4)との間に配置され、電気的活性層(4)と直接接触している追加層(7)
を含み、追加層(7)が、n型半導体材料と、電気的活性層(4)中に含有されるn型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物とを含み、
電気的活性層(4)に含有されるn型半導体炭素質材料が、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェン及びナノグラフェン、並びにそれらの可溶性誘導体の中から選択され、
電気的活性層(4)中に存在するn型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物が、フッ素化ポリマー及び少なくとも1種の窒素化芳香族基を含む側鎖を有するポリマーの中から選択されるポリマーであることを特徴とする、バルクヘテロ接合有機太陽電池。 - 電気的活性層(4)中において、n型半導体炭素質材料の濃度が、追加層(7)と接触している電気的活性層(4)の第1面(4a)から電気的活性層(4)の第1面(4a)と反対側の第2面(4b)へと減少しながら変化することを特徴とする、請求項1に記載の電池。
- 電気的活性層(4)において、p型半導体有機材料の濃度が、追加層(7)と接触している電気的活性層(4)の第1面(4a)から電気的活性層(4)の第1面(4a)と反対側の第2面(4b)まで増加しながら変化することを特徴とする、請求項2に記載の電池。
- 電気的活性層(4)に含有されるn型半導体炭素質材料がPCBMであることを特徴とする、請求項1に記載の電池。
- 少なくとも1種の窒素化芳香族基が、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン及びトリアジンの中から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の電池。
- n型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物が、ポリビニルピリミジン、ポリビニルピラジン、ポリビニルピリダジン、ポリ(2−ビニル−ピリジン)及びポリ(4−ビニル−ピリジン)の中から選択されるポリマーであることを特徴とする、請求項1に記載の電池。
- n型半導体炭素質材料と非共有結合相互作用を形成する化合物が、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンのコポリマー及びペルフルオロビニルエーテルの中から選択されるフッ素化ポリマーであることを特徴とする、請求項1に記載の電池。
- 電気的活性層(4)に含有されるp型半導体有機材料が、チオフェン、カルバゾール、ベンゾチアジアゾール、シクロペンタジチオフェン及びジケトピロロピロールを含有するポリマー又はコポリマーの中から選択されることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電池。
- 電気的活性層(4)に含有されるp型半導体有機材料がP3HTであることを特徴とする、請求項8に記載の電池。
- 追加層(7)が第1電極(2)と直接接触していることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の電池。
- 追加層(7)に含有される化合物がポリ(4−ビニル−ピリジン)であり、追加層(7)に含有されるn型半導体材料が酸化亜鉛及び酸化チタンの中から選択されることを特徴とする、請求項10に記載の電池。
- n型半導体材料で作製された中間薄層が、追加層(7)と第1電極(2)との間に配置されていることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の電池。
- 追加層(7)に含有される化合物がポリ(4−ビニル−ピリジン)であり、追加層(7)に含有されるn型半導体材料がPCBMであることを特徴とする、請求項12に記載の電池。
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