JP6758076B2 - 有機光電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示されるように、有機光電変換素子10は、基板1と、基板1上に配置された第1電極2と、第1電極2上に配置された電子ブロック層3と、電子ブロック層3上に配置された光電変換層4と、光電変換層4上に配置された第2電極5と、を備えている。光電変換層4は、p型有機半導体を含む第1有機半導体A、並びに、p型有機半導体及びn型有機半導体を含む第2有機半導体Bを含有している。
本実施形態に係る有機光電変換素子10の製造方法では、まず、基板1を用意し、当該基板1上に第1電極2を形成する。第1電極2を形成する方法は、第1電極2を構成する材料に応じて適宜選択することができる。例えば、ITOを用いる場合、スパッタ法等により第1電極2を形成してよい。また、Au、Ag、Co、Ni等を用いる場合、印刷法によりメッシュ状の細線を基板1上に描画することで第1電極2を形成してよい。
基板である水蒸気バリアフィルム(PETフィルムの表面にSiO2膜を備えるフィルム)上に第1電極であるITOが形成された透明導電性フィルムを用意した。次いで、電子線蒸着法により、NiOを第1電極上に蒸着させ、厚さ20nmの電子ブロック層を形成した。
第2塗布液の調製に際し、クロロベンゼンに代えてトルエンを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2の有機光電変換素子を製造した。
p型有機半導体であるPDPP3T及びn型有機半導体であるPCBMからなる第2有機半導体をクロロベンゼン及びジヨードオクタンの混合溶媒(クロロベンゼン:ジヨードオクタン=95:5(体積分率))に溶解させて溶液を調製した。この際、第2有機半導体におけるPDPP3TとPCBMの質量比はPDPP3T:PCBM=25:75とし、第2有機半導体(PDPP3T及びPCBM)の濃度は32mg/mlとなるように調整した。光電変換層を形成する際に、第1有機層を形成しなかったこと、及び、第2塗布液として上記溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1の有機光電変換素子を製造した。光電変換層の厚さは、厚さ180nmであった。なお、比較例1では、第1有機層を形成しなかったため、中間層は形成されていない。
第1有機層を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、比較例2の有機光電変換素子を製造した。光電変換層の厚さは、厚さ130nmであった。なお、比較例2では、第1有機層を形成しなかったため、中間層は形成されていない。
第1有機層を形成しなかったこと以外は、実施例2と同様にして、比較例3の有機光電変換素子を製造した。光電変換層の厚さは、厚さ100nmであった。なお、比較例3では、第1有機層を形成しなかったため、中間層は形成されていない。
実施例及び比較例の有機光電変換素子の分光感度スペクトルを分光感度測定装置(株式会社ニコン製、製品名AutoScanner)を用いて測定した。測定した分光感度スペクトルを図4及び図5に示す。図4及び図5に示されるように、光電変換層が第1有機層を有する実施例1の有機光電変換素子は、光電変換層が第2有機層のみからなる比較例2の有機光電変換素子よりもはるかに高い感度を有しており、波長840nmにおいて360%の感度増大効果が得られた。また、図5に示されるように、光電変換層が第1有機層を有する実施例2の有機光電変換素子は、光電変換層が第2有機層のみからなる比較例2の有機光電変換素子よりも高い感度を有しており、波長840nmにおいて270%の感度増大効果が得られた。以上のとおり、第1有機層の導入により感度が向上することを確認した。また、第2溶媒としてクロロベンゼンを用いた実施例1では、第2溶媒としてトルエンを用いた実施例2よりも感度の向上効果に優れることが確認された。
熱処理時間と感度の相対変化との関係(図6)に基づき、実施例及び比較例の有機光電変換素子の耐熱性を評価した。具体的には、実施例及び比較例の有機光電変換素子を、窒素雰囲気下、60℃で100時間熱処理した。この際、熱処理を開始してから所定時間が経過した時点で有機光電変換素子の感度を測定した。評価では、100時間経過後に初期感度の80%以上の感度を有するものを耐熱性が良好であるとした。これは、有機光電変換素子の輸送中の温度上昇を想定したものであり、船上コンテナ中では赤道直下通過時に60℃付近まで上昇することから、上記評価基準とした。なお、感度の測定は、初期感度評価と同様の方法で行った。
Claims (9)
- 第1電極と、
前記第1電極上に配置された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された第2電極と、を備え、
前記光電変換層は、
第1有機半導体を含む第1有機層と、
第2有機半導体を含み、前記第1有機層に対して前記第2電極側に配置された第2有機層と、
前記第1有機半導体及び前記第2有機半導体を含み、前記第1有機層と前記第2有機層との間において前記第1有機層及び前記第2有機層のそれぞれに至る中間層と、を有し、
前記第2有機層の厚さは、前記第1有機層の厚さと前記中間層の厚さとの和よりも大きく、
前記第1有機半導体は、主としてp型有機半導体を含み、
前記第2有機半導体は、主としてn型有機半導体を含み、且つ、p型有機半導体を含み、
前記第2有機層は、n型有機半導体のみからなる層を含まず、
前記第2有機半導体における、前記n型有機半導体の含有量は、前記第2有機半導体の全質量基準で、75質量%より大きい、有機光電変換素子。 - 前記第1有機半導体及び前記第2有機半導体のうちの少なくとも一方は、前記p型有機半導体として、ジケトピロロピロール骨格を有する化合物を含む、請求項1に記載の有機光電変換素子。
- 前記第2有機半導体は、前記n型有機半導体として、フラーレン誘導体を含む、請求項1又は2に記載の有機光電変換素子。
- 前記第1有機半導体に含まれる前記p型有機半導体と前記第2有機半導体に含まれる前記p型有機半導体とは、同一である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。
- 前記第1電極と前記光電変換層との間に配置された電子ブロック層を更に備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。
- 前記光電変換層と前記第2電極との間に配置された正孔ブロック層を更に備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機光電変換素子の製造方法であって、
前記第1有機半導体と、前記第1有機半導体を溶解可能な第1溶媒と、を含む溶液を前記第1電極上に塗布して、前記第1有機層を形成する工程と、
前記第2有機半導体と、前記第1有機半導体及び前記第2有機半導体を溶解可能な第2溶媒と、を含む溶液を前記第1有機層上に塗布して、前記中間層及び前記第2有機層を形成する工程と、を備える、有機光電変換素子の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機光電変換素子の製造方法であって、
前記第2有機半導体と、前記第2有機半導体を溶解可能な第3溶媒と、を含む溶液を前記第2電極上に塗布して、前記第2有機層を形成する工程と、
前記第1有機半導体と、前記第1有機半導体及び前記第2有機半導体を溶解可能な第2溶媒と、を含む溶液を前記第2有機層上に塗布して、前記中間層及び前記第1有機層を形成する工程と、を備える、有機光電変換素子の製造方法。 - 第2溶媒は、クロロベンゼン及びo−ジクロロベンゼンからなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項7又は8に記載に有機光電変換素子の製造方法。
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