JP5700646B2 - 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 - Google Patents
水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5700646B2 JP5700646B2 JP2011002580A JP2011002580A JP5700646B2 JP 5700646 B2 JP5700646 B2 JP 5700646B2 JP 2011002580 A JP2011002580 A JP 2011002580A JP 2011002580 A JP2011002580 A JP 2011002580A JP 5700646 B2 JP5700646 B2 JP 5700646B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- hydrogen
- gas
- line
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Furnace Details (AREA)
Description
ところが、Al自体は導体抵抗が大きい為、より高速処理が可能なデバイスを製作するには、Cu又はCu合金の配線が有利である。然し、Cuは酸化し易い為、配線にCu又はCu合金を用いる場合は、水素アニール処理がより重要となる。
対する還元処理を行う場合である。
れている。
ライン12の火種ライン開閉弁25と流量コントローラ26間の位置とを窒素ガスバイパスライン34により接続し、該窒素ガスバイパスライン34にはバイパス開閉弁35を設ける。
上を図る為に、1〜750Torrの範囲が好ましく、更には50Torr程度がより好ましい。
又、第1窒素ガスバラストライン39から流入する窒素ガスは排気を希釈し、水素ガス濃度を低下させる。
尚、前記L型ノズル49は下流側に開口しており、排気ダクト50中の排気ガスの流れを乱さない様に考慮されている。
4%以上となる場合は、例えば種火70が消火し、前記燃焼ノズル11から流出する水素ガスの燃焼が停止した場合等がある。
ル49からの窒素ガス供給流量が前記流量コントローラ66により制御される。
2 反応室
5 真空排気管
9 水素燃焼パイプ
10 燃焼箱
12 水素火種ライン
18 ガス導入管
19 排ガス管
22 窒素ガス導入管
24 流量コントローラ
34 窒素ガスバイパスライン
36 圧力センサ
38 流量調整弁
39 第1窒素ガスバラストライン
40 排気ポンプ
41 第2窒素ガスバラストライン
48 排気希釈ライン
49 L型ノズル
50 排気ダクト
59 逆流防止弁
66 流量コントローラ
69 ガス濃度検知器
71 ガス濃度検知器
Claims (6)
- 水素ガス導入ラインによって反応室に水素ガスを導入して基板を処理する工程と、
前記反応室に導入された前記水素ガスを、前記反応室に接続された排ガス管と前記排ガス管の下流側で分岐した一方の真空排気管から構成され、前記反応室内を減圧する排気装置を設けた減圧排気ライン、または、前記反応室に接続された前記排ガス管と前記排ガス管の下流側で分岐した他方の水素燃焼パイプから構成され、前記水素ガスを燃焼させる水素ガス燃焼部を設けた常圧排気ラインのどちらか一方によって排気する工程と、
前記水素ガスを排気する工程後、希釈ラインを介して不活性ガスを前記反応室に導入するとともに、前記水素燃焼パイプの下流側に向かって設けられた圧力スイッチと開閉弁の間の位置と前記排気装置よりも下流に位置する前記減圧排気ラインとを連絡する連絡ラインを介して前記不活性ガスを排出する工程と、
を有する水素アニール処理方法。 - 前記連絡ラインが前記常圧排気ラインと接続される位置と前記ガス燃焼部との間に設けられた開閉弁によって前記常圧排気ラインが閉じられることで、前記不活性ガスが前記連絡ラインを介して排出される請求項1に記載の水素アニール処理方法。
- 反応室と、
該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと、
前記反応室に接続された排ガス管と前記排ガス管の下流側で分岐した一方の真空排気管から構成される減圧排気ラインと、
該減圧排気ラインに設けられ、前記反応室を減圧する為の排気装置と、
前記反応室に不活性ガスを供給し、排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する希釈ラインと、
前記反応室に接続された前記排ガス管と前記排ガス管の下流側で分岐した他方の水素燃焼パイプから構成される常圧排気ラインと、
該常圧排気ラインに接続された水素ガス燃焼部と、
前記水素燃焼パイプの下流側に向かって設けられた圧力スイッチと開閉弁の間の位置と前記排気装置よりも下流に位置する前記減圧排気ラインとを連絡する連絡ラインと、
を具備することを特徴とする水素アニール処理装置。 - 前記水素アニール装置は、前記連絡ラインが前記常圧排気ラインに接続される位置と前記水素ガス燃焼部との間に開閉弁とをさらに具備し、
前記希釈ラインから供給された不活性ガスは、前記開閉弁が閉じることによって前記連絡ラインを介して前記減圧排気ラインより排出される請求項3に記載の水素アニール装置。 - 前記水素アニール装置は、前記排気装置の下流に位置する減圧排気ラインに設けられたガス濃度検知器と、
前記排気装置の下流に位置する減圧排気ラインに設けられ、不活性ガスの流量を制御する流量コントローラとをさらに具備し、
前記流量コントローラは、前記ガス濃度検知器が検知する水素濃度が4%以下となるように不活性ガスの供給流量を制御する請求項3または4に記載の水素アニール装置。 - 水素ガス導入ラインによって反応室に水素ガスを導入して基板を処理する工程と、
前記反応室に導入された前記水素ガスを、前記反応室に接続された排ガス管と前記排ガス管の下流側で分岐した一方の真空排気管から構成され、前記反応室内を減圧する排気装置を設けた減圧排気ライン、または、前記反応室に接続された前記排ガス管と前記排ガス管の下流側で分岐した他方の水素燃焼パイプから構成され、前記水素ガスを燃焼させる水素ガス燃焼部を設けた常圧排気ラインのどちらか一方によって排気する工程と、
前記水素ガスを排気する工程後、希釈ラインを介して不活性ガスを前記反応室に導入するとともに、前記水素燃焼パイプの下流側に向かって設けられた圧力スイッチと開閉弁の間の位置と前記排気装置よりも下流に位置する前記減圧排気ラインとを連絡する連絡ラインを介して前記不活性ガスを排出する工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011002580A JP5700646B2 (ja) | 2011-01-08 | 2011-01-08 | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011002580A JP5700646B2 (ja) | 2011-01-08 | 2011-01-08 | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006186756A Division JP2006344984A (ja) | 2006-07-06 | 2006-07-06 | 水素アニール処理方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011146704A JP2011146704A (ja) | 2011-07-28 |
JP5700646B2 true JP5700646B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=44461231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011002580A Expired - Lifetime JP5700646B2 (ja) | 2011-01-08 | 2011-01-08 | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5700646B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7253779B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2023-04-07 | 関東冶金工業株式会社 | 連続熱処理炉 |
CN114823331B (zh) * | 2022-04-22 | 2023-03-03 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种用于三极管器件制造的氮氢退火设备及其工艺 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2683579B2 (ja) * | 1988-08-04 | 1997-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH0570954A (ja) * | 1991-09-19 | 1993-03-23 | Nec Kyushu Ltd | 排気ガス希釈装置 |
JP3163160B2 (ja) * | 1992-04-06 | 2001-05-08 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置 |
JPH05326419A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜の形成方法 |
JPH0758032A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 圧力制御装置および圧力制御方法 |
JP3468577B2 (ja) * | 1994-04-14 | 2003-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3684660B2 (ja) * | 1996-03-01 | 2005-08-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶薄膜の製造方法 |
JP3503918B2 (ja) * | 1996-09-02 | 2004-03-08 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理炉のガス排出方法およびガス排出装置 |
JP2001203211A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及びその装置 |
JP2006344984A (ja) * | 2006-07-06 | 2006-12-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 水素アニール処理方法及びその装置 |
-
2011
- 2011-01-08 JP JP2011002580A patent/JP5700646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011146704A (ja) | 2011-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100374530B1 (ko) | 수소 어닐링 처리 방법 및 그 장치 | |
KR20160095657A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
US20070187386A1 (en) | Methods and apparatuses for high pressure gas annealing | |
US20070181192A1 (en) | Method and apparatus for monitoring gas flow amount in semiconductor manufacturing equipment | |
KR100591723B1 (ko) | 산화처리방법 및 산화처리장치 | |
WO2002082523A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement thermique | |
US20160379857A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
JP5700646B2 (ja) | 水素アニール処理方法及び水素アニール処理装置 | |
WO2007111351A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20120024394A1 (en) | Method for lowering the pressure in a load lock and associated equipment | |
JP3545672B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP6990207B2 (ja) | 加熱分解式排ガス除害装置及び逆流防止方法 | |
JP2006344984A (ja) | 水素アニール処理方法及びその装置 | |
EP1235262A1 (en) | Heat treatment device | |
KR20060102447A (ko) | 반도체 제조설비의 배기장치 | |
CN115948723A (zh) | Mocvd排气系统及清理方法 | |
JP2009129925A (ja) | 基板処理装置及び基板の処理方法 | |
JP6685204B2 (ja) | 安全装置、安全システム及び燃焼除害装置の安全化方法 | |
JPH10122539A (ja) | 排ガス処理装置 | |
JP2012207888A (ja) | 除害装置 | |
JP2006261362A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4342559B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の形成方法 | |
JP2005216911A (ja) | エピタキシャル成長装置の排ガス処理システム | |
JP4304354B2 (ja) | 半導体装置の処理方法 | |
JP4994424B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130620 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141225 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5700646 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |