JP5699080B2 - 光酸発生剤，光硬化性組成物，及びその硬化体 - Google Patents

Description

本発明は，光酸発生剤，硬化性組成物及びその硬化体に関する。より詳しくは，本発明は，光，電子線又はＸ線等の活性エネルギー線を作用させてカチオン重合性化合物を硬化する際に好適な特定のスルホニウム塩を含有する光酸発生剤，当該光酸発生剤を含有する硬化性組成物，及び当該硬化性組成物を硬化することにより得られる硬化体に関する。

従来，光，電子線又はＸ線等の活性エネルギー線を作用させてエポキシ化合物等のカチオン重合性化合物を硬化する際に使用する光酸発生剤として，トリアリールスルホニウム塩（特許文献１），ナフタレン骨格を有するフェナシルスルホニウム塩（特許文献２），ジアルキルベンジルスルホニウム塩（特許文献３）及びチオキサントン骨格を導入したスルホニウム塩（特許文献４），及びポリアリールスルフィド骨格を有したスルホニウム塩（特許文献５）が知られている。

現在，フォトレジストを用いるフォトリソグラフィー工程において，露光光として波長３６５ｎｍのｉ線が広く用いられている。その理由に，照射光源として，廉価でありながら良好な発光強度を示す中圧・高圧水銀灯が利用できることがあり，また，ｉ線領域（３６０ｎｍ〜３９０ｎｍ）に発光波長があるＬＥＤランプが近年普及しつつあることも挙げられる。したがって，ｉ線に対し高い感応性を示す光酸発生剤の必要性は，今後更に高まって行くと考えられる。
しかしながら，既存の光酸発生剤のうち，トリアリールスルホニウム塩（特許文献１），ナフタレン骨格を有するフェナシルスルホニウム塩（特許文献２）及びジアルキルベンジルスルホニウム塩（特許文献３）は，ｉ線に対する感応性が低いため，感応性を高めるには増感剤の併用が必要となる。また，チオキサントン骨格を導入したスルホニウム塩（特許文献４）は，ｉ線に対し吸収率が大きすぎ，そのため，厚膜硬化時に深部まで光が通らずに硬化不良が生じる，という問題がある。また，ポリアリールスルフィド骨格を有するスルホニウム塩（特許文献５）は，水銀灯照射に対する光酸発生剤としての有効性については記載されているものの，ｉ線に対する感度については開示されてない。

特開昭５０−１５１９９７号公報 特開平９−１１８６６３号公報 特開平２−１７８３０３号公報 特開平８−１６５２９０号公報 特開昭６１−１００５５７号公報

上記の背景において，本発明の目的は，ｉ線に高い光感応性を有し，かつエポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高く，エポキシ化合物等のカチオン重合性化合物との配合物において貯蔵安定性の優れた，スルホニウム塩を含んでなる新たな酸発生剤を提供することである。

本発明者は，特定のスルホニウム塩の混合物が上記目的に好適であることを見出し，更に検討を重ねて本発明を完成させた。すなわち，本発明は，下記式（１）で示されるスルホニウム塩及び下記式（２）で示されるスルホニウム塩を提供する。

〔式（１）及び（２）中，Ｒ^１〜Ｒ^９は，互いに独立して，アルキル基（本明細書において，「シクロアルキル基」も包含する。），ヒドロキシル基，アルコキシル基，アルキルカルボニル基，アリールカルボニル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，アリールチオカルボニル基，アシロキシ基，アリールチオ基，アルキルチオ基，アリール基，複素環式炭化水素基，アリールオキシ基，アルキルスルフィニル基，アリールスルフィニル基，アルキルスルホニル基，アリールスルホニル基，ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基，置換されていてよいアミノ基，シアノ基，ニトロ基又はハロゲン原子を表し，ｍ^１〜ｍ^９，はそれぞれＲ^１〜Ｒ^９の個数を表し，ｍ^４，ｍ^６，ｍ^７及びｍ^９は０〜５の整数を，ｍ^１，ｍ^２，ｍ^３，ｍ^５及びｍ^８は０〜４の整数を表し，Ａ_１はＳまたはＳＯを，Ｘ⁻は一価の多原子アニオンを表す。〕

また，本発明は，上記式（１）で示されるスルホニウム塩と式（２）中で示されるスルホニウム塩とを含有することを特徴とする光酸発生剤をも提供する。

また，本発明は，上記光酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有することを特徴とするエネルギー線硬化性組成物をも提供する。

更には，本発明は，上記エネルギー線硬化性組成物を硬化させて得られる硬化体をも提供する。

本発明のスルホニウム塩は，可視光，紫外線，電子線及びＸ線等の活性エネルギー線に対する光感応性に優れ，エポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高く，エポキシ化合物等のカチオン重合性化合物との配合物において貯蔵安定性が優れる。
本発明の光酸発生剤は，カチオン重合性化合物の硬化に用いるとき，紫外光，特にｉ線の作用による硬化性に優れており，増感剤を用いなくても，カチオン重合性化合物を硬化させることができる。本発明の光酸発生剤はまた，厚膜硬化性にも優れている。
本発明のエネルギー線硬化性組成物は，上記の光酸発生剤を含有するため，紫外光で硬化させることができる。また，本発明のエネルギー線硬化性組成物は，貯蔵安定性が高く，増感剤を用いる必要がないことから，コスト及び作業性に優れる。
本発明の硬化体は，増感剤を用いずに得ることができるため，増感剤の残存に起因する着色や劣化という問題がない。

したがって，本発明のスルホニウム塩は，塗料，コーティング剤，各種被覆材料（ハードコート，耐汚染被覆材，防曇被覆材，耐触被覆材，光ファイバー等），粘着テープの背面処理剤，粘着ラベル用剥離シート（剥離紙，剥離プラスチックフィルム，剥離金属箔等）の剥離コーティング材，印刷板，歯科用材料（歯科用配合物，歯科用コンポジット等），インキ，インクジェットインキ，ポジ型レジスト（回路基板，ＣＳＰ，ＭＥＭＳ素子等の電子部品製造の接続端子や配線パターン形成等に利用），レジストフィルム，液状レジスト，ネガ型レジスト（半導体素子等の表面保護膜，層間絶縁膜，平坦化膜等の永久膜形成等に利用），ＭＥＭＳ用レジスト，ポジ型感光性材料，ネガ型感光性材料，各種接着剤（各種電子部品用仮固定剤，ＨＤＤ用接着剤，ピックアップレンズ用接着剤，ＦＰＤ用機能性フィルム（偏向板，反射防止膜等）用接着剤等），ホログラフ用樹脂，ＦＰＤ材料（カラーフィルター，ブラックマトリックス，隔壁材料，ホトスペーサー，リブ，液晶用配向膜等の形成とＦＰＤ用シール剤等に利用），光学部材，成形材料（建築材料用，光学部品，レンズ等），注型材料，パテ，ガラス繊維含浸剤，目止め材，シーリング材，封止材，光半導体（ＬＥＤ）封止材，光導波路材料，ナノインプリント材料，光造用，及びマイクロ光造形用材料等に用いられる光酸発生剤として，好適である。また，本発明のエネルギー線硬化性組成物及び硬化体は，上記の用途に好適である。

式（１）及び（２）において，Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アルキル基としては，炭素数１〜１８の直鎖アルキル基（メチル，エチル，ｎ−プロピル，ｎ−ブチル，ｎ−ペンチル，ｎ−オクチル，ｎ−デシル，ｎ−ドデシル，ｎ−テトラデシル，ｎ−ヘキサデシル及びｎ−オクタデシル等），炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル基（イソプロピル，イソブチル，sec−ブチル，tert−ブチル，イソペンチル，ネオペンチル，tert−ペンチル，イソヘキシル及びイソオクタデシル），及び炭素数３〜１８のシクロアルキル基（シクロプロピル，シクロブチル，シクロペンチル，シクロヘキシル及び４−デシルシクロヘキシル等）等が挙げられる。これらのうち，特に好ましいのは，メチル基である。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アルコキシル基としては，炭素数１〜１８の直鎖アルコキシル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルコキシル基（メトキシ，エトキシ，プロポキシ，イソプロポキシ，ブトキシ，イソブトキシ，sec−ブトキシ，tert−ブトキシ，ヘキシルオキシ，デシルオキシ，ドデシルオキシ及びオクタデシルオキシ等）等が挙げられる。これらのうち，特に好ましいのは，メトキシ基である。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アルキルカルボニル基としては，炭素数２〜１８の直鎖アルキルカルボニル基又は炭素数４〜１８の分枝鎖アルキルカルボニル基（アセチル，プロピオニル，ブタノイル，２−メチルプロピオニル，ヘプタノイル，２−メチルブタノイル，３−メチルブタノイル，オクタノイル，デカノイル，ドデカノイル及びオクタデカノイル等）等が挙げられる。これらのうち，特に好ましいのは，アセチル基である。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリールカルボニル基としては，炭素数７〜１１のアリールカルボニル基（ベンゾイル及びナフトイル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アルコキシカルボニル基としては，炭素数２〜１９の直鎖アルコキシカルボニル基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル，エトキシカルボニル，プロポキシカルボニル，イソプロポキシカルボニル，ブトキシカルボニル，イソブトキシカルボニル，ｓｅｃ−ブトキシカルボニル，tert−ブトキシカルボニル，オクチロキシカルボニル，テトラデシルオキシカルボニル及びオクタデシロキシカルボニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリールオキシカルボニル基としては，炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基（フェノキシカルボニル及びナフトキシカルボニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリールチオカルボニル基としては，炭素数７〜１１のアリールチオカルボニル基（フェニルチオカルボニル及びナフトキシチオカルボニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アシロキシ基としては，炭素数２〜１９の直鎖アシロキシ基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アシロキシ基（アセトキシ，エチルカルボニルオキシ，プロピルカルボニルオキシ，イソプロピルカルボニルオキシ，ブチルカルボニルオキシ，イソブチルカルボニルオキシ，ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ，tert−ブチルカルボニルオキシ，オクチルカルボニルオキシ，テトラデシルカルボニルオキシ及びオクタデシルカルボニルオキシ等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリールチオ基としては，炭素数６〜２０のアリールチオ基（フェニルチオ，２−メチルフェニルチオ，３−メチルフェニルチオ，４−メチルフェニルチオ，２−クロロフェニルチオ，３−クロロフェニルチオ，４−クロロフェニルチオ，２−ブロモフェニルチオ，３−ブロモフェニルチオ，４−ブロモフェニルチオ，２−フルオロフェニルチオ，３−フルオロフェニルチオ，４−フルオロフェニルチオ，２−ヒドロキシフェニルチオ，４−ヒドロキシフェニルチオ，２−メトキシフェニルチオ，４−メトキシフェニルチオ，１−ナフチルチオ，２−ナフチルチオ，４−［４−（フェニルチオ）ベンゾイル］フェニルチオ，４−［４−（フェニルチオ）フェノキシ］フェニルチオ，４−［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルチオ，４−（フェニルチオ）フェニルチオ，４−ベンゾイルフェニルチオ，４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ，４−ベンゾイル−３−クロロフェニルチオ，４−ベンゾイル−３−メチルチオフェニルチオ，４−ベンゾイル−２−メチルチオフェニルチオ，４−（４−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ，４−（２−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ，４−（ｐ−メチルベンゾイル）フェニルチオ，４−（ｐ−エチルベンゾイル）フェニルチオ４−（ｐ−イソプロピルベンゾイル）フェニルチオ及び４−（ｐ−tert−ブチルベンゾイル）フェニルチオ等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アルキルチオ基としては，炭素数１〜１８の直鎖アルキルチオ基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルチオ基（メチルチオ，エチルチオ，プロピルチオ，イソプロピルチオ，ブチルチオ，イソブチルチオ，sec−ブチルチオ，tert−ブチルチオ，ペンチルチオ，イソペンチルチオ，ネオペンチルチオ，tert−ペンチルチオ，オクチルチオ，デシルチオ，ドデシルチオ及びイソオクタデシルチオ等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリール基としては，炭素数６〜１０のアリール基（フェニル，トリル，ジメチルフェニル及びナフチル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，複素環式炭化水素基としては，炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基（チエニル，フラニル，ピラニル，ピロリル，オキサゾリル，チアゾリル，ピリジル，ピリミジル，ピラジニル，インドリル，ベンゾフラニル，ベンゾチエニル，キノリル，イソキノリル，キノキサリニル，キナゾリニル，カルバゾリル，アクリジニル，フェノチアジニル，フェナジニル，キサンテニル，チアントレニル，フェノキサジニル，フェノキサチイニル，クロマニル，イソクロマニル，ジベンゾチエニル，キサントニル，チオキサントニル及びジベンゾフラニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリールオキシ基としては，炭素数６〜１０のアリールオキシ基（フェノキシ及びナフチルオキシ等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アルキルスルフィニル基としては，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルフィニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルフィニル基（メチルスルフィニル，エチルスルフィニル，プロピルスルフィニル，イソプロピルスルフィニル，ブチルスルフィニル，イソブチルスルフィニル，sec−ブチルスルフィニル，tert−ブチルスルフィニル，ペンチルスルフィニル，イソペンチルスルフィニル，ネオペンチルスルフィニル，tert−ペンチルスルフィニル，オクチルスルフィニル及びイソオクタデシルスルフィニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリールスルフィニル基としては，炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基（フェニルスルフィニル，トリルスルフィニル及びナフチルスルフィニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アルキルスルホニル基としては，炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルホニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルホニル基（メチルスルホニル，エチルスルホニル，プロピルスルホニル，イソプロピルスルホニル，ブチルスルホニル，イソブチルスルホニル，sec−ブチルスルホニル，tert−ブチルスルホニル，ペンチルスルホニル，イソペンチルスルホニル，ネオペンチルスルホニル，tert−ペンチルスルホニル，オクチルスルホニル及びオクタデシルスルホニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，アリールスルホニル基としては，炭素数６〜１０のアリールスルホニル基（フェニルスルホニル，トリルスルホニル（トシル基）及びナフチルスルホニル等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基としては，式（３）で示されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基等が挙げられる。

〔ＡＯはエチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基，ｑは１〜５の整数を表す。〕

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，置換されていてよいアミノ基としては，アミノ基（−ＮＨ_２）及び炭素数１〜１５の，飽和炭化水素基又は芳香族基を含んでよい炭化水素基置換基で置換された置換アミノ基（メチルアミノ，ジメチルアミノ，エチルアミノ，メチルエチルアミノ，ジエチルアミノ，ｎ−プロピルアミノ，メチル−ｎ−プロピルアミノ，エチル−ｎ−プロピルアミノ，ｎ−プロピルアミノ，イソプロピルアミノ，イソプロピルメチルアミノ，イソプロピルエチルアミノ，ジイソプロピルアミノ，フェニルアミノ，ジフェニルアミノ，メチルフェニルアミノ，エチルフェニルアミノ，ｎ−プロピルフェニルアミノ及びイソプロピルフェニルアミノ等）等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９のうち，ハロゲン原子基としては，フッ素原子，塩素原子，臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^９は，相互に独立であり，従って，互いに同一でも異なっていてもよい。

ｍ^１〜ｍ^９，はそれぞれＲ^１〜Ｒ^９の個数を表し，ｍ^４，ｍ^６，ｍ^７及びｍ^９は０〜５の整数であり，好ましくは０〜３，さらに好ましくは０〜２，特に好ましくは０又は１であり，また，ｍ^１，ｍ^２，ｍ^３，ｍ^５及びｍ^８は０〜４の整数であり，好ましくは０〜３，さらに好ましくは０〜２，特に好ましくは０又は１である。ｍ^１〜ｍ^６がこれら好ましい範囲にあると，スルホニウム塩の光感応性がさらに良好となる。

Ａ_１は，Ｓ（硫黄原子），ＳＯ（スルホキシド）を表す。それぞれのＡ_１は同一であっても異なっても良い。Ａ_１がＳの場合，スルホニウム塩の光感応性がさらに良好となるため好ましい。

本発明のスルホニウムのうち，下記構造のものが光感応性の点で特に好ましい。

式（１）及び式（２）において，Ｘ⁻は，本発明のスルホニウム塩に活性エネルギー線（可視光，紫外線，電子線及びＸ線等）を照射することにより発生する酸（ＨＸ）に対応するアニオンである。Ｘ⁻は，一価の多原子アニオンであるということ以外には制限がないが，ＭＹ_ａ ⁻，（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１１ＳＯ_３ ⁻，（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻又は（Ｒ^１１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻で示されるアニオンが好ましい。

Ｍは，リン原子，ホウ素原子又はアンチモン原子を表す。
Ｙはハロゲン原子（フッ素原子が好ましい。）を表す。

Ｒｆは，水素原子の８０モル％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基（炭素数１〜８のアルキル基が好ましい。）を表す。フッ素置換によりＲｆとするアルキル基としては，直鎖アルキル基（メチル，エチル，プロピル，ブチル，ペンチル及びオクチル等），分枝鎖アルキル基（イソプロピル，イソブチル，sec−ブチル及びtert−ブチル等）及びシクロアルキル基（シクロプロピル，シクロブチル，シクロペンチル及びシクロヘキシル等）等が挙げられる。Ｒｆにおいてこれらのアルキル基の水素原子がフッ素原子に置換されている割合は，もとのアルキル基が有していた水素原子のモル数に基づいて，８０モル％以上が好ましく，さらに好ましくは９０％以上，特に好ましくは１００％である。フッ素原子による置換割合がこれら好ましい範囲にあると，スルホニウム塩の光感応性がさらに良好となる。特に好ましいＲｆとしては，ＣＦ_３−，ＣＦ_３ＣＦ_２−，（ＣＦ_３）_２ＣＦ−，ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２−，ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−，（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２−，ＣＦ_３ＣＦ_２（ＣＦ_３）ＣＦ−及び（ＣＦ_３）_３Ｃ−が挙げられる。ｂ個のＲｆは，相互に独立であり，従って，互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｐは，リン原子，Ｆは，フッ素原子を表す。

Ｒ^１０は，水素原子の一部が少なくとも１個の元素又は電子求引基で置換されたフェニル基を表す。そのような１個の元素の例としては，ハロゲン原子が含まれ，フッ素原子，塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。電子求引基としては，トリフルオロメチル基，ニトロ基及びシアノ基等が挙げられる。これらのうち，１個の水素原子がフッ素原子又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基が好ましい。ｃ個のＲ^１０は相互に独立であり，従って，互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｂは，ホウ素原子，Ｇａは，ガリウム原子を表す。

Ｒ^１１は，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基を表し，アルキル基及びパーフルオロアルキル基は直鎖，分枝鎖状又は環状のいずれでもよく，アリール基は無置換であっても，置換基を有していてもよい。

Ｓはイオウ原子，Ｏは酸素原子，Ｃは炭素原子，Ｎは窒素原子を表す。
ａは４〜６の整数を表す。
ｂは，１〜５の整数が好ましく，さらに好ましくは２〜４，特に好ましくは２又は３である。
ｃは，１〜４の整数が好ましく，さらに好ましくは４である。

ＭＹ_ａ ⁻で示されるアニオンとしては，ＳｂＦ_６ ⁻，ＰＦ_６ ⁻又はＢＦ_４ ⁻等が挙げられる。

（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻で示されるアニオンとしては，（ＣＦ_３ＣＦ_２）_２ＰＦ_４ ⁻，（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻，（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_２ＰＦ_４ ⁻，（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_３ＰＦ_３ ⁻，（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２）_２ＰＦ_４ ⁻，（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻，（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_２ＰＦ_４ ⁻，（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻，（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_２ＰＦ_４ ⁻又は（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻等が挙げられる。これらのうち，（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻，（ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻，（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_３ＰＦ_３ ⁻，（（ＣＦ_３）_２ＣＦ）_２ＰＦ_４ ⁻，（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻又は（（ＣＦ_３）_２ＣＦＣＦ_２）_２ＰＦ_４ ⁻が好ましい。

Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻で示されるアニオンとしては，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻，（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｂ⁻，（ＣＦ_３Ｃ_６Ｈ_４）_４Ｂ⁻，（Ｃ_６Ｆ_５）_２ＢＦ_２ ⁻，Ｃ_６Ｆ_５ＢＦ_３ ⁻又は（Ｃ_６Ｈ_３Ｆ_２）_４Ｂ⁻等が挙げられる。これらのうち，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻又は（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｂ⁻が好ましい。

Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻で示されるアニオンとしては，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｇａ⁻，（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｇａ⁻，（ＣＦ_３Ｃ_６Ｈ_４）_４Ｇａ⁻，（Ｃ_６Ｆ_５）_２ＧａＦ_２ ⁻，Ｃ_６Ｆ_５ＧａＦ_３ ⁻又は（Ｃ_６Ｈ_３Ｆ_２）_４Ｇａ⁻等が挙げられる。これらのうち，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｇａ⁻又は（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｇａ⁻が好ましい。

Ｒ^１１ＳＯ_３ ⁻で示されるアニオンとしては，トリフルオロメタンスルホン酸アニオン，ペンタフルオロエタンスルホン酸アニオン，ヘプタフルオロプロパンスルホン酸アニオン，ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン，ペンタフルオロフェニルスルホン酸アニオン，ｐ−トルエンスルホン酸アニオン，ベンゼンスルホン酸アニオン，ナフタレンスルホン酸アニオン，アントラセンスルホン酸アニオン，カンファースルホン酸アニオン，メタンスルホン酸アニオン，エタンスルホン酸アニオン，プロパンスルホン酸アニオン及びブタンスルホン酸アニオン等が挙げられる。これらのうち，トリフルオロメタンスルホン酸アニオン，ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン，ベンゼンスルホン酸アニオン又はｐ−トルエンスルホン酸アニオンが好ましい。

（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻で示されるアニオンとしては，（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻，（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_３Ｃ⁻，（Ｃ_３Ｆ_７ＳＯ_２）_３Ｃ⁻又は（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_３Ｃ⁻等が挙げられる。

（Ｒ^１１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻で示されるアニオンとしては，（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻，（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ⁻，（Ｃ_３Ｆ_７ＳＯ_２）_２Ｎ⁻又は（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_２Ｎ⁻等が挙げられる。

一価の多原子アニオンとしては，ＭＹ_ａ ⁻，（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１１ＳＯ_３ ⁻，（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻又は（Ｒ^１１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻で示されるアニオン以外に，過ハロゲン酸イオン（ＣｌＯ_４ ⁻，ＢｒＯ_４ ⁻等），ハロゲン化スルホン酸イオン（ＦＳＯ_３ ⁻，ＣｌＳＯ_３ ⁻等），硫酸イオン（ＣＨ_３ＳＯ_４ ⁻，ＣＦ_３ＳＯ_４ ⁻，ＨＳＯ_４ ⁻等），炭酸イオン（ＨＣＯ_３ ⁻，ＣＨ_３ＣＯ_３ ⁻等），アルミン酸イオン（ＡｌＣｌ_４ ⁻，ＡｌＦ_４ ⁻等），ヘキサフルオロビスマス酸イオン（ＢｉＦ_６ ⁻），カルボン酸イオン（ＣＨ_３ＣＯＯ⁻，ＣＦ_３ＣＯＯ⁻，Ｃ_６Ｈ_５ＣＯＯ⁻，ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＣＯＯ⁻，Ｃ_６Ｆ_５ＣＯＯ⁻，ＣＦ_３Ｃ_６Ｈ_４ＣＯＯ⁻等），アリールホウ酸イオン（Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５）_４ ⁻，ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５）_３ ⁻等），チオシアン酸イオン（ＳＣＮ⁻）及び硝酸イオン（ＮＯ_３ ⁻）等が使用できる。

これらのアニオンＸのうち，カチオン重合性能の点で，ＭＹ_ａ ⁻，（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１１ＳＯ_３ ⁻，（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻又は（Ｒ^１１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻で示されるアニオンが好ましく，ＭＹ_ａ ⁻，（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻又は（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻がさらに好ましく，ＳｂＦ_６ ⁻，ＰＦ_６ ⁻，（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻，（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｂ⁻，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｇａ⁻，（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｇａ⁻又は（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻が特に好ましい。

該光酸発生剤に含まれる式（１）で示されるスルホニウム塩と式（２）で示されるスルホニウム塩の合計量（１００モル％）のうち，式（１）のスルホニウム塩の割合は，少なくとも５０モル％とするのが好ましく，少なくとも７０モル％とするのがより好ましく，少なくとも８０モル％とするのが更に好ましい。式（１）のスルホニウム塩の比率が５０モル％を下回るとスルホニウム塩の熱安定性が低くなり，カチオン重合性化合物との配合物としたときの貯蔵安定性が悪くなるためである。なお，式（２）のスルホニウム塩は光硬化性能を高める働きをするが，その配合割合に特に明確な下限はなく，０．５モル％以上，１モル％以上，５モル％以上等としてよい。従って，例えば，両者の合計量のうち，式（１）で示されるスルホニウム塩を５０〜９９．５モル％，５０〜９９モル％，５０〜９５モル％等とすることができる。

本発明のスルホニウム塩混合物は，例えば，以下に述べる製造方法（１）で製造できる。

＜製造方法（１）＞
次反応式で示される方法（たとえば，第４版実験化学講座２４巻，１９９２年，丸善株式会社発行，３７６頁，特開平７−３２９３９９号公報，特開平８−１６５２９０号公報，特開平１０−２１２２８６号公報又は特開平１０−７６８０号公報等に記載されている方法）。

上記の反応式中，Ｒ^１〜Ｒ^９，Ｓ，Ｏ，Ａ_１，Ｘ⁻，ｍ^１〜ｍ^９は，式（１）及び（２）における定義に同じである。Ｈは水素原子を表す。
ＨＸ’は，一価の多原子アニオンの共役酸を表す。ＨＸ’としては，入手しやすさ，酸の安定性及び反応収率の観点から，メタンスルホン酸，パーフルオロメタンスルホン酸及び硫酸が好ましい。
脱水剤は，たとえば，無水リン酸及び無水酢酸等を表す。
一価の多原子アニオン（Ｘ’⁻）は，たとえば，上記のように副分解反応により，本発明の他のアニオン（Ｘ⁻）に交換することができる。
ＤＸは，アルカリ金属（リチウム，ナトリウム及びカリウム等）カチオンと本発明の他のアニオン（例えば，ＭＹ_ａ ⁻，（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１１ＳＯ_３ ⁻，（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻，Ｒ^１１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻等で示されるアニオン）との塩を表す。
ＤＸ’は，アルカリ金属（リチウム，ナトリウム及びカリウム等）カチオンと一価の多原子アニオン（メタンスルホン酸アニオン，パーフルオロメタンスルホン酸アニオン及び硫酸水素アニオンが好ましい。）との塩を表す。

本発明のスルホニウム塩である＜Ｇ５（Ｇ３）＞及び＜Ｇ６（Ｇ４）＞の比率は，原料となるスルフィド＜Ｇ１＞とスルホキシド＜Ｇ２＞の比率により調整可能で，スルフィドに対するスルホキシドのモル比を過剰にすると，＜Ｇ６（Ｇ４）＞の生成比率が高くなり，スルフィドに対するスルホキシドのモル比を少なくすると＜Ｇ５（Ｇ３）＞の生成比率が高くなる。

上記反応式中，第１段目の反応は，無溶剤下で行ってもよいし，必要により有機溶媒（アセトニトリル，テトラヒドロフラン，ジオキサン，エタノール，アセトン等）中で行ってもよい。反応温度は，２０〜１０５℃程度である。反応時間は，１〜数十時間程度である。

第２段目の反応は，第１段目の反応に引き続いて行ってもよいし，反応中間体（Ｇ３）及び（Ｇ４）を単離（必要に応じて精製）してから行ってもよい。反応中間体（Ｇ３）及び（Ｇ４）と，アルカリ金属カチオンと本発明のアニオンとの塩（ＭＸ）の水溶液とを混合・撹拌して，複分解反応を行い，析出する固体をろ別するか，または分離した油状物を有機溶媒で抽出して有機溶媒を除去することにより，本発明のスルホニウム塩が固体あるいは粘調な液体として得られる。得られる固体又は粘稠液体は必要に応じて適当な有機溶媒で洗浄するか，再結晶法もしくはカラムクロマトグラフィー法により精製することができる（以下，同様である。）。

＜製造方法（２）＞
上記＜Ｇ２＞は下記反応式のように，第４版実験化学講座２３巻（１９９１年，丸善），２７６〜２７７頁等に記載されている酸化反応によって合成できる。

反応式中，Ｒ^４〜Ｒ^６，Ｓ，Ｏ，Ａ_１，ｍ^４〜ｍ^６は，式（１）及び（２）における定義に同じである。
酸化剤は，酸化剤（過酸化水素等）を表す。

本発明のスルホニウム塩の化学構造は，一般的な分析手法（たとえば，^１Ｈ−，^１１Ｂ−，^１３Ｃ−，^１９Ｆ−，^３１Ｐ−核磁気共鳴スペクトル，赤外吸収スペクトル及び／又は元素分析等）によって同定することができる。

本発明のスルホニウム塩の混合物は，光酸発生剤として好適である。
光酸発生剤とは，光照射によりその化学構造が分解し，酸を発生するものをいう。発生した酸は，エポキシドの硬化反応等の触媒として適用できる。
本発明の光酸発生剤は，本発明の混合物をそのまま使用してもよいし，これに他の光酸発生剤を含有させて使用してもよい。

他の光酸発生剤を含有する場合，他の光酸発生剤の含有量（モル％）は，混合物のスルホニウム塩の総モル数に基づいて，１〜１００が好ましく，さらに好ましくは５〜５０である。

他の光酸発生剤としては，オニウムイオン（スルホニウム，ヨードニウム，セレニウム，アンモニウム及びホスホニウム等）又は遷移金属錯体イオンと，アニオンとの塩等の従来公知のものが含まれる。

アニオンとしては，ＭＹ_ａ ⁻，（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１１ＳＯ_３ ⁻，（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻又は（Ｒ^１１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻で示されるアニオン以外に，過ハロゲン酸イオン（ＣｌＯ_４ ⁻，ＢｒＯ_４ ⁻等），ハロゲン化スルホン酸イオン（ＦＳＯ_３ ⁻，ＣｌＳＯ_３ ⁻等），硫酸イオン（ＣＨ_３ＳＯ_４ ⁻，ＣＦ_３ＳＯ_４ ⁻，ＨＳＯ_４ ⁻等），炭酸イオン（ＨＣＯ_３ ⁻，ＣＨ_３ＣＯ_３ ⁻等），アルミン酸イオン（ＡｌＣｌ_４ ⁻，ＡｌＦ_４ ⁻等），ヘキサフルオロビスマス酸イオン（ＢｉＦ_６ ⁻），カルボン酸イオン（ＣＨ_３ＣＯＯ⁻，ＣＦ_３ＣＯＯ⁻，Ｃ_６Ｈ_５ＣＯＯ⁻，ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＣＯＯ⁻，Ｃ_６Ｆ_５ＣＯＯ⁻，ＣＦ_３Ｃ_６Ｈ_４ＣＯＯ⁻等），アリールホウ酸イオン（Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５）_４ ⁻，ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５）_３ ⁻等），チオシアン酸イオン（ＳＣＮ⁻）及び硝酸イオン（ＮＯ_３ ⁻）等が使用できる。
ここで，Ｍは，リン原子，ホウ素原子又はアンチモン原子を表す。

スルホニウムイオンとしては，トリアリールスルホニウム，ジアリールスルホニウム，モノアリールスルホニウム及びトリアルキルスルホニウムが含まれる。

トリアリールスルホニウムとしては，トリフェニルスルホニウム，トリ−ｐ−トリルスルホニウム，トリ−ｏ−トリルスルホニウム，トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム，１−ナフチルジフェニルスルホニウム，２−ナフチルジフェニルスルホニウム，トリス（４−フルオロフェニル）スルホニウム，トリ−１−ナフチルスルホニウム，トリ−２−ナフチルスルホニウム，トリス（４−ヒドロキシフェニル）スルホニウム，４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム，４−（ｐ−トリルチオ）フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム，４−（４−メトキシフェニルチオ）フェニルビス（４−メトキシフェニル）スルホニウム，４−（フェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム，４−（フェニルチオ）フェニルビス（４−メトキシフェニル）スルホニウム，４−（フェニルチオ）フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム，ビス［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィド，ビス〔４−｛ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホニオ｝フェニル〕スルフィド，ビス｛４−［ビス（４−フルオロフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィド，ビス｛４−［ビス（４−メチルフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィド，ビス｛４−［ビス（４−メトキシフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィド，４−（４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム，４−（４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム，４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム，４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム，７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジ−ｐ−トリルスルホニウム，７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イルジフェニルスルホニウム，２−［（ジ−ｐ−トリル）スルホニオ］チオキサントン，２−［（ジフェニル）スルホニオ］チオキサントン，２−｛［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホニオ｝チオキサントン，４−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム，４−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジフェニルスルホニウム，４−［４−（ベンゾイルフェニルチオ）］フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム，４−［４−（ベンゾイルフェニルチオ）］フェニルジフェニルスルホニウム，５−（４−メトキシフェニル）チアアンスレニウム，５−フェニルチアアンスレニウム，５−トリルチアアンスレニウム，５−（４−エトキシフェニル）チアアンスレニウム及び５−（２，４，６−トリメチルフェニル）チアアンスレニウム等が挙げられる（米国特許第４２３１９５１号，米国特許第４２５６８２８号，特開昭６１−１００５５７号，特開平７−６１９６４号，特開平７−１０９１４号，特開平７−２５９２２号，特開平８−２７２０８号，特開平８−２７２０９号，特開平８−１６５２９０号，特開平８−３０１９９１号，特開平９−１４３２１２号，特開平９−２７８８１３号，特開平１０−７６８０号，特開平１０−２１２２８６号，特開平１０−２８７６４３号，特開平１０−２４５３７８号，特開平８−１５７５１０号，特開平１０−２０４０８３号，特開平８−２４５５６６号，特開平８−１５７４５１号，特開平７−３２４０６９号，特開平９−２６８２０５号，特開平９−２７８９３５号，特開２００１−２８８２０５号，特開平１１−８０１１８号，特開平１０−１８２８２５号，特開平１０−３３０３５３，特開平１０−１５２４９５，特開平５−２３９２１３号，特開平７−３３３８３４号，特開平９−１２５３７号，特開平８−３２５２５９号，特開平８−１６０６０６号，特開２０００−１８６０７１号（米国特許第６３６８７６９号），特表２００５−５０１０４０号，特開２００５−５３０６９８号，特開２００６−１０４１８５号，特表２００６−５１８３３２号及び特開２００７−２５４４５４号等）。

ジアリールスルホニウムとしては，ジフェニルフェナシルスルホニウム，ジフェニル４−ニトロフェナシルスルホニウム，ジフェニルベンジルスルホニウム及びジフェニルメチルスルホニウム等が挙げられる（特開平７−３００５０４号，特開昭６４−４５３５７号及び特開昭６４−２９４１９号等）。

モノアリールスルホニウムとしては，フェニルメチルベンジルスルホニウム，４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム，４−メトキシフェニルメチルベンジルスルホニウム，４−アセトカルボニルオキシフェニルメチルベンジルスルホニウム，２−ナフチルメチルベンジルスルホニウム，２−ナフチルメチル（１−エトキシカルボニル）エチルスルホニウム，フェニルメチルフェナシルスルホニウム，４−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム，４−メトキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム，４−アセトカルボニルオキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム，２−ナフチルメチルフェナシルスルホニウム，２−ナフチルオクタデシルフェナシルスルホニウム及び９−アントラセニルメチルフェナシルスルホニウム等が挙げられる（特開平６−３４５７２６号，特開平８−３２５２２５号，特開平９−１１８６６３号（米国特許第６０９３７５３号），特開平２−１９６８１２号，特開平２−１４７０号，特開平２−１９６８１２号，特開平３−２３７１０７号，特開平３−１７１０１号，特開平６−２２８０８６号，特開平１０−１５２４６９号，特開平７−３００５０５号，特開２０００−３９７０６号，特開２００３−２７７３５３及び特開２００３−２７７３５２等）。

トリアルキルスルホニウムとしては，ジメチルフェナシルスルホニウム，フェナシルテトラヒドロチオフェニウム，ジメチルベンジルスルホニウム，ベンジルテトラヒドロチオフェニウム及びオクタデシルメチルフェナシルスルホニウム等が挙げられる（特開平４−３０８５６３号，特開平５−１４０２１０号，特開平５−１４０２０９号，特開平５−２３０１８９号，特開平６−２７１５３２号，特開昭５８−３７００３号，特開平２−１７８３０３号，特開平１０−３３８６８８号，特開平９−３２８５０６号，特開平１１−２２８５３４号，特開平８−２７１０２号，特開平７−３３３８３４号，特開平５−２２２１６７号，特開平１１−２１３０７号，特開平１１−３５６１３号及び米国特許第６０３１０１４号等）。

ヨードニウムイオンとしては，ジフェニルヨードニウム，ジ−ｐ−トリルヨードニウム，ビス（４−ドデシルフェニル）ヨードニウム，ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウム，（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム，ビス（４−デシルオキシフェニル）ヨードニウム，４−（２−ヒドロキシテトラデシルオキシ）フェニルフェニルヨードニウム，４−イソプロピルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウム，イソブチルフェニル（ｐ−トリル）ヨードニウム等が挙げられる（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１０，１３０７（１９７７），特開平６−１８４１７０号，米国特許第４２５６８２８号，米国特許第４３５１７０８号，特開昭５６−１３５５１９号，特開昭５８−３８３５０号，特開平１０−１９５１１７号，特開２００１−１３９５３９号，特開２０００−５１０５１６号及び特開２０００−１１９３０６号等）。

セレニウムイオンとしては，トリアリールセレニウム（トリフェニルセレニウム，トリ−ｐ−トリルセレニウム，トリ−ｏ−トリルセレニウム，トリス（４−メトキシフェニル）セレニウム，１−ナフチルジフェニルセレニウム，トリス（４−フルオロフェニル）セレニウム，トリ−１−ナフチルセレニウム，トリ−２−ナフチルセレニウム，トリス（４−ヒドロキシフェニル）セレニウム，４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルセレニウム及び４−（ｐ−トリルチオ）フェニルジ−ｐ−トリルセレニウム等），ジアリールセレニウム（ジフェニルフェナシルセレニウム，ジフェニルベンジルセレニウム及びジフェニルメチルセレニウム等），モノアリールセレニウム（フェニルメチルベンジルセレニウム，４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルセレニウム，フェニルメチルフェナシルセレニウム，４−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルセレニウム及び４−メトキシフェニルメチルフェナシルセレニウム等）及びトリアルキルセレニウム（ジメチルフェナシルセレニウム，フェナシルテトラヒドロセレノフェニウム，ジメチルベンジルセレニウム，ベンジルテトラヒドロセレノフェニウム及びオクタデシルメチルフェナシルセレニウム等）等が挙げられる（特開昭５０−１５１９９７号，特開昭５０−１５１９７６号，特開昭５３−２２５９７号等）。

アンモニウムイオンとしては，テトラアルキルアンモニウム（テトラメチルアンモニウム，エチルトリメチルアンモニウム，ジエチルジメチルアンモニウム，トリエチルメチルアンモニウム，テトラエチルアンモニウム，トリメチル−ｎ−プロピルアンモニウム，トリメチルイソプロピルアンモニウム，トリメチル−ｎ−ブチルアンモニウム，トリメチルイソブチルアンモニウム，トリメチル−ｔ−ブチルアンモニウム，トリメチル−ｎ−ヘキシルアンモニウム，ジメチルジ−ｎ−プロピルアンモニウム，ジメチルジイソプロピルアンモニウム，ジメチル−ｎ−プロピルイソプロピルアンモニウム，メチルトリ−ｎ−プロピルアンモニウム及びメチルトリイソプロピルアンモニウム等），ピロリジニウム（Ｎ，Ｎ−ジメチルピロリジニウム，Ｎ−エチル−Ｎ−メチルピロリジニウム及びＮ，Ｎ−ジエチルピロリジニウム等），イミダゾリニウム（Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリニウム，Ｎ，Ｎ′−ジエチルイミダゾリニウム，Ｎ−エチル−Ｎ′−メチルイミダゾリニウム，１，２，３−トリメチルイミダゾリニウム，１，３，４−トリメチルイミダゾリニウム，１，３−ジエチル−２−メチルイミダゾリニウム，１，３−ジエチル−４−メチルイミダゾリニウム及び１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリニウム等），テトラヒドロピリミジニウム（Ｎ，Ｎ′−ジメチルテトラヒドロピリミジニウム，Ｎ，Ｎ′−ジエチルテトラヒドロピリミジニウム，Ｎ−エチル−Ｎ′−メチルテトラヒドロピリミジニウム及び１，２，３−トリメチルテトラヒドロピリミジニウム等），モルホリニウム（Ｎ，Ｎ′−ジメチルモルホリニウム，Ｎ−エチル−Ｎ−メチルモルホリニウム及びＮ，Ｎ−ジエチルモルホリニウム等），ピペリジニウム（Ｎ，Ｎ−ジメチルピペリジニウム，Ｎ−エチル−Ｎ′−メチルピペリジニウム及びＮ，Ｎ′−ジエチルピペリジニウム等），ピリジニウム（Ｎ−メチルピリジニウム，Ｎ−エチルピリジニウム，Ｎ−ｎ−プロピルピリジニウム，Ｎ−イソプロピルピリジニウム，Ｎ−ｎ−ブチルピリジニウム，Ｎ−ベンジルピリジニウム及びＮ−フェナシルピリジウム等），イミダゾリウム（Ｎ，Ｎ′−ジメチルイミダゾリウム，Ｎ−エチル−Ｎ−メチルイミダゾリウム，Ｎ，Ｎ′−ジエチルイミダゾリウム，１，２−ジエチル−３−メチルイミダゾリウム，１，３−ジエチル−２−メチルイミダゾリウム及び１−メチル−３−ｎ−プロピル−２，４−ジメチルイミダゾリウム等），キノリウム(Ｎ−メチルキノリウム，Ｎ−エチルキノリウム，Ｎ−ｎ−プロピルキノリウム，Ｎ−イソプロピルキノリウム，Ｎ−ｎ−ブチルキノリウム，Ｎ−ベンジルキノリウム及びＮ−フェナシルキノリウム等)，イソキノリウム（Ｎ−メチルイソキノリウム，Ｎ−エチルイソキノリウム，Ｎ−ｎ−プロピルイソキノリウム，Ｎ−イソプロピルイソキノリウム，Ｎ−ｎ−ブチルイソキノリウム，Ｎ−ベンジルイソキノリウム及びＮ−フェナシルイソキノリウム等），チアゾニウム（ベンジルベンゾチアゾニウム及びフェナシルベンゾチアゾニウム等），及びアルリジニウム（ベンジルアクリジウム及びフェナシルアクリジウム等）等が挙げられる（米国特許第４０６９０５５号，特許公報第２５１９４８０号，特開平５−２２２１１２号，特開平５−２２２１１１号，特開平５−２６２８１３号，特開平５−２５５２５６号，特開平７−１０９３０３号，特開平１０−１０１７１８号，特開平２−２６８１７３号，特開平９−３２８５０７号，特開平５−１３２４６１号，特開平９−２２１６５２号，特開平７−４３８５４号，特開平７−４３９０１号，特開平５−２６２８１３号，特開平４−３２７５７４，特開平２−４３２０２号，特開昭６０−２０３６２８号，特開昭５７−２０９９３１号及び特開平９−２２１６５２号等）。

ホスホニウムイオンとしては，テトラアリールホスホニウム（テトラフェニルホスホニウム，テトラ−ｐ−トリルホスホニウム，テトラキス（２−メトキシフェニル）ホスホニウム，テトラキス（３−メトキシフェニル）ホスホニウム及びテトラキス（４−メトキシフェニル）ホスホニウム等），トリアリールホスホニウム（トリフェニルベンジルホスホニウム，トリフェニルフェナシルホスホニウム，トリフェニルメチルホスホニウム及びトリフェニルブチルホスホニウム等，及びテトラアルキルホスホニウム（トリエチルベンジルホスホニウム，トリブチルベンジルホスホニウム，テトラエチルホスホニウム，テトラブチルホスホニウム，テトラヘキシルホスホニウム，トリエチルフェナシルホスホニウム及びトリブチルフェナシルホスホニウム等）等が挙げられる（特開平６−１５７６２４号，特開平５−１０５６９２号，特開平７−８２２８３号及び特開平９−２０２８７３号等）。

遷移金属錯体イオンとしては，クロム錯体カチオン｛（η５−シクロペンタジエニル）（η６−トルエン）Ｃｒ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−キシレン）Ｃｒ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−１−メチルナフタレン）Ｃｒ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−クメン）Ｃｒ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−メシチレン）Ｃｒ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−ピレン）Ｃｒ^＋，（η５−フルオレニル）（η６−クメン）Ｃｒ^＋，（η５−インデニル）（η６−クメン）Ｃｒ^＋，ビス（η６−メシチレン）Ｃｒ^２＋，ビス（η６−キシレン）Ｃｒ^２＋，ビス（η６−クメン）Ｃｒ^２＋，ビス（η６−トルエン）Ｃｒ^２＋，（η６−トルエン）（η６−キシレン）Ｃｒ^２＋，（η６−クメン）（η６−ナフタレン）Ｃｒ^２＋，ビス（η５−シクロペンタジエニル）Ｃｒ^＋，ビス（η５−インデニル）Ｃｒ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η５−フルオレニル）Ｃｒ^＋及び（η５−シクロペンタジエニル）（η５−インデニル）Ｃｒ^＋等｝，及び鉄錯体カチオン｛（η５−シクロペンタジエニル）（η６−トルエン）Ｆｅ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−キシレン）Ｆｅ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−１−メチルナフタレン）Ｆｅ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−クメン）Ｆｅ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−メシチレン）Ｆｅ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η６−ピレン）Ｆｅ^＋，（η５−フルオレニル）（η６−クメン）Ｆｅ^＋，（η５−インデニル）（η６−クメン）Ｆｅ^＋，ビス（η６−メシチレン）Ｆｅ^２＋，ビス（η６−キシレン）Ｆｅ^２＋，ビス（η６−クメン）Ｆｅ^２＋，ビス（η６−トルエン）Ｆｅ^２＋，（η６−トルエン）（η６−キシレン）Ｆｅ^２＋，（η６−クメン）（η６−ナフタレン）Ｆｅ^２＋，ビス（η５−シクロペンタジエニル）Ｆｅ^＋，ビス（η５−インデニル）Ｆｅ^＋，（η５−シクロペンタジエニル）（η５−フルオレニル）Ｆｅ^＋及び（η５−シクロペンタジエニル）（η５−インデニル）Ｆｅ^＋等｝等が挙げられる（ただし，Ｃｒはクロム原子，Ｆｅは鉄原子を表す。）（Macromol. Chem.,81,86(1965)，Angew. Makromol.
Chem., 50, 9 (1976)，Macromol. Chem., 153, 229(1972)，J. Polym. Sci., Polym. Chem. Edn., 14, 1547(1976)，Chem. Ztg., 108, 345(1984)，J. Imaging. Sci.,
30, 174(1986)，J. Photochem. Photobiol. A:Chem., 77(1994)，J. Rad. Curing., 26(1986)，Adv. Polym. Sci., 78,
61(1986)，米国特許第４９７３７２２号，同第４９９２５７２号，同第３８９５９５４号，ヨーロッパ特許公開公報第２０３８２９号，同第３５４１８１号，同第９４９１４号，同第１０９８５１号，同第９４９１５号，特開平５８−２１０９０４号（米国特許第４８６８２８８号），特開昭５９−１０８００３号，特開２０００−２２６３９６号及び特開平２−２８４９０３号等）。

本発明の光酸発生剤は，カチオン重合性化合物への溶解を容易にするため，あらかじめカチオン重合を阻害しない溶剤に溶かしておいてもよい。

溶剤としては，カーボネート（プロピレンカーボネート，エチレンカーボネート，１，２−ブチレンカーボネート，ジメチルカーボネート及びジエチルカーボネート等）；エステル(酢酸エチル，乳酸エチル，β−プロピオラクトン，β―ブチロラクトン，γ−ブチロラクトン，δ−バレロラクトン及びε−カプロラクトン等)；エーテル（エチレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノエチルエーテル，ジエチレングリコールモノブチルエーテル，ジプロピレングリコールジメチルエーテル，トリエチレングリコールジエチルエーテル，トリプロピレングリコールジブチルエーテル等）；及びエーテルエステル（エチレングリコールモノメチルエーテル酢酸エステル，プロピレングリコールモノエチルエーテル酢酸エステル及びジエチレングリコールモノブチルエーテル酢酸エステル等）等が挙げられる。

溶剤を使用する場合，溶剤の使用割合は，本発明の光酸発生剤１００重量部に対して，１５〜１０００重量部が好ましく，さらに好ましくは３０〜５００重量部である。使用する溶媒は，単独で使用してもよく，または２種以上を併用してもよい。

本発明のエネルギー線硬化性組成物は，上記の光酸発生剤とカチオン重合性化合物とから構成される。

カチオン重合性化合物としては，環状エーテル（エポキシド及びオキセタン等），エチレン性不飽和化合物（ビニルエーテル及びスチレン等），ビシクロオルトエステル，スピロオルトカーボネート及びスピロオルトエステル等が挙げられる（特開平１１−０６０９９６号，特開平０９−３０２２６９号，特開２００３−０２６９９３号，特開２００２−２０６０１７号，特開平１１−３４９８９５号，特開平１０−２１２３４３号，特開２０００−１１９３０６号，特開平１０−６７８１２号，特開２０００−１８６０７１号，特開平０８−８５７７５号，特開平０８−１３４４０５号，特開２００８−２０８３８，特開２００８−２０８３９，特開２００８−２０８４１，特開２００８−２６６６０，特開２００８−２６６４４，特開２００７−２７７３２７，フォトポリマー懇話会編「フォトポリマーハンドブック」（１９８９年，工業調査会），総合技術センター編「ＵＶ・ＥＢ硬化技術」（１９８２年，総合技術センター），ラドテック研究会編「ＵＶ・ＥＢ硬化材料」（１９９２年，シーエムシー），技術情報協会編「ＵＶ硬化における硬化不良・阻害原因とその対策」（２００３年，技術情報協会），色材，６８，（５），２８６−２９３（１９９５），ファインケミカル，２９，（１９），５−１４（２０００）等）。

エポキシドとしては，公知のもの等が使用でき，芳香族エポキシド，脂環式エポキシド及び脂肪族エポキシドが含まれる。

芳香族エポキシドとしては，少なくとも１個の芳香環を有する１価又は多価のフェノール（フェノール，ビフェノール，ビスフェノールＡ，ビスフェノールＦ，フェノールノボラック，クレゾールノボラック及びこれらの臭素化物又はこれらのアルキレンオキシド付加体した化合物）のグリシジルエーテル，及び少なくとも１個の芳香環を有する１価又は多価のカルボン酸（フタル酸及び３−メチルフタル酸等）のグリシジルエステル（ジグリシジルフタレート及びジグリシジル−３−メチルフタレート等）が挙げられる。

脂環式エポキシドとしては，少なくとも１個のシクロヘキセンやシクロペンテン環を有する化合物を酸化剤でエポキシ化することによって得られる化合物（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート，３，４−エポキシ−１−メチルシクロヘキシル−３，４−エポキシ−１−メチルヘキサンカルボキシレート，６−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−６−メチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート，３，４−エポキシ−３−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−３−メチルシクロヘキサンカルボキシレート，３，４−エポキシ−５−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−５−メチルシクロヘキサンカルボキシレート，２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサンメタジオキサン，ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート，３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルカルボキシレート，メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン），ジシクロペンタジエンジエポキシド及びエチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）等）が挙げられる。

脂肪族エポキシドとしては，脂肪族多価アルコール又はこのアルキレンオキシド付加体のポリグリシジルエーテル（１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル，１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル，水素添加ビスフェノールＡジグリシジルエーテル，グリセリンのトリグリシジルエーテル，トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル，ソルビトールのテトラグリシジルエーテル及びジペンタエリスリトールのヘキサグリシジルエーテル等），脂肪族多塩基酸のポリグリシジルエステル（ジグリシジルテトラヒドロフタレート，ジグリシジルヘキサヒドロフタレート及びジグリシジルヘキサヒドロ−３−メチルフタレート等），長鎖不飽和化合物のエポキシ化物（エポキシ化大豆油及びエポキシ化ポリブタジエン等），グリシジル基含有ポリマー（グリシジル（メタ）アクリレートのホモポリマー又はこれと他の不飽和モノマーとのコポリマー等），及びジメチルシロキサン骨格を有する多官能エポキシド（Journal of Polym. Sci., Part A, Polym. Chem., Vol. 28, 497 (1990)など）

オキセタンとしては，公知のもの等が使用でき，３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン，（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチルベンゼン，［１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）エチル］フェニルエーテル，イソブトキシメチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，イソボルニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，イソボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，２−エチルヘキシル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，エチルジエチレングリコール（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ジシクロペンテニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ジシクロペンテニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，テトラヒドロフルフリル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，テトラブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，２−テトラブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，トリブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，２−トリブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，２−ヒドロキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，２−ヒドロキシプロピル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ブトキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ペンタクロロフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ペンタブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，３，７−ビス（３−オキセタニル）−５−オキサ−ノナン，３，３’−（１，３−（２−メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン））ビス−（３−エチルオキセタン），１，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン，１，２−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エタン，１，３−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］プロパン，エチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ジシクロペンテニルビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，トリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，テトラエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，トリシクロデカンジイルジメチレン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，トリメチロールプロパントリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，１，４−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ブタン，１，６−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ヘキサン，ペンタエリスリトールトリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ポリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，ジペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル，３−エチル−３−フェノキシメチルオキセタン，３−エチル−３−（４−メチルフェノキシ）メチルオキセタン，３−エチル−３−（４−フルオロフェノキシ）メチルオキセタン，３−エチル−３−（１−ナフトキシ）メチルオキセタン，３−エチル−３−（２−ナフトキシ）メチルオキセタン，３−エチル−３−｛［３−（エトキシシリル）プロポキシ］メチル｝オキセタン，オキセタニルシルセスキオキセタン及びフェノールノボラックオキセタン等が挙げられる。

エチレン性不飽和化合物としては，公知のカチオン重合性単量体等が使用でき，脂肪族モノビニルエーテル，芳香族モノビニルエーテル，多官能ビニルエーテル，スチレン及びカチオン重合性窒素含有モノマーが含まれる。

脂肪族モノビニルエーテルとしては，メチルビニルエーテル，エチルビニルエーテル，ブチルビニルエーテル，イソブチルビニルエーテル，シクロヘキシルビニルエーテル，２−クロロエチルビニルエーテル，２−ヒドロキシエチルビニルエーテル，４−ヒドロキシブチルビニルエーテル，ステアリルビニルエーテル，２−アセトキシエチルビニルエーテル，ジエチレングリコールモノビニルエーテル，２−エチルヘキシルビニルエーテル，ドデシルビニルエーテル，オクタデシルビニルエーテル，アリルビニルエーテル，２−メタクリロイロオキシエチルビニルエーテル及び２−アクリロイロオキシエチルビニルエーテル等が挙げられる。

芳香族モノビニルエーテルとしては，２−フェノキシエチルビニルエーテル，フェニルビニルエーテル及びｐ−メトキシフェニルビニルエーテル等が挙げられる。

多官能ビニルエーテルとしては，ブタンジオール−１，４−ジビニルエーテル，トリエチレングリコールジビニルエーテル，１，４−ベンゼンジビニルエーテル，ハイドロキノンジビニルエーテル，シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル（１，４−ビス［（ビニルオキシ）メチル］シクロヘキサン），ジエチレングリコールジビニルエーテル，ジプロピレングリコールジビニルエーテル及びヘキサンジオールジビニルエーテル等が挙げられる。

スチレンとしては，スチレン，α−メチルスチレン，ｐ−メトキシスチレン及びｐ−tert−ブトキシスチレン等が挙げられる。

カチオン重合性窒素含有モノマーとしては，Ｎ−ビニルカルバゾール及びＮ−ビニルピロリドン等が挙げられる。

ビシクロオルトエステルとしては，１−フェニル−４−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン及び１−エチル−４−ヒドロキシメチル−２，６，７−トリオキサビシクロ−［２．２．２］オクタン等が挙げられる。

スピロオルトカーボネートとしては，１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン及び３，９−ジベンジル−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン等が挙げられる。

スピロオルトエステルとしては，１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン，２−メチル−１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン及び１，４，６−トリオキサスピロ［４．５］デカン等が挙げられる。

これらのカチオン重合性化合物のうち，エポキシド，オキセタン及びビニルエーテルが好ましく，さらに好ましくはエポキシド及びオキセタン，特に好ましくは脂環式エポキシド及びオキセタンである。また，これらのカチオン重合性化合物は単独で使用してもよく，または２種以上を併用してもよい。

エネルギー線硬化性組成物中の本発明の光酸発生剤の含有量は，カチオン重合性化合物１００部に対し，０．０５〜２０重量部が好ましく，さらに好ましくは０．１〜１０重量部である。この範囲であると，カチオン重合性化合物の重合がさらに十分となり，硬化体の物性がさらに良好となる。なお，この含有量は，カチオン重合性化合物の性質やエネルギー線の種類と照射量，温度，硬化時間，湿度，塗膜の厚み等のさまざまな要因を考慮することによって決定され，上記範囲に限定されない。

本発明のエネルギー線硬化性組成物には，必要に応じて，公知の添加剤（増感剤，顔料，充填剤，帯電防止剤，難燃剤，消泡剤，流動調整剤，光安定剤，酸化防止剤，密着性付与剤，イオン補足剤，溶剤，非反応性の樹脂及びラジカル重合性化合物等）を含有させることができる。

本発明のエネルギー線硬化性組成物には，基本的に増感剤の必要がないが，硬化性を補完するものとして，必要により，増感剤を含有できる。このような増感剤としては，公知（特開平１１−２７９２１２号及び特開平０９−１８３９６０号等）の増感剤等が使用でき，アントラセン｛アントラセン，９，１０−ジブトキシアントラセン，９，１０−ジメトキシアントラセン，９，１０−ジエトキシアントラセン，２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセン，２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジメトキシアントラセン，２，３−ジメチル−９，１０−ジメトキシアントラセン，９−メトキシ−１０−メチルアントラセン，９，１０−ジエトキシアントラセン，２−エチル−９，１０−ジエトキシアントラセン，２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジエトキシアントラセン，２，３−ジメチル−９，１０−ジエトキシアントラセン，９−エトキシ−１０−メチルアントラセン，９，１０−ジプロポキシアントラセン，９，１０−ジイソプロポキシアントラセン，９，１０−ジエトキシアントラセン，２−エチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン，２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン，２，３−ジメチル−９，１０−ジプロポキシアントラセン，９−イソプロポキシ−１０−メチルアントラセン，９，１０−ジベンジルオキシアントラセン，２−エチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン，２−ｔｅｒｔ−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン，２，３−ジメチル−９，１０−ジベンジルオキシアントラセン，９−ベンジルオキシ−１０−メチルアントラセン，９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン，２−エチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン，２−ｔｅｒｔ−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン，２，３−ジメチル−９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシアントラセン，９−（α−メチルベンジルオキシ）−１０−メチルアントラセン，９，１０−ジフェニルアントラセン，９−メトキシアントラセン，９−エトキシアントラセン，９−メチルアントラセン，９−ブロモアントラセン，９−メチルチオアントラセン及び９−エチルチオアントラセン等｝；ピレン；１，２−ベンズアントラセン；ペリレン；テトラセン；コロネン；チオキサントン｛チオキサントン，２−メチルチオキサントン，２−エチルチオキサントン，２−クロロチオキサントン，２−イソプロピルチオキサントン及び２，４−ジエチルチオキサントン等｝；フェノチアジン；キサントン；ナフタレン｛１−ナフトール，２−ナフトール，１−メトキシナフタレン，２−メトキシナフタレン，１，４−ジヒドロキシナフタレン，１，５−ジヒドロキシナフタレン，１，６−ジヒドロキシナフタレン，２，７−ジヒドロキシナフタレン，２，７−ジメトキシナフタレン，１，１′−チオビス（２−ナフトール），１，１′−ビ−（２−ナフトール）及び４−メトキシ−１−ナフトール等｝；ケトン｛ジメトキシアセトフェノン，ジエトキシアセトフェノン，２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン，４’−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン，２−ヒドロキシメチル−２−メチルプロピオフェノン，２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン，ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン，ｐ−アジドベンザルアセトフェノン，１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン，ベンゾイン，ベンゾインメチルエーテル，ベンゾインエチルエーテル，ベンゾインイソプロピルエーテル，ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル，ベンゾインイソブチルエーテル，１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン，ベンゾフェノン，ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル，ミヒラーケトン，４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン，４，４’−ジクロロベンゾフェノン及び４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルスルフィド等｝；カルバゾール｛Ｎ−フェニルカルバゾール，Ｎ−エチルカルバゾール，ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びＮ−グリシジルカルバゾール等｝；クリセン｛１，４−ジメトキシクリセン，１，４−ジエトキシクリセン，１，４−ジプロポキシクリセン，１，４−ジベンジルオキシクリセン及び１，４−ジ−α−メチルベンジルオキシクリセン等｝；フェナントレン｛９−ヒドロキシフェナントレン，９−メトキシフェナントレン，９−エトキシフェナントレン，９−ベンジルオキシフェナントレン，９，１０−ジメトキシフェナントレン，９，１０−ジエトキシフェナントレン，９，１０−ジプロポキシフェナントレン，９，１０−ジベンジルオキシフェナントレン，９，１０−ジ−α−メチルベンジルオキシフェナントレン，９−ヒドロキシ−１０−メトキシフェナントレン及び９−ヒドロキシ−１０−エトキシフェナントレン等｝等が挙げられる。

増感剤を含有する場合，増感剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，１〜３００重量部が好ましく，さらに好ましくは５〜２００重量部である。

顔料としては，公知の顔料等が使用でき，無機顔料（酸化チタン，酸化鉄及びカーボンブラック等）及び有機顔料（アゾ顔料，シアニン顔料，フタロシアニン顔料及びキナクリドン顔料等）等が挙げられる。

顔料を含有する場合，顔料の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．５〜４０００００重量部が好ましく，さらに好ましくは１０〜１５００００重量部である。

充填剤としては，公知の充填剤等が使用でき，溶融シリカ，結晶シリカ，炭酸カルシウム，酸化アルミニウム，水酸化アルミニウム，酸化ジルコニウム，炭酸マグネシウム，マイカ，タルク，ケイ酸カルシウム及びケイ酸リチウムアルミニウム等が挙げられる。

充填剤を含有する場合，充填剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，５０〜６０００００重量部が好ましく，さらに好ましくは３００〜２０００００重量部である。

帯電防止剤としては，公知の帯電防止剤等が使用でき，非イオン型帯電防止剤｛グリセリン脂肪酸エステル，ポリオキシエチレンアルキルエーテル，ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル，Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アルキルアミン，ポリオキシエチレンアルキルアミン，ポリオキシエチレンアルキルアミン脂肪酸エステル及びアルキルジエタノールアミド等｝；アニオン型帯電防止剤｛アルキルスルホン酸塩，アルキルベンゼンスルホン酸塩及びアルキルリン酸塩等｝；カチオン型帯電防止剤｛テトラアルキルアンモニウム塩及びトリアルキルベンジルアンモニウム塩等｝；両性型帯電防止剤｛アルキルベタイン及びアルキルイミダゾリウムベタイン等｝；高分子型帯電防止剤｛第四級アンモオ含有スチレン−（メタ）アクリレート共重合体，第四級アンモニオ含有スチレン−アクリロニトリル−マレイミド共重合体，ポリオキシエチレングリコール，ポリエーテルエステルアミド，ポリエーテルアミドイミド，エチレンオキシド−エピクロロヒドリン共重合体及びメトキシポリオキシエチレングリコール（メタ）アクリレート共重合体等｝等が挙げられる。

帯電防止剤を含有する場合，帯電防止剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．１〜２００００重量部が好ましく，さらに好ましくは０．６〜５０００重量部である。

難燃剤としては，公知の難燃剤等が使用でき，無機難燃剤｛三酸化アンチモン，五酸化アンチモン，酸化錫，水酸化錫，酸化モリブデン，ホウ酸亜鉛，メタホウ酸バリウム，赤燐，水酸化アルミニウム，水酸化マグネシウム及びアルミン酸カルシウム等｝；臭素難燃剤｛テトラブロモ無水フタル酸，ヘキサブロモベンゼン及びデカブロモビフェニルエーテル等｝；及びリン酸エステル難燃剤｛トリス（トリブロモフェニル）ホスフェート等｝等が挙げられる。

難燃剤を含有する場合，難燃剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．５〜４００００重量部が好ましく，さらに好ましくは５〜１００００重量部である。

消泡剤としては，公知の消泡剤等が使用でき，アルコール消泡剤｛イソプロパノール，ｎ−ブタノール，オクタエチルアルコール及びヘキサデシルアルコール等｝；金属石鹸消泡剤｛ステアリン酸カルシウム及びステアリン酸アルミニウム等｝；リン酸エステル消泡剤｛トリブチルホスフェート等｝；脂肪酸エステル消泡剤｛グリセリンモノラウレート等｝；ポリエーテル消泡剤｛ポリアルキレングリコール等｝；シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーンオイル及びシリカ・シリコーンコンパウンド等｝；及び鉱物油消泡剤｛シリカ粉末を分散させた鉱物油等｝等が挙げられる。

消泡剤を含有する場合，消泡剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．１〜２００００重量部が好ましく，さらに好ましくは０．５〜５０００重量部である。

流動調整剤としては，公知の流動性調整剤等が使用でき，水素添加ヒマシ油，酸化ポリエチレン，有機ベントナイト，コロイド状シリカ，アマイドワックス，金属石鹸及びアクリル酸エステルポリマー等が挙げられる。

流動性調整剤を含有する場合，流動性調整剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．１〜２００００重量部が好ましく，さらに好ましくは０．５〜５０００重量部である。

光安定剤としては，公知の光安定剤等が使用でき，紫外線吸収型安定剤｛ベンゾトリアゾール，ベンゾフェノン，サリチレート，シアノアクリレート及びこれらの誘導体等｝；ラジカル補足型安定剤｛ヒンダードアミン等｝；及び消光型安定剤｛ニッケル錯体等｝等が挙げられる。

光安定剤を含有する場合，光安定剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．０５〜４００００重量部が好ましく，さらに好ましくは０．５〜１００００重量部である。

酸化防止剤としては，公知の酸化防止剤等が使用でき，フェノール系酸化防止剤（モノフェノール系，ビスフェノール系及び高分子フェノール系等），硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤等が挙げられる。

酸化防止剤を含有する場合，酸化防止剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．１〜２００００重量部が好ましく，さらに好ましくは０．６〜５０００重量部である。

密着性付与剤としては，公知の密着性付与剤等が使用でき，カップリング剤，シランカップリング剤及びチタンカップリング剤等が挙げられる。

密着性付与剤を含有する場合，密着性付与剤の含有量は，密着性付与剤１００部に対して，０．１〜２００００重量部が好ましく，さらに好ましくは０．６〜５０００重量部である。

イオン補足剤としては，公知のイオン補足剤等が使用でき，有機アルミニウム（アルコキシアルミニウム及びフェノキシアルミニウム等）等が挙げられる。

イオン補足剤を含有する場合，イオン補足剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，０．１〜２００００重量部が好ましく，さらに好ましくは０．６〜５０００重量部である。

溶剤としては，カチオン重合性化合物の溶解やエネルギー線硬化性組成物の粘度調整のために使用できれば制限はなく，上記光酸発生剤の溶剤として使用できるもの以外に，例えば，エーテル｛アニソール，ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン，１，４−ジオキサン及びエチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル等｝；芳香族炭化水素｛トルエン，キシレン，クメン，エチルベンゼン及びメシチレン等｝；ケトン｛アセトン，メチルエチルケトン，イソブチルケトン及びシクロヘキサノン等｝；アルコール｛メタノール，エタノール，イソプロピルアルコール及びｔｅｒｔ−ブタノール等｝；ニトリル｛アセトニトリル等｝等が挙げられる。

溶剤を含有する場合，溶剤の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，５０〜２００００００重量部が好ましく，さらに好ましくは２００〜５０００００重量部である。

非反応性の樹脂としては，ポリエステル，ポリ酢酸ビニル，ポリ塩化ビニル，ポリブタジエン，ポリカーボナート，ポリスチレン，ポリビニルエーテル，ポリビニルブチラール，ポリブテン，スチレンブタジエンブロックコポリマー水添物，（メタ）アクリル酸エステルの共重合体及びポリウレタン等が挙げられる。これらの樹脂の数平均分子量は，１０００〜５０００００が好ましく，さらに好ましくは５０００〜１０００００である（数平均分子量はＧＰＣ等の一般的な方法によって測定された値である。）。

非反応性の樹脂を含有する場合，非反応性の樹脂の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，５〜４０００００重量部が好ましく，さらに好ましくは５０〜１５００００重量部である。

非反応性の樹脂を含有させる場合，非反応性の樹脂をカチオン重合性化合物等と溶解しやすくするため，あらかじめ溶剤に溶かしておくことが望ましい。

ラジカル重合性化合物としては，公知｛フォトポリマー懇話会編「フォトポリマーハンドブック」（１９８９年，工業調査会），総合技術センター編「ＵＶ・ＥＢ硬化技術」（１９８２年，総合技術センター），ラドテック研究会編「ＵＶ・ＥＢ硬化材料」（１９９２年，シーエムシー），技術情報協会編「ＵＶ硬化における硬化不良・阻害原因とその対策」（２００３年，技術情報協会）｝のラジカル重合性化合物等が使用でき，単官能モノマー，２官能モノマー，多官能モノマー，エポキシ（メタ）アクリレート，ポリエステル（メタ）アクリレート及びウレタン（メタ）アクリレートが含まれる。

単官能モノマーとしては，メチル（メタ）アクリレート，エチル（メタ）アクレート，２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート，ラウリル（メタ）アクリレート，２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート，１，６−ヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート，スチレン，ビニルシクロヘキセン，イソブチレン及びブタジエン等が挙げられる。

２官能モノマーとしては，２価アルコール又はこれらのアルキレンオキシド付加体のジ（メタ）アクリレート｛２価アルコール（エチレングリコール，プロピレングリコール，ビスフェノールＡ，ビスフェノールＡの水素化物及びこれらのアルキレンオキシド付加体等）のジ（メタ）アクリレート｝，及びジビニルベンゼン等が挙げられる。

多官能モノマーとしては，２官能モノマー以外のモノマーが使用でき，多価アルコール（トリメチロールプロパン，グリセリン及びペンタエリスリトール及びこのアルキレンオキシド付加体等）の（メタ）アクリレート等が挙げられる。

エポキシ（メタ）アクリレートとしては，エポキシド｛芳香族エポキシド，脂環式エポキシド及び脂肪族エポキシド等｝と，（メタ）アクリル酸とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

ポリエステル(メタ)アクリレートとしては，芳香族多塩基酸（フタル酸，イソフタル酸，テレフタル酸，トリメリット酸及びピロメリット酸等）又は脂肪族多塩基酸（コハク酸，アジピン酸及びセバシン酸等）と，多価アルコール（エチレングリコール，ジエチレングリコール，ポリエチレングリコール，プロピレングリコール，ジプロピレングリコール，ポリプロピレングリコール，ネオペンチルグリコール，ポリテトラメチレングリコール，１，３−ブタンジオール，１，４−ブタンジオール，１，６−ヘキサンジオール，トリメチロールプロパン，グリセリン，ペンタエリスリトール，ビスフェノール及びこれらのアルキレンオキシド付加体等）とから得たヒドロキシ末端のポリエステルを，（メタ）アクリル酸でエステル化することにより得られるポリエステル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

ウレタン(メタ)アクリレートとしては，多官能イソシアネート｛脂環式イソシアネート（イソホロンジイソシアネート及びジシクロヘキシルメタンジイソシアネート等），脂肪族イソシアネート（テトラメチレンジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネート等），芳香族イソシアネート（トルエンジイソシアネート，フェニレンジイソシアネート及びジフェニルメタンジイソシアネート等）等｝と，多価アルコール｛エチレングリコール，ジエチレングリコール，ポリエチレングリコール，プロピレングリコール，ポリプロピレングリコール，ネオペンチルグリコール，ポリテトラメチレングリコール，１，３−ブタンジオール，１，４−ブタンジオール，１，６−ヘキサンジオール，トリメチロールプロパン，グリセリン，ペンタエリスリトール，ビスフェノール，水添ビスフェノール，ポリカプロラクトンジオール，ポリエステルジオール及びポリカーボネートジオール等｝とから得たイソシアネート末端のプレポリマーを，ヒドロキシル基含有(メタ)アクリレート｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート，２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート，４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート及びペンタエリスリトールのトリ（メタ）アクリレート等｝とのウレタン化反応によって得られるウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。

ラジカル重合性化合物を含有する場合，ラジカル重合性化合物の含有量は，光酸発生剤１００部に対して，５〜４０００００重量部が好ましく，さらに好ましくは５０〜１５００００重量部である。

ラジカル重合性化合物を含有する場合，これらをラジカル重合によって高分子量化するために，熱又は光によって重合を開始するラジカル重合開始剤を使用することが好ましい。

ラジカル重合開始剤としては，公知のラジカル重合開始剤等が使用でき，熱ラジカル重合開始剤及び光ラジカル重合開始剤が含まれる。

熱ラジカル重合開始剤としては，有機過酸化物｛ケトンパーオキシド（メチルエチルケトンパーオキシド及びシクロヘキサノンパーオキシド等），パーオキシケタール（２，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブタン及び１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン等），ヒドロパーオキシド（ｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシド及びクメンヒドロパーオキシド等），ジアルキルパーオキシド（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド等），ジアシルパーオキシド（イソブチリルパーオキシド，ラウロイルパーオキシド及びベンゾイルパーオキシド等），パーオキシジカーボネート（ジイソプロピルパーオキシジカーボネート等），パーオキシエステル（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート及び２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン等）等｝，及びアゾ化合物｛１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル），２，２’−アゾビスイソブチロニトリル，２，２’−アゾビス（２，４−ジメチル−４−メトキシバレロニトリル），２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド，２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−プロペニル）プロピオンアミジン］ジヒドロクロリド，２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド），２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］，２，２’−アゾビス（２−メチルプロパン），２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）及びジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等｝等が挙げられる。

光ラジカル重合開始剤としては，アセトフェノン開始剤｛アセトフェノン，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン及び２，２−ジエトキシアセトフェノン等｝，ベンゾフェノン開始剤｛ベンゾフェノン，ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル及び４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルスルフィド等｝，ミヒラーケトン開始剤｛４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン及び４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等｝，ベンゾイン開始剤｛ベンゾイン，ベンゾインメチルエーテル等｝，チオキサントン開始剤｛チオキサントン，２−メチルチオキサントン，２−エチルチオキサントン，２−クロロチオキサントン，２−イソプロピルチオキサントン及び２，４−ジエチルチオキサントン等｝及びアシルホスフィン開始剤｛モノアシルホスフィンオキシド及びビスアシルホスフィンオキシド等｝等が挙げられる。

ラジカル重合開始剤を含有する場合，ラジカル重合開始剤の含有量は，ラジカル重合性化合物１００部に対して，０．０１〜２０重量部が好ましく，さらに好ましくは０．１〜１０重量部である。

本発明のエネルギー線硬化性組成物は，カチオン重合性化合物，光酸発生剤及び必要により添加剤を，室温（２０〜３０℃程度）又は必要により加熱（４０〜９０℃程度）下で，均一に混合溶解するか，またはさらに，３本ロール等で混練して調製することができる。

本発明のエネルギー線硬化性組成物は，エネルギー線を照射することにより硬化させて，硬化体を得ることができる。
エネルギー線としては，本発明のスルホニウム塩の分解を誘発するエネルギーを有する限りいかなるものでもよいが，低圧，中圧，高圧若しくは超高圧の水銀灯，メタルハライドランプ，ＬＥＤランプ，キセノンランプ，カーボンアークランプ，蛍光灯，半導体固体レーザ，アルゴンレーザ，Ｈｅ−Ｃｄレーザ，ＫｒＦエキシマレーザ，ＡｒＦエキシマレーザ又はＦ_２レーザ等から得られる紫外〜可視光領域（波長：約１００〜約８００ｎｍ）のエネルギー線が好ましい。なお，エネルギー線には，電子線又はＸ線等の高エネルギーを有する放射線を用いることもできる。

エネルギー線の照射時間は，エネルギー線の強度やエネルギー線硬化性組成物に対するエネルギー線の透過性に影響を受けるが，常温(２０〜３０℃程度)で，０．１秒〜１０秒程度で十分である。しかしエネルギー線の透過性が低い場合やエネルギー線硬化性組成物の膜厚が厚い場合等にはそれ以上の時間をかけるのが好ましいことがある。エネルギー線照射後０．１秒〜数分後には，ほとんどのエネルギー線硬化性組成物はカチオン重合により硬化するが，必要であればエネルギー線の照射後，室温（２０〜３０℃程度）〜１５０℃で数秒〜数時間加熱しアフターキュアーすることも可能である。

本発明のエネルギー線硬化性組成物の具体的な用途としては，塗料，コーティング剤，各種被覆材料（ハードコート，耐汚染被覆材，防曇被覆材，耐触被覆材，光ファイバー等），粘着テープの背面処理剤，粘着ラベル用剥離シート（剥離紙，剥離プラスチックフィルム，剥離金属箔等）の剥離コーティング材，印刷板，歯科用材料（歯科用配合物，歯科用コンポジット等），インキ，インクジェットインキ，ポジ型レジスト（回路基板，ＣＳＰ，ＭＥＭＳ素子等の電子部品製造の接続端子や配線パターン形成等に利用），レジストフィルム，液状レジスト，ネガ型レジスト（半導体素子等の表面保護膜，層間絶縁膜，平坦化膜等の永久膜形成等に利用），ＭＥＭＳ用レジスト，ポジ型感光性材料，ネガ型感光性材料，各種接着剤（各種電子部品用仮固定剤，ＨＤＤ用接着剤，ピックアップレンズ用接着剤，ＦＰＤ用機能性フィルム（偏向板，反射防止膜等）用接着剤等），ホログラフ用樹脂，ＦＰＤ材料（カラーフィルター，ブラックマトリックス，隔壁材料，ホトスペーサー，リブ，液晶用配向膜等の形成とＦＰＤ用シール剤等に利用），光学部材，成形材料（建築材料用，光学部品，レンズ等），注型材料，パテ，ガラス繊維含浸剤，目止め材，シーリング材，封止材，光半導体（ＬＥＤ）封止材，光導波路材料，ナノインプリント材料，光造用，及びマイクロ光造形用材料等が挙げられる。

本発明のスルホニウム塩は，光照射によって強酸が発生することから，公知（特開２００３−２６７９６８号，特開２００３−２６１５２９号，特開２００２−１９３９２５号等）の化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤等としても使用できる。

化学増幅型レジスト材料としては，（１）酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂及び光酸発生剤を必須成分とする２成分系化学増幅型ポジ型レジスト，（２）アルカリ現像液に可溶な樹脂，酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる溶解阻害剤及び光酸発生剤を必須成分とする３成分系化学増幅型ポジ型レジスト，並びに（３）アルカリ現像液に可溶な樹脂，酸の存在下で加熱処理することにより樹脂を架橋しアルカリ現像液に不溶とする架橋剤及び光酸発生剤を必須成分とする化学増幅型ネガ型レジストが含まれる。

以下，実施例により本発明を更に説明するが，本発明はこれに限定されることは意図するものではない。なお，以下特記しない限り，部は重量部，％は重量％を意味する。

（製造例１）［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドと［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドの混合物の製造−１
［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィド１０．０部，アセトニトリル４０．０部，硫酸０．１７部を仕込み均一に混合後，５０℃に昇温して３０％過酸化水素水溶液２．３１部を１０分間かけて滴下した。その後６５℃で３時間反応させ，反応溶液を室温（約２５℃）まで冷却後，ジクロロメタン１２０部を加え，蒸留水２００部で
ｐＨが中性になるまで分液操作にて洗浄した。ジクロロメタン層をロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより，褐色液状の［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３８．７％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１．３％含む混合物を９．８部得た。［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドの^１Ｈ−ＮＭＲデータ：｛ｄ６−ジメチルスルホキシド，δ（ｐｐｍ）７．５９〜７．７０（４Ｈ，ｍ），７．４０〜７．５５（８Ｈ，ｍ），７．２５〜７．３５（２Ｈ，ｍ）｝。含有量は混合物のＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

（製造例２）［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドと［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドの混合物の製造−２
３０％過酸化水素水溶液２．３１部を，２．３７部に変更した以外，製造例１と同様にして，褐色液状の［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３７．３％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６２．７％含む混合物を９．８部得た。

（製造例３）［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドと［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドの混合物の製造−３
３０％過酸化水素水溶液２．３１部を，２．１８部に変更した以外，製造例１と同様にして，褐色液状の［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを４２．２％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを５７．８％含む混合物を９．８部得た。

（製造例４）［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドと［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドの混合物の製造−４
３０％過酸化水素水溶液２．３１部を，２．０２部に変更した以外，製造例１と同様にして，褐色液状の［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを４６．３％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを５３．７％含む混合物を９．７部得た。

（製造例５）〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルフィドと〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルホキシドの混合物の製造
［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィド１０．０部を，〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルフィド１１．０部に，３０％過酸化水素水溶液２．３１部を，２．１８部に変更した以外，製造例１と同様にして，褐色液状の〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルフィドを４２．３％と〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルホキシドを５７．７％を含む混合物を１０．７部得た。〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルホキシドの^１Ｈ−ＮＭＲデータ：｛ｄ６−ジメチルスルホキシド，δ（ｐｐｍ）７．４０〜７．６５（５Ｈ，ｍ），７．１０〜７．４５（７Ｈ，ｍ），２．３０〜２．４０（６Ｈ，ｄ）｝。各化合物の含有量は混合物のＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

（製造例６）〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルフィドと〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルホキシドの混合物の製造
［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィド１０．０部を，〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルフィド１２．０部に，３０％過酸化水素水溶液２．３１部を，２．１８部に変更した以外，製造例１と同様にして，褐色液状の〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルフィドを４２．４％と〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルホキシドを５７．６％を含む混合物を１１．７部得た。〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルホキシドの^１Ｈ−ＮＭＲデータ：｛ｄ６−ジメチルスルホキシド，δ（ｐｐｍ）７．３５〜７．４５（５Ｈ，ｍ），７．００〜７．３５（７Ｈ，ｍ），３．６０〜３．７５（６Ｈ，ｄ）｝。各化合物の含有量は混合物のＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

（製造例７）２−（フェニルチオ）チオキサントンの合成
２−クロロチオキサントン１１．０部，チオフェノール４．９部，水酸化カリウム２．５部及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１６２部を均一混合し，１３０℃で９時間反応させた後，反応溶液を室温（約２５℃）まで冷却し，蒸留水２００部中に投入し，生成物を析出させた。これをろ過し，残渣を水で濾液のｐＨが中性になるまで洗浄した後，残渣を減圧乾燥させ，黄色粉末状の生成物を得た。カラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘキサン＝１／１：容量比）にて生成物を精製して，２−（フェニルチオ）チオキサントンを収率４５％で得た。生成物は^１Ｈ−ＮＭＲにて同定した｛ｄ６−ジメチルスルホキシド，δ（ｐｐｍ）８．４３（１Ｈ，ｄ），８．２５（１Ｈ，ｓ），７．７５〜７．９０（３Ｈ，ｍ），７．６６（１Ｈ，ｄ），７．６０（１Ｈ，ｔ），７．４２〜７．４６（５Ｈ，ｍ）｝。

〔実施例１〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物の製造−１

製造例１で製造した混合物〔［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１％含む混合物〕４．６部，無水酢酸２．８部及びアセトニトリル１６．５部を仕込み，均一に混合後，トリフルオロメタンスルホン酸１．６部を室温で滴下した。その後，６０℃で２時間反応させ，反応溶液を室温（約２５℃）まで冷却し，蒸留水１００部の中に投入し，ジクロロメタン８０部で抽出し，水層のｐＨが中性になるまで水で洗浄した。ジクロロメタン層をロータリーエバポレーターに移して，溶媒を留去し，褐色液状の生成物を得た。これに酢酸エチル５部を加え，６０℃の水浴中で溶解させた後，ヘキサン５０部を加え撹拌した後，冷蔵庫（約５℃）で３０分間静置してから上澄みを除く操作を２回行い，生成物を洗浄した。残渣をロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリフレート（トリフレート＝トリフルオロメタンスルホン酸アニオン）と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス（トリフレート）の混合物を４．９部得た。

上記トリフレートをジクロロメタン７５部に溶かし，１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部の中に投入してから，室温（約２５℃）で３時間撹拌し，ジクロロメタン層を分液後，水で３回洗浄し，有機層をロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物〔化合物（ａ）と化合物（ｂ）のモル比率はそれぞれ，５０モル％，５０モル％であった〕を７．２部得た。生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法：Ｃ−Ｆ結合特性吸収；１２００ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ａ）の分子イオンピーク；５８８，化合物（ｂ）の分子イオンピーク；４４１｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例２〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物の製造−２
製造例１で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１％含む混合物４．６部を，製造例２で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３７％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６３％含む混合物４．５部に変更した以外は，実施例１と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物〔化合物（ａ）と化合物（ｂ）のモル比率はそれぞれ，４０モル％，６０モル％であった〕を７．１部得た。

〔実施例３〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物の製造−３
製造例１で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１含む混合物４．６部を，製造例３で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを４２％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを５８％含む混合物４．９部に変更した以外は，実施例１と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物〔化合物（ａ）と化合物（ｂ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を７．４部得た。

〔実施例４〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物の製造−４
製造例１で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１％含む混合物４．６部を，製造例４で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを４６％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを５４％含む混合物５．２部に変更した以外は，実施例１と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ａ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｂ）〕の混合物〔化合物（ａ）と化合物（ｂ）のモル比率はそれぞれ，９０モル％，１０モル％であった〕を７．８部得た。

〔実施例５〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物の製造−１

「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム水溶液７４．６部」に変更したこと以外，実施例１と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物〔化合物（ｃ）と化合物（ｄ）のモル比率はそれぞれ，５０モル％，５０モル％であった〕を９．０部得た。生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法）：Ｂ−Ｃ結合特性吸収；９８０ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ｃ）の分子イオンピーク；５８８，化合物（ｄ）の分子イオンピーク；４４１｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例６〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物の製造−２
「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム水溶液７４．６部」に変更したこと以外，実施例２と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物〔化合物（ｃ）と化合物（ｄ）のモル比率はそれぞれ，４０モル％，６０モル％であった〕を８．９部得た。

〔実施例７〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物の製造−３
「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム水溶液７４．６部」に変更したこと以外，実施例３と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物〔化合物（ｃ）と化合物（ｄ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を９．２部得た。

〔実施例８〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物の製造−４
「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム水溶液７４．６部」に変更したこと以外，実施例４と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｃ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｄ）〕の混合物〔化合物（ｃ）と化合物（ｄ）のモル比率はそれぞれ，９０モル％，１０モル％であった〕を９．６部得た。

〔実施例９〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート〔化合物（ｅ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［ヘキサフルオロアンチモネート］〔化合物（ｆ）〕の混合物の製造

「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「５％ヘキサフルオロアンチモン酸カリウム水溶液５９．８部」に変更したこと以外，実施例３と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート〔化合物（ｅ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［ヘキサフルオロアンチモネート］〔化合物（ｆ）〕の混合物〔化合物（ｅ）と化合物（ｆ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を５．８部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法）：Ｓｂ−Ｆ結合特性吸収；６５０ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ｅ）の分子イオンピーク；５８８，化合物（ｆ）の分子イオンピーク；４４１｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１０〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート〔化合物（ｇ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［ヘキサフルオロホスフェート］〔化合物（ｈ）〕の混合物の製造

「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「５％ヘキサフルオロリン酸カリウム水溶液４０．１部」に変更したこと以外，実施例３と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート〔化合物（ｇ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［ヘキサフルオロホスフェート］〔化合物（ｈ）〕の混合物〔化合物（ｇ）と化合物（ｈ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を５．２部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法）：Ｐ−Ｆ結合特性吸収；８４０ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ｇ）の分子イオンピーク；５８８，化合物（ｈ）の分子イオンピーク；４４１｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１１〕
（２−メチル）フェニル｛〔４−［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルチオ〕−３−メチル−フェニル｝［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ｉ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メチル）フェニルチオ）フェニル（２−メチル）フェニル］スルホニオ〕−２−（メチル）フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｊ）〕の混合物の製造

製造例１で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１％含む混合物４．６部を，製造例５で製造した〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルフィドを４２％と〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルホキシドを５８％を含む混合物５．３部に変更した以外，実施例１と同様にして，（２−メチル）フェニル〔４−［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルチオ〕フェニル［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ｉ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メチル）フェニルチオ）フェニル（２−メチル）フェニル］スルホニオ〕−２−（メチル）フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｊ）〕の混合物〔化合物（ｉ）と化合物（ｊ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を７．８部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ），２．３〜２．４（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法）：Ｃ−Ｆ結合特性吸収；１２００ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ｉ）の分子イオンピーク；６４４，化合物（ｊ）の分子イオンピーク；４８３｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１２〕
（２−メチル）フェニル｛〔４−［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルチオ〕−３−メチル−フェニル｝［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｋ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メチル）フェニルチオ）フェニル（２−メチル）フェニル］スルホニオ〕−２−（メチル）フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｍ）〕の混合物の製造

製造例１で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１％含む混合物４．６部を，製造例５で製造した〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルフィドを４２％と〔４−［（２−メチル）フェニルチオ］フェニル〕（２−メチルフェニル）スルホキシドを５８％を含む混合物５．３部に変更し，且つ「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム水溶液７４．６部」に変更した以外，実施例１と同様にして，（２−メチル）フェニル〔４−［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルチオ〕フェニル［４−（２−メチル）フェニルチオ］フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｋ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メチル）フェニルチオ）フェニル（２−メチル）フェニル］スルホニオ〕−２−（メチル）フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｍ）〕の混合物〔化合物（ｋ）と化合物（ｍ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を９．６部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ），２．３〜２．４（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法）：Ｂ−Ｃ結合特性吸収；９８０ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ｋ）の分子イオンピーク；６４４，化合物（ｍ）の分子イオンピーク；４８３｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１３〕
（２−メトキシ）フェニル｛〔４−［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルチオ〕−３−メトキシ−フェニル｝［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ｎ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メトキシ）フェニルチオ）フェニル（２−メトキシ）フェニル］スルホニオ〕−２−（メトキシ）フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｏ）〕の混合物の製造

製造例１で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１％含む混合物４．６部を，製造例６で製造した〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルフィドを４２％と〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルホキシドを５８％を含む混合物５．８部に変更した以外，実施例１と同様にして，（２−メトキシ）フェニル〔４−［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルチオ〕フェニル［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート〔化合物（ｎ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メトキシ）フェニルチオ）フェニル（２−メトキシ）フェニル］スルホニオ〕−２−（メトキシ）フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート］〔化合物（ｏ）〕の混合物〔化合物（ｎ）と化合物（ｏ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を８．３部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ），３．６〜３．７５（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法）：Ｃ−Ｆ結合特性吸収；１２００ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ｎ）の分子イオンピーク；７１０，化合物（ｏ）の分子イオンピーク；５３１｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１４〕
（２−メトキシ）フェニル｛〔４−［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルチオ〕−３−メトキシ−フェニル｝［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｐ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メトキシ）フェニルチオ）フェニル（２−メトキシ）フェニル］スルホニオ〕−２−（メトキシ）フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｑ）〕の混合物の合成

製造例１で製造した［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを３９％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを６１％含む混合物４．６部を，製造例６で製造した〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルフィドを４２％と〔４−［（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニル〕（２−メトキシフェニル）スルホキシドを５８％を含む混合物５．８部に変更し，且つ「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム水溶液７４．６部」に変更した以外，実施例１と同様にして，（２−メトキシ）フェニル〔４−［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルチオ〕フェニル［４−（２−メトキシ）フェニルチオ］フェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート〔化合物（ｐ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（（２−メトキシ）フェニルチオ）フェニル（２−メトキシ）フェニル］スルホニオ〕−２−（メトキシ）フェニルチオ}ベンゼン ビス［テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート］〔化合物（ｑ）〕の混合物〔化合物（ｐ）と化合物（ｑ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を１０．０部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ），３．６〜３．７５（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法）：Ｂ−Ｃ結合特性吸収；９８０ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ｐ）の分子イオンピーク；７１０，化合物（ｑ）の分子イオンピーク；５３１｝。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１５〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド〔化合物（ｕ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド］〔化合物（ｖ）〕の混合物の製造
「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドリチウム水溶液４５．５部」に変更したこと以外，実施例３と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド〔化合物（ｕ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド］〔化合物（ｖ）〕の混合物〔化合物（ｕ）と化合物（ｖ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を７．２部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法：Ｃ−Ｆ結合特性吸収；１２００ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ａ）の分子イオンピーク；５８８，化合物（ｂ）の分子イオンピーク；４４１）。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１６〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〔化合物（ｗ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド］〔化合物（ｘ）〕の混合物の製造
「１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液５２．７部」を「１０％ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム水溶液３１．２部」に変更したこと以外，実施例３と同様にして，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド〔化合物（ｗ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス［ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド］〔化合物（ｘ）〕の混合物〔化合物（ｗ）と化合物（ｘ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を５．９部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法：Ｃ−Ｆ結合特性吸収；１２００ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ａ）の分子イオンピーク；５８８，化合物（ｂ）の分子イオンピーク；４４１）。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔実施例１７〕
フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ノナフルオロブタンスルホネート〔化合物（ｙ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス（ノナフルオロブタンスルホネート）〔化合物（ｚ）〕の混合物の製造
製造例３で製造した混合物〔［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルフィドを４２％と［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルスルホキシドを５８％含む混合物〕４．９部，無水酢酸２．８部及びアセトニトリル１６．５部を仕込み，均一に混合後，ノナフルオロブタンスルホン酸３．３部を室温で滴下した。その後の操作は実施例１と同様に行い，フェニル［４−（４−フェニルチオ）フェニルチオ］フェニル（４−フェニルチオ）フェニルスルホニウム ノナフレート（ノナフレート＝ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン）〔化合物（ｙ）〕と１，４−ビス{４−〔［４−（フェニルチオ）フェニルフェニル］スルホニオ〕フェニルチオ}ベンゼン ビス（ノナフラート）〔化合物（ｚ）〕の混合物〔化合物（ｙ）と化合物（ｚ）のモル比率はそれぞれ，７０モル％，３０モル％であった〕を６．３部得た。
生成物は^１Ｈ−ＮＭＲ，赤外吸光分光分析（ＩＲ），ＬＣ−ＭＳにて同定した。｛^１Ｈ−ＮＭＲ：ｄ６−ジメチルスルホキシド；δ（ｐｐｍ）７．６〜８．０（ｍ），７．３〜７．６（ｍ）。ＩＲ（ＫＢｒ錠剤法：Ｃ−Ｆ結合特性吸収；１２００ｃｍ^−１付近。ＬＣ−ＭＳ：化合物（ａ）の分子イオンピーク；５８８，化合物（ｂ）の分子イオンピーク；４４１）。また，混合物の比率（モル％）はＨＰＬＣ分析によるピーク面積比より算出した。

〔比較例１〕
ＣＰＩ−１１０Ｐ〔４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート，サンアプロ株式会社製〕を比較用のスルホニウム塩とした。

〔比較例２〕
ＣＰＩ−１１０Ａ〔４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート，サンアプロ株式会社製〕を比較用のスルホニウム塩とした。

〔比較例３〕
４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート（化合物（ｒ））の合成

ジフェニルスルホキシド１２．１部，ジフェニルスルフィド９．３部及びメタンスルホン酸４３．０部を撹拌しながら，これに無水酢酸７．９部を滴下し，４０〜５０℃で５時間反応させた後，室温(約２５℃)まで冷却し，この反応溶液を２０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液１２１部中に投入し，室温(約２５℃)で１時間撹拌して，黄色のやや粘調な油状物が析出した。この油状物を酢酸エチルにて抽出し，有機層を水で数回洗浄した後，有機層から溶剤を留去し，得られた残渣にトルエンを加えて溶解した後，ヘキサンを加え，１０℃で１時間よく撹拌した後静置した。１時間後，溶液は２層に分離したため，上層を分液によって除いた。残った下層にヘキサンを加え，室温(約２５℃)でよく混合すると淡黄色の結晶が析出した。これをろ別し，減圧乾燥して，４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェートを収率６０％で得た。生成物は^１Ｈ−ＮＭＲにて同定した｛ｄ６−ジメチルスルホキシド，δ（ｐｐｍ）７．７２〜７．８７（１２Ｈ，ｍ），７．５４〜７．６３（５Ｈ，ｍ），７．４２（２Ｈ，ｄ）｝。また，赤外吸光分光分析（ＫＢｒ錠剤法）により，１２００ｃｍ^−１付近にＣ−Ｆ結合の吸収を確認した。

〔比較例４〕
４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（化合物（ｓ））の合成

「２０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液１２１部」を「１０％テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム３４２．９部」に変更したこと以外，比較例３と同様にして，４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率６０％で得た。生成物は^１Ｈ−ＮＭＲにて同定した｛ｄ６−ジメチルスルホキシド，δ（ｐｐｍ）７．７２〜７．８７（１２Ｈ，ｍ），７．５４〜７．６３（５Ｈ，ｍ），７．４２（２Ｈ，ｄ）｝。また，赤外吸光分光分析（ＫＢｒ錠剤法）により，９８０ｃｍ^−１付近にＢ−Ｃ結合の吸収を確認した。

〔比較例５〕
ジフェニル−２−チオキサントニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート（化合物（ｔ））の合成

製造例７で合成した２−（フェニルチオ）チオキサントン１５．０部，ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート４１．９部，安息香酸銅（ＩＩ）０．４部及びクロロベンゼン３００部を均一混合し，１２０〜１２５℃で３時間反応させた後，反応溶液を室温(約２５℃)まで冷却し，蒸留水３００部中に投入し，生成物を析出させた。これをろ過し，残渣を水で濾液のｐＨが中性になるまで洗浄し，残渣を減圧乾燥した後，ジエチルエーテル１００部を加えて超音波洗浄器でジエチルエーテル中に分散し約１５分間静置してから上澄みを除く操作を３回繰り返して，生成した固体を洗浄した。ついで，固体をロータリーエバポレーターに移して，溶媒を留去することにより，黄色固体を得た。この黄色固体をジクロロメタン７７０部に溶かし，１０％トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸カリウム水溶液３４２部中に投入した後，室温(約２５℃)で２時間撹拌し，有機層を水で数回洗浄し，減圧乾燥することにより，ジフェニル−２−チオキサントニルスルホニウム トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェートを収率９８％，純度８５％で得た。生成物は^１Ｈ−ＮＭＲにて同定した｛ｄ６−ジメチルスルホキシド，δ（ｐｐｍ）８．７２（１Ｈ，ｓ），８．４７（１Ｈ，ｄ），８．３０（１Ｈ，ｄ），８．１３（２Ｈ，ｄ），７．７８〜７．９８（１１Ｈ，ｍ），７．７０（１Ｈ，ｔ）｝。純度はＨＰＬＣにより定量した。また，赤外吸光分析（ＫＢｒ錠剤法）により，１２００ｃｍ^−１付近にＣ−Ｆ結合の吸収を確認した。

＜エネルギー線硬化性組成物の評価＞
１．硬化性組成物の調製
評価試料｛実施例１〜１５，比較例１〜５のスルホニウム塩｝と，エポキシド（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート，ダウケミカル株式会社製，ＵＶＲ−６１１０）とを表１に示した配合量（重量部）で６０℃にて加熱し，均一混合して，光硬化性試験用の組成物を調製した。

なお，実施例１０および比較例１で得たスルホニウム塩は，ヘキサフルオロリン酸塩であり，実施例１〜９，１１〜１５および比較例２〜５で得たトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸塩，ヘキサフルオロアンチモン酸塩，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩及びトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド塩よりも，発生する酸の強度が弱く，カチオン重合に対する活性が低いため，スルホニウム塩の配合量を多くした。

２．光硬化性評価
上記で得た硬化性組成物をアプリケーター（４０μｍ）でポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに塗布した。ＰＥＴフィルムに紫外線照射装置を用いて，フィルターによって波長を限定した紫外光を照射した。なお，フィルターは３６５フィルター（アイグラフィックス株式会社製，３６５ｎｍ未満の光をカットするフィルター）とＬ−３４（株式会社ケンコー光学製，３４０ｎｍ未満の光をカットするフィルター）を併用した。照射後，４０分後の塗膜硬度を鉛筆硬度（ＪＩＳ Ｋ５６００−５−４：１９９９）を測定し，以下の基準により評価し（硬化後の塗膜厚は約４０μｍ），これらの結果を表２に示した。鉛筆硬度が高いほど，エネルギー線硬化性組成物の光硬化性が良好であること，すなわちスルホニウム塩のカチオン重合性化合物に対する重合開始能（スルホニウム塩の光感応性）が優れていることを示す。

(評価基準)
◎：鉛筆硬度が２Ｈ以上
○：鉛筆硬度がＨ〜Ｂ
△：鉛筆硬度が２Ｂ〜４Ｂ
×：液状〜タックがあり，鉛筆硬度を測定できない

（紫外光の照射条件）
・紫外線照射装置：ベルトコンベア式ＵＶ照射装置（アイグラフィックス株式会社製）
・ランプ：１．５ｋＷ高圧水銀灯
・フィルター：３６５フィルター（アイグラフィックス株式会社製）
Ｌ−３４（株式会社ケンコー光学製）
・照度（３６５ｎｍヘッド照度計で測定）：１４５ｍＷ／ｃｍ^２

・積算光量（３６５ｎｍヘッド照度計で測定）：
条件−１：２００ｍＪ／ｃｍ^２
条件−２：４００ｍＪ／ｃｍ^２
条件−３：６００ｍＪ／ｃｍ^２

３．貯蔵安定性評価
（試料の調製）
評価試料｛実施例１〜１５，比較例１〜５のスルホニウム塩｝３部と，エポキシド（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート，ダウケミカル株式会社製，ＵＶＲ−６１１０）１００部をそれぞれ配合し，６０℃で混合後，均一混合して貯蔵安定性試験用試料を調製した。
この配合試料を遮光下８０℃で加熱して，１ヶ月保存した後，加熱前後の配合試料の粘度を測定し，下記基準により評価した。粘度の上昇がないものほど貯蔵安定性が良い。
（評価基準）
×：加熱後の粘度変化が１．５倍以上。
○：加熱後の粘度変化が１．５倍未満。
これらの結果を表２に示した。

表２の結果からわかるように，本発明のスルホニウム塩は比較用のスルホニウム塩に比べて３６５ｎｍ以上の紫外光でのカチオン重合性化合物の硬化性能（光感応性）が優れていることがわかった。また，式（２）で示されるスルホニウム塩の比率が多くなると，貯蔵安定性が悪くなることがわかった。

本発明のスルホニウム塩は，塗料，コーティング剤，各種被覆材料（ハードコート，耐汚染被覆材，防曇被覆材，耐触被覆材，光ファイバー等），粘着テープの背面処理剤，粘着ラベル用剥離シート（剥離紙，剥離プラスチックフィルム，剥離金属箔等）の剥離コーティング材，印刷板，歯科用材料（歯科用配合物，歯科用コンポジット等），インキ，インクジェットインキ，ポジ型レジスト（回路基板，ＣＳＰ，ＭＥＭＳ素子等の電子部品製造の接続端子や配線パターン形成等に利用），レジストフィルム，液状レジスト，ネガ型レジスト（半導体素子等の表面保護膜，層間絶縁膜，平坦化膜等の永久膜形成等に利用），ＭＥＭＳ用レジスト，ポジ型感光性材料，ネガ型感光性材料，各種接着剤（各種電子部品用仮固定剤，ＨＤＤ用接着剤，ピックアップレンズ用接着剤，ＦＰＤ用機能性フィルム（偏向板，反射防止膜等）用接着剤等），ホログラフ用樹脂，ＦＰＤ材料（カラーフィルター，ブラックマトリックス，隔壁材料，ホトスペーサー，リブ，液晶用配向膜等の形成とＦＰＤ用シール剤等に利用），光学部材，成形材料（建築材料用，光学部品，レンズ等），注型材料，パテ，ガラス繊維含浸剤，目止め材，シーリング材，封止材，光半導体（ＬＥＤ）封止材，光導波路材料，ナノインプリント材料，光造用，及びマイクロ光造形用材料等に用いられる光酸発生剤として好適に用いられる。

Claims (8)

1. 下記式（１）で示されるスルホニウム塩と（２）で示されるスルホニウム塩とを含んでなる光酸発生剤。
   

   

   
   

   

   
   〔式（１）及び（２）中，Ｒ^１〜Ｒ^９は，互いに独立して，アルキル基，ヒドロキシル基，アルコキシル基，アルキルカルボニル基，アリールカルボニル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，アリールチオカルボニル基，アシロキシ基，アリールチオ基，アルキルチオ基，アリール基，複素環式炭化水素基，アリールオキシ基，アルキルスルフィニル基，アリールスルフィニル基，アルキルスルホニル基，アリールスルホニル基，ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基，置換されていてよいアミノ基，シアノ基，ニトロ基又はハロゲン原子を表し，ここに該置換されていてよいアミノ基は，アミノ基（−ＮＨ _２ ）であるか又は炭素数１〜１５の，飽和炭化水素基又は芳香族基を含んでよい炭化水素基で置換された置換アミノ基であり，ｍ^１〜ｍ^９，はそれぞれＲ^１〜Ｒ^９の個数を表し，ｍ^４，ｍ^６，ｍ^７及びｍ^９は０〜５の整数を，ｍ^１，ｍ^２，ｍ^３，ｍ^５及びｍ^８は０〜４の整数を表し，Ａ_１はＳまたはＳＯを，Ｘ⁻は一価の多原子アニオンを表す。〕
2. Ｒ^１〜Ｒ^９について，該アルキル基が炭素数１〜１８の直鎖アルキル基，炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル基，又は炭素数３〜１８のシクロアルキル基であり，該アルコキシル基が炭素数１〜１８の直鎖アルコキシル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルコキシル基であり，該アルキルカルボニル基が炭素数２〜１８の直鎖アルキルカルボニル基又は炭素数４〜１８の分枝鎖アルキルカルボニル基であり，該アリールカルボニル基が炭素数７〜１１のアリールカルボニル基であり，該アルコキシカルボニル基が炭素数２〜１９の直鎖アルコキシカルボニル基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アルコキシカルボニル基であり，該アリールオキシカルボニル基が炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基であり，該アリールチオカルボニル基が炭素数７〜１１のアリールチオカルボニル基であり，該アシロキシ基が炭素数２〜１９の直鎖アシロキシ基又は炭素数４〜１９の分枝鎖アシロキシ基であり，該アリールチオ基が炭素数６〜２０のアリールチオ基であり，該アルキルチオ基が炭素数１〜１８の直鎖アルキルチオ基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルチオ基であり，該アリール基が炭素数６〜１０のアリール基であり，該複素環式炭化水素基が炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基であり，該アリールオキシ基が炭素数６〜１０のアリールオキシ基であり，該アルキルスルフィニル基が炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルフィニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルフィニル基であり，該アリールスルフィニル基が炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基であり，該アルキルスルホニル基が炭素数１〜１８の直鎖アルキルスルホニル基又は炭素数３〜１８の分枝鎖アルキルスルホニル基であり，該アリールスルホニル基が炭素数６〜１０のアリールスルホニル基であり，該ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基が式（３），
   

   

   
   〔ＡＯはエチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基，ｑは１〜５の整数を表す。〕で示されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基であり，該ハロゲン原子基がフッ素原子，塩素原子，臭素原子又はヨウ素原子である，請求項１の光酸発生剤。
3. Ｒ^１〜Ｒ^９が，互いに独立して，メチル基，メトキシ基またはアセチル基よりなる群から選ばれる１種を表すものである，請求項１又は２に記載の光酸発生剤。
4. ｍ^１〜ｍ^９が何れも０である，請求項１ないし３の何れかに記載の光酸発生剤。
5. Ｘ⁻が，ＭＹ_ａ ⁻，（Ｒｆ）_ｂＰＦ_６−ｂ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＢＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１０ _ｃＧａＹ_４−ｃ ⁻，Ｒ^１１ＳＯ_３ ⁻，（Ｒ^１１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻又は（Ｒ^１１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻で表されるアニオン〔ここに，Ｍはリン原子，ホウ素原子，ヒ素原子又はアンチモン原子，Ｙはハロゲン原子，Ｒｆは水素原子の８０モル％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基，Ｐはリン原子，Ｆはフッ素原子，Ｒ^１０は，少なくとも１個の水素原子がハロゲン原子，トリフルオロメチル基，ニトロ基又はシアノ基で置換されたフェニル基，Ｂはホウ素原子，Ｇａはガリウム原子，Ｒ^１１は炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数１〜２０のパーフルオロアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基，ａは４〜６の整数，ｂは１〜５の整数，ｃは１〜４の整数を表す。〕である，請求項１ないし４の何れかに記載の光酸発生剤。
6. Ｘ⁻が，ＰＦ_６ ⁻，ＳｂＦ_６ ⁻，（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻，（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｂ⁻，（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｇａ⁻，（（ＣＦ_３）_２Ｃ_６Ｈ_３）_４Ｇａ⁻又は（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻で表されるアニオンである，請求項１ないし５の何れかに記載の光酸発生剤。
7. 該光酸発生剤に含まれる式（１）で示されるスルホニウム塩と（２）で示されるスルホニウム塩の合計量のうち，式（１）で示されるスルホニウム塩の割合が少なくとも５０モル％であることを特徴とする，請求項１ないし６の何れかに記載の光酸発生剤。
8. 請求項１ないし７の何れかに記載の光酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含有することを特徴とするエネルギー線硬化性組成物。