JP5697919B2 - Resin sealing device and resin sealing method - Google Patents

Resin sealing device and resin sealing method Download PDF

Info

Publication number
JP5697919B2
JP5697919B2 JP2010170011A JP2010170011A JP5697919B2 JP 5697919 B2 JP5697919 B2 JP 5697919B2 JP 2010170011 A JP2010170011 A JP 2010170011A JP 2010170011 A JP2010170011 A JP 2010170011A JP 5697919 B2 JP5697919 B2 JP 5697919B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mold
sealing
resin
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010170011A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012033584A (en
Inventor
直毅 高田
直毅 高田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2010170011A priority Critical patent/JP5697919B2/en
Priority to KR1020110025870A priority patent/KR101639253B1/en
Priority to SG2011023918A priority patent/SG177810A1/en
Priority to CN201110081012.8A priority patent/CN102347244B/en
Priority to TW100110644A priority patent/TWI543276B/en
Priority to MYPI2011001406A priority patent/MY168665A/en
Publication of JP2012033584A publication Critical patent/JP2012033584A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5697919B2 publication Critical patent/JP5697919B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

本発明は、集積回路(Integrated Circuit:IC)のチップや、LED(Light Emitting Diode)のチップ等からなるチップ状の電子部品(以下「チップ」という。)を樹脂封止する樹脂封止装置及び樹脂封止方法に関するものである。   The present invention relates to a resin sealing device for resin-sealing a chip-shaped electronic component (hereinafter referred to as “chip”) composed of an integrated circuit (IC) chip, an LED (Light Emitting Diode) chip, and the like. The present invention relates to a resin sealing method.

従来、リードフレーム、プリント基板等の回路基板(以下適宜「基板」という。)に装着された1個又は複数個のチップを、樹脂成形技術によって成形型を使用して樹脂封止することが行われている。この場合に使用される成形型(樹脂封止型)は、180℃程度に加熱されている。樹脂封止工程では、まず、成形型の型面に基板を配置し、成形型を使用してその基板を予熱する。次に、成形型に設けられた空間からなるキャビティに、基板に装着されたチップを収容する。次に、キャビティに流動性樹脂を充填して、その流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成する。このことにより、基板に装着されたチップを硬化樹脂によって樹脂封止することができる。   Conventionally, one or a plurality of chips mounted on a circuit board (hereinafter referred to as “substrate” as appropriate) such as a lead frame or a printed circuit board is resin-sealed using a molding die by a resin molding technique. It has been broken. The mold (resin-sealed mold) used in this case is heated to about 180 ° C. In the resin sealing step, first, a substrate is placed on the mold surface of the mold, and the substrate is preheated using the mold. Next, the chip mounted on the substrate is accommodated in a cavity formed by a space provided in the mold. Next, a fluid resin is filled in the cavity, and the fluid resin is cured to form a cured resin. Thus, the chip mounted on the substrate can be resin-sealed with the cured resin.

ところで、成形型の型面に配置された基板を成形型によって予熱する場合においては、成形型において基板が充分に予熱されるまでに時間を必要とする。したがって、全体的な封止時間(成形時間)が長くなるという問題がある(例えば、特許文献1の段落[0004]参照)。   By the way, when the substrate disposed on the mold surface of the mold is preheated by the mold, it takes time until the substrate is sufficiently preheated in the mold. Therefore, there exists a problem that the whole sealing time (molding time) becomes long (for example, refer to paragraph [0004] of patent document 1).

この問題を解消するために、基板が成形型の型面に配置される前に基板を予熱する、次の技術が提案されている。第1に、「(略)リードフレームを所定方向へ整列させるための整列部等に専用の予備加熱機構を備えて、該予備加熱機構にてリードフレームを予め所定温度にまで加熱すると共に、予備加熱した該リードフレームをその搬送機構を介して両型のキャビティ部に搬送供給する、所謂、金型外予備加熱方法」が提案されている。(例えば、特許文献1の段落[0005]、特許文献2の段落[0012]、[0015]、図10参照)。   In order to solve this problem, the following technique has been proposed in which the substrate is preheated before being placed on the mold surface of the mold. First, “(substantially) a dedicated preheating mechanism is provided in an aligning section for aligning the lead frame in a predetermined direction, and the lead frame is preheated to a predetermined temperature by the preheating mechanism. A so-called pre-mold preheating method has been proposed in which the heated lead frame is transported and supplied to the cavity portions of both molds via the transport mechanism. (For example, refer to paragraph [0005] of Patent Document 1 and paragraphs [0012] and [0015] of Patent Document 2 and FIG. 10).

第2に、樹脂封止装置に複数個のモールディングユニットを設けて、各モールディングユニットに設けられた可動下型(成形型)において、独立した適宜な予備加熱手段を金型キャビティ部の近傍に設けるという構成が提案されている。予備加熱手段は、樹脂封止前リードフレーム(基板)を、所要の温度にまで予備加熱する(例えば、特許文献1の段落[0024]、図1、図5(図中の予備加熱手段33)参照)。   Second, a plurality of molding units are provided in the resin sealing device, and in the movable lower mold (molding die) provided in each molding unit, an appropriate appropriate preheating means is provided in the vicinity of the mold cavity portion. A configuration is proposed. The preheating means preheats the lead frame (substrate) before resin sealing to a required temperature (for example, paragraph [0024] of Patent Document 1, FIGS. 1 and 5 (preheating means 33 in the figure)). reference).

特開平07−321137号公報JP 07-32137 A 特開2004−273773号公報JP 2004-273773 A

東芝セミコンダクター社、「半導体デバイスの信頼性、半導体の信頼性に影響を与える因子、信頼性に影響を与える製造プロセス要因」、「表1 信頼性に影響を与える製造プロセス要因」における「組立工程 封止(樹脂封止)」の項、[online]、2010年1月、[平成22年7月12日検索]、インターネット<http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/reliability/device/concept/1186198_7633.html>“Semiconductor device reliability, factors affecting semiconductor reliability, manufacturing process factors affecting reliability” and “Table 1 Manufacturing process factors affecting reliability” "Stop (resin sealing)", [online], January 2010, [searched July 12, 2010], Internet <http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/reliability/ device / concept / 1186198_7633.html>

しかしながら、上述した従来の技術のうち、第1に、「金型外予備加熱方法」を使用した場合には、次の問題が発生する。まず、予備加熱したリードフレーム(基板)を搬送機構によって成形型のキャビティ部に搬送するまでに、基板が冷却される。このことによって、成形型において基板を再度予熱する必要がある。したがって、チップを樹脂封止する際の全体的な封止時間を短縮することが困難である。   However, among the conventional techniques described above, first, when the “outside mold preheating method” is used, the following problem occurs. First, the substrate is cooled before the preheated lead frame (substrate) is transported to the cavity of the mold by the transport mechanism. This requires the substrate to be preheated again in the mold. Therefore, it is difficult to shorten the overall sealing time when the chip is resin-sealed.

更に、樹脂封止装置に複数個のモールディングユニットを設けた場合には、基板が搬送される距離によって基板の温度にそれぞれ差異が生じる。これにより、成形型において基板を再度予熱する時間に差異を設ける必要がある。したがって、樹脂封止工程がいたずらに面倒なものとなる(例えば、特許文献1の段落[0005]参照)。   Further, when a plurality of molding units are provided in the resin sealing device, the temperature of the substrate varies depending on the distance to which the substrate is transported. Accordingly, it is necessary to provide a difference in the time for preheating the substrate again in the mold. Therefore, the resin sealing process becomes troublesome (see, for example, paragraph [0005] of Patent Document 1).

加えて、リードフレーム(基板)の温度に差が生じることに起因して、硬化樹脂と基板との密着性に差が生じるおそれがある。硬化樹脂と基板との密着性が低下した場合には、樹脂封止工程を経て製造された製品である半導体パッケージ、LEDパッケージ等(以下「パッケージ」という。)において、密着不良による品質の低下という深刻な問題が発生するおそれがある。硬化樹脂と基板との密着性が低下した場合に品質の低下が発生するおそれがあることは、周知である(例えば、非特許文献1参照)。   In addition, due to the difference in the temperature of the lead frame (substrate), there may be a difference in the adhesion between the cured resin and the substrate. When the adhesiveness between the cured resin and the substrate is lowered, it is said that the quality is deteriorated due to poor adhesion in a semiconductor package, an LED package or the like (hereinafter referred to as “package”) which is a product manufactured through a resin sealing process. Serious problems may occur. It is well known that when the adhesion between the cured resin and the substrate is lowered, there is a possibility that the quality may be lowered (for example, see Non-Patent Document 1).

第2に、各モールディングユニットに設けられた成形型において、独立した適宜な予備加熱手段をキャビティの近傍に設けるという構成によれば、次の問題が発生する。まず、モールディングユニットの数に等しい独立した予備加熱手段を設ける必要があるので、装置コストが増大する。また、成形型のメンテナンスを行う際に、予備加熱手段によって作業者が火傷を負うおそれがある。   Secondly, according to the configuration in which the appropriate appropriate preheating means is provided in the vicinity of the cavity in the molding die provided in each molding unit, the following problem occurs. First, since it is necessary to provide independent preheating means equal to the number of molding units, the apparatus cost increases. Further, when performing maintenance of the mold, there is a risk that the operator may be burned by the preheating means.

本発明が解決しようとする課題は、チップを樹脂封止する際の全体的な封止時間を短縮することが困難であること、製品の品質の低下を招くおそれがあること、装置コストが増大すること、及び、成形型のメンテナンスにおいて安全性に問題があることである。   The problem to be solved by the present invention is that it is difficult to shorten the overall sealing time when the chip is resin-sealed, there is a risk that the quality of the product may be reduced, and the device cost is increased. And there is a problem with safety in the maintenance of the mold.

以下の説明における( )内の数字は、図面における符号を示している。これらの数字は、説明における用語と図面に示された構成要素とを対比しやすくする目的で記載されたものである。また、これらの数字は、「説明における用語を、図面に示された構成要素に限定して解釈すること」を意味するものではない。   Numbers in parentheses in the following description indicate reference numerals in the drawings. These numbers are described for the purpose of facilitating the comparison of the terms in the description and the components shown in the drawings. Further, these numbers do not mean “interpreting the terms in the description limited to the components shown in the drawings”.

上述の課題を解決するために、本発明に係る樹脂封止装置は、第1の成形型(28)と、該第1の成形型(28)に相対向して設けられた第2の成形型(10)と、第1の成形型(28)と第2の成形型(10)との少なくともいずれかに設けられ流動性樹脂(30)によって満たされるべきキャビティ(11)とを備え、チップ状の電子部品からなるチップ(17)が基板に装着された状態において、キャビティ(11)に満たされた流動性樹脂(30)が硬化して形成された硬化樹脂(31)によってチップ(17)を樹脂封止する樹脂封止装置であって、第1の成形型(28)と第2の成形型(10)とをそれぞれ有する複数個の成形モジュール(3A、3B、3C、3D)と、チップ(17)が装着された基板(14)からなる封止前基板(5)をキャビティ(11)の少なくとも近傍まで搬送する搬送機構(9)と、搬送機構(9)とは別に設けられた移送機構(13)と、搬送機構(9)又は移送機構(13、24)の少なくともいずれか一方に設けられた第1のヒータ(20、24)とを備えるとともに、第1のヒータ(20)は、封止前基板(5)を少なくともキャビティ(11)の近傍まで搬送する過程において封止前基板(5)を面的に加熱し、搬送機構(9)と移送機構(13)とが一体的に移動することができ、かつ、移送機構(13)が搬送機構(9)から分離して移動することができ、移送機構(13)は、搬送機構(9)から第1の成形型(28)と第2の成形型(10)とのいずれかにおいてキャビティ(11)に平面視して重なる位置における型面まで封止前基板(5)を搬送して型面を含む配置用型面に引き渡し、移送機構(13)は、封止前基板(5)を配置用型面に引き渡した後に第1の成形型(28)と第2の成形型(10)との間から退避し、第1の成形型(28)と第2の成形型(10)とが型締めした状態、かつ、キャビティ(11)に満たされた流動性樹脂(30)にチップ(17)が浸漬された状態において流動性樹脂(30)が硬化し、複数個の成形モジュール(3A、3B、3C、3D)は、搬送機構(9)が移動する方向に沿って順次固定され、複数個の成形モジュール(3A、3B、3C、3D)がそれぞれ有するキャビティ(11)の少なくとも近傍まで封止前基板(5)を搬送する距離が複数個の成形モジュール(3A、3B、3C、3D)のそれぞれに応じて相異なることを特徴とする。 In order to solve the above-described problem, a resin sealing device according to the present invention includes a first molding die (28) and a second molding provided opposite to the first molding die (28). A chip (10), and a cavity (11) provided in at least one of the first mold (28) and the second mold (10) to be filled with the flowable resin (30), The chip (17) is formed by the cured resin (31) formed by curing the fluid resin (30) filled in the cavity (11) in a state where the chip (17) made of the electronic component is mounted on the substrate. A plurality of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D) each having a first molding die (28) and a second molding die (10); Sealing comprising a substrate (14) on which a chip (17) is mounted A substrate (5) a cavity transfer mechanism for transferring at least up to the vicinity of (11) (9), provided separately from the transport mechanism and the transfer mechanism (9) and (13), the transport mechanism (9) or transfer mechanism (13 , 24) provided with at least one of the first heaters (20 , 24 ), and the first heater (20) includes at least the pre-sealing substrate (5) in the vicinity of the cavity (11). The pre-sealing substrate (5) is heated in the process of transporting until the transport mechanism (9) and the transport mechanism (13) can move integrally, and the transport mechanism (13) is transported. The transfer mechanism (13) can be moved separately from the mechanism (9), and the transfer mechanism (13) is a cavity in either the first mold (28) or the second mold (10) from the transport mechanism (9). (11) in a position overlapping in plan view The pre-sealing substrate (5) is conveyed to the mold surface and delivered to the placement mold surface including the mold surface, and the transfer mechanism (13) first transfers the pre-sealing substrate (5) to the placement mold surface. The mold (28) and the second mold (10) are withdrawn from between the first mold (28) and the second mold (10), and the cavity ( The flowable resin (30) is cured in a state where the chip (17) is immersed in the flowable resin (30) filled with 11), and a plurality of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D) are conveyed. The mechanism (9) is sequentially fixed along the moving direction, and the substrate (5) before sealing is conveyed to at least the vicinity of the cavity (11) included in each of the plurality of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D). Each of a plurality of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D) at a distance Wherein the different phases according to.

本発明に係る樹脂封止装置は、上述した樹脂封止装置(1)において、成形モジュール(3A、3B、3C、3D)の数が事後的に増減可能であることを特徴とする。   The resin sealing device according to the present invention is characterized in that, in the above-described resin sealing device (1), the number of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D) can be increased or decreased afterwards.

本発明に係る樹脂封止装置は、上述した樹脂封止装置(1)において、第1のヒータ(20)は封止前基板(5)を直接加熱することを特徴とする。   The resin sealing device according to the present invention is characterized in that, in the above-described resin sealing device (1), the first heater (20) directly heats the substrate (5) before sealing.

本発明に係る樹脂封止装置は、上述した樹脂封止装置(1)において、移送機構(13)に設けられた第2のヒータ(24)を備え、第2のヒータ(24)は、封止前基板(5)を配置用型面に引き渡すまでの過程において封止前基板(5)を面的に加熱することを特徴とする。 The resin sealing device according to the present invention includes the second heater (24) provided in the transfer mechanism (13) in the resin sealing device (1) described above , and the second heater (24) is sealed. The substrate before sealing (5) is heated in a process until the substrate before stopping (5) is delivered to the placement mold surface.

本発明に係る樹脂封止装置は、上述した樹脂封止装置(1)において、第2のヒータ(24)は、チップ(17)に対して非接触である状態において封止前基板(5)を面的に加熱することを特徴とする。   In the resin sealing device according to the present invention, in the above-described resin sealing device (1), the second heater (24) is in a non-contact state with respect to the chip (17). It is characterized by heating the surface.

本発明に係る樹脂封止装置は、上述した樹脂封止装置(1)において、搬送機構(9)は、基板(14)とチップ(17)と硬化樹脂(31)とを有する封止済基板(32)を成形モジュール(3A、3B、3C、3D)から搬出することを特徴とする。 In the resin sealing device according to the present invention, in the above-described resin sealing device (1), the transport mechanism (9) includes a substrate (14), a chip (17), and a cured resin (31). (32) is carried out from the molding module (3A, 3B, 3C, 3D) .

上述の課題を解決するために、本発明に係る樹脂封止方法は、チップ状の電子部品からなるチップ(17)が基板(14)に装着された状態においてチップ(17)を樹脂封止することを目的として、第1の成形型(28)と該第1の成形型(28)に相対向して設けられた第2の成形型(10)とを有する成形モジュールを複数個準備する工程と、チップ(17)が装着された基板(14)からなる封止前基板(5)を搬送機構(9)に配置する工程と、第1の成形型(28)と第2の成形型(10)との少なくともいずれかに設けられ流動性樹脂(30)によって満たされるべきキャビティ(11)の少なくとも近傍まで搬送機構(9)を使用して封止前基板(5)を搬送する工程と、第1の成形型(28)と第2の成形型(10)とのいずれかにおいてキャビティ(11)に平面視して重なる位置における型面を含む配置用型面に封止前基板(5)を固定する工程と、第1の成形型(28)と第2の成形型(10)とを型締めする工程と、キャビティ(11)に満たされた流動性樹脂(30)にチップ(17)が浸漬された状態において流動性樹脂(30)を硬化させることによって硬化樹脂(31)を形成する工程と、第1の成形型(28)と第2の成形型(10)とを型開きする工程と、基板(14)とチップ(17)と硬化樹脂(31)とを有する封止済基板(32)を取り出す工程とを備える樹脂封止方法であって、
搬送機構(9)とは別に設けられた移送機構(13)を使用して封止前基板(5)を配置用型面まで移送する工程と、移送機構(13)を使用して封止前基板(5)を配置用型面に引き渡す工程と、封止前基板(5)を配置用型面に引き渡した後に第1の成形型(28)と第2の成形型(10)との間から移送機構(13)を退避させる工程とを備えるとともに、搬送する工程では、搬送機構(9)と移送機構(13)とが一体的に移動し、移送する工程では、移送機構(13)が搬送機構(9)から分離して移動し、退避させる工程の後に型締めする工程を実行し、型締めする工程の後に硬化樹脂(31)を形成する工程を実行し、搬送する工程又は移送する工程の少なくともいずれか一方において封止前基板(5)を面的に加熱し、搬送する工程の少なくとも一部においては、複数個の成形モジュール(3A、3B、3C、3D)が順次固定されて並ぶ方向に沿って搬送機構(9)を移動させ、搬送する工程において複数個の成形モジュール(3A、3B、3C、3D)がそれぞれ有するキャビティ(11)の少なくとも近傍まで封止前基板(5)を搬送する距離が複数個の成形モジュール(3A、3B、3C、3D)のそれぞれに応じて相異なることを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, the resin sealing method according to the present invention is to resin-seal the chip (17) in a state where the chip (17) made of a chip-like electronic component is mounted on the substrate (14). For this purpose, a step of preparing a plurality of molding modules having a first molding die (28) and a second molding die (10) provided opposite to the first molding die (28). And a step of disposing a pre-sealing substrate (5) composed of a substrate (14) on which a chip (17) is mounted on the transport mechanism (9), a first mold (28) and a second mold ( 10) and transporting the pre-sealing substrate (5) using the transport mechanism (9) to at least the vicinity of the cavity (11) to be filled with the flowable resin (30). Between the first mold (28) and the second mold (10). The step of fixing the pre-sealing substrate (5) to the placement mold surface including the mold surface in a position overlapping with the cavity (11) in plan view, the first molding die (28) and the second molding A step of clamping the mold (10) and a cured resin by curing the fluid resin (30) in a state where the chip (17) is immersed in the fluid resin (30) filled in the cavity (11). A step of forming (31), a step of opening the first mold (28) and the second mold (10), a substrate (14), a chip (17), and a cured resin (31). And a step of taking out a sealed substrate (32) having a resin sealing method,
A step of transferring the pre-sealing substrate (5) to the placement mold surface using a transfer mechanism (13) provided separately from the transport mechanism (9), and a pre-sealing using the transfer mechanism (13) A step of delivering the substrate (5) to the placement mold surface, and a portion between the first mold (28) and the second mold (10) after delivering the pre-sealing substrate (5) to the placement mold surface. And the step of retracting the transfer mechanism (13) from the transport mechanism (9), the transfer mechanism (9) and the transfer mechanism (13) move integrally in the transfer step, and the transfer mechanism (13) is moved in the transfer step. The step of clamping is performed after the step of moving and retracting from the transport mechanism (9), and the step of forming the cured resin (31) is performed after the step of clamping, and the step of transporting or transferring in at least one step by heating the sealing substrate before (5) surface to, the transport In at least a part of the process, a plurality of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D) are moved in a direction in which a plurality of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D) are sequentially fixed and arranged, and a plurality of moldings are performed in the transporting process. Each of the plurality of molded modules (3A, 3B, 3C, 3D) has a distance for transporting the pre-sealing substrate (5) to at least the vicinity of the cavity (11) of each of the modules (3A, 3B, 3C, 3D). It is characterized by being different depending on the situation.

本発明に係る樹脂封止方法は、上述した樹脂封止方法において、成形モジュール(3A、3B、3C、3D)の数を事後的に増減することができることを特徴とする。   The resin sealing method according to the present invention is characterized in that in the above-described resin sealing method, the number of molding modules (3A, 3B, 3C, 3D) can be increased or decreased afterwards.

本発明に係る樹脂封止方法は、上述した樹脂封止方法において、搬送する工程においては、第1のヒータ(20)は封止前基板(5)を直接加熱することを特徴とする。   In the resin sealing method according to the present invention, in the above-described resin sealing method, the first heater (20) directly heats the pre-sealing substrate (5) in the transporting step.

本発明に係る樹脂封止方法は、上述した樹脂封止方法において、移送する工程においては、移送機構(13)に設けられた第2のヒータ(24)を使用して、封止前基板(5)を面的に加熱することを特徴とする。 In the resin sealing method according to the present invention, in the above-described resin sealing method, in the transfer step , the second heater (24) provided in the transfer mechanism (13) is used, and the substrate before sealing ( 5) is surface-heated.

本発明に係る樹脂封止方法は、上述した樹脂封止方法において移送する工程においては、第2のヒータ(24)がチップ(17)に対して非接触である状態において封止前基板(5)を面的に加熱することを特徴とする。   In the resin sealing method according to the present invention, in the step of transferring in the above-described resin sealing method, the pre-sealing substrate (5) in a state where the second heater (24) is not in contact with the chip (17). ) Is heated in a plane.

本発明に係る樹脂封止方法は、上述した樹脂封止方法において、取り出す工程の後に、搬送機構(9)を使用して成形モジュール(3A、3B、3C、3D)から封止済基板(32)を搬出する工程を備えることを特徴とする。 In the resin sealing method according to the present invention, in the above-described resin sealing method, the sealing substrate (32) is formed from the molding module (3A, 3B, 3C, 3D) using the transport mechanism (9) after the removing step. ) Is carried out .

本発明によれば、少なくともキャビティ(11)の近傍まで封止前基板(5)を搬送する搬送機構(9)に、第1のヒータ(20)が設けられる。第1のヒータ(20)は、封止前基板(5)を搬送する過程において封止前基板(5)を面的に加熱する。これにより、本発明は次の効果を奏する。第1に、少なくともキャビティ(11)の近傍まで封止前基板(5)を搬送する過程において封止前基板(5)を加熱するので、成形型において封止前基板(5)を加熱する時間が短縮され、又は不要になる。したがって、全体的な封止時間、言い換えれば成形型におけるサイクルタイムを短縮することができる。   According to the present invention, the first heater (20) is provided in the transport mechanism (9) that transports the pre-sealing substrate (5) to at least the vicinity of the cavity (11). The first heater (20) heats the pre-sealing substrate (5) in the process of transporting the pre-sealing substrate (5). Thereby, this invention has the following effects. 1stly, since the board | substrate (5) before sealing is heated in the process which conveys the board | substrate (5) before sealing at least to the vicinity of a cavity (11), the time which heats the board | substrate (5) before sealing in a shaping | molding die. Is shortened or unnecessary. Therefore, the overall sealing time, in other words, the cycle time in the mold can be shortened.

第2に、複数個の成形型に対して封止前基板(5)を搬送する距離が相異なる場合において、加熱された封止前基板(5)の温度に差が生じないようにすることができる。このことにより、複数個の成形型の間で硬化樹脂(31)と基板(14)との密着性に差が生じにくくなる。したがって、パッケージの品質の低下を効果的に防止することができる。また、成形型において封止前基板(5)を再度予熱する時間に差異を設ける必要がなくなる。   Secondly, in the case where the distances for transporting the pre-sealing substrate (5) with respect to a plurality of molds are different, the temperature of the heated pre-sealing substrate (5) should not be different. Can do. This makes it difficult for differences in the adhesion between the cured resin (31) and the substrate (14) to occur between the plurality of molds. Therefore, it is possible to effectively prevent the deterioration of the package quality. Moreover, it is not necessary to provide a difference in the time for preheating the pre-sealing substrate (5) again in the mold.

第3に、複数個の成形型が設けられている場合において、成形型の数に等しい独立した予備加熱手段を設ける必要がない。したがって、装置コストを抑制することができる。   Third, when a plurality of molds are provided, it is not necessary to provide independent preheating means equal to the number of molds. Therefore, the apparatus cost can be suppressed.

第4に、成形型において、キャビティ(11)の近傍に独立した予備加熱手段を設ける必要がない。加えて、成形型のメンテナンスを行う場合には、第1のヒータ(20)が設けられた搬送機構(9)をその成形型から退避させることができる。したがって、成形型のメンテナンスにおける安全性が向上する。   Fourthly, it is not necessary to provide an independent preheating means in the vicinity of the cavity (11) in the mold. In addition, when performing maintenance of the mold, the transport mechanism (9) provided with the first heater (20) can be retracted from the mold. Therefore, the safety in the maintenance of the mold is improved.

第5に、搬送機構(9)から封止前基板(5)を受け取り、かつ、型面まで封止前基板(5)を移送する移送機構(13)に設けられた第2のヒータ(24)が、封止前基板(5)を型面に引き渡すまでの過程において封止前基板(5)を面的に加熱する。このことによって、封止前基板(5)を型面に引き渡す直前まで封止前基板(5)を加熱することができる。したがって、全体的な封止時間を大幅に短縮することができる。また、複数個の成形型に対して封止前基板(5)を搬送する距離が相異なる場合においても、加熱された封止前基板(5)の温度に差がいっそう生じにくくなる。したがって、製品の品質の低下をいっそう効果的に防止することができる。   Fifth, the second heater (24) provided in the transfer mechanism (13) that receives the pre-sealing substrate (5) from the transport mechanism (9) and transfers the pre-sealing substrate (5) to the mold surface. ) Heats the pre-sealing substrate (5) in a plane until the pre-sealing substrate (5) is delivered to the mold surface. Thereby, the substrate (5) before sealing can be heated until just before the substrate (5) before sealing is delivered to the mold surface. Therefore, the overall sealing time can be greatly shortened. In addition, even when the distances for transporting the pre-sealing substrate (5) with respect to the plurality of molds are different, the temperature of the heated pre-sealing substrate (5) is more unlikely to be generated. Therefore, it is possible to more effectively prevent the product quality from being deteriorated.

図1は、本発明に係る樹脂封止装置の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a resin sealing device according to the present invention. 図2(1)〜(3)は、搬送機構が封止前基板を搬送する工程から、移送機構が封止前基板を搬送する工程までを示す、部分断面図である。2 (1) to 2 (3) are partial cross-sectional views illustrating the process from the process in which the transport mechanism transports the pre-sealing substrate to the process in which the transfer mechanism transports the pre-sealing substrate. 図3(1)〜(4)は、移送機構が封止前基板を型面に引き渡す工程から、封止済基板が形成される工程までを示す、部分断面図である。3 (1) to 3 (4) are partial cross-sectional views illustrating the process from the process of transferring the pre-sealing substrate to the mold surface by the transfer mechanism to the process of forming the sealed substrate.

本発明に係る樹脂封止装置の実施例1を、図1〜図3を参照して説明する。本出願に係るいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。   Example 1 of the resin sealing device according to the present invention will be described with reference to FIGS. Any figure according to the present application is schematically omitted and exaggerated as appropriate for easy understanding.

図1に示されているように、本発明に係る樹脂封止装置1は、受入及び払出モジュール2と、4個の成形モジュール3A、3B、3C、3Dとを有する。受入及び払出モジュール2には、樹脂封止用の樹脂材料を成形型に供給する機構、樹脂封止された封止済基板を次工程に払い出す機構、樹脂封止装置1全体を制御する制御部等が設けられている。これらの構成要素については、図示を省略した。   As shown in FIG. 1, a resin sealing device 1 according to the present invention includes a receiving and dispensing module 2 and four molding modules 3A, 3B, 3C, and 3D. The receiving and dispensing module 2 includes a mechanism for supplying a resin material for resin sealing to a mold, a mechanism for discharging a resin-sealed sealed substrate to the next process, and a control for controlling the entire resin sealing device 1. Etc. are provided. These components are not shown.

受入及び払出モジュール2には、基板供給部4が設けられている。基板供給部4は、前工程から封止前基板5を受け取って樹脂封止装置1の内部に供給する。また、受入及び払出モジュール2には、回転機構6と中継機構7と受け渡し台8とが設けられている。   The receiving and dispensing module 2 is provided with a substrate supply unit 4. The substrate supply unit 4 receives the pre-sealing substrate 5 from the previous process and supplies it to the inside of the resin sealing device 1. The receiving / dispensing module 2 is provided with a rotating mechanism 6, a relay mechanism 7, and a delivery table 8.

図1の全体において、各構成要素における封止前基板5が配置される位置を、細い二点鎖線の長方形及び細い破線の長方形によって仮想的に示す。細い二点鎖線は、各構成要素の上面に封止前基板5が配置されることを示す。細い破線は、各構成要素の下面に封止前基板5が保持されることを示す。   In the whole of FIG. 1, the position where the pre-sealing substrate 5 in each component is arranged is virtually indicated by a thin two-dot chain line rectangle and a thin broken line rectangle. A thin two-dot chain line indicates that the pre-sealing substrate 5 is disposed on the upper surface of each component. A thin broken line indicates that the pre-sealing substrate 5 is held on the lower surface of each component.

4個の成形モジュール3A、3B、3C、3Dのそれぞれにおいて図のX方向(+、−の符号を付さない場合には、+X方向と−X方向との双方を示す。以下同じ。)に移動する、搬送機構9が設けられている。各成形モジュール3A、3B、3C、3Dには、それぞれ下型10が設けられている。各下型10の型面には、流動性樹脂(後述)によって満たされるべき凹部からなるキャビティ11がそれぞれ形成されている。樹脂封止工程において封止前基板5が配置される位置(平面視した位置)を、基板位置12として仮想的に示す。また、各成形モジュール3A、3B、3C、3Dには、それぞれ移送機構13が設けられている。また、下型10に相対向して上型(後述)が設けられている。下型10と上型とは、併せて成形型を構成する。   In each of the four molding modules 3A, 3B, 3C, and 3D, in the X direction in the figure (in the case where the signs of + and − are not attached, both the + X direction and the −X direction are shown; the same applies hereinafter). A transport mechanism 9 that moves is provided. Each molding module 3A, 3B, 3C, 3D is provided with a lower mold 10 respectively. On the mold surface of each lower mold 10, cavities 11 made of recesses to be filled with a fluid resin (described later) are formed. A position (position in plan view) where the pre-sealing substrate 5 is arranged in the resin sealing step is virtually shown as a substrate position 12. Each molding module 3A, 3B, 3C, 3D is provided with a transfer mechanism 13 respectively. Further, an upper mold (described later) is provided opposite to the lower mold 10. The lower mold 10 and the upper mold together constitute a mold.

なお、実際の樹脂封止装置においては、下型10は、チェイスホルダと呼ばれる外側の部分と、チェイスと呼ばれる内側の部分と、キャビティブロックと呼ばれるキャビティが設けられた部分とによって構成される場合が多い。図1においては、これらの構成要素及び上型については図示を省略した。   In an actual resin sealing device, the lower mold 10 may be composed of an outer part called a chase holder, an inner part called a chase, and a part provided with a cavity called a cavity block. Many. In FIG. 1, these components and the upper mold are not shown.

以下、図1を参照して、封止前基板5が基板供給部4から基板位置12まで搬送される経路を説明する。まず、前工程から搬送されてきた封止前基板5を、基板供給部4の上面に置く。次に、適当な移送機構(図示なし)を使用して、基板供給部4から回転機構6の上面に封止前基板5を移送する。次に、回転機構6が、その上面に封止前基板5を置いた状態で90°回転する。次に、中継機構7が、回転機構6の上面に置かれていた封止前基板5を、吸着、クランプ等の方法によって中継機構7の下面に固定する。次に、中継機構7は、受け渡し台8の上方まで−Y方向に移動して、その後に封止前基板5に対する吸着等を解除する。これにより、受け渡し台8の上面に封止前基板5を置くことができる。   Hereinafter, a path through which the pre-sealing substrate 5 is transferred from the substrate supply unit 4 to the substrate position 12 will be described with reference to FIG. First, the pre-sealing substrate 5 conveyed from the previous process is placed on the upper surface of the substrate supply unit 4. Next, the pre-sealing substrate 5 is transferred from the substrate supply unit 4 to the upper surface of the rotation mechanism 6 using an appropriate transfer mechanism (not shown). Next, the rotation mechanism 6 rotates 90 ° with the pre-sealing substrate 5 placed on the upper surface thereof. Next, the relay mechanism 7 fixes the pre-sealing substrate 5 placed on the upper surface of the rotation mechanism 6 to the lower surface of the relay mechanism 7 by a method such as suction or clamping. Next, the relay mechanism 7 moves in the −Y direction up to the upper side of the delivery table 8, and thereafter releases the adsorption to the substrate 5 before sealing. Thereby, the substrate 5 before sealing can be placed on the upper surface of the delivery table 8.

次に、搬送機構9が、受け渡し台8の上面に置かれていた封止前基板5を、吸着によって搬送機構9の下面に固定する。その後に、搬送機構9は、下面に封止前基板5を固定した状態でレール(図示なし)に沿って+X方向に移動する。搬送機構9は、封止前基板5を樹脂封止する際に使用される下型10を有する成形モジュール(図1の例では成形モジュール3C)まで、封止前基板5を搬送する。   Next, the transport mechanism 9 fixes the pre-sealing substrate 5 placed on the upper surface of the delivery table 8 to the lower surface of the transport mechanism 9 by suction. Thereafter, the transport mechanism 9 moves in the + X direction along a rail (not shown) with the pre-sealing substrate 5 fixed to the lower surface. The transport mechanism 9 transports the pre-sealing substrate 5 to the molding module (the molding module 3C in the example of FIG. 1) having the lower mold 10 used when the pre-sealing substrate 5 is resin-sealed.

次に、成形モジュール3Cに設けられた移送機構13が、搬送機構9の下方まで−Y方向に移動する。搬送機構9は、封止前基板5に対する吸着を解除する。これにより、移送機構13の上面に封止前基板5を置くことができる。   Next, the transfer mechanism 13 provided in the molding module 3 </ b> C moves in the −Y direction to below the transport mechanism 9. The transport mechanism 9 releases the adsorption to the pre-sealing substrate 5. Thereby, the substrate 5 before sealing can be placed on the upper surface of the transfer mechanism 13.

次に、移送機構13は、上面に封止前基板5を置いた状態で+Y方向に移動する。移送機構13は、封止前基板5が基板位置12に到達すると停止して、+Z方向に移動した後に上型(図示なし)の型面に封止前基板5を引き渡す。上型は、吸着、クランプ等の方法によって封止前基板5を上型の型面(下面)に固定する。   Next, the transfer mechanism 13 moves in the + Y direction with the pre-sealing substrate 5 placed on the upper surface. The transfer mechanism 13 stops when the pre-sealing substrate 5 reaches the substrate position 12, moves to the + Z direction, and then delivers the pre-sealing substrate 5 to the mold surface of the upper mold (not shown). The upper mold fixes the pre-sealing substrate 5 to the mold surface (lower surface) of the upper mold by a method such as suction or clamping.

本実施例の特徴は、成形モジュール3A、3B、3C、3Dのいずれかにおけるキャビティ11の近傍まで封止前基板5を搬送する過程と、キャビティ11の近傍から基板位置12まで封止前基板5を移送する過程とにおいて、封止前基板5を予熱することである。以下、これらの2つの過程において封止前基板5を予熱することについて、図1〜図3を参照して説明する。   The feature of this embodiment is that the pre-sealing substrate 5 is transported to the vicinity of the cavity 11 in any one of the molding modules 3A, 3B, 3C, and 3D, and the pre-sealing substrate 5 from the vicinity of the cavity 11 to the substrate position 12. In the process of transporting, the pre-sealing substrate 5 is preheated. Hereinafter, preheating the pre-sealing substrate 5 in these two processes will be described with reference to FIGS.

図2(1)に示されているように、封止前基板5は、リードフレーム、プリント基板等からなる基板14を有する。基板14は、仮想的な境界線15によって格子状の領域16に区分けされている。各領域16には、1個又は複数個のチップ17が装着されている。基板14の端子とチップ17の端子とは、ワイヤボンディングによって導線18を使用して電気的に接続されている。   As shown in FIG. 2A, the pre-sealing substrate 5 has a substrate 14 made of a lead frame, a printed circuit board or the like. The substrate 14 is divided into lattice-like regions 16 by virtual boundary lines 15. In each region 16, one or a plurality of chips 17 are mounted. The terminal of the board | substrate 14 and the terminal of the chip | tip 17 are electrically connected using the conducting wire 18 by wire bonding.

本実施例においては、図1に示された基板供給部4の上面において、封止前基板5におけるチップ17が装着された面を下向き(−Z方向)にして封止前基板5が置かれる。このことから、基板供給部4の上面には、チップ17と導線18とを収容するための凹部である収容部(図示なし)が設けられている。樹脂封止装置1の他の構成要素のうち、回転機構6と受け渡し台8と移送機構13とにおいても、基板供給部4と同様に収容部が設けられている(移送機構13に設けられた収容部については後述)。   In this embodiment, the pre-sealing substrate 5 is placed on the upper surface of the substrate supply unit 4 shown in FIG. 1 with the surface of the pre-sealing substrate 5 on which the chip 17 is mounted facing downward (−Z direction). . For this reason, a housing portion (not shown), which is a recess for housing the chip 17 and the conductor 18, is provided on the upper surface of the substrate supply portion 4. Among the other constituent elements of the resin sealing device 1, the rotation mechanism 6, the delivery table 8, and the transfer mechanism 13 are also provided with a storage portion (provided in the transfer mechanism 13) similarly to the substrate supply unit 4. The accommodating part will be described later).

搬送機構9は、本体19とヒータ20と表層部21と吸引路22とを有する。ヒータ20は、封止前基板5を予熱するために設けられた第1のヒータであって、本体19に設けられた凹部にはめ込まれたシート状(薄板状)の発熱部材である。ヒータ20は、通電されることによって発熱する。これにより、ヒータ20は表層部21を介して封止前基板5を面的に加熱する。表層部21は、ヒータ20を保護する目的で本体19の表面に設けられている。吸引路22は、配管によって減圧タンク(いずれも図示なし)に接続されている。吸引路22を介して封止前基板5を吸引することによって、搬送機構9の下面に封止前基板5が吸着される。   The transport mechanism 9 includes a main body 19, a heater 20, a surface layer portion 21, and a suction path 22. The heater 20 is a first heater provided for preheating the pre-sealing substrate 5 and is a sheet-like (thin plate-like) heat generating member fitted in a recess provided in the main body 19. The heater 20 generates heat when energized. As a result, the heater 20 heats the pre-sealing substrate 5 through the surface layer portion 21. The surface layer portion 21 is provided on the surface of the main body 19 for the purpose of protecting the heater 20. The suction path 22 is connected to a decompression tank (both not shown) by piping. By sucking the substrate 5 before sealing through the suction path 22, the substrate 5 before sealing is adsorbed to the lower surface of the transport mechanism 9.

図2(2)、図2(3)に示されているように、移送機構13は、本体23とヒータ24と枠状部25と吸引路26と収容部27とを有する。ヒータ24は、封止前基板5を予熱するために設けられた第2のヒータであって、本体23に設けられた凹部にはめ込まれたシート状(薄板状)の発熱部材である。ヒータ24は、通電されることによって発熱する。これによって、ヒータ24は封止前基板5を面的に加熱する。枠状部25は、ヒータ24の外周に重なるようにして、本体23に対して固定されている枠状の部材である。収容部27は、本体23と枠状部25とによって形成された空間である。移送機構13に封止前基板5が置かれた状態において、チップ17と導線18とが収容部27に収容される(図2(3)参照)。   As shown in FIGS. 2 (2) and 2 (3), the transfer mechanism 13 includes a main body 23, a heater 24, a frame-like portion 25, a suction path 26, and a storage portion 27. The heater 24 is a second heater provided for preheating the pre-sealing substrate 5, and is a sheet-like (thin plate-like) heat generating member fitted into a recess provided in the main body 23. The heater 24 generates heat when energized. As a result, the heater 24 heats the pre-sealing substrate 5 in a plane. The frame-shaped portion 25 is a frame-shaped member that is fixed to the main body 23 so as to overlap the outer periphery of the heater 24. The accommodating portion 27 is a space formed by the main body 23 and the frame-like portion 25. In a state where the pre-sealing substrate 5 is placed on the transfer mechanism 13, the chip 17 and the conductive wire 18 are accommodated in the accommodating portion 27 (see FIG. 2 (3)).

以下、封止前基板5が搬送機構9の下面に吸着されてから、封止前基板5に装着されたチップ17が樹脂封止されるまでの工程について、図1〜図3を参照して説明する。本実施例では、圧縮成形の方式を使用して、封止前基板5に装着されたチップ17を樹脂封止することによって、封止済基板(後述)を完成させる。   Hereinafter, with reference to FIG. 1 to FIG. 3, a process from when the pre-sealing substrate 5 is attracted to the lower surface of the transport mechanism 9 until the chip 17 mounted on the pre-sealing substrate 5 is resin-sealed is described. explain. In this embodiment, a sealed substrate (described later) is completed by resin-sealing the chip 17 mounted on the pre-sealing substrate 5 using a compression molding method.

まず、図1と図2(1)とに示されているように、受け渡し台8の上方において搬送機構9の下面に封止前基板5を吸着する。その後に、搬送機構9を+X方向に移動させる。この過程において、ヒータ20が表層部21を介して封止前基板5を面的に加熱する。したがって、図1において、搬送機構9が受け渡し台8から成形モジュール3Cまで封止前基板5を搬送している間において、封止前基板5を面的に加熱することができる。このことは、搬送機構9が、受け渡し台8から成形モジュール3Cにおけるキャビティ11の近傍まで封止前基板5を面的に予熱することを意味する。   First, as shown in FIG. 1 and FIG. 2 (1), the pre-sealing substrate 5 is adsorbed on the lower surface of the transport mechanism 9 above the delivery table 8. Thereafter, the transport mechanism 9 is moved in the + X direction. In this process, the heater 20 heats the pre-sealing substrate 5 through the surface layer portion 21. Therefore, in FIG. 1, while the transport mechanism 9 is transporting the pre-sealing substrate 5 from the delivery table 8 to the molding module 3 </ b> C, the pre-sealing substrate 5 can be heated in a plane. This means that the transport mechanism 9 preheats the pre-sealing substrate 5 from the delivery table 8 to the vicinity of the cavity 11 in the molding module 3C.

次に、図1と図2(2)とに示されているように、成形モジュール3Cに設けられた移送機構13が、搬送機構9の下方まで−Y方向に移動する。その後に、移送機構13は+Z方向に移動し、搬送機構9は封止前基板5に対する吸着を解除する。このことにより、図2(3)に示されているように、移送機構13の上面に封止前基板5を置くことができる。   Next, as shown in FIG. 1 and FIG. 2B, the transfer mechanism 13 provided in the molding module 3 </ b> C moves in the −Y direction to the lower side of the transport mechanism 9. Thereafter, the transfer mechanism 13 moves in the + Z direction, and the transport mechanism 9 releases the suction to the pre-sealing substrate 5. As a result, the pre-sealing substrate 5 can be placed on the upper surface of the transfer mechanism 13 as shown in FIG.

次に、図2(3)に示されているように、吸引路26を使用して、移送機構13の上面に置かれた封止前基板5の外周部を吸着する。吸着された封止前基板5は、枠状部25に接触している部分においてヒータ24からの熱の伝導によって加熱される。加えて、吸着された封止前基板5は、枠状部25に接触していない部分において、言い換えれば平面視して収容部27に重なる部分において、ヒータ24からの熱の輻射によって加熱される。これらのことにより、封止前基板5はヒータ24によって面的に加熱される。   Next, as shown in FIG. 2 (3), the outer peripheral portion of the pre-sealing substrate 5 placed on the upper surface of the transfer mechanism 13 is sucked using the suction path 26. The adsorbed pre-sealing substrate 5 is heated by the conduction of heat from the heater 24 at a portion in contact with the frame-like portion 25. In addition, the adsorbed pre-sealing substrate 5 is heated by radiation of heat from the heater 24 in a portion that is not in contact with the frame-like portion 25, in other words, in a portion that overlaps the housing portion 27 in plan view. . For these reasons, the pre-sealing substrate 5 is heated by the heater 24.

次に、図1に示されているように、移送機構13は、平面視して封止前基板5が基板位置12に重なるまで、+Y方向に封止前基板5を移送する。その後に、図3(1)に示されているように、移送機構13は+Z方向に移動して、封止前基板5に対する吸着を解除する。下型10に相対向して設けられた上型28は、吸引路29を使用して上型28の型面(下面)において封止前基板5を吸着する。したがって、移送機構13の上面に封止前基板5が置かれてから、上型28の下面に封止前基板5が吸着されるまでの間において、ヒータ24によって封止前基板5を面的に予熱することができる。   Next, as shown in FIG. 1, the transfer mechanism 13 transfers the pre-sealing substrate 5 in the + Y direction until the pre-sealing substrate 5 overlaps the substrate position 12 in plan view. After that, as shown in FIG. 3A, the transfer mechanism 13 moves in the + Z direction to release the suction to the substrate 5 before sealing. The upper mold 28 provided opposite to the lower mold 10 sucks the pre-sealing substrate 5 on the mold surface (lower surface) of the upper mold 28 using the suction path 29. Therefore, after the pre-sealing substrate 5 is placed on the upper surface of the transfer mechanism 13 and before the pre-sealing substrate 5 is attracted to the lower surface of the upper mold 28, the pre-sealing substrate 5 is planarized by the heater 24. Can be preheated.

ここまでの工程と並行して、図3(2)に示されているように、下型10に設けられたキャビティ11に、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂からなる流動性樹脂30を供給する。   In parallel with the steps so far, as shown in FIG. 3 (2), a fluid resin made of a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin is provided in the cavity 11 provided in the lower mold 10. 30 is supplied.

移送機構13による封止前基板5の移送をまとめると、次のようになる。まず、移送機構13は、下型10に設けられたキャビティ11に平面視して重なる位置における上型28の型面の下方まで、封止前基板5を移送する。次に、移送機構13は+Z方向に移動する。次に、移送機構13は、下型10に設けられたキャビティ11に平面視して重なる位置における上型28の型面に、封止前基板5を引き渡す。最終的に、上型28において、下型10に設けられたキャビティ11に平面視して重なる位置における型面を含む型面に封止前基板5が吸着される。その後に、移送機構13が−Z方向と−Y方向とに順次移動して基板位置12から退避する(図1参照)。   The transfer of the pre-sealing substrate 5 by the transfer mechanism 13 is summarized as follows. First, the transfer mechanism 13 transfers the pre-sealing substrate 5 to a position below the mold surface of the upper mold 28 at a position overlapping the cavity 11 provided in the lower mold 10 in plan view. Next, the transfer mechanism 13 moves in the + Z direction. Next, the transfer mechanism 13 delivers the pre-sealing substrate 5 to the mold surface of the upper mold 28 at a position overlapping the cavity 11 provided in the lower mold 10 in plan view. Finally, in the upper mold 28, the substrate 5 before sealing is adsorbed to the mold surface including the mold surface at a position overlapping the cavity 11 provided in the lower mold 10 in plan view. After that, the transfer mechanism 13 sequentially moves in the −Z direction and the −Y direction and retreats from the substrate position 12 (see FIG. 1).

次に、図3(3)に示されているように、下型10と上型28とを型締めする。これにより、封止前基板5におけるチップ17と導線18とが流動性樹脂30に浸漬した(漬かった)状態になる。引き続き、下型10に設けられたヒータ(図示なし)によって流動性樹脂30を加熱する。これにより、流動性樹脂30を硬化させて硬化樹脂31を形成する(図3(4)参照)。   Next, as shown in FIG. 3 (3), the lower mold 10 and the upper mold 28 are clamped. As a result, the chip 17 and the conductive wire 18 in the pre-sealing substrate 5 are immersed (immersed) in the fluid resin 30. Subsequently, the fluid resin 30 is heated by a heater (not shown) provided in the lower mold 10. Thereby, the fluid resin 30 is cured to form the cured resin 31 (see FIG. 3 (4)).

次に、図3(3)、図3(4)に示されているように、下型10と上型28とを型開きする。ここまでの工程により、封止前基板5におけるチップ17と導線18とが硬化樹脂31によって樹脂封止された封止済基板32が完成する。   Next, as shown in FIGS. 3 (3) and 3 (4), the lower mold 10 and the upper mold 28 are opened. Through the steps so far, the sealed substrate 32 in which the chip 17 and the conductive wire 18 in the pre-sealing substrate 5 are sealed with the cured resin 31 is completed.

次に、上型28における吸着を解除して、上型28から封止済基板32を取り出す。その後に、ダイサー等を使用して、必要に応じて封止済基板32を境界線15において分離する。これにより、封止済基板32から、1個又は複数個の領域16に相当するパッケージを製造することができる。   Next, the suction in the upper mold 28 is released, and the sealed substrate 32 is taken out from the upper mold 28. Thereafter, using a dicer or the like, the sealed substrate 32 is separated at the boundary line 15 as necessary. Thereby, a package corresponding to one or a plurality of regions 16 can be manufactured from the sealed substrate 32.

本実施例によれば、次の効果が得られる。まず、少なくともキャビティ11の近傍まで封止前基板5を搬送する過程において、搬送機構9に設けられたヒータ20が封止前基板5を加熱する。このことにより、下型10と上型28とからなる成形型において封止前基板5を加熱する時間が短縮され、又は不要になる。したがって、全体的な封止時間、言い換えれば成形型におけるサイクルタイムを短縮することができる。   According to the present embodiment, the following effects can be obtained. First, in the process of transporting the pre-sealing substrate 5 to at least the vicinity of the cavity 11, the heater 20 provided in the transport mechanism 9 heats the pre-sealing substrate 5. This shortens or eliminates the time for heating the pre-sealing substrate 5 in the molding die composed of the lower die 10 and the upper die 28. Therefore, the overall sealing time, in other words, the cycle time in the mold can be shortened.

また、複数個の成形型に対して封止前基板5を搬送する距離が相異なる場合において、加熱された封止前基板5の温度に差が生じないようにすることができる。このことによって、複数個の成形型の間で硬化樹脂31と基板14との密着性に差が生じにくくなる。したがって、パッケージの品質の低下を効果的に防止することができる。また、成形型において封止前基板5を再度予熱する時間に差異を設ける必要がなくなる。   Moreover, when the distance which conveys the board | substrate 5 before sealing with respect to a some shaping | molding die differs, it can prevent that the temperature of the heated board | substrate 5 before sealing produces a difference. This makes it difficult for differences in the adhesion between the cured resin 31 and the substrate 14 to occur between a plurality of molds. Therefore, it is possible to effectively prevent the deterioration of the package quality. Further, it is not necessary to provide a difference in the time for preheating the pre-sealing substrate 5 again in the mold.

また、複数個の成形型が設けられている場合において、成形型の数に等しい独立した予備加熱手段を設ける必要がない。したがって、装置コストを抑制することができる。   Further, when a plurality of molds are provided, it is not necessary to provide independent preheating means equal to the number of molds. Therefore, the apparatus cost can be suppressed.

また、成形型において、キャビティ11の近傍に独立した予備加熱手段を設ける必要がない。加えて、成形型のメンテナンスを行う場合において、ヒータ20が設けられた搬送機構9とヒータ24が設けられた移送機構13とを、その成形型から退避させることができる。したがって、成形型のメンテナンスにおける安全性が向上する。   Further, it is not necessary to provide an independent preheating means in the vicinity of the cavity 11 in the mold. In addition, when performing maintenance of the mold, the transport mechanism 9 provided with the heater 20 and the transfer mechanism 13 provided with the heater 24 can be retracted from the mold. Therefore, the safety in the maintenance of the mold is improved.

また、移送機構13に設けられたヒータ24が、移送機構13が搬送機構9から封止前基板5を受け取って上型28の型面に引き渡すまでの過程において、封止前基板5を面的に加熱する。このことによって、封止前基板5を上型28の型面に引き渡す直前まで封止前基板5を加熱することができる。したがって、全体的な封止時間を大幅に短縮することができる。また、複数個の成形型に対して封止前基板5を搬送する距離が相異なる場合においても、加熱された封止前基板5の温度に差がいっそう生じにくくなる。したがって、製品の品質の低下をいっそう効果的に防止することができる。   Further, the heater 24 provided in the transfer mechanism 13 causes the pre-sealing substrate 5 to be planar in the process from when the transfer mechanism 13 receives the pre-sealing substrate 5 from the transport mechanism 9 to the hand surface of the upper mold 28. Heat to. Thus, the pre-sealing substrate 5 can be heated until just before the pre-sealing substrate 5 is delivered to the mold surface of the upper mold 28. Therefore, the overall sealing time can be greatly shortened. Further, even when the distances for transporting the pre-sealing substrate 5 with respect to a plurality of molding dies are different, the temperature difference of the heated pre-sealing substrate 5 is more unlikely to occur. Therefore, it is possible to more effectively prevent the product quality from being deteriorated.

また、それぞれシート状の形状を有するヒータ20とヒータ24とが封止前基板5を面的に加熱する。これにより、封止前基板5が大型である場合であってもその封止前基板5を均一に加熱することができる。   In addition, the heater 20 and the heater 24 each having a sheet-like shape heat the substrate 5 before sealing. Thereby, even if the board | substrate 5 before sealing is large sized, the board | substrate 5 before sealing can be heated uniformly.

本発明の実施例2として、図2、図3に示された移送機構13においてヒータ24を設けない構成が可能である。この構成を採用することができるか否かは、次の要素を検討したうえで決定される。   As a second embodiment of the present invention, a configuration in which the heater 24 is not provided in the transfer mechanism 13 shown in FIGS. 2 and 3 is possible. Whether this configuration can be adopted is determined after considering the following factors.

第1の要素は、封止前基板5の特性、特に、熱容量及び熱伝導性である。封止前基板5の熱容量が大きい場合及び封止前基板5の熱伝導性が小さい場合には、搬送機構9によって予熱された封止前基板5を移送機構13が移送する間において封止前基板5の温度が低下しにくい。したがって、これらの場合には、本実施例を採用できる可能性がある。   The first element is the characteristic of the substrate 5 before sealing, in particular, the heat capacity and the heat conductivity. When the heat capacity of the pre-sealing substrate 5 is large and when the thermal conductivity of the pre-sealing substrate 5 is small, the pre-sealing substrate 5 is transferred before the pre-sealing substrate 5 preheated by the transport mechanism 9 is transferred. The temperature of the substrate 5 is difficult to decrease. Therefore, in these cases, there is a possibility that this embodiment can be adopted.

第2の要素は、搬送機構9のヒータ20によって封止前基板5が予熱される際の設定温度である。この設定温度が、移送機構13が封止前基板5を移送する間に封止前基板5の温度が低下する分を見込んで、封止前基板5が樹脂封止される際に要求される封止前基板5の温度を上回る適当な温度に設定されていることが好ましい。   The second element is a set temperature when the pre-sealing substrate 5 is preheated by the heater 20 of the transport mechanism 9. This set temperature is required when the pre-sealing substrate 5 is resin-sealed in anticipation of a decrease in the temperature of the pre-sealing substrate 5 while the transfer mechanism 13 transfers the pre-sealing substrate 5. It is preferable that the temperature is set to an appropriate temperature that exceeds the temperature of the substrate 5 before sealing.

第3の要素は、移送機構13が封止前基板5を受け取ってから上型28の下面に封止前基板5が吸着されるまでの時間である。この時間が短い場合には、移送機構13が封止前基板5を移送する間に封止前基板5の温度が低下しにくい。したがって、この場合には、本実施例を採用できる可能性がある。   The third element is the time from when the transfer mechanism 13 receives the pre-sealing substrate 5 to when the pre-sealing substrate 5 is adsorbed to the lower surface of the upper mold 28. When this time is short, the temperature of the pre-sealing substrate 5 is unlikely to decrease while the transfer mechanism 13 transfers the pre-sealing substrate 5. Therefore, in this case, there is a possibility that this embodiment can be adopted.

本実施例によれば、移送機構13においてヒータ24を設けない。したがって、実施例1に比較して移送機構13の構成が単純になるので、装置コストをいっそう抑制することができる。   According to this embodiment, the heater 24 is not provided in the transfer mechanism 13. Therefore, since the configuration of the transfer mechanism 13 is simpler than that of the first embodiment, the apparatus cost can be further suppressed.

なお、ここまでの説明においては、成形の方式として圧縮成形について説明した。これに限らず、成形の方式としてトランスファ成形及び射出成形を使用することができる。加えて、圧縮成形以外の成形の方式においては、成形型としては、下型10と上型28とに限定されない。成形型としては、相対向する2つの成形型を含んでいればよい。   In the above description, compression molding has been described as a molding method. Not limited to this, transfer molding and injection molding can be used as a molding method. In addition, in molding methods other than compression molding, the molding die is not limited to the lower die 10 and the upper die 28. As a shaping | molding die, the two shaping | molding die which opposes should just be included.

また、図1に示されている基板供給部4の上面において、封止前基板5におけるチップ17が装着された面を下向き(−Z方向)にして封止前基板5を置く場合について説明した。これに限らず、基板供給部4の上面において、封止前基板5におけるチップ17が装着された面を上向き(+Z方向)にして封止前基板5を置いてもよい。この場合には、図1に示された中継機構7と搬送機構9との下面に、チップ17と導線18とを収容するための凹部である収容部(図示なし)が設けられる。移送機構13は、チップ17が装着された面を上向き(+Z方向)にした封止前基板5を上面に置いた状態で+Y方向に移動する。移送機構13は、封止前基板5が基板位置12に到達すると停止して、上型(図示なし)の型面(下面)に封止前基板5を引き渡す。上型に設けられたキャビティに、チップ17と導線18とが収容される。この場合には、成形の方式としてトランスファ成形及び射出成形を使用することができる。   Further, the case where the pre-sealing substrate 5 is placed with the surface of the pre-sealing substrate 5 on which the chip 17 is mounted facing downward (−Z direction) on the upper surface of the substrate supply unit 4 shown in FIG. 1 has been described. . Not limited to this, the pre-sealing substrate 5 may be placed on the upper surface of the substrate supply unit 4 with the surface of the pre-sealing substrate 5 on which the chip 17 is mounted facing upward (+ Z direction). In this case, a receiving portion (not shown) that is a recess for receiving the chip 17 and the conductor 18 is provided on the lower surfaces of the relay mechanism 7 and the transport mechanism 9 shown in FIG. The transfer mechanism 13 moves in the + Y direction with the pre-sealing substrate 5 placed on the upper surface with the surface on which the chip 17 is mounted facing upward (+ Z direction). The transfer mechanism 13 stops when the pre-sealing substrate 5 reaches the substrate position 12, and delivers the pre-sealing substrate 5 to the mold surface (lower surface) of the upper mold (not shown). The chip 17 and the conductive wire 18 are accommodated in a cavity provided in the upper mold. In this case, transfer molding and injection molding can be used as molding methods.

また、図1において適当な移送機構(図示なし)を使用して、受け渡し台8の上面から搬送機構9の上面に封止前基板5を移送してもよい。この場合には、封止前基板5におけるチップ17が装着された面を上向き(+Z方向)にして吸着等した封止前基板5を、搬送機構9の上面に移送する。搬送機構9から封止前基板5を受け取った移送機構13は、封止前基板5を下面に保持した状態で+Y方向に移動する。移送機構13は、上型に設けられたキャビティにチップ17と導線18とが平面視して重なるように封止前基板5と上型とを位置合わせして停止する。移送機構13は、−Z方向に移動して、下型10の型面(上面)に、チップ17が装着された面を上向きにした封止前基板5を引き渡す。下型10と上型(図示なし)とが型締めすることによって、上型に設けられたキャビティにチップ17と導線18とが収容される。この場合には、成形の方式としてトランスファ成形及び射出成形を使用することができる。   Further, the pre-sealing substrate 5 may be transferred from the upper surface of the delivery table 8 to the upper surface of the transport mechanism 9 by using an appropriate transfer mechanism (not shown) in FIG. In this case, the pre-sealing substrate 5 adsorbed or the like is transferred to the upper surface of the transport mechanism 9 with the surface of the pre-sealing substrate 5 on which the chip 17 is mounted facing upward (+ Z direction). The transfer mechanism 13 that has received the pre-sealing substrate 5 from the transport mechanism 9 moves in the + Y direction with the pre-sealing substrate 5 held on the lower surface. The transfer mechanism 13 positions and stops the pre-sealing substrate 5 and the upper mold so that the chip 17 and the conducting wire 18 overlap with a cavity provided in the upper mold in plan view. The transfer mechanism 13 moves in the −Z direction and delivers the pre-sealing substrate 5 with the surface on which the chip 17 is mounted facing upward to the mold surface (upper surface) of the lower mold 10. When the lower mold 10 and the upper mold (not shown) are clamped, the chip 17 and the conductor 18 are accommodated in a cavity provided in the upper mold. In this case, transfer molding and injection molding can be used as molding methods.

また、次の変形例を採用することができる。その変形例は、図1において、チップ17が装着された面を上向き(+Z方向)にした封止前基板5を、受け渡し台8の上面から搬送機構9の上面に押し出して移送するという構成を採用する。この場合には、搬送機構9から封止前基板5を受け取った移送機構13は、封止前基板5を下面に保持した状態で+Y方向に移動する。移送機構13は、上型に設けられたキャビティにチップ17と導線18とが平面視して重なるように封止前基板5と上型とを位置合わせして停止する。移送機構13は、−Z方向に移動して、下型10の上面に、チップ17が装着された面を上向きにした封止前基板5を引き渡す。この場合には、成形の方式としてトランスファ成形及び射出成形を使用することができる。   Moreover, the following modified example can be employ | adopted. The modification is configured such that in FIG. 1, the pre-sealing substrate 5 with the surface on which the chip 17 is mounted facing upward (+ Z direction) is pushed from the upper surface of the delivery table 8 to the upper surface of the transport mechanism 9 and transferred. adopt. In this case, the transfer mechanism 13 that has received the pre-sealing substrate 5 from the transport mechanism 9 moves in the + Y direction with the pre-sealing substrate 5 held on the lower surface. The transfer mechanism 13 positions and stops the pre-sealing substrate 5 and the upper mold so that the chip 17 and the conducting wire 18 overlap with a cavity provided in the upper mold in plan view. The transfer mechanism 13 moves in the −Z direction and delivers the pre-sealing substrate 5 with the surface on which the chip 17 is mounted facing upward to the upper surface of the lower mold 10. In this case, transfer molding and injection molding can be used as molding methods.

また、別の変形例を採用することもできる。その変形例は、図1に示された樹脂封止装置1において、受け渡し台8の位置から各基板位置12までの経路を対象にして搬送機構9と移送機構13とが次のように移動することができるという構成を採用する。第1に、搬送機構9と移送機構13とを重ね合わせて、搬送機構9と移送機構13とが一体的に移動する。第2に、搬送機構9と移送機構13とが分離して個別に移動する。   Another modified example can also be adopted. In the modified example, in the resin sealing device 1 shown in FIG. 1, the transport mechanism 9 and the transport mechanism 13 move as follows with respect to the path from the position of the delivery table 8 to each substrate position 12. A configuration that can be used is adopted. First, the transport mechanism 9 and the transport mechanism 13 are overlapped, and the transport mechanism 9 and the transport mechanism 13 move integrally. Second, the transport mechanism 9 and the transfer mechanism 13 are separated and moved individually.

この変形例によれば、まず、チップ17が装着された面を下向き(−Z方向)にした封止前基板5を受け渡し台8の上面から受け取った搬送機構9が、封止前基板5を下面に保持する。次に、搬送機構9が移送機構13の真上まで移動して(又は移送機構13が搬送機構9の真下まで移動して)、搬送機構9と移送機構13とが重なり合った状態になる。次に、搬送機構9と移送機構13とが一体的に+X方向と+Y方向とに順次移動して、基板位置12に到達する。この場合には、図2(2)において搬送機構9と移送機構13とが更に接近した状態になっている。次に、搬送機構9の下面から移送機構13の上面に封止前基板5を引き渡す。次に、搬送機構9が−Y方向に移動して基板位置12から退避する。次に、移送機構13が+Z方向に移動して、上型28の型面(下面)に封止前基板5を引き渡す(図3(1)参照)。次に、移送機構13が−Z方向と−Y方向とに順次移動して基板位置12から退避する(図1参照)。   According to this modification, first, the transfer mechanism 9 that has received the pre-sealing substrate 5 with the chip 17 mounted surface facing downward (the −Z direction) from the upper surface of the delivery table 8 moves the pre-sealing substrate 5. Hold on the bottom. Next, the transport mechanism 9 moves to a position directly above the transfer mechanism 13 (or the transfer mechanism 13 moves to a position just below the transport mechanism 9), and the transport mechanism 9 and the transport mechanism 13 are overlapped. Next, the transport mechanism 9 and the transfer mechanism 13 integrally move sequentially in the + X direction and the + Y direction to reach the substrate position 12. In this case, the transport mechanism 9 and the transfer mechanism 13 are further closer in FIG. Next, the pre-sealing substrate 5 is delivered from the lower surface of the transport mechanism 9 to the upper surface of the transfer mechanism 13. Next, the transport mechanism 9 moves in the −Y direction and retreats from the substrate position 12. Next, the transfer mechanism 13 moves in the + Z direction and delivers the pre-sealing substrate 5 to the mold surface (lower surface) of the upper mold 28 (see FIG. 3A). Next, the transfer mechanism 13 sequentially moves in the −Z direction and the −Y direction and retreats from the substrate position 12 (see FIG. 1).

また、上述した変形例に関連した別の変形例として、チップ17が装着された面を上向き(+Z方向)にした封止前基板5を、受け渡し台8の上面から搬送機構9の上面に移送するという構成を採用してもよい。この別の変形例によれば、搬送機構9と移送機構13とが一体的に+X方向と+Y方向とに順次移動して、基板位置12に到達する。そして、最終的に、移送機構13が−Z方向に移動して、下型(図示なし)の型面(上面)に封止前基板5を引き渡すことができる。   As another modification related to the above-described modification, the pre-sealing substrate 5 with the surface on which the chip 17 is mounted facing upward (+ Z direction) is transferred from the upper surface of the delivery table 8 to the upper surface of the transport mechanism 9. You may employ | adopt the structure of doing. According to this other modification, the transport mechanism 9 and the transfer mechanism 13 integrally move sequentially in the + X direction and the + Y direction to reach the substrate position 12. Finally, the transfer mechanism 13 moves in the −Z direction, and the pre-sealing substrate 5 can be delivered to the mold surface (upper surface) of the lower mold (not shown).

また、別の変形例を採用することもできる。その変形例は、図1において、移送機構13を設けることなく、X方向に加えてY方向にも移動可能に設けられた搬送機構9を使用して、封止前基板5を下型10の上面に配置するという構成を採用する。この場合には、搬送機構9は、チップ17が装着された面を上向き(+Z方向)にした封止前基板5を下面に保持した状態で+Y方向に移動する。搬送機構9は、上型に設けられたキャビティにチップ17と導線18とが収容されるように封止前基板5と上型とを位置合わせして、下型10の上面に封止前基板5を配置する。この場合には、成形の方式としてトランスファ成形及び射出成形を使用することができる。   Another modified example can also be adopted. In the modification, in FIG. 1, the transfer mechanism 13 is not provided, and the pre-sealing substrate 5 is attached to the lower mold 10 by using the transfer mechanism 9 that is movable in the Y direction in addition to the X direction. A configuration of arranging on the upper surface is adopted. In this case, the transport mechanism 9 moves in the + Y direction while holding the pre-sealing substrate 5 with the surface on which the chip 17 is mounted facing upward (+ Z direction) held on the lower surface. The transport mechanism 9 aligns the pre-sealing substrate 5 and the upper die so that the chip 17 and the conductor 18 are accommodated in the cavity provided in the upper die, and the pre-sealing substrate on the upper surface of the lower die 10. 5 is arranged. In this case, transfer molding and injection molding can be used as molding methods.

また、ここまでの説明においては、下型10にキャビティ11が設けられた場合(図3(2)参照)と上型にキャビティが設けられた場合とについて説明した。これに限らず、下型と上型との双方にキャビティが設けられた成形型を使用する場合においても、本発明を適用することができる。   In the description so far, the case where the cavity 11 is provided in the lower mold 10 (see FIG. 3B) and the case where the cavity is provided in the upper mold have been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to the case where a molding die in which cavities are provided in both the lower die and the upper die is used.

また、ここまでの説明においては、第1のヒータとしてシート状のヒータ20を使用して、搬送機構9の表層部21を介して封止前基板5を面的に加熱することとした。これに限らず、ヒータ20を使用して、表層部21を介することなく封止前基板5を面的にかつ直接加熱してもよい。この場合には、ヒータ20として、表面にガラスクロス、プラスチックフィルム等が形成されたシート状のヒータを使用することが好ましい。   In the description so far, the sheet-like heater 20 is used as the first heater, and the pre-sealing substrate 5 is heated by the surface layer portion 21 of the transport mechanism 9. However, the present invention is not limited to this, and the pre-sealing substrate 5 may be directly and directly heated without using the surface layer portion 21 by using the heater 20. In this case, it is preferable to use a sheet-like heater having a glass cloth, a plastic film or the like formed on the surface as the heater 20.

また、第2のヒータであるヒータ24として、近赤外線又は遠赤外線を少なくとも含む赤外線を輻射することによって封止前基板5を加熱する、面状の赤外線ヒータを使用してもよい。   Further, as the heater 24 as the second heater, a planar infrared heater that heats the pre-sealing substrate 5 by radiating infrared rays including at least near infrared rays or far infrared rays may be used.

また、図2(3)に示すように、移送機構13において、封止前基板5の外周部を吸着することとした。そして、封止前基板5における吸着された部分の近傍であって枠状部25に接触している部分において、ヒータ24からの熱の伝導によって封止前基板5を加熱し、枠状部25に接触していない部分において、ヒータ24からの熱の輻射によって封止前基板5を加熱することとした。これに限らず、封止前基板5におけるチップ17同士の間の部分において、移送機構13に設けられた押さえ部を使用して封止前基板5を押さえることにより、熱の伝導によって封止前基板5を加熱してもよい。このことによって、ヒータ24を使用していっそう効率よく封止前基板5を加熱することができる。押さえ部としては、平坦な端面を有する突起状の押さえ部を、平面視して飛び飛びに設けることができる。また、押さえ部としては、平坦な端面を有する壁状の押さえ部を、平面視して格子状に設けることもできる。   Further, as shown in FIG. 2 (3), the transfer mechanism 13 sucks the outer peripheral portion of the substrate 5 before sealing. Then, the pre-sealing substrate 5 is heated by heat conduction from the heater 24 in the vicinity of the adsorbed portion of the pre-sealing substrate 5 and in contact with the frame-like portion 25, and the frame-like portion 25. The pre-sealing substrate 5 is heated by radiation of heat from the heater 24 at a portion not in contact with the substrate. Not only this but in the part between the chips | tips 17 in the board | substrate 5 before sealing, by pressing the board | substrate 5 before sealing using the holding | suppressing part provided in the transfer mechanism 13, it is before sealing by heat conduction. The substrate 5 may be heated. As a result, the pre-sealing substrate 5 can be heated more efficiently using the heater 24. As the pressing portion, a protruding pressing portion having a flat end surface can be provided in a flying manner in plan view. Moreover, as a pressing part, the wall-shaped pressing part which has a flat end surface can also be provided in a grid | lattice form by planar view.

また、封止前基板5を吸着することによって、搬送機構9及び移送機構13に封止前基板5を保持した。これに代えて、所定の角度だけ回転する複数個の爪を使用して、封止前基板5の外周部を引っ掛けることにより、搬送機構9及び移送機構13に封止前基板5を保持してもよい。   Further, the substrate 5 before sealing was held by the transport mechanism 9 and the transfer mechanism 13 by adsorbing the substrate 5 before sealing. Instead, the pre-sealing substrate 5 is held by the transport mechanism 9 and the transfer mechanism 13 by hooking the outer periphery of the pre-sealing substrate 5 using a plurality of claws that rotate by a predetermined angle. Also good.

また、各実施例においては、チップ17と基板14との電気的な接続を実現する目的でワイヤボンディングを使用した。これに限らず、フリップチップボンディング等の別の方式を使用してもよい。   In each embodiment, wire bonding is used for the purpose of realizing electrical connection between the chip 17 and the substrate 14. However, the present invention is not limited to this, and another method such as flip chip bonding may be used.

また、流動性樹脂30は、常温で液状である液状樹脂であってもよい。また、流動性樹脂30は、常温で固体状(粉状、粒状、シート状、タブレット状等)の樹脂材料を溶融して形成した溶融樹脂であってもよい。   The fluid resin 30 may be a liquid resin that is liquid at normal temperature. The fluid resin 30 may be a molten resin formed by melting a resin material that is solid (powder, granular, sheet, tablet, etc.) at room temperature.

また、図1においては、受入及び払出モジュール2と成形モジュール3Aとが機械的に固定され、その成形モジュール3Aに3個の成形モジュール3B、3C、3Dが順次固定されるという構成が採用されている。この構成に代えて、受入及び払出モジュール2と成形モジュール3Aとが樹脂封止機能を有する1個の親モジュールとして形成され、その親モジュールに3個の成形モジュール3B、3C、3Dが順次固定されるという構成を採用してもよい。いずれの構成においても、1個の成形モジュール3Aを有する樹脂封止装置から複数個の成形モジュール(図1の例では、4個の成形モジュール3A、3B、3C、3D)を有する樹脂封止装置1まで、希望する数の成形モジュール3A、3B、3C、3D、・・・を有する樹脂封止装置を実現することができる。また、成形モジュールの数を事後的に増減することもできる。   In FIG. 1, the receiving and dispensing module 2 and the molding module 3A are mechanically fixed, and the three molding modules 3B, 3C, and 3D are sequentially fixed to the molding module 3A. Yes. Instead of this configuration, the receiving and dispensing module 2 and the molding module 3A are formed as one parent module having a resin sealing function, and the three molding modules 3B, 3C, and 3D are sequentially fixed to the parent module. A configuration may be adopted. In any configuration, a resin sealing device having a plurality of molding modules (in the example of FIG. 1, four molding modules 3A, 3B, 3C, and 3D) from a resin sealing device having one molding module 3A. A resin sealing device having a desired number of molding modules 3A, 3B, 3C, 3D,. In addition, the number of molding modules can be increased or decreased later.

また、本発明は、上述の各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。   In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be arbitrarily combined, changed, or selected as necessary without departing from the spirit of the present invention. It can be done.

1 樹脂封止装置
2 受入及び払出モジュール
3A、3B、3C、3D 成形モジュール
4 基板供給部
5 封止前基板
6 回転機構
7 中継機構
8 受け渡し台
9 搬送機構
10 下型(第2の成形型)
11 キャビティ
12 基板位置
13 移送機構
14 基板
15 境界線
16 領域
17 チップ
18 導線
19、23 本体
20 ヒータ(第1のヒータ)
21 表層部
22、26、29 吸引路
24 ヒータ(第1のヒータ、第2のヒータ)
25 枠状部
27 収容部
28 上型(第1の成形型)
30 流動性樹脂
31 硬化樹脂
32 封止済基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin sealing apparatus 2 Acceptance and discharge | emission module 3A, 3B, 3C, 3D Molding module 4 Substrate supply part 5 Substrate before sealing 6 Rotating mechanism 7 Relay mechanism 8 Transfer base 9 Conveying mechanism 10 Lower mold (second molding die)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Cavity 12 Substrate position 13 Transfer mechanism 14 Substrate 15 Boundary line 16 Area 17 Chip 18 Conductor 19, 23 Body 20 Heater (first heater)
21 Surface layer parts 22, 26, 29 Suction passage 24 Heater ( first heater, second heater)
25 Frame-shaped portion 27 Housing portion 28 Upper mold (first mold)
30 Flowable resin 31 Cured resin 32 Sealed substrate

Claims (12)

第1の成形型と、該第1の成形型に相対向して設けられた第2の成形型と、前記第1の成形型と前記第2の成形型との少なくともいずれかに設けられ流動性樹脂によって満たされるべきキャビティとを備え、チップ状の電子部品からなるチップが基板に装着された状態において、前記キャビティに満たされた前記流動性樹脂が硬化して形成された硬化樹脂によって前記チップを樹脂封止する樹脂封止装置であって、
前記第1の成形型と前記第2の成形型とをそれぞれ有する複数個の成形モジュールと、
前記チップが装着された前記基板からなる封止前基板を前記キャビティの少なくとも近傍まで搬送するために単独で移動できる搬送機構と、
前記搬送機構とは別に設けられた移送機構と、
前記搬送機構に設けられた第1のヒータとを備えるとともに、
前記第1のヒータは、前記封止前基板を少なくとも前記キャビティの近傍まで搬送する過程において前記封止前基板を面的に加熱し、
前記搬送機構と前記移送機構とが一体的に移動することができ、かつ、前記移送機構が前記搬送機構から分離して移動することができ、
前記移送機構は、前記搬送機構から前記第1の成形型と前記第2の成形型とのいずれかにおいて前記キャビティに平面視して重なる位置における型面まで前記封止前基板を搬送して前記型面を含む配置用型面に引き渡し、
前記移送機構は、前記封止前基板を前記配置用型面に引き渡した後に前記第1の成形型と前記第2の成形型との間から退避し、
前記第1の成形型と前記第2の成形型とが型締めした状態、かつ、前記キャビティに満たされた前記流動性樹脂に前記チップが浸漬された状態において前記流動性樹脂が硬化し、
複数個の前記成形モジュールは、前記搬送機構が移動する方向に沿って順次固定され、
複数個の前記成形モジュールがそれぞれ有する前記キャビティの少なくとも近傍まで前記封止前基板を搬送する距離が複数個の前記成形モジュールのそれぞれに応じて相異なることを特徴とする樹脂封止装置。
A flow provided in at least one of the first mold, the second mold provided opposite to the first mold, the first mold and the second mold And a cavity that should be filled with a conductive resin, and the chip is made of a cured resin formed by curing the fluid resin filled in the cavity in a state where a chip made of a chip-shaped electronic component is mounted on a substrate. A resin sealing device for resin sealing,
A plurality of molding modules each having the first mold and the second mold;
A transport mechanism capable of moving independently to transport at least the vicinity of the cavity the pre-sealing substrate comprising the substrate on which the chip is mounted;
A transfer mechanism provided separately from the transport mechanism;
A first heater provided in the transport mechanism ;
The first heater heats the substrate before sealing in a process of transporting the substrate before sealing at least to the vicinity of the cavity,
The transfer mechanism and the transfer mechanism can move integrally, and the transfer mechanism can move separately from the transfer mechanism,
The transfer mechanism transports the pre-sealing substrate from the transport mechanism to a mold surface in a position overlapping with the cavity in plan view in either the first mold or the second mold. Delivered to the placement mold surface including the mold surface,
The transfer mechanism is retracted from between the first mold and the second mold after delivering the pre-sealing substrate to the placement mold surface,
In a state where the first mold and the second mold are clamped, and in a state where the chip is immersed in the fluid resin filled in the cavity, the fluid resin is cured,
The plurality of molding modules are sequentially fixed along the direction in which the transport mechanism moves,
A resin sealing device, wherein a distance for transporting the pre-sealing substrate to at least the vicinity of each of the cavities of each of the plurality of molding modules differs depending on each of the plurality of molding modules.
請求項1に記載された樹脂封止装置において、
前記成形モジュールの数が事後的に増減可能であることを特徴とする樹脂封止装置。
In the resin sealing device according to claim 1,
The resin sealing device, wherein the number of the molding modules can be increased or decreased afterwards.
請求項1又は2に記載された樹脂封止装置において、
前記第1のヒータは前記封止前基板を直接加熱することを特徴とする樹脂封止装置。
In the resin sealing device according to claim 1 or 2,
The resin sealing device, wherein the first heater directly heats the substrate before sealing.
請求項1〜3のいずれか1つに記載された樹脂封止装置において、
前記移送機構に設けられた第2のヒータを備え、
前記第2のヒータは、前記封止前基板を前記配置用型面に引き渡すまでの過程において前記封止前基板を面的に加熱することを特徴とする樹脂封止装置。
In the resin sealing device described in any one of Claims 1-3,
A second heater provided in the transfer mechanism;
The second heater heats the pre-sealing substrate in a process until the pre-sealing substrate is delivered to the placement mold surface.
請求項4に記載された樹脂封止装置において、
前記第2のヒータは、前記チップに対して非接触である状態において前記封止前基板を面的に加熱することを特徴とする樹脂封止装置。
In the resin sealing device according to claim 4,
The resin-sealing device, wherein the second heater heats the pre-sealing substrate in a surface in a non-contact state with the chip.
請求項1〜5のいずれか1つに記載された樹脂封止装置において、
前記搬送機構は、前記基板と前記チップと前記硬化樹脂とを有する封止済基板を前記成形モジュールから搬出することを特徴とする樹脂封止装置。
In the resin sealing device described in any one of Claims 1-5,
The transporting mechanism transports a sealed substrate having the substrate, the chip, and the cured resin out of the molding module.
チップ状の電子部品からなるチップが基板に装着された状態において前記チップを樹脂封止することを目的として、第1の成形型と該第1の成形型に相対向して設けられた第2の成形型とを有する成形モジュールを複数個準備する工程と、前記チップが装着された前記基板からなる封止前基板を搬送機構に配置する工程と、前記第1の成形型と前記第2の成形型との少なくともいずれかに設けられ流動性樹脂によって満たされるべきキャビティの少なくとも近傍まで前記搬送機構を使用して前記封止前基板を搬送する工程と、前記第1の成形型と前記第2の成形型とのいずれかにおいて前記キャビティに平面視して重なる位置における型面を含む配置用型面に前記封止前基板を固定する工程と、前記第1の成形型と前記第2の成形型とを型締めする工程と、前記キャビティに満たされた前記流動性樹脂に前記チップが浸漬された状態において前記流動性樹脂を硬化させることによって硬化樹脂を形成する工程と、前記第1の成形型と前記第2の成形型とを型開きする工程と、前記基板と前記チップと前記硬化樹脂とを有する封止済基板を取り出す工程とを備える樹脂封止方法であって、
単独で移動できる前記搬送機構とは別に設けられた移送機構を使用して前記封止前基板を前記配置用型面まで移送する工程と、
前記移送機構を使用して前記封止前基板を前記配置用型面に引き渡す工程と、
前記封止前基板を前記配置用型面に引き渡した後に前記第1の成形型と前記第2の成形型との間から前記移送機構を退避させる工程とを備えるとともに、
前記搬送する工程では、前記搬送機構と前記移送機構とが一体的に移動し、
前記移送する工程では、前記移送機構が前記搬送機構から分離して移動し、
前記退避させる工程の後に前記型締めする工程を実行し、
前記型締めする工程の後に前記硬化樹脂を形成する工程を実行し、
前記搬送する工程において前記搬送機構に設けられた第1のヒータを使用して前記封止前基板を面的に加熱し、
前記搬送する工程の少なくとも一部においては、複数個の前記成形モジュールが順次固定されて並ぶ方向に沿って前記搬送機構を移動させ、
前記搬送する工程において複数個の前記成形モジュールがそれぞれ有する前記キャビティの少なくとも近傍まで前記封止前基板を搬送する距離が複数個の前記成形モジュールのそれぞれに応じて相異なることを特徴とする樹脂封止方法。
A second mold provided opposite to the first mold and the first mold for the purpose of resin-sealing the chip in a state where a chip made of chip-shaped electronic components is mounted on the substrate. Preparing a plurality of molding modules having the molding die, placing the pre-sealing substrate comprising the substrate on which the chip is mounted on a transport mechanism, the first molding die, and the second molding die. A step of transporting the pre-sealing substrate using the transport mechanism to at least the vicinity of a cavity that is provided in at least one of the molds and is to be filled with the flowable resin; the first mold and the second A step of fixing the pre-sealing substrate to a placement mold surface including a mold surface at a position overlapping with the cavity in plan view, and the first molding die and the second molding Mold and mold clamping A step of forming a cured resin by curing the flowable resin in a state where the chip is immersed in the flowable resin filled in the cavity, the first mold, and the second A step of opening the mold and a step of removing the sealed substrate having the substrate, the chip and the cured resin, and a resin sealing method comprising:
A step of transferring the pre-sealing substrate to the placement mold surface using a transfer mechanism provided separately from the transfer mechanism capable of moving alone ;
Delivering the pre-sealing substrate to the placement mold surface using the transfer mechanism;
A step of retracting the transfer mechanism from between the first mold and the second mold after delivering the pre-sealing substrate to the placement mold surface;
In the transporting step, the transport mechanism and the transfer mechanism move integrally,
In the transferring step, the transfer mechanism moves separately from the transport mechanism,
Performing the clamping step after the retracting step,
Performing the step of forming the cured resin after the step of clamping;
Wherein the step of conveying using a first heater provided in Oite the transport mechanism heating the sealing front substrate surface, the
In at least a part of the transporting step, the transport mechanism is moved along a direction in which a plurality of the molding modules are sequentially fixed and arranged,
In the transporting step, a distance for transporting the pre-sealing substrate to at least the vicinity of the cavity of each of the plurality of molding modules is different depending on each of the plurality of molding modules. Stop method.
請求項7に記載された樹脂封止方法において、
前記成形モジュールの数を事後的に増減することができることを特徴とする樹脂封止方法。
In the resin sealing method according to claim 7,
A resin sealing method, wherein the number of the molding modules can be increased or decreased afterwards.
請求項7又は8に記載された樹脂封止方法において、
前記搬送する工程においては、前記第1のヒータは前記封止前基板を直接加熱することを特徴とする樹脂封止方法。
In the resin sealing method according to claim 7 or 8,
In the carrying step, the first heater directly heats the pre-sealing substrate.
請求項7〜9のいずれか1つに記載された樹脂封止方法において、
前記移送する工程においては、前記移送機構に設けられた第2のヒータを使用して、前記封止前基板を面的に加熱することを特徴とする樹脂封止方法。
In the resin sealing method described in any one of Claims 7-9,
In the transferring step, the resin sealing method is characterized in that the substrate before sealing is heated by using a second heater provided in the transferring mechanism.
請求項10に記載された樹脂封止方法において、
前記移送する工程においては、前記第2のヒータが前記チップに対して非接触である状態において前記封止前基板を面的に加熱することを特徴とする樹脂封止方法。
In the resin sealing method according to claim 10,
In the transferring step, the pre-sealing substrate is heated in a planar manner in a state where the second heater is not in contact with the chip.
請求項7〜11のいずれか1つに記載された樹脂封止方法において、
前記取り出す工程の後に、前記搬送機構を使用して前記成形モジュールから前記封止済基板を搬出する工程を備えることを特徴とする樹脂封止方法。
In the resin sealing method described in any one of Claims 7-11,
A resin sealing method comprising a step of unloading the sealed substrate from the molding module using the transport mechanism after the removing step.
JP2010170011A 2010-07-29 2010-07-29 Resin sealing device and resin sealing method Active JP5697919B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010170011A JP5697919B2 (en) 2010-07-29 2010-07-29 Resin sealing device and resin sealing method
KR1020110025870A KR101639253B1 (en) 2010-07-29 2011-03-23 Resin-encapsulation apparatus and method
SG2011023918A SG177810A1 (en) 2010-07-29 2011-03-25 Resin-encapsulation apparatus and manufacturing method of resin-encapsulated electronic component
CN201110081012.8A CN102347244B (en) 2010-07-29 2011-03-25 The manufacture method of resin sealing apparatus and resin sealing electronic part
TW100110644A TWI543276B (en) 2010-07-29 2011-03-28 Resin-encapsulation apparatus and manufacturing method of resin-encapsulated electronic component
MYPI2011001406A MY168665A (en) 2010-07-29 2011-03-29 Resin-encapsulation apparatus and resin-encapsulation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010170011A JP5697919B2 (en) 2010-07-29 2010-07-29 Resin sealing device and resin sealing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012033584A JP2012033584A (en) 2012-02-16
JP5697919B2 true JP5697919B2 (en) 2015-04-08

Family

ID=45545794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010170011A Active JP5697919B2 (en) 2010-07-29 2010-07-29 Resin sealing device and resin sealing method

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5697919B2 (en)
KR (1) KR101639253B1 (en)
CN (1) CN102347244B (en)
MY (1) MY168665A (en)
SG (1) SG177810A1 (en)
TW (1) TWI543276B (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5878054B2 (en) * 2012-03-27 2016-03-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP5774538B2 (en) * 2012-04-11 2015-09-09 Towa株式会社 Resin sealing device and resin sealing method
JP5985402B2 (en) * 2013-01-08 2016-09-06 Towa株式会社 Resin sealing device and resin sealing method
CA2935372C (en) * 2014-01-06 2023-08-08 Mc10, Inc. Encapsulated conformal electronic systems and devices, and methods of making and using the same
JP6310724B2 (en) * 2014-02-25 2018-04-11 Towa株式会社 Resin molding apparatus and resin molding method
US10170339B2 (en) * 2016-10-25 2019-01-01 Nanya Technology Corporation Semiconductor structure and a manufacturing method thereof
JP6804410B2 (en) * 2017-08-09 2020-12-23 Towa株式会社 Conveying mechanism, resin molding device, method of delivering the object to be molded to the molding mold, and method of manufacturing the resin molded product
CN113394326A (en) * 2021-06-29 2021-09-14 顺德职业技术学院 Molding device for waterproof LED water inlet packaging adhesive
CN113451485A (en) * 2021-06-29 2021-09-28 顺德职业技术学院 Molding device for packaging adhesive for preventing LED display from light crosstalk
CN113442361A (en) * 2021-06-29 2021-09-28 顺德职业技术学院 Improve moulding device that encapsulation of LED display concatenation effect was glued

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04307218A (en) * 1991-04-04 1992-10-29 Matsushita Electron Corp Semiconductor resin sealing device
JPH05162138A (en) * 1991-12-13 1993-06-29 Toshiba Corp Mold device
JP2694509B2 (en) 1994-05-19 1997-12-24 トーワ株式会社 Resin sealing molding method for electronic parts
JP3077645B2 (en) * 1997-10-24 2000-08-14 日本電気株式会社 Lead frame transport device and resin sealing device having the same
JP4031881B2 (en) * 1998-12-08 2008-01-09 アピックヤマダ株式会社 Resin sealing device
JP4037564B2 (en) * 1999-07-14 2008-01-23 第一精工株式会社 Semiconductor device sealing device
JP4519398B2 (en) * 2002-11-26 2010-08-04 Towa株式会社 Resin sealing method and semiconductor device manufacturing method
JP4078231B2 (en) * 2003-03-10 2008-04-23 アピックヤマダ株式会社 Molded product storage device and resin sealing device
JP5192646B2 (en) * 2006-01-16 2013-05-08 Towa株式会社 Optical element resin sealing method, resin sealing apparatus, and manufacturing method thereof
JP2009105273A (en) * 2007-10-24 2009-05-14 Sumitomo Heavy Ind Ltd Resin sealing mold

Also Published As

Publication number Publication date
SG177810A1 (en) 2012-02-28
TW201205690A (en) 2012-02-01
CN102347244B (en) 2016-07-06
KR101639253B1 (en) 2016-07-13
TWI543276B (en) 2016-07-21
JP2012033584A (en) 2012-02-16
CN102347244A (en) 2012-02-08
MY168665A (en) 2018-11-29
KR20120011773A (en) 2012-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5697919B2 (en) Resin sealing device and resin sealing method
JP6654994B2 (en) Circuit component manufacturing method
CN107026107B (en) Electronic component manufacturing apparatus and manufacturing method, and electronic component
JP6491120B2 (en) Resin sealing device, resin sealing method, and resin molded product manufacturing method
JP2004179284A (en) Method of sealing with resin, method of manufacturing semiconductor device, and resin material
JP6723185B2 (en) Mold, resin molding apparatus, resin molding method, and resin molded article manufacturing method
JP2001326238A (en) Semiconductor device and its manufacturing method, resin-sealed die, and semiconductor-manufacturing system
JP5985402B2 (en) Resin sealing device and resin sealing method
CN113597365B (en) Method for producing resin molded article
TWI635586B (en) Resin packaging device and resin packaging method
KR101994667B1 (en) Electronic component mounting device and method for producing electronic component
JP5334822B2 (en) Resin sealing device and resin sealing method
JP5774538B2 (en) Resin sealing device and resin sealing method
JP2010092983A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, and semiconductor manufacturing apparatus
JP7417507B2 (en) Resin molding equipment and method for manufacturing resin molded products
JP7203778B2 (en) RESIN MOLDING APPARATUS AND RESIN MOLDED PRODUCT MANUFACTURING METHOD
TWI402922B (en) Molding method of semiconductor chips
KR20230151732A (en) Molding apparatus for semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package
JP2017107980A (en) Resin sealing device of electronic element
JP2011116084A (en) Resin sealing apparatus and resin sealing method
JP2015012278A (en) Packaging device and packaging method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120730

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130531

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140210

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140217

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20140328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5697919

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250