JP5693855B2 - 歪みゲージによる面外検出を用いた表面技術の慣性又は共振センサー - Google Patents
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Description
−湿式エッチングを用いてシリコン又は石英の厚さ全体にわたってセンサーの高感度部分が作られる場合に体積技術において;この技術は、FR2763694に記載される、又は、
−表面技術によって;この技術は、非特許文献1に記載される。
(a)第1の厚さを示す、厚い領域と呼ばれる第1の領域であって、その第1及び第2の表面がそれぞれ第1及び第2の平面にあり、互いに平行に走る、少なくとも1つの可動性の塊を形成し、この塊が、これらの平面の外側に移動する第1の領域と、
(b)前記可動性の塊及び前記基板に結合される、少なくとも前記可動性の塊に対するピボットリンクを形成する第2の領域であって、前記ピボットリンクの軸又はねじり軸が、前記センサー又は基板の平面にある第2の領域と、
(c)少なくとも前記ピボットリンクの軸の周りにおける可動性の塊の運動の検出用の吊るされたタイプの歪みゲージを形成し、前記第2の領域の厚さと等しい又はそれより薄い厚さの、薄い領域と呼ばれる第3の領域であって、−前記ピボットリンクの軸を含まない、前記センサー又は基板の平面に平行な方向に又はそれに平行な平面において延長し、−前記ピボットのねじり軸に垂直な方向に又はそれに垂直な平面において延長し、−少なくとも1つの歪みの印加点によって一側部において前記第1の領域に結合され、例えば組み込みタイプの結合によって他側部において基板に結合される第3の領域と、
を含むセンサーである。
−前記第2の領域は、前記可動性の塊の厚さ未満の厚さを有し、
−及び/又は、前記ピボット軸の方向に従って、この同一方向に従う前記可動性の塊の幅未満の幅を有し;
−及び/又は、前記ピボット軸に対して平行な方向に従う延長部を有し;前記第2の領域は、各々が前記可動性の塊の側に位置し又は前記可動性の塊に形成された開口部に位置する、例えば2つの伸ばされた部分を含む。
−前記可動性の塊の主たる側部の一方に面する前記基板上に存在する電極;この電極は、可動性の塊が電圧源に接続された状態で、可変電圧を周期的に生成することができる同一の電圧源に接続され得る、
−又は、例えばこの可動性の塊とバイメタルを形成する絶縁層によって可動性の塊と電気的に絶縁される、前記可動性の塊上に位置し、基板に結合される導電材料の層;この層は、周期的に変わる電圧を生成することができる電圧源に接続される、
−又は、可動性の塊上に配置され、基板に接続される層又はピエゾ抵抗材料;この層は、例えば圧電層の上又は下に存在する電極である、圧電材料内における周期的な可変電圧の生成の発生手段に電気的に接続され得る。
−圧電材料が間に配置される電極、
−前記電極に結合される電圧源、
を含み得る。
−それ自体、例えば半導体基板又はガラスタイプの絶縁体上に横たわる犠牲層上に存在する、例えば単結晶又は多結晶シリコンである半導体材料の層又はSiGe層内に製造されるセンサーによって特徴付けられ、
−及び、この方法が、
(a)少なくとも1つの可動性の塊を形成する、第1の厚さを提供する第1の領域と、
(b)前記可動性の塊に許容される単一の運動の軸が、それによってセンサーの平面においてピボットリンクを形成する第2の領域を有して、ねじり軸と呼ばれる、センサーの平面に含まれる軸の周りにおける回転であるような、前記可動性の塊に結合される第2の領域と、
(c)−センサーの平面に平行に延びるが、ピボットのねじり軸を含まず、−ピボットのねじり軸に垂直な平面に延び、−可動性の塊に結合される前記第3の領域を有するピボットの軸の周りにおける可動性の塊の運動の検出用に少なくとも1つの吊るされたタイプの歪みゲージを形成する、厚い領域より薄い厚さの、薄い領域と呼ばれる第3の領域と、の実現を含むことを特徴とする。
−第2の領域は、塊3よりも小さい厚さを有する(図9Aから図9Dの場合を含む)、
−及び/又は、ピボット軸Hの方向に従う可動性の塊3の幅より小さいピボット軸Hの方向に従う幅を有し;
−及び/又は、可動性の塊3の両側部に(図9A及び図9B)又はこの可動性の塊に形成された切り目30’に(図9C及び図9D)配置される2つの延長されたアームを含む。
好ましくは、歪みゲージ4の方向は、それ自体が装置の平面に直交する、H軸を含む平面に直交する。
−H軸に垂直な平面であって重心Gを通る平面に対して;
−及び、H軸を含む平面であってセンサーの平面に垂直な平面に対して。
3 塊
4 ゲージ
5、5’ ヒンジ領域
6 ゲージ
11 上側部
12 下側部
22 下側部
31 延長部
50 固定部分
Claims (16)
- 基板に形成されるMEMS表面タイプのセンサーであって、その表面が基板平面として知られる平面を定義するセンサーにおいて、
(a)第1の厚さ(T)を有する、厚い領域と呼ばれる第1の領域であって、その2つの表面が、互いに対して及び前記基板の平面に対して平行な第1の平面(N1)及び第2の平面(N2)を形成し、この領域が、前記基板の平面の外側における運動を有する少なくとも1つの可動性の塊を形成する第1の領域と、
(b)前記基板の固定領域に結合される第2の領域であって、この第2の領域が、前記基板に対する少なくとも1つの前記可動性の塊のピボットリンクを形成し、前記可動性の塊の厚さ以下の厚さを有し、それに結合し、前記ピボットリンクの軸(H)が、前記第1の平面(N1)と前記第2の平面(N2)との間に配置され、それらの各々に平行であり、この第2の領域が、前記基板の平面に垂直な方向に沿って、下部部分と上部部分とを有し、これらの部分の少なくとも1つが、前記第1の領域及び第2の領域と共通の平面として知られる前記第1の平面(N1)又は前記第2の平面(N2)にある第2の領域と、
(c)前記ピボットリンクの軸の周りにおける前記可動性の塊の運動の検出用の、少なくとも1つの吊るされたタイプの歪みゲージを形成する、前記第2の領域の厚さより薄い厚さの薄い区域と呼ばれる第3の領域であって、この第3の領域が、前記基板の平面に垂直な方向に沿って、下部部分と上部部分とを有し、これらの部分の1つが、前記第1の領域及び第2の領域に共通の平面にあり、この第3の領域が、
−前記基板の平面に平行で、前記ピボットリンクの軸を含まない平面に延長し、
−前記ピボットリンクの回転軸に垂直に延長し、
−一側部において前記可動性の塊に結合され、他側部において前記基板に結合される、第3の領域と、
を含むセンサー。 - 前記第2の領域が、
−前記ピボットリンクの軸(H)の方向に沿った、この軸に沿った前記可動性の塊の幅未満の幅を有し;
−又は、前記可動性の塊の何れかの側部又はこの可動性の塊に形成された空隙に配置される、延長された2つのアームを含む、
請求項1に記載のセンサー。 - 前記可動性の塊が、前記第2の領域の厚さより厳密に大きな厚さを有する、請求項1または2に記載のセンサー。
- 前記第3の領域及び前記第1の領域が、
−共通の平面を有し、この平面に対して同一の側部に位置する、
−又は、共通の平面を有し、この平面に両方の側部に位置する、
請求項1から3の何れか一項に記載のセンサー。 - 前記ピボットリンクの軸(H)が、前記センサーの第1の平面(N1)及び前記第2の平面(N2)に平行な平面にあり、前記可動性の塊の重心を通る、請求項1から4の何れか一項に記載のセンサー。
- 前記ゲージの各々における前記可動性の塊によって生成される歪みの印加点(P)が、前記ピボットリンクの軸(H)に垂直であり、すなわち、前記第1の平面(N1)及び前記第2の平面(N)の各々に対する垂直な平面にあり、前記ピボットリンクの軸(H)を含む、請求項1から5の何れか一項に記載のセンサー。
- 前記第3の領域が、互いに対して、及び、−前記可動性の塊の前記第1及び第2の平面(N1、N2)に垂直で、前記ピボットリンクの軸(H)を含む平面に、−及び、前記ピボットリンクの軸(H)に垂直な平面に対して反対称的に位置する少なくとも2つの歪みゲージを含む、請求項1から6の何れか一項に記載のセンサー。
- 前記歪みゲージが、単結晶若しくは多結晶シリコンなどのピエゾ抵抗材料で作られ、又は、シリコンナノワイヤー若しくはカーボンナノチューブで作られ、又は、単結晶若しくは多結晶SiGeで作られる、請求項1から7の何れか一項に記載のセンサー。
- 前記ゲージが、単一ブランチまたは二重ブランチタイプである、請求項8に記載のセンサー。
- 前記歪みゲージが、前記第1及び第2の平面(N1、N2)に平行な平面において振動する振動翼と、励起手段と、前記振動を検出する手段と、を少なくとも含む、少なくとも1つの検出共振器を含む、請求項1から7の何れか一項に記載のセンサー。
- 前記歪みゲージが、前記振動翼を励起し及び/又は前記共振を検出するための静電手段を含む、請求項10に記載のセンサー。
- 前記歪みゲージが、前記振動の方向において、前記振動翼に対して配置された少なくとも1つの電極を含む、請求項11に記載のセンサー。
- 前記歪みゲージが、前記振動翼に配置される、共振検出のピエゾ抵抗手段を含む、請求項10から12の何れか一項に記載のセンサー。
- 前記可動性の塊の運動を引き起こす手段をさらに含む、請求項1から13の何れか一項に記載のセンサー。
- −前記可動性の塊の側部の一方に対して前記基板上又は基板内に存在する電極、
−又は、前記可動性の塊とバイメタルを形成し、前記可動性の塊に配置される、絶縁層によって前記可動性の塊から電気的に絶縁される前記基板に結合される導電材料の層、
−又は、前記可動性の塊に堆積される、絶縁層によって前記可動性の塊から電気的に絶縁される前記基板に結合される圧電材料の層、
を含む、前記可動性の塊の運動を引き起こすための手段を有する、請求項14に記載のセンサー。 - 前記可動性の塊が、その表面上に、例えば、所定の分子のラジカル、または、単一のタイプの分子に敏感な材料の層である、表面吸着または吸収されることができる少なくとも1つのタイプの分子を選択する手段をさらに含む、請求項1から15の何れか一項に記載のセンサー。
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