JP5689986B2 - 電磁波検出素子 - Google Patents
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Description
[第1の実施の形態]
図1には、第1の実施の形態に係る放射線画像検出装置100の全体構成が示されている。ただし、放射線を光に変換するシンチレータは省略されている。
ところで、電磁波検出素子10では、異なる種類の配線を同一の配線層で形成した場合、パターンニング不良により配線間でリークが発生しやすい。
ところで、第1及び第2の実施の形態では、上部電極7及び共通電極配線25との接続部位を保護絶縁膜17上に形成しているが、下層の保護絶縁膜17の急峻な角度の変化や、クラック等によって接続部位の断線等が発生する場合がある。
6 半導体層
7 上部電極(第1電極、コンタクト)
10 電磁波検出素子
11A 第1のTFT保護膜層 (保護膜)
11B 第2のTFT保護膜層 (第2の絶縁膜)
12 層間絶縁膜(第2の絶縁膜)
14 下部電極(第2電極)
15 絶縁膜(第1の絶縁膜)
17 保護絶縁膜 (第3の絶縁膜)
18 層間絶縁膜(第4の絶縁膜)
19 保護絶縁膜
22A、22B、22C コンタクトホール
24、24A、24B コンタクトパッド(コンタクト)
25 共通電極配線
38 コンタクトパッド
101 走査配線
103 センサ部
Claims (17)
- 基板上に、
互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、
2次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、前記半導体層の前記電磁波が照射される照射面側に前記電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、当該半導体層に対してバイアス電圧を印加する第1電極、及び前記半導体層の前記電磁波に対する非照射面側に形成され、当該半導体層に発生した電荷を収集する第2電極を備えた複数のセンサ部と、
前記センサ部よりも前記電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して前記第1電極に接続されて前記バイアス電圧を供給する共通電極配線と、
前記走査配線と前記共通電極配線との間に形成されている第1の絶縁膜と、
前記共通電極配線と前記信号配線との間に形成されている保護膜と、
を備え、
前記基板上に、
前記走査配線と、
前記第1の絶縁膜と、
前記共通電極配線と、
前記保護膜と、
前記信号配線と、
がこの順に形成されていることを特徴とする電磁波検出素子。 - 前記第2電極で収集された電荷を前記信号配線に読み出すスイッチング素子をさらに備え、
前記スイッチング素子は、ドレイン電極及びソース電極を含み、前記ドレイン電極、前記ソース電極、及び前記共通電極配線は同層に形成されていることを特徴とする請求項1記載の電磁波検出素子。 - 前記保護膜上に形成され、前記ドレイン電極と前記第2電極とを接続するコンタクトパッドをさらに備えたことを特徴とする請求項2記載の電磁波検出素子。
- 前記コンタクトパッドと前記信号配線とは同層に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の電磁波検出素子。
- 前記複数のセンサ部と前記信号配線との間に設けられて当該センサ部と前記信号配線とを絶縁し、前記複数のコンタクトホールが形成された、単層若しくは複層の第2の絶縁膜と、
各々一端が何れかの前記コンタクトホールを介して前記第1電極に接続され、他端が前記共通電極配線に接続された複数のコンタクトと、
をさらに備えたことを特徴とする
請求項2から請求項4の何れか1項記載の電磁波検出素子。 - 前記複数のコンタクトホールは、前記複数のセンサ部の各々に対応して設けられ、
前記複数のコンタクトは、各々一端が何れかの前記コンタクトホールを介して前記第1電極に接続され、他端が前記共通電極配線に接続されていることを特徴とする請求項5記載の電磁波検出素子。 - 請求項5または請求項6記載の電磁波検出素子であって、
前記基板上に、
前記走査配線と、
前記第1の絶縁膜と、
前記ドレイン電極、前記ソース電極、及び前記共通電極配線と、
前記保護膜と、
前記信号配線と、
前記第2の絶縁膜と、
前記第2電極と、
がこの順に形成されたことを特徴とする
電磁波検出素子。 - 各前記半導体層の周囲に形成された第3の絶縁膜をさらに備え、
前記第3の絶縁膜には、前記第2の絶縁膜に設けられたコンタクトホールとは異なる第2のコンタクトホールが形成され、前記共通電極配線は、前記コンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールを介して前記第1電極に接続されていることを特徴とする
請求項5から請求項7の何れか1項記載の電磁波検出素子。 - 前記第3の絶縁膜は、無機材料で形成されたことを特徴とする
請求項8記載の電磁波検出素子。 - 前記半導体層と前記第2電極の両方が前記スイッチング素子を覆う様に形成されていることを特徴とする
請求項2から請求項9の何れか1項記載の電磁波検出素子。 - 照射された放射線を吸収して電磁波に変換するシンチレータ層をさらに備え、
前記半導体層は、前記シンチレータ層にて変換された電磁波を受けて電荷が発生することを特徴とする
請求項1から請求項10の何れか1項記載の電磁波検出素子。 - 前記第2の絶縁膜は、膜厚1μm以上、かつ、比誘電率2〜4の層間絶縁膜であることを特徴とする請求項5から請求項11の何れか1項記載の電磁波検出素子。
- 少なくとも前記複数のセンサ部の外周を覆うと共に、複数のコンタクトホールが形成された第4の絶縁膜をさらに備え、
前記複数のコンタクトは、各々前記第2の絶縁膜及び前記第4の絶縁膜に形成された前記コンタクトホールを介して一端が前記第1電極に接続され、他端が前記共通電極配線に接続された
請求項5から請求項12の何れか1項記載の電磁波検出素子。 - 前記複数のコンタクトは、前記第1電極と同じ部材により形成された
請求項5から請求項13の何れか1項記載の電磁波検出素子。 - 前記第1電極は、隣接する他の第1電極と、接続部位を介して電気的に接続されている
請求項1から請求項14の何れか1項記載の電磁波検出素子。 - 前記第1電極は、前記信号配線に沿って隣接する他の第1電極と接続されている
請求項15記載の電磁波検出素子。 - 前記第1電極は、前記走査配線に沿って隣接する他の第1電極と接続されている
請求項15又は請求項16記載の電磁波検出素子。
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