JP5681663B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
Δn=1/2・n0 3γE (式1)
以下、本発明に係る窒化物系半導体を用いたMZ型光変調器の実施例を説明する。本実施例に係るMZ型光変調器200は、図2で上述したように構成されており、窒化物系半導体光導波路205は、基板300としてサファイア基板を使用し、下部n型窒化物系半導体クラッド層301及び上部n型窒化物系半導体クラッド層305としてn型AlGaNを使用し、下部i型窒化物系半導体クラッド層302及び上部i型窒化物系半導体クラッド層304としてi型AlxGa1-xN(x=0.05)を使用し、窒化物系半導体コア層303としてGaNを使用した導波路構造を有している。
101、102、201、202 RF電極
103、104、203、204 DC電極
105、205 光導波路
106、206 分離溝
207 充填材料
300 基板
301 下部n型窒化物系半導体クラッド層
302 下部i型窒化物系半導体クラッド層
303 窒化物系半導体コア層
304 上部i型窒化物系半導体クラッド層
305 上部n型窒化物系半導体クラッド層
310、320 導波路構造
Claims (3)
- 基板と、前記基板上に形成された下部n型窒化物系半導体クラッド層と、窒化物系半導体コア層と、前記窒化物系半導体コア層の上下面の少なくとも一方に形成されたi型窒化物系半導体クラッド層と、前記下部n型窒化物系半導体クラッド層とで前記i型窒化物系半導体クラッド層及び前記窒化物系半導体コア層を挟み込むように形成された上部n型窒化物系半導体クラッド層とを備え、各層がC軸方向に積層された導波路構造を有する光導波路と、
前記光導波路上に設けられた複数の電極と、
前記光導波路の前記上部n型窒化物系半導体クラッド層を除去することにより前記複数の電極間に設けられた分離溝と
を備えたMZ型光変調器であって、
前記分離溝は、所定の波長に対して前記窒化物系半導体コア層の屈折率よりも低い屈折率を有する充填材料によって埋め込まれており、
前記充填材料は、ニオブ酸若しくは酸化チタンを含むか、又はスパッタ若しくはEB蒸着で形成した酸化チタン膜であることを特徴とするMZ型光変調器。 - 前記窒化物系半導体コア層はGaNで構成され、前記i型窒化物系半導体クラッド層は、AlxGa1-xNで構成されることを特徴とする請求項1に記載のMZ型光変調器。
- x=0.05であることを特徴とする請求項2に記載のMZ型光変調器。
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