JP5679569B2 - ライン結像システム及びレーザアニール方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 59
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
このライン形成光学システムにおいて、第2円筒形レンズシステムは、(a)切り捨ての実行に適した大きさの開口絞り、又は(b)切り捨ての実行に適した大きさの開口により第1光線の切り捨てを実行することが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、ナイフエッジ開口は、対向する鋸歯状ブレードエッジを有することが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、ライン像長LLは、5mm≦LL≦100mmの範囲内であることが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、ライン像幅WLは、25ミクロン≦WL≦500ミクロンの範囲内であることが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、第3円筒形レンズシステムは、第2空間フィルタを画定する開口絞りを有する円筒形中継レンズシステムを含むことが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、ライン焦点の中心ローブは、幅WCを有することが好ましい。また、第1空間フィルタは、0.6WC≦W1≦0.09WCを満たす幅W1を有することが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、レーザは、名目上10.6ミクロンの波長を有するように光線を生成するCO2レーザであることが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、第1光線は、第1空間フィルタにおいて複数の強度ローブを有することが好ましい。複数の強度ローブは、中心強度ローブと複数の周辺強度ローブとを含む。また、第2円筒形レンズシステムは、中心強度ローブと周辺強度ローブの一部とを通過させると共に周辺強度ローブのその他の一部を遮断するように構成されることが好ましい。
このライン形成光学システムにおいて、ライン像は50W/mm2から5000W/mm2の範囲内の出力密度を有することが好ましい。
この方法は、ライン像を形成する際に、切り捨てられた長手方向の光線を第2方向に集束することをさらに備えることが好ましい。
この方法は、開口絞りを有する円筒形光学システムを利用して第2空間フィルタ処理を実行することを備えることが好ましい。
この方法において、ライン像は、5mm≦LL≦100mmの範囲内の長さLLと、25ミクロン≦WL≦500ミクロンの範囲内の幅WLとを有することが好ましい。
この方法において、中心ローブは周辺強度最小値により画定される幅WCを有することが好ましい。また、この方法は、0.6WC≦W1≦0.09WCを満たす幅W1を有する開口を利用して第1空間フィルタ処理を実行することを備えることが好ましい。
この方法において、入力光線を生成することは、名目上10.6ミクロンの波長を有するように入力光線を形成することを含むことが好ましい。
この方法において、第1光線は、遠隔フィールド位置において複数の強度ローブを有することが好ましい。複数の強度ローブは、中心強度ローブと複数の周辺強度ローブとを含む。また、この方法は、第2空間フィルタ処理を実行して、中心強度ローブと周辺強度ローブの一部とを通過させると共に周辺強度ローブの他の一部を遮断することをさらに備えることが好ましい。
この方法は、ウエハをライン像に対して移動させ、ウエハ表面にライン像を走査することをさらに備えることが好ましい。
この方法は、ライン像に対して50W/mm2から5000W/mm2の範囲内の出力密度を与えることをさらに備えることが好ましい。
上述の通り、従来のライン形成光学システムは、ガウス型光線を生成するように最適化されている。ガウス型光線は、光線の狭い中心部分を通過させるように切り捨てられるので、最終的な出力光線においては相当な光線が損失していることになる。
半導体プロセスにおけるレーザアニール処理は、典型的にはパターン化されたウエハに対して行われる。パターン化されたウエハの吸収率は、パターン寸法、パターン密度、レーザ波長により異なる。これまで、パターン寸法に比べて随分長い波長を有するレーザアニール処理が好ましいことが示されている。
Claims (20)
- レーザ熱処理システム用のライン像を形成するライン形成光学システムであって、
入力光線を生成するレーザと、
周辺の強度最小値により画定される中心ローブを有する第1方向のライン焦点に前記入力光線を集束する第1円筒形レンズシステムと、
前記ライン焦点に配置され、前記ライン像を第2方向において前記中心ローブ内で切り捨てるように構成され、これにより第1光線を形成する第1空間フィルタと、
前記第1光線の一部を前記第2方向で受光して切り捨てることによって実質的に平行な第2光線を形成する第2円筒形レンズシステムと、
前記実質的に平行な第2光線を前記第2方向で切り捨てるように構成され、第3光線を形成するナイフエッジ開口と、
前記ナイフエッジ開口と共役な画像平面を有し、前記第3光線を受光してそこから前記第2方向に集束された第4光線を形成するように構成され、前記画像平面にライン像長LLを画定する第3円筒形レンズシステムと、
前記第1方向に前記第4光線を集束して前記画像平面にライン像幅WLを画定する第4円筒形レンズシステムと
を光学軸に沿って順に備える、ライン形成光学システム。 - 前記第2円筒形レンズシステムは、(a)前記切り捨ての実行に適した大きさの開口絞り、又は(b)前記切り捨ての実行に適した大きさの開口により前記第1光線の切り捨てを実行する
請求項1に記載のライン形成光学システム。 - 前記ナイフエッジ開口は、対向する鋸歯状ブレードエッジを有する
請求項1または2に記載のライン形成光学システム。 - 前記ライン像長LLは、5mm≦LL≦100mmの範囲内である
請求項1から3のいずれかに記載のライン形成光学システム。 - 前記ライン像幅WLは、25ミクロン≦WL≦500ミクロンの範囲内である
請求項1から4のいずれかに記載のライン形成光学システム。 - 前記第3円筒形レンズシステムは、第2空間フィルタを画定する開口絞りを有する円筒形中継レンズシステムを含む
請求項1から5のいずれかに記載のライン形成光学システム。 - 前記ライン焦点の前記中心ローブは、幅WCを有し、
前記第1空間フィルタは、0.6WC≦W1≦0.9WCを満たす幅W1を有する
請求項1から6のいずれかに記載のライン形成光学システム。 - 前記レーザは、実質的に10.6ミクロンの波長を有するように前記光線を生成するCO2レーザである
請求項1から7のいずれかに記載のライン形成光学システム。 - 前記第1光線は、前記第1空間フィルタにおいて複数の強度ローブを有し、
前記複数の強度ローブは、中心強度ローブと複数の周辺強度ローブとを含み、
前記第2円筒形レンズシステムは、前記中心強度ローブと前記周辺強度ローブの一部とを通過させると共に前記周辺強度ローブのその他の一部を遮断する
請求項1から8のいずれかに記載のライン形成光学システム。 - 前記ライン像は、50W/mm2から5000W/mm2の範囲内の出力密度を有する
請求項1から9のいずれかに記載のライン形成光学システム。 - 表面を有するウエハをアニールするレーザアニールシステムであって、
請求項1から10のいずれかに記載の前記ライン形成光学システムと、
前記ウエハ表面に前記ライン像を走査するように、前記ウエハを前記画像平面で動作可能に支持すると共に前記ウエハを移動させるように構成されるステージと
を備える、レーザアニールシステム。 - 表面を有するウエハをアニールするためにライン像を形成する方法であって、
入力用のレーザ光線を生成することと、
前記入力用のレーザ光線を集束して、中心ローブを有するライン焦点を形成することと、
前記ライン焦点において前記レーザ光線を前記中心ローブ内で切り取るための第1空間フィルタ処理を実行して第1光線を形成することと、
前記第1光線をさらに前記第1空間フィルタ処理と同じ方向にフィルタするための第2空間フィルタ処理を実行して、2回の空間フィルタ処理がなされた第2光線を形成することと、
前記第2光線を前記第1の空間フィルタ処理と同じ方向にて切り捨てて第3光線を形成することと、
前記第3光線を少なくとも1方向に集束して、前記ウエハ表面に前記ライン像を形成することと
を備える方法。 - 前記ライン像を形成する際に、前記切り捨てられた前記第3の光線を前記第1の空間フィルタ処理の方向と直角な方向に集束すること
をさらに備える請求項12に記載の方法。 - 開口絞りを有する円筒形光学システムを利用して前記第2空間フィルタ処理を実行することを備える
請求項12または13に記載の方法。 - 前記ライン像は、5mm≦LL≦100mmの範囲内の長さLLと、25ミクロン≦WL≦500ミクロンの範囲内の幅WLとを有する
請求項12から14のいずれかに記載の方法。 - 前記中心ローブは、周辺強度最小値により画定される幅WCを有し、
0.6WC≦W1≦0.9WCを満たす幅W1を有する開口を利用して前記第1空間フィルタ処理を実行することを備える
請求項12から15のいずれかに記載の方法。 - 前記入力光線を生成することは、実質的に10.6ミクロンの波長を有するように前記入力光線を形成することを含む
請求項12から16のいずれかに記載の方法。 - 前記第1光線は、前記遠隔フィールド位置において複数の強度ローブを有し、
前記複数の強度ローブは、中心強度ローブと複数の周辺強度ローブとを含み、
前記第2空間フィルタ処理を実行して、前記中心強度ローブと前記周辺強度ローブの一部とを通過させると共に前記周辺強度ローブの他の一部を遮断することをさらに備える
請求項12から17のいずれかに記載の方法。 - 前記ウエハを前記ライン像に対して移動させ、前記ウエハ表面に前記ライン像を走査することをさらに備える
請求項12から18のいずれかに記載の方法。 - 前記ライン像に対して50W/mm2から5000W/mm2の範囲内の出力密度を与えることをさらに備える
請求項12から19のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/800,203 US8014427B1 (en) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | Line imaging systems and methods for laser annealing |
US12/800,203 | 2010-05-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009824A JP2012009824A (ja) | 2012-01-12 |
JP5679569B2 true JP5679569B2 (ja) | 2015-03-04 |
Family
ID=44513607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011094008A Expired - Fee Related JP5679569B2 (ja) | 2010-05-11 | 2011-04-20 | ライン結像システム及びレーザアニール方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8014427B1 (ja) |
JP (1) | JP5679569B2 (ja) |
KR (1) | KR101777876B1 (ja) |
DE (1) | DE102011100594B4 (ja) |
TW (1) | TWI520454B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9490128B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-11-08 | Ultratech, Inc. | Non-melt thin-wafer laser thermal annealing methods |
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US7482254B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-01-27 | Ultratech, Inc. | Apparatus and methods for thermally processing undoped and lightly doped substrates without pre-heating |
EP2071401B1 (de) * | 2006-04-04 | 2012-06-20 | tesa scribos GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur Mikrostrukturierung eines Speichermediums sowie Speichermedium mit einem mikrostrukturierten Bereich |
US7514305B1 (en) | 2006-06-28 | 2009-04-07 | Ultratech, Inc. | Apparatus and methods for improving the intensity profile of a beam image used to process a substrate |
US20080316748A1 (en) * | 2007-06-21 | 2008-12-25 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Illumination system |
-
2010
- 2010-05-11 US US12/800,203 patent/US8014427B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-20 JP JP2011094008A patent/JP5679569B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-28 TW TW100114916A patent/TWI520454B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-05-05 DE DE102011100594.7A patent/DE102011100594B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-09 KR KR1020110043421A patent/KR101777876B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8014427B1 (en) | 2011-09-06 |
TW201201464A (en) | 2012-01-01 |
KR101777876B1 (ko) | 2017-09-12 |
TWI520454B (zh) | 2016-02-01 |
DE102011100594A1 (de) | 2012-03-22 |
JP2012009824A (ja) | 2012-01-12 |
DE102011100594B4 (de) | 2016-04-21 |
KR20110124715A (ko) | 2011-11-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120705 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140422 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140502 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140502 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |