JP5678369B2 - Co2リサイクリング装置およびco2リサイクリングシステム - Google Patents
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Description
既に提案したCO2リサイクリング装置は、鉄などの触媒層が表面に形成された基板と、基板を加熱する熱源手段と、基板表面にCO2ガスを導入するガス導入手段と、基板表面にマイクロ波プラズマを発生させるマイクロ波プラズマの発生手段と、マイクロ波プラズマの発生手段に電力を供給する電源手段を備えた装置である。
また、長さ800mmの石英管を装置の構成要素とするため、装置サイズが大きいといった問題がある。
本発明のCO2リサイクリング装置は、炭素酸化物含有ガス中のCO2ガスを炭素源として、マイクロ波プラズマCVD法を用いて、多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンのいずれかを作製する装置であって、以下の構成要素から成る。
マイクロ波は市販の電子レンジに付属する発振周波数2.45GHz, 最大出力500Wのマグネトロンを好適に用いることができる。
2)マイクロ波導波管
導波管内をマイクロ波が行き来して共振する。
3)マイクロ波導波管の内部に設けられた反応管であって、ガス導入管と排気管がマイクロ波導波管内で折り返される反応管
ガス導入管と排気管がマイクロ波導波管内で折り返されるようにすることにより、石英管のサイズの制約を半減し、装置をコンパクト化できる。
反応管は、ガスが流れる行路を長くすればいいので、例えばスパイラル形状や蛇行形状でも有用である。
4)ガス導入管の内壁に設けられたセラミック系ヒーター
セラミック系ヒーターを採用することにより、マイクロ波照射によって自然に昇温できる。ここで、セラミック系ヒーターは、CO2ガスからナノカーボン類を作製するために有効で必要なものである。しかしながら、セラミック系ヒーターの有無は、CO2ガスの削減率にはあまり影響しない。
また、プラズマCVDは、フロンガスや有毒ガスの分解や削減の効果があり、CO2ガスに加えて、フロンガスや有毒ガスを含む炭素酸化物含有ガスを、本発明のCO2リサイクリング装置に供給させてもよい。
すなわち、本発明の他の観点のCO2リサイクリング装置は、炭素酸化物含有ガス中のCO2ガスを炭素源として、マイクロ波プラズマCVD法を用いて、多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンのいずれかを作製する装置であって、マイクロ波発振器と、マイクロ波導波用同軸ケーブルと、マイクロ波導波用同軸ケーブルに隣接して設けられた反応管であって、ガス導入管と排気管がマイクロ波導波用同軸ケーブルに隣接した部位で折り返される反応管と、ガス導入管の内壁に設けられたセラミック系ヒーターとを備える。
反応管をU字状の管とすることで、石英管のサイズの制約を半減し、装置をコンパクト化できる。
また好ましくは、反応管におけるガス導入管は、スパイラル形状や蛇行形状を呈し、ガスが流れる行路を長くする。
反応管において、ガス導入管を排気管内に挿入した構成とすることで、石英管のサイズの制約を半減し、装置をコンパクト化できる。
上述の如く、反応管は、ガスが流れる行路を長くすればよく、例えば直線形状でなくともスパイラル形状や蛇行形状にして、径の小さいガス導入管を、径の大きい排気管内に挿入してもよい。
かかるセラミック系ヒーターは、マイクロ波発振器からのマイクロ波照射によって、昇温される。これにより、ヒーター加熱のための電力が不要となり、装置の消費電力を低減できる。上述の如く、セラミック系ヒーターは、CO2ガスからナノカーボン類を作製するために有効で必要なものの、セラミック系ヒーターの有無は、CO2ガスの削減率にはあまり影響しない。
上記サイズのマイクロ波導波管の略中央に反応管の折り返される部位を設け、マイクロ波プラズマを発生させる。
本発明者は、トライアンドエラーにより、マイクロ波導波管のスケールサイズを、長さ400mm以下、幅200mm以下、高さ100mm以下にすることができた。この程度の大きさにすることで、マイクロ波発振器の電力を低減でき、かつ、複数のCO2リサイクリング装置を用いて、CO2リサイクリングシステムを構築するケースを容易に実現できた。
また、上記のCO2リサイクリング装置を大型化する場合、すなわち、処理すべきCO2ガス量が多い場合、多数のCO2リサイクリング装置を並列化したシステムを構築する。CO2リサイクリング装置のガス導入管を並列に並べ、大きな配管ダクトから排出されるCO2ガスを、小さな径のガス導入管の束で取り込み、各々のガス導入管から個々のCO2リサイクリング装置が分担してCO2ガスを処理する。
また、本発明のCO2リサイクリング装置によれば、プラズマCVDを用いることから、フロンガスや有毒ガスの分解や削減の効果もある。
外部から供給されてガス導入管5に流れるCO2ガスは、セラミック系ヒーター6を通過する際に加熱される。そして、折り返し部位8を通過した付近で、マイクロ波プラズマ20の発生場所でマイクロ波プラズマCVDより多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンのいずれか生成される。生成された多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンは、排気管の内壁に付着する。
以下の実施例では、反応管3のより具体的な形状と、装置の消費電力と生成された多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンの量、CO2削減量から装置の稼働に伴い、CO2削減効果について定量的に説明する。
平面図(図2)に示すように、マイクロ波導波管1は、上から見ると長方形の形状を呈しており、中央付近までU字管10が挿入されている。また、正面図(図3)に示すように、マイクロ波導波管1は、U字管10が挿入されている側とは反対側は高さが高く(断面積が広く)、途中から断面積が狭まっている。図3の左側から真ん中に向かうに従い、高さは狭まり、真ん中から右側は高さが一定である。ここで、左端の高さh,左側から真ん中の距離A,真ん中から右側の距離Bとする。AとBは略等しい距離であり、実際の装置のスケールは、180mm程度である。hは50mm程度である。
マイクロ波導波管1の内部にU字管10が設けられている。U字管10は、ガス導入管5と排気管4がマイクロ波導波管1の真ん中辺りで折り返されている。また、U字管10のガス導入管5の内壁には、セラミック系ヒーター6が設けられている。セラミック系ヒーター6の両側にはセラミックファイバーが設けられている。このセミラック系ヒーターは、シリコンカーバイド(SiC)である。
U字管10の折り返される部位8付近でマイクロ波プラズマが発生する。マイクロ波の共振を調整し、マイクロ波プラズマを発生する条件のチューニングするためのマイクロ波整合器12が設けられている(図3参照)。
下表1は、CO220sccm,H2(キャリアガス)80sccmをU字管10のガス導入管5から導入し、マイクロ波プラズマによってCO2を分解し、U字管10の排気管4の内壁に付着物を生じさせた状態で、装置の投入電力とCO2分解率の関係を測定した結果を示している。
ここで、CO2のCにまで解離するための解離エネルギーは、下記から、1597.9[kJ]が必要である。
CO
+ 1071.8[kJ] = C + O
導入したCO2すべてを分解するために必要なエネルギー)×CO2分解率=Aとすると、投入電力100(W),CO2分解率68.5%の場合、A=23.78(W)×0.685=16.29(W)となる。装置効率は、投入電力とAの比率から算出して、16.29(W)/100(W)=0.1629となり、16.29%であることが判る。
また、投入電力200(W),CO2分解率81.0%の場合、A=23.78(W)×0.81=19.26(W)となる。装置効率は、19.26(W)/200(W)=0.0963となり、9.63%であることが判る。
投入電力100(W)の場合、A*=23.78(W)×1=23.78(W)となる。装置効率*は、投入電力とA*の比率から算出して、23.78(W)/100(W)=0.2378となり、23.78%となる。
同様に、投入電力200(W)の場合、A*=23.78(W)×1=23.78(W)となる。装置効率*は、投入電力とA*の比率から算出して、23.78(W)/200(W)=0.1189となり、11.89%となる。
これから、CO2リサイクリング装置を多段に設けたシステムであって、前段のCO2リサイクリング装置の排気管と、後段のCO2リサイクリング装置のガス導入管を接続し、多段に接続することによって、CO2ガスの削減率を更に高めることができることが判る。
まず、原料ガスのうちの炭素質量m0(g)はCO2流量をQ(sccm), マイクロ波プラズマCVD時間をt(min)とすると下記数式(1)から求められる。
条件をCO2 流量20(sccm),10(min)とすると、上記数式(1)からm0=0.107(g)となる。さらに繊維状析出物の長さを1(nm),直径D(nm),析出密度dd(μm−2),墓板面積S(cm2),アモルファスカーボンの密度dc
(g/cm3)とすると,繊維状析出物として直定化された炭素の質量m(g)は以下の下記数式(2)で表される。
20(μm−2),基板面積S=0.5(cm2)としている。また密度dcは真密度であることを考慮して、一般に報告されているアモルファスカーボンのかさ密度は適用できず、内部のsp2,sp3,結合の割合や水素含有量も不明であるため理論計算も困難である。そのためこの真密度は、ダイアモンドの密度3.52(g/cm3)を越えない程度であるdc=1.0〜3.0(g/cm3)として算出する。その結果、m=1.43〜4.29×10−6(g)となった。繊維状析出物として固定した炭素の質量割合sは下記数式(3)で表す。
(1)上記実施例1では、反応管としてU字管を用いたが、径の異なる2本の管であって、径の小さい側をガス導入管とし、径の大きい側を排気管とし、ガス導入管を排気管内に挿入したものでもよい(図4、図5を参照)。また、反応菅の形状は、ガスが流れる行路を長くすればよく、スパイラル形状や蛇行形状でも構わない。
(2)上記実施例1では、マイクロ波導波管を用いたが、マイクロ波導波用同軸ケーブルを用いてもよい。マイクロ波導波用同軸ケーブルの場合、反応管の折り返し部位に隣接して設ける。
2 マイクロ波発振器
3 反応管
4 排気管
5 ガス導入管
6 セラミック系ヒーター
7 電源
8 折り返される部位
10 U字管
11 2層管
12 マイクロ波整合器(スタブ)
14 フランジ
16 プレート
17 ストッパー
18 支持部材
20 プラズマ発生部
Claims (14)
- 炭素酸化物含有ガス中のCO2ガスを炭素源として、マイクロ波プラズマCVD法を用いて、多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンのいずれかを作製する装置であって、
マイクロ波発振器と、
マイクロ波導波管と、
前記マイクロ波導波管の内部に設けられた反応管であって、ガス導入管と排気管が前記マイクロ波導波管内で折り返される反応管と、
前記ガス導入管の内壁に設けられたセラミック系ヒーターと、
を備え、
前記反応管の折り返される部位でマイクロ波プラズマを発生させ、
前記排気管の内壁に、生成された多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンのいずれかを付着させる、
ことを特徴とするCO2リサイクリング装置。 - 炭素酸化物含有ガス中のCO2ガスを炭素源として、マイクロ波プラズマCVD法を用いて、多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンのいずれかを作製する装置であって、
マイクロ波発振器と、
マイクロ波導波用同軸ケーブルと、
前記マイクロ波導波用同軸ケーブルに隣接して設けられた反応管であって、ガス導入管と排気管が前記マイクロ波導波用同軸ケーブルに隣接した部位で折り返される反応管と、
前記ガス導入管の内壁に設けられたセラミック系ヒーターと、
を備え、
前記反応管の折り返される部位でマイクロ波プラズマを発生させ、
前記排気管の内壁に、生成された多層カーボンナノチューブ、カーボンオニオン、ナノカーボンのいずれかを付着させる、
ことを特徴とするCO2リサイクリング装置。 - 前記反応管は、U字状の管であり、一方側をガス導入管とし、他方側を排気管とするものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記反応管は、径の異なる2本の管であって、径の小さい側をガス導入管とし、径の大きい側を排気管とし、ガス導入管を排気管内に挿入したものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記反応管における前記ガス導入管は、スパイラル形状や蛇行形状を呈し、ガスが流れる行路を長くすることを特徴とする請求項3又は4に記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記セミラック系ヒーターは、シリコンカーバイド(SiC)であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記セラミック系ヒーターは、マイクロ波照射によって、昇温されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記反応管内の圧力は、100〜200Paであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記反応管は、透明石英ガラス、不透明石英ガラス、セラミック材料、金属材料から選択される材で形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記マイクロ波導波管のスケールサイズは、長さ400mm以下、幅200mm以下、高さ100mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記マイクロ波導波管には、マイクロ波整合器が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のCO2リサイクリング装置。
- 前記マイクロ波導波用同軸ケーブルには、同軸タイプのスリースタブチューナーが設けられていることを特徴とする請求項2に記載のCO2リサイクリング装置。
- 請求項1〜請求項12の何れかのCO2リサイクリング装置を多段に設けたシステムであって、前段のCO2リサイクリング装置の排気管と、後段のCO2リサイクリング装置のガス導入管を接続することを特徴とするCO2リサイクリングシステム。
- 前段のCO2リサイクリング装置の排気管から排気されるガスから一酸化炭素(CO)を取り除き、後段のCO2リサイクリング装置のガス導入管へ送り込むCO分解手段が更に設けられたことを特徴とする請求項13に記載のCO2リサイクリングシステム。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0330421A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 |
JPH0372083A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-27 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 |
JPH04198481A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Canon Inc | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
JP2001229806A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Ise Electronics Corp | 電子放出源及びその製造方法 |
JP2007257992A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Noritake Co Ltd | 電子放出源及びその製造方法 |
WO2011004609A1 (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Ohmae Nobuo | Co2リサイクリング方法、co2削減方法、および装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0330421A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-08 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 |
JPH0372083A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-27 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 |
JPH04198481A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Canon Inc | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
JP2001229806A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Ise Electronics Corp | 電子放出源及びその製造方法 |
JP2007257992A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Noritake Co Ltd | 電子放出源及びその製造方法 |
WO2011004609A1 (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Ohmae Nobuo | Co2リサイクリング方法、co2削減方法、および装置 |
Non-Patent Citations (2)
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---|
JPN6014050282; M. CHEN et al.: 'Preparation of high yield multi-walled carbon nanotubes by microwave plasma chemical vapor depositio' Journal of Materials Science Vol.37, No.17, 2002, p.3561-3567 * |
JPN6014050284; T. OCHIAI et al.: 'Synthesis of CNTs by Antenna-edge Microwave Plasma CVD from Carbon dioxide and Methane Gas' 第40回記念フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム講演要旨集 , 20110308, p.117 * |
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