以下に、本発明に係る実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。
[実施形態1]
図1は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。図1に示すように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、ケーシング2と、送風機3と、放射性ガスフィルタ4と、下流側高性能フィルタ5と、ガス処理フィルタ6と、を含む。
ケーシング2は、周囲が外壁2Aで囲まれた筒状に形成され、その一端側2Bおよび他端側2Cに開口部2Ba,2Caがそれぞれ形成されている。筒状は、例えば、円筒や矩形筒などがあり、その断面形状に限定はない。
送風機3は、ケーシング2の他端側2Cに設けられている。そして、送風機3は、図1中に矢印で示すようにケーシング2の一端側2Bの開口部2Baから他端側2Cの開口部2Caにかけてケーシング2の内部にガスGを流通させる。
放射性ガスフィルタ4は、ケーシング2の内部に設けられている。この放射性ガスフィルタ4は、ケーシング2の内部を流通されるガスG中に含まれる放射性よう素および放射性よう化メチルを吸着する。具体的に、放射性ガスフィルタ4は、母体を構成する基材と、この基材に添着される添着物質とを含む。基材に用いられる材料としては、特に限定されるものではなく、表面に複数の細孔を有するものであればよく、例えば、活性炭、アルミナ、ゼオライト、シリカゲル、活性白土などが挙げられる。ゼオライトとしては、天然ゼオライトまたは合成ゼオライトのどちらでもよい。また、ゼオライトとして、モルデナイト系ゼオライトなどが挙げられる。基材は、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。また、放射性ガスフィルタ4は、添着物質として、トリエチレンジアミン(TEDA:Tri−Ethylene−Di−Amine)またはよう化カリウム(KI)を含む。この放射性ガスフィルタ4は、上記構成により、放射性よう素および放射性よう化メチルの他、Cs(セシウム)などを含む放射性物質を吸着する。
下流側高性能フィルタ5は、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の下流側に設けられている。この下流側高性能フィルタ5は、放射性ガスフィルタ4から離散される粒子を捕集する。放射性ガスフィルタ4は、上述したように、例えば、活性炭、アルミナ、ゼオライト、シリカゲル、活性白土などを基材としている。このため、下流側高性能フィルタ5は、何らかの事象により放射性ガスフィルタ4の基材が破砕されて離散した場合に、破砕片が放出されないように、破砕片を捕集する。下流側高性能フィルタ5は、例えば、HEPAフィルタ(High Efficiency Particulate Air Filter;対象粒子径が0.15[μm]で99.97[%]の除去効率)が適用される。
ガス処理フィルタ6は、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。このガス処理フィルタ6は、ケーシング2の内部を流通されるガスG中に含まれる有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分を捕集する。具体的に、ガス処理フィルタ6は、母体を構成する基材と、この基材に添着される添着物質とを含む。基材に用いられる材料としては、特に限定されるものではなく、表面に複数の細孔を有するものであればよく、例えば、活性炭、アルミナ、ゼオライト、シリカゲル、モレキュラーシーブなどが挙げられる。ゼオライトとしては、天然ゼオライトまたは合成ゼオライトのどちらでもよい。また、ゼオライトとして、モルデナイト系ゼオライトなどが挙げられる。基材は、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。また、ガス処理フィルタ6は、添着物質として、酸性成分、アルカリ成分、トリエチレンジアミン(TEDA:Tri−Ethylene−Di−Amine)、よう化カリウム(KI)の少なくとも1つを含む。このガス処理フィルタ6は、上記構成により、放射性よう素および放射性よう化メチルならびにCs(セシウム)などを含む放射性物質を吸着する。
このように本実施形態の放射性ガス除去装置1は、筒状に形成されたケーシング2と、ケーシング2の筒状の他端側2Cに設けられてケーシング2の一端側2Bの開口部2Baから他端側2Cの開口部2Caにかけてケーシング2の内部にガスGを流通させる送風機3と、ケーシング2の内部に設けられておりガスG中に含まれる放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の少なくとも1つを含む放射性ガスを吸着する放射性ガスフィルタ4と、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の下流側に設けられており放射性ガスフィルタ4から離散される粒子を捕集する下流側高性能フィルタ5と、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられておりガスG中に含まれる有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分を吸着するガス処理フィルタ6と、を含む。
この放射性ガス除去装置1によれば、送風機3によりケーシング2の一端側2Bから他端側2Cにかけてケーシング2の内部を流通するガスGは、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5を順次通過してケーシング2の外部に放出される。この際、まず、ガス処理フィルタ6により、ガスG中に含まれる有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分を吸着する。次に、放射性ガスフィルタ4により、ガスG中に含まれる放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質を吸着する。次に、下流側高性能フィルタ5により、放射性ガスフィルタ4から離散される粒子を捕集する。
この結果、ガスGが放射性ガスフィルタ4を通過する以前に、ガス処理フィルタ6により有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分が除去されるため、有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分により放射性ガスフィルタ4が目詰まりする事態を防ぎ、放射性ガスフィルタ4の性能低下を抑えることが可能になる。しかも、ガスGが放射性ガスフィルタ4を通過した後に、下流側高性能フィルタ5により放射性ガスフィルタ4から離散される粒子を捕集するため、放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質を同伴する放射性ガスフィルタ4の粒子がケーシング2の外部に放出される事態を防ぎ、ケーシング2の他端側2Cでの汚染を防止することが可能になる。
また、図2の本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図に示すように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、図1に示す放射性ガス除去装置1において、ケーシング2の内部であってガス処理フィルタ6よりもガスGの流通の上流側に設けられておりガスG中に含まれる粒子を捕集する上流側高性能フィルタ7をさらに含むことが好ましい。
上流側高性能フィルタ7は、下流側高性能フィルタ5と同様に、例えば、HEPAフィルタが適用される。
この放射性ガス除去装置1によれば、送風機3によりケーシング2の一端側2Bから他端側2Cにかけてケーシング2の内部を流通するガスGは、上流側高性能フィルタ7、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5を順次通過してケーシング2の外部に放出される。この際、まず、上流側高性能フィルタ7により、ガスG中に含まれる粒子を捕集する。次に、ガス処理フィルタ6により、ガスG中に含まれる有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分を吸着する。次に、放射性ガスフィルタ4により、ガスG中に含まれる放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質を吸着する。次に、下流側高性能フィルタ5により、放射性ガスフィルタ4から離散される粒子を捕集する。
この結果、ガスGがガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5を通過する以前に、上流側高性能フィルタ7によりガスG中の粒子が捕集されるため、当該粒子により、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5が目詰まりする事態を防ぎ、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5の性能低下を抑えることが可能になる。
また、図3の本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図に示すように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、図1に示す放射性ガス除去装置1において、ケーシング2の内部であってガス処理フィルタ6よりもガスGの流通の上流側に設けられておりガスG中に含まれる粗粒子を捕集する粗フィルタ8をさらに含むことが好ましい。
粗フィルタ8は、例えば、対象粒子径が50[μm]以上の空気濾過フィルタや、対象粒子径が25[μm]以上の中高性能フィルタが適用される。
この放射性ガス除去装置1によれば、送風機3によりケーシング2の一端側2Bから他端側2Cにかけてケーシング2の内部を流通するガスGは、粗フィルタ8、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5を順次通過してケーシング2の外部に放出される。この際、まず、粗フィルタ8により、ガスG中に含まれる粗粒子(塵埃など)を捕集する。次に、ガス処理フィルタ6により、ガスG中に含まれる有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分を吸着する。次に、放射性ガスフィルタ4により、ガスG中に含まれる放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質を吸着する。次に、下流側高性能フィルタ5により、放射性ガスフィルタ4から離散される粒子を捕集する。
この結果、ガスGがガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5を通過する以前に、粗フィルタ8によりガスG中の粗粒子が捕集されるため、当該粗粒子により、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5が目詰まりする事態を防ぎ、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5の性能低下を抑えることが可能になる。
また、図4の本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図に示すように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、図1に示す放射性ガス除去装置1において、ケーシング2の内部であってガス処理フィルタ6よりもガスGの流通の上流側に設けられておりガスG中に含まれる粒子を捕集する上流側高性能フィルタ7と、ケーシング2の内部であって上流側高性能フィルタ7よりもガスGの流通の上流側に設けられておりガスG中に含まれる粗粒子を捕集する粗フィルタ8と、をさらに含むことが好ましい。
この放射性ガス除去装置1によれば、送風機3によりケーシング2の一端側2Bから他端側2Cにかけてケーシング2の内部を流通するガスGは、粗フィルタ8、上流側高性能フィルタ7、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5を順次通過してケーシング2の外部に放出される。この際、まず、粗フィルタ8により、ガスG中に含まれる粗粒子(塵埃など)を捕集する。次に、上流側高性能フィルタ7により、ガスG中に含まれる粒子を捕集する。次に、ガス処理フィルタ6により、ガスG中に含まれる有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分を吸着する。次に、放射性ガスフィルタ4により、ガスG中に含まれる放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質を吸着する。次に、下流側高性能フィルタ5により、放射性ガスフィルタ4から離散される粒子を捕集する。
この結果、ガスGが上流側高性能フィルタ7を通過する以前に、粗フィルタ8によりガスG中の粗粒子が捕集されるため、当該粗粒子により、上流側高性能フィルタ7が目詰まりする事態を防ぎ、上流側高性能フィルタ7の性能低下を抑えることが可能になる。しかも、粗フィルタ8のガスGの流通の下流側において、ガスGがガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5を通過する以前に、上流側高性能フィルタ7によりガスG中の粒子が捕集されるため、当該粒子により、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5が目詰まりする事態を防ぎ、ガス処理フィルタ6、放射性ガスフィルタ4、下流側高性能フィルタ5の性能低下を抑えることが可能になる。
また、本実施形態の放射性ガス除去装置1では、ガス処理フィルタ6は、活性炭、アルミナ、シリカゲル、ゼオライトまたはモレキュラーシーブが、粒子状または繊維状あるいは粉末状に形成された基材により成形されることが好ましい。
この放射性ガス除去装置1によれば、ガス処理フィルタ6により有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分および水分ミストやミスト状成分とともに、放射性よう素ならびに放射性物質を吸着することができ、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルの吸着性能を向上することが可能になるとともに、放射性ガスフィルタ4の性能低下をより抑えることが可能になる。
さらに、ガス処理フィルタ6は、前記基材上に、酸性成分、アルカリ成分、トリエチレンジアミン、よう化カリウムの少なくとも1つを添着することが好ましい。
この放射性ガス除去装置によれば、ガス処理フィルタ6により有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分とともに、放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質を吸着することができ、放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になるとともに、放射性ガスフィルタ4の性能低下をより抑えることが可能になる。
[実施形態2]
図5は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。本実施形態の放射性ガス除去装置1は、図1に示す放射性ガス除去装置1において、加熱手段9をさらに含む。
加熱手段9は、加熱部9Aと、上流側温度計9Bと、湿度計9Cと、下流側温度計9Dと、制御部9Eと、を含む。
加熱部9Aは、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられておりケーシング2の内部を流通されるガスGを加熱する。加熱部9Aの配置は、放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図5ではガス処理フィルタ6よりもガスGの流通の上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。
上流側温度計9Bは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の上流側に設けられている。上流側温度計9Bは、加熱部9Aに至るガスGの温度を計測する。上流側温度計9Bの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の上流側であればよく、図5ではガス処理フィルタ6の上流側に配置された加熱部9Aの上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、加熱部9Aの上流側であってガス処理フィルタ6の上流側または下流側に配置される。
湿度計9Cは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。湿度計9Cは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を計測する。湿度計9Cの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図5ではガス処理フィルタ6の上流側に配置した例を示している。図には明示しないが、湿度計9Cは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
下流側温度計9Dは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。下流側温度計9Dは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を計測する。下流側温度計9Dの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図5ではガス処理フィルタ6の上流側に配置した例を示している。図には明示しないが、下流側温度計9Dは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
制御部9Eは、上流側温度計9B、湿度計9C、下流側温度計9Dの計測結果に基づいて加熱部9Aを制御する。具体的に、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。例えば、ガスGの相対湿度を70[%]以下まで低下させる場合、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度を10[℃]程度増加させることで、相対湿度が100[%]の場合でも相対湿度を70[%]以下に低下させることができる。相対湿度を70[%]以下とすれば、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能として99[%]以上が期待できる。この目標とする相対湿度は、湿度計9Cにより確認することができる。また、目標とする温度は下流側温度計9Dにより確認することができる。
このように、本実施形態の放射性ガス除去装置は、加熱手段9を含むことにより、放射性ガスフィルタ4への湿分による影響を抑え、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
なお、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を所定湿度に低下させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
なお、加熱手段9は、加熱部9Aをガス処理フィルタ6よりもガスGの流通の上流側に配置することが好ましい。このように加熱部9Aを配置することにより、ガス処理フィルタ6への湿分による影響も抑え、ガス処理フィルタ6での有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分の吸着性能や、ガス処理フィルタ6での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
図6は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。本実施形態の放射性ガス除去装置1は、図2に示す放射性ガス除去装置1において、加熱手段9をさらに含む。
加熱手段9は、加熱部9Aと、上流側温度計9Bと、湿度計9Cと、下流側温度計9Dと、制御部9Eと、を含む。
加熱部9Aは、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられておりケーシング2の内部を流通されるガスGを加熱する。加熱部9Aの配置は、放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図6では上流側高性能フィルタ7よりもガスGの流通の上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aは、上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間や、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。
上流側温度計9Bは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の上流側に設けられている。上流側温度計9Bは、加熱部9Aに至るガスGの温度を計測する。上流側温度計9Bの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の上流側であればよく、図6では上流側高性能フィルタ7の上流側に配置された加熱部9Aの上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aが上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、上流側高性能フィルタ7の上流側または上流側高性能フィルタ7と加熱部9Aとの間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、上流側高性能フィルタ7の上流側または上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間もしくはガス処理フィルタ6と加熱部9Aとの間に配置される。
湿度計9Cは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。湿度計9Cは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を計測する。湿度計9Cの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図6では上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置した例を示している。図には明示しないが、湿度計9Cは、加熱部9Aと上流側高性能フィルタ7との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、湿度計9Cは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aが上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aとガス処理フィルタ6との間またはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
下流側温度計9Dは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。下流側温度計9Dは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を計測する。下流側温度計9Dの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図6では上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置した例を示している。図には明示しないが、下流側温度計9Dは、加熱部9Aの下流側であって上流側高性能フィルタ7の上流側に配置されてもよい。また、図には明示しないが、下流側温度計9Dは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aが上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aとガス処理フィルタ6との間またはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
制御部9Eは、上流側温度計9B、湿度計9C、下流側温度計9Dの計測結果に基づいて加熱部9Aを制御する。具体的に、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。例えば、ガスGの相対湿度を70[%]以下まで低下させる場合、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度を10[℃]程度増加させることで、相対湿度が100[%]の場合でも相対湿度を70[%]以下に低下させることができる。相対湿度を70[%]以下とすれば、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能として99[%]以上が期待できる。この目標とする相対湿度は、湿度計9Cにより確認することができる。また、目標とする温度は下流側温度計9Dにより確認することができる。
このように、本実施形態の放射性ガス除去装置は、加熱手段9を含むことにより、放射性ガスフィルタ4への湿分による影響を抑え、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
なお、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を所定湿度に低下させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
なお、加熱手段9は、加熱部9Aを上流側高性能フィルタ7よりもガスGの流通の上流側に配置することが好ましい。このように加熱部9Aを配置することにより、上流側高性能フィルタ7やガス処理フィルタ6への湿分による影響も抑え、上流側高性能フィルタ7での粒子の捕集性能を向上することが可能になり、さらに、ガス処理フィルタ6での有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分の吸着性能や、ガス処理フィルタ6での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
図7は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。本実施形態の放射性ガス除去装置1は、図3に示す放射性ガス除去装置1において、加熱手段9をさらに含む。
加熱手段9は、加熱部9Aと、上流側温度計9Bと、湿度計9Cと、下流側温度計9Dと、制御部9Eと、を含む。
加熱部9Aは、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられておりケーシング2の内部を流通されるガスGを加熱する。加熱部9Aの配置は、放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図7では粗フィルタ8よりもガスGの流通の上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aは、粗フィルタ8とガス処理フィルタ6との間や、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。
上流側温度計9Bは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の上流側に設けられている。上流側温度計9Bは、加熱部9Aに至るガスGの温度を計測する。上流側温度計9Bの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の上流側であればよく、図7では粗フィルタ8の上流側に配置された加熱部9Aの上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aが粗フィルタ8とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、粗フィルタ8の上流側または粗フィルタ8と加熱部9Aとの間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、粗フィルタ8の上流側または粗フィルタ8とガス処理フィルタ6との間もしくはガス処理フィルタ6と加熱部9Aとの間に配置される。
湿度計9Cは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。湿度計9Cは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を計測する。湿度計9Cの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図7では粗フィルタ8とガス処理フィルタ6との間に配置した例を示している。図には明示しないが、湿度計9Cは、加熱部9Aと粗フィルタ8との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、湿度計9Cは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aが粗フィルタ8とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aとガス処理フィルタ6との間またはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
下流側温度計9Dは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。下流側温度計9Dは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を計測する。下流側温度計9Dの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図7では粗フィルタ8とガス処理フィルタ6との間に配置した例を示している。図には明示しないが、下流側温度計9Dは、加熱部9Aと粗フィルタ8との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、下流側温度計9Dは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aが粗フィルタ8とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aとガス処理フィルタ6との間またはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
制御部9Eは、上流側温度計9B、湿度計9C、下流側温度計9Dの計測結果に基づいて加熱部9Aを制御する。具体的に、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。例えば、ガスGの相対湿度を70[%]以下まで低下させる場合、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度を10[℃]程度増加させることで、相対湿度が100[%]の場合でも相対湿度を70[%]以下に低下させることができる。相対湿度を70[%]以下とすれば、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能として99[%]以上が期待できる。この目標とする相対湿度は、湿度計9Cにより確認することができる。また、目標とする温度は下流側温度計9Dにより確認することができる。
このように、本実施形態の放射性ガス除去装置は、加熱手段9を含むことにより、放射性ガスフィルタ4への湿分による影響を抑え、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
なお、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を所定湿度に低下させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
なお、加熱手段9は、加熱部9Aを粗フィルタ8よりもガスGの流通の上流側に配置することが好ましい。このように加熱部9Aを配置することにより、粗フィルタ8やガス処理フィルタ6への湿分による影響も抑え、粗フィルタ8での粗粒子の捕集性能を向上することが可能になり、さらに、ガス処理フィルタ6での有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分の吸着性能や、ガス処理フィルタ6での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
図8は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。本実施形態の放射性ガス除去装置1は、図4に示す放射性ガス除去装置1において、加熱手段9をさらに含む。
加熱手段9は、加熱部9Aと、上流側温度計9Bと、湿度計9Cと、下流側温度計9Dと、制御部9Eと、を含む。
加熱部9Aは、ケーシング2の内部であって放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられておりケーシング2の内部を流通されるガスGを加熱する。加熱部9Aの配置は、放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図8では粗フィルタ8よりもガスGの流通の上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aは、粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間や、上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間や、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。
上流側温度計9Bは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の上流側に設けられている。上流側温度計9Bは、加熱部9Aに至るガスGの温度を計測する。上流側温度計9Bの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の上流側であればよく、図8では粗フィルタ8の上流側に配置された加熱部9Aの上流側に配置された例を示している。図には明示しないが、加熱部9Aが粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、粗フィルタ8の上流側または粗フィルタ8と加熱部9Aとの間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aが上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、粗フィルタ8の上流側または粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間もしくは上流側高性能フィルタ7と加熱部9Aとの間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、上流側温度計9Bは、粗フィルタ8の上流側または粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間もしくは上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間あるいはガス処理フィルタ6と加熱部9Aとの間に配置される。
湿度計9Cは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。湿度計9Cは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を計測する。湿度計9Cの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図8では上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置した例を示している。図には明示しないが、湿度計9Cは、加熱部9Aと粗フィルタ8との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、湿度計9Cは、粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、湿度計9Cは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aが粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aと上流側高性能フィルタ7との間または上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間もしくはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aが上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aとガス処理フィルタ6との間またはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、湿度計9Cは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
下流側温度計9Dは、ケーシング2の内部であって加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側に設けられている。下流側温度計9Dは、放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を計測する。下流側温度計9Dの配置は、加熱部9AよりもガスGの流通の下流側で放射性ガスフィルタ4よりもガスGの流通の上流側であればよく、図8では上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置した例を示している。図には明示しないが、下流側温度計9Dは、加熱部9Aと粗フィルタ8との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、下流側温度計9Dは、粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、下流側温度計9Dは、ガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置されてもよい。また、図には明示しないが、加熱部9Aが粗フィルタ8と上流側高性能フィルタ7との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aと上流側高性能フィルタ7との間または上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間もしくはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aが上流側高性能フィルタ7とガス処理フィルタ6との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aとガス処理フィルタ6との間またはガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置される。また、図には明示しないが、加熱部9Aがガス処理フィルタ6と放射性ガスフィルタ4との間に配置された場合、下流側温度計9Dは、加熱部9Aと放射性ガスフィルタ4との間に配置される。
制御部9Eは、上流側温度計9B、湿度計9C、下流側温度計9Dの計測結果に基づいて加熱部9Aを制御する。具体的に、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。例えば、ガスGの相対湿度を70[%]以下まで低下させる場合、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度を10[℃]程度増加させることで、相対湿度が100[%]の場合でも相対湿度を70[%]以下に低下させることができる。相対湿度を70[%]以下とすれば、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能として99[%]以上が期待できる。この目標とする相対湿度は、湿度計9Cにより確認することができる。また、目標とする温度は下流側温度計9Dにより確認することができる。
このように、本実施形態の放射性ガス除去装置は、加熱手段9を含むことにより、放射性ガスフィルタ4への湿分による影響を抑え、放射性ガスフィルタ4での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
なお、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの温度を所定温度に上昇させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度に基づいて放射性ガスフィルタ4に至るガスGの相対湿度を所定湿度に低下させるように加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、上流側温度計9B、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、上流側温度計9Bにより計測されるガスGの温度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
また、加熱手段9は、加熱部9A、湿度計9C、下流側温度計9D、制御部9Eを含む構成であってもよい。この場合、制御部9Eは、湿度計9Cにより計測されるガスGの相対湿度とともに、下流側温度計9Dにより計測されるガスGの温度に基づいて加熱部9Aを制御する。
なお、加熱手段9は、加熱部9Aを粗フィルタ8よりもガスGの流通の上流側に配置することが好ましい。このように加熱部9Aを配置することにより、粗フィルタ8や上流側高性能フィルタ7やガス処理フィルタ6への湿分による影響も抑え、粗フィルタ8での粗粒子の捕集性能を向上することが可能になり、さらに、上流側高性能フィルタ7での粒子の捕集性能を向上することが可能になり、さらにまた、ガス処理フィルタ6での有機溶剤ガス成分や酸性ガス成分の吸着性能や、ガス処理フィルタ6での放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質の吸着性能を向上することが可能になる。
[実施形態3]
図9は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。図9に示すように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、上述した実施形態1や実施形態2において、移動手段10をさらに含む。図9では、図8に示す放射性ガス除去装置1において移動手段10を含む例を示している。
移動手段10は、放射性ガス除去装置1のケーシング2を移動可能に構成したものである。例えば、図9に示すように、移動手段10としてのトレーラにおける荷台10Aにケーシング2を搭載してある。図には明示しないが、ケーシング2を移動手段10としての台車に搭載したり、ケーシング2自体に移動手段10としての車輪を設けたりしてもよい。
このように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、ケーシング2が移動可能に構成されていることにより、必要に応じて放射性ガスを除去する箇所に放射性ガス除去装置1を搬送し設置することが可能になる。
[実施形態4]
図10および図11は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。図10および図11に示すように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、上述した実施形態1や実施形態2において、ケーシング2が、遮蔽構造とされている。図10および図11では、図8に示す放射性ガス除去装置1においてケーシング2を遮蔽構造とした例を示している。
遮蔽構造としては、ケーシング2が、その外壁2Aを放射線遮蔽壁で構成されており、筒状の一端側2Bおよび他端側2Cの開口部2Ba,2Caが放射線遮蔽蓋11で閉塞される。放射線遮蔽壁の外壁2Aや放射線遮蔽蓋11は、放射線を遮蔽するコンクリートや金属などで形成される。
このように、本実施形態の放射性ガス除去装置1は、ケーシング2を遮蔽構造としたことにより、放射性ガスフィルタ4に吸着した放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質から放射され放射線がケーシング2の外部に漏洩する事態を防ぐことが可能になる。
また、遮蔽構造としては、図11に示すように、ケーシング2の外壁2Aや、放射線遮蔽蓋11を中空に形成しておき、放射性ガス除去装置1を使用する以前は中空のままとし、放射性ガス除去装置1の使用中または使用後に、中空の内部に放射線を遮蔽するコンクリートや液体や粒状の金属などを充填する。
このように構成することで、放射性ガス除去装置1を移動可能に構成した場合など、放射性ガス除去装置1を使用する以前は軽量にて搬送や設置を容易とし、放射性ガス除去装置1の使用中または使用後は放射性ガスフィルタ4に吸着した放射性よう素および放射性よう化メチルならびに放射性物質から放射され放射線がケーシング2の外部に漏洩する事態を防ぐことが可能になる。
[実施形態5]
図12および図13は、本実施形態に係る放射性ガス除去装置の概略図である。図12および図13は、上述した実施形態1や実施形態2における放射性ガス除去装置1の使用方法を示す。図12および図13では、図8に示す放射性ガス除去装置1を適用した例を示している。
図12に示すように、放射性ガス除去装置1は、ケーシング2の筒状の一端側2Bが放射性ガスを含む局所空間12に接続され、ケーシング2の筒状の他端側2Cが外気に開放される。放射性ガスを含む局所空間12は、例えば、放射性ガスの発生源となり得る原子力発電所の原子炉格納容器の内部がある。すなわち、原子炉格納容器の内部で放射性ガスが発生した場合、当該放射性ガスが原子炉格納容器の外部に漏洩しないように、放射性ガス除去装置1により放射性ガスを除去することが可能である。
また、図13に示すように、放射性ガス除去装置1は、ケーシング2の筒状の一端側2Bが放射性ガスを含む外気に開放され、ケーシング2の筒状の他端側2Cが局所空間13に接続される。局所空間13は、例えば、原子力災害時に原子力防災対策活動を推進するための緊急事態応急対策拠点施設(オフサイトセンター)などや避難施設などを含む。すなわち、放射性ガスが外気に漏洩した場合、当該放射性ガスが局所空間13に浸入しないように、放射性ガス除去装置1により放射性ガスを除去することが可能である。