JP5670852B2 - 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置 - Google Patents
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Description
(第1の実施形態)
(変形例1)
(変形例2)
(第2の実施形態)
Claims (7)
- 磁化が固定された第1の磁性層と、
磁化が可変の第2の磁性層と、
前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、
前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向に直交する第2の方向に延在し、前記第2の磁性層に隣接し、スピン波を伝搬する第1の磁性細線と、
前記第1の磁性細線の一端に設けられた第1のスピン波入力部と、
前記第1の磁性細線の他端に設けられた第1のスピン波検出部と、
を備え、
前記第1のスピン波入力部によって前記第1の磁性細線に第1のスピン波を伝搬させ前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を反転させて書き込みを行い、又は前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を歳差運動させて前記第1の磁性細線に第2のスピン波を生成し伝搬させて前記第1のスピン波検出部で前記第2のスピンを検出することで読み出しを行う磁気メモリ素子。 - 前記第2の磁性層と前記第1の磁性細線との間に更に第1の絶縁層を備える請求項1に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第2の磁性層の前記第1の磁性細線が設けられた側とは反対側に設けられ、前記第2の方向に延在しスピン波を伝搬する第2の磁性細線と、
前記第2の磁性細線の一端に設けられた第2のスピン波入力部と、
前記第2の磁性細線の他端に設けられた第2のスピン波検出部と、
を備え、
前記第2のスピン波入力部によって前記第2の磁性細線に第3のスピン波を伝搬させ前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を反転させて書き込みを行い、又は前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を歳差運動させて前記第2の磁性細線に第4のスピン波を生成し伝搬させて前記第2のスピン波検出部で前記第4のスピンを検出することで読み出しを行う請求項2に記載の磁気メモリ素子。 - 前記第2の磁性層と前記第2の磁性細線との間に更に第2の絶縁層を備える請求項3に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第1の方向において、請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の磁気メモリ素子が金属配線を介して複数接続されている磁気メモリ装置。
- 前記第1のスピン波入力部によって前記第1の磁性細線に第1のスピン波を伝搬させ前記第2の磁性層から前記第1の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を反転させて書き込みを行い、又は前記第2の磁性層から前記第1の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を歳差運動させて前記第1の磁性細線に第2のスピン波を生成し伝搬させて前記第1のスピン波検出部で前記第2のスピンを検出することで読み出しを行う請求項1に記載の磁気メモリ素子。
- 前記第2のスピン波入力部によって前記第2の磁性細線に第3のスピン波を伝搬させ前記第2の磁性層から前記第1の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を反転させて書き込みを行い、又は前記第2の磁性層から前記第1の磁性層に向かって電流を流すことで前記第2の磁性層の磁化を歳差運動させて前記第2の磁性細線に第4のスピン波を生成し伝搬させて前記第2のスピン波検出部で前記第4のスピンを検出することで読み出しを行う請求項3に記載の磁気メモリ素子。
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