JP2011129933A - 垂直磁気トンネル接合構造体並びにそれを含む磁性素子、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の垂直磁気トンネル接合は、上部磁性層及び下部磁性層のうちいずれか1層の磁性層に自由層を含み、トンネリング層と自由層との間に、分極強化層と交換遮断層とが積層されており、該交換遮断層は、非晶質の非磁性層であり、該分極強化層は、Fe層、体心立方(bcc)構造を有するFe系合金層、CoFeB系非晶質合金層、L21型ホイスラ(Heusler)合金層及びそれらの複合層のうちいずれか1層であり、該非晶質非磁性層は、ジルコニウム・ベース非晶質合金層、チタン・ベース非晶質合金層、パラジウム・ベース非晶質合金層、アルミニウム・ベース非晶質合金層及びそれらの複合層のうちいずれか1層であり、また該非晶質非磁性層は、全体的には非晶質であるが、局所的にはナノ結晶構造を有するものでありうる。
【選択図】図3
Description
22 ピニング層
24 ピンド層
32 第1分極強化層
36 第2分極強化層
34 トンネリング層
38 交換遮断層
40 自由層
42 キャッピング層
50 基板
52 第1不純物領域
54 第2不純物領域
56 ゲート
58 層間絶縁層
60 コンタクトホール
62 導電性プラグ
64,70a MTJ構造体
70 MTJ層
80 マスク
110 記録媒体
112 磁気ヘッド
114 磁区壁
C1 第1MTJ構造体
C2 第2MTJ構造体
L1,L11 下部磁性層
U1,U11 上部磁性層
Claims (29)
- 下部磁性層と、
前記下部磁性層上に形成されたトンネリング層と、
前記トンネリング層上に形成された上部磁性層と、を含み、
前記上部磁性層及び下部磁性層のうちいずれか1層の磁性層は、スピン分極電流によって磁化方向が変わり、垂直磁気異方性を示す自由層を含み、
前記トンネリング層と前記自由層との間に、分極強化層と交換遮断層とが積層されている垂直磁気トンネル接合構造体。 - 前記交換遮断層は、非磁性層であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記交換遮断層の厚みは、0.2nm〜1nmであることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記分極強化層は、Fe層、体心立方(bcc)構造を有するFe系合金層、CoFeB系非晶質合金層、L21型ホイスラ合金層及びそれらの複合層のうちいずれか1層であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記交換遮断層は、非晶質非磁性層であることを特徴とする請求項2に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記非晶質非磁性層は、ジルコニウム・ベース非晶質合金層、チタン・ベース非晶質合金層、パラジウム・ベース非晶質合金層、アルミニウム・ベース非晶質合金層及びそれらの複合層のうちいずれか1層であることを特徴とする請求項5に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記非晶質非磁性層は、Ta、Mo、W、Nb及びVのうちいずれか1層、またはそれらの合金層であることを特徴とする請求項5に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記非晶質非磁性層は、局所的にナノ結晶構造を有することを特徴とする請求項5に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記非晶質非磁性層は、Cr、Cu、Ta、Mo、W、Nb及びVのうちいずれか1層、またはそれらの合金層であることを特徴とする請求項5に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記分極強化層は、非晶質のCoFeB系合金層であることを特徴とする請求項6に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記分極強化層は、Fe系合金層であることを特徴とする請求項9に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記ジルコニウム・ベース非晶質合金層は、Zr−Ti−Al−TM層及びZr−Al−TM層のうちいずれか1層であることを特徴とする請求項6に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記チタン・ベース非晶質合金層は、Ti−Ni−Sn−Be−Zr層及びTi−Ni−Cu層のうちいずれか1層であることを特徴とする請求項6に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記パラジウム・ベース非晶質合金層は、Pd−Cu−Ni−P層及びPd−Cu−B−Si層のうちいずれか1層であることを特徴とする請求項6に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記アルミニウム・ベース非晶質合金層は、Al−Ni−Ce層及びAl−V−Fe層のうちいずれか1層であることを特徴とする請求項6に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記上部磁性層及び下部磁性層のうち、前記自由層を含まない磁性層は、前記トンネリング層と接触する他の分極強化層を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記トンネリング層と前記自由層との間の分極強化層と、前記他の分極強化層は、同じ物質であるか、あるいは異なる物質であることを特徴とする請求項16に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- 前記分極強化層は、非晶質のCoFeB系合金層であることを特徴とする請求項7に記載の垂直磁気トンネル接合構造体。
- スイッチング素子と、これに連結されて情報を保存するストレージ・ノードと、を含む磁気メモリ素子において、
前記ストレージ・ノードは、請求項1ないし請求項18のうち、いずれか1項に記載の垂直磁気トンネル接合構造体である磁気メモリ素子。 - 磁気トンネル接合構造体を磁気ヘッドに含むMPMにおいて、前記磁気トンネル接合は、請求項1ないし請求項18のうち、いずれか1項に記載の垂直磁気トンネル接合構造体であるMPM。
- 磁気トンネル接合構造体を利用して論理演算を行う磁性論理素子において、
前記磁気トンネル接合構造体は、請求項1ないし請求項18のうち、いずれか1項に記載の垂直磁気トンネル接合構造体である磁性論理素子。 - 下部層上に、下部磁性層を形成する段階と、
前記下部磁性層上に、トンネリング層を形成する段階と、
前記トンネリング層上に、上部磁性層を形成する段階と、を含み、
前記下部磁性層を形成する段階と、前記上部磁性層を形成する段階とのうちいずれか1つの段階は、スピン分極電流によって磁化方向が変わり、垂直磁気異方性を示す自由層を形成する段階を含み、
前記トンネリング層と前記自由層との間に、分極強化層と交換遮断層とを積層する垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。 - 前記自由層を含まない磁性層を形成する段階で、前記トンネリング層と接触する他の分極強化層を形成することを特徴とする請求項22に記載の垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。
- 前記交換遮断層は、非晶質非磁性層から形成することを特徴とする請求項22に記載の垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。
- 前記分極強化層は、Fe層、体心立方(bcc)構造を有するFe系合金層、FeCoB系非晶質合金層、L21型ホイスラ合金層及びそれらの複合層のうちいずれか1層から形成することを特徴とする請求項22に記載の垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。
- 前記非晶質非磁性層は、ジルコニウム・ベース非晶質合金層、チタン・ベース非晶質合金層、パラジウム・ベース非晶質合金層、アルミニウム・ベース非晶質合金層及びそれらの複合層のうちいずれか1層であることを特徴とする請求項24に記載の垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。
- 前記非晶質非磁性層は、Ta、Mo、W、Nb及びVのうちいずれか1層、またはそれらの合金層であることを特徴とする請求項24に記載の垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。
- 前記非晶質非磁性層は、局所的にナノ結晶構造を有することを特徴とする請求項27に記載の垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。
- 前記非晶質非磁性層は、Cr、Cu、Ta、Mo、W、Nb及びVのうちいずれか1層、またはそれらの合金層であることを特徴とする請求項24に記載の垂直磁気トンネル接合構造体の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014116474A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
US9899044B2 (en) * | 2014-08-01 | 2018-02-20 | National Institute For Materials Science | Magnetoresistive element, magnetic head using magnetoresistive element, and magnetic reproducing device |
CN110819928A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-02-21 | 河海大学 | 用于制备耐海洋环境腐蚀Al-Mo-Ni非晶涂层的粉芯丝材 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8400066B1 (en) | 2010-08-01 | 2013-03-19 | Lawrence T. Pileggi | Magnetic logic circuits and systems incorporating same |
US8476925B2 (en) | 2010-08-01 | 2013-07-02 | Jian-Gang (Jimmy) Zhu | Magnetic switching cells and methods of making and operating same |
US8508006B2 (en) * | 2011-05-10 | 2013-08-13 | Magic Technologies, Inc. | Co/Ni multilayers with improved out-of-plane anisotropy for magnetic device applications |
US9007818B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-04-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, systems including such cells, and methods of fabrication |
US9054030B2 (en) | 2012-06-19 | 2015-06-09 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication |
US8923038B2 (en) | 2012-06-19 | 2014-12-30 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication |
US9214624B2 (en) * | 2012-07-27 | 2015-12-15 | Qualcomm Incorporated | Amorphous spacerlattice spacer for perpendicular MTJs |
US8836056B2 (en) * | 2012-09-26 | 2014-09-16 | Intel Corporation | Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer |
US8796796B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing magnetic junctions having improved polarization enhancement and reference layers |
US9166152B2 (en) | 2012-12-22 | 2015-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Diffusionless transformations in MTJ stacks |
US9379315B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-06-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems |
US9130155B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic junctions having insertion layers and magnetic memories using the magnetic junctions |
US20140306303A1 (en) * | 2013-04-16 | 2014-10-16 | Headway Technologies, Inc. | Seed Layer for Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA) Thin Film |
KR102099879B1 (ko) * | 2013-05-03 | 2020-04-10 | 삼성전자 주식회사 | 자기 소자 |
US9368714B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-06-14 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of operation and fabrication, semiconductor device structures, and memory systems |
US9466787B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-10-11 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems |
US9461242B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Micron Technology, Inc. | Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems |
US9608197B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-03-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
KR102124361B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2020-06-19 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기터널접합을 포함하는 자기 기억 소자 |
US9236564B2 (en) * | 2013-12-11 | 2016-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing an engineered magnetic layer including Heusler layers and an amorphous insertion layer |
KR20150095187A (ko) * | 2014-02-11 | 2015-08-20 | 한양대학교 산학협력단 | 수직자기이방성을 갖는 mtj 구조 |
US10454024B2 (en) * | 2014-02-28 | 2019-10-22 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and memory devices |
US9281466B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-03-08 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication |
US9269888B2 (en) | 2014-04-18 | 2016-02-23 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
US9349945B2 (en) | 2014-10-16 | 2016-05-24 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication |
KR102268187B1 (ko) | 2014-11-10 | 2021-06-24 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 및 그 제조 방법 |
US9768377B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Magnetic cell structures, and methods of fabrication |
US9620706B2 (en) * | 2014-12-02 | 2017-04-11 | Qualcomm Incorporated | Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device |
US10439131B2 (en) | 2015-01-15 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including tunnel barrier materials |
KR102515479B1 (ko) | 2016-05-12 | 2023-03-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
US10003015B2 (en) * | 2016-10-07 | 2018-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing a diluted free layer magnetic junction usable in spin transfer torque applications |
WO2018125204A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Intel Corporation | Perpendicular spin transfer torque memory (psttm) devices with enhanced stability and method to form same |
US10177305B2 (en) | 2017-01-19 | 2019-01-08 | International Business Machines Corporation | Templating layers for perpendicularly magnetized heusler films |
US10396123B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-08-27 | International Business Machines Corporation | Templating layers for perpendicularly magnetized Heusler films |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007525839A (ja) * | 2004-02-19 | 2007-09-06 | グランディス インコーポレイテッド | 低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子 |
JP2009514193A (ja) * | 2005-08-23 | 2009-04-02 | グランディス インコーポレイテッド | フェリ磁性体を用いるスピン遷移スイッチング磁気素子およびこの磁気素子を用いる磁気メモリ |
US20090218645A1 (en) * | 2007-02-12 | 2009-09-03 | Yadav Technology Inc. | multi-state spin-torque transfer magnetic random access memory |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7313013B2 (en) * | 2004-11-18 | 2007-12-25 | International Business Machines Corporation | Spin-current switchable magnetic memory element and method of fabricating the memory element |
JP4877575B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2012-02-15 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
US7978439B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-07-12 | Headway Technologies, Inc. | TMR or CPP structure with improved exchange properties |
JPWO2009110119A1 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-07-14 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 強磁性トンネル接合素子および強磁性トンネル接合素子の駆動方法 |
WO2010080542A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-15 | Yadav Technology, Inc. | Spin-transfer torque magnetic random access memory having magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic anisotropy |
US8445979B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic memory devices including magnetic layers separated by tunnel barriers |
-
2009
- 2009-12-21 KR KR1020090128344A patent/KR20110071710A/ko not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-11-18 US US12/926,442 patent/US20110149647A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-21 JP JP2010284360A patent/JP2011129933A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007525839A (ja) * | 2004-02-19 | 2007-09-06 | グランディス インコーポレイテッド | 低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子 |
JP2009514193A (ja) * | 2005-08-23 | 2009-04-02 | グランディス インコーポレイテッド | フェリ磁性体を用いるスピン遷移スイッチング磁気素子およびこの磁気素子を用いる磁気メモリ |
US20090218645A1 (en) * | 2007-02-12 | 2009-09-03 | Yadav Technology Inc. | multi-state spin-torque transfer magnetic random access memory |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014116474A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Samsung R&D Institute Japan Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
US9899044B2 (en) * | 2014-08-01 | 2018-02-20 | National Institute For Materials Science | Magnetoresistive element, magnetic head using magnetoresistive element, and magnetic reproducing device |
CN110819928A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-02-21 | 河海大学 | 用于制备耐海洋环境腐蚀Al-Mo-Ni非晶涂层的粉芯丝材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110149647A1 (en) | 2011-06-23 |
KR20110071710A (ko) | 2011-06-29 |
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