JP5664279B2 - 摺動部材、その製造方法及び摺動構造 - Google Patents
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(実施例)
<摺動部材の製作>
図1に示すように、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜(Si含有a−CNxHy膜)の成膜には、2.45GHzのマイクロ波を利用した表面波励起プラズマCVD装置を用いた。装置の概要を図1に示す。直径400mm、高さ300mmの円筒状のチャンバ内において、100mm×60mmのステンレス(SUS304)製の試験片と、石英管表面との半径方向の距離dが20mmとなる位置にホルダを設置した。成膜ガスとしてアルゴン(Ar)、メタン(CH4),窒素(N2)およびテトラメチルシラン(TMS:Si(CH3)4)を準備した。なお、TMSにより、成膜される膜中にはSiが含まれることになる。900W(平均270〜360W)のマイクロ波パワーをパルス状にし、dutyを30−40%、周波数を500Hzとし、高密度プラズマ(電子密度ne>1011cm-3)を、直径10.5mm、長さ150mmの石英アンテナに沿って生成した。
窒素を含まない珪素を含有した非晶質炭素被膜(Si−DLC)を、プラズマCVDにより成膜した摺動部材を準備した。
実施例1と同じように、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜(Si含有a−CNxHy膜)を成膜した摺動部材を製作した。具体的には、窒素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比が、0.1未満、0.25を超えるように、非晶質炭素被膜を製作した。実施例と相違する点は、ArとTMSのガス流量を10sccmと、2.0sccmとに固定し、CH4とN2の流量を、(1)12sccmと3sccm(成膜温度:200℃、250℃、300℃)、(2)13sccmと2sccm(成膜温度:250℃)、(5)15sccmと0.2sccm(成膜温度:300℃)の3条件かつカッコ内に示す各成膜温度の条件での、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜(Si含有a−CNxHy膜)を成膜した点である。
<X線光電子分光による測定>
X線光電子分光(XPS)法により、非晶質炭素被膜に含まれるC−C、C=N、C−N、C−Oの結合エネルギーを測定し、さらに炭素、窒素、酸素の割合(原子%)を算出した。この結果を、表2に示す。なお、図2は、成膜温度250℃、メタンガス13sccm、窒素ガス2sccmの条件における測定結果である。
以下の手順で摩擦試験を行った。まず、直径8mm、以下の表1に示す窒化珪素球を準備した。
図4及び表2から、実施例及び比較例2から、N/C比が0.03から0.54まで変化したCNx膜において、N/C比が0.19において摩擦係数の最小値0.022となり、実施例の如くN/C比が、0.1〜0.25の範囲で摩擦係数が低減されたことがわかる。また、比較例1の窒素を含有しないSi含有の非晶質炭素被膜よりも、それに窒素を含有することで、摩擦係数が、0.030から0.022に(約27%)減少することがわかった。
Claims (3)
- 基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材であって、
前記非晶質炭素被膜は、窒素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比が、0.1〜0.25の範囲にあり、かつ、珪素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比が、0.2〜0.5の範囲であることを特徴とする摺動部材。 - 基材の摺動面に、プラズマCVDにより、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する摺動部材の製造方法であって、
前記非晶質炭素被膜の原料ガスとして、少なくとも炭化水素系ガス、窒素ガス、及び珪素原子を含むガスを用いて、窒素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比が、0.1〜0.25の範囲となるように前記非晶質炭素被膜を成膜するものであり、
前記炭化水素系ガスにメタンガスを用い、前記珪素原子を含むガスにテトラメチルシランガスを用いることを特徴とする摺動部材の製造方法。 - 請求項1に記載の摺動部材を第1の摺動部材として備え、該第1の摺動部材に摺動する摺動部材を第2の摺動部材として備え、該第1及び第2の摺動部材が無潤滑状態で摺動することを特徴とする摺動構造。
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